Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y g ate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir.

Un SCR acta a semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Dado que es un dispositivo de estado slido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida.

Si el voltaje de alimentacion es AC, el SCR nvierte una cierta parte del tiempo del ciclo en el estado encendido y el resto del tiempo en el estado apagado. La compuerta controla la cantidad de tiempo transcurrido en cada estado.

Un SCR es disparado por una pequea rafaga de corriente que se aplica en la compuerta. Esta corriente de compuerta (Ig) fluye atraves de la union entre la compuerta y el catodo y sale del SCR en la terminal del catodo.

Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

-Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM - Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM - Corriente mxima..........................................................................: IGM - Potencia mxima ..........................................................................: PGM - Potencia media .............................................................................: PGAV - Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT - Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT - Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT - Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT

Entre los anteriores destacan:

VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. - VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.

Los trminos populares para describir la operacin de un SCR son ngulo de

conduccin y ngulo de retardo de disparo. El

ngulo de conduccin es el numero de grados de un ciclo de ca durante los cuales el SCR esta encendido. El ngulo de retardo de disparo es el numero de grados de un ciclo de ca que transcurren antes de que el SCR sea encendido. Por supuesto, estos trminos estn basados en la nocin de que el tiempo total del ciclo es igual a 360 grados.

 ngulos de conduccin: -La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin. - A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia. - Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de conduccin: ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

Por puerta Por modulo de tension Por gradiente de tension Disparo por radiacion Disparo por temperatura

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Est asociado a la creacin de pares electrnhueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a1+ a2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores.

El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo. La frecuencia rara vez supera los 10 Khz. En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un calentamiento del dispositivo.

"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
a)

Causas: - La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud. - Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden producir transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del dispositivo. - La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin. Efectos: - Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo. - La dV/dt admisible varia con la temperatura.

b)

"dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes.
1.

Causas: - Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor. - Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor (puntos calientes). Efectos: - En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy altos. - La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra destruir el dispositivo.

2.

Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.