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UNIDAD 4 DIFUSION

Movimiento de los tomos en los materiales: Difusin Difusin: mecanismo por el cual la materia se transporta a travs de la materia

Gases

Difusin

Lquidos

Slidos

Difusin de permanganato de potasio en agua

En una disolucin, las partculas de lquido chocan y empujan al slido en todas direcciones Los slidos, como el permanganato de potasio, se difunden debido al movimiento de las partculas de agua, que chocan y empujan a las partculas del slido en todas direcciones.

Se estudiar la difusin de los tomos en los materiales slidos. La difusin en los gases y en los lquidos es ms rpida debido a que el factor de empaquetamiento es menos eficiente entre sus tomos o no existe. Los tomos se mueven de manera ordenada, tendiendo a eliminar las diferencias de concentracin y producir una composicin homognea en el material. Tratamiento trmico Difusin

Tratamientos que alteran la composicin superficial

Difusin en slidos El fenmeno de difusin se puede demostrar mediante el par difusor formado por la unin de dos metales puestos en contacto (Cu-Ni). Este par se calienta a elevada temperatura durante un largo perodo de tiempo y luego se enfra. El anlisis qumico revela: Cu y Ni en los extremos separados por una regin de aleacin. La composicin de ambos metales vara con la distancia

- Autodifusin Mecanismos de difusin: - Difusin por vacancias - Difusin intersticial

(c) (a y b) Difusin por vacancias en cristales FCC (c) Difusin intersticial en la red FCC

Mecanismos de difusin en los materiales. (A) Difusin por vacancia o por sustitucin de tomos (B) Difusin intersticial (C) Difusin intersticial desajustada (D) Difusin por intercambio y anillo.

Autodifusin En los materiales puros, los tomos se mueven o saltan de una posicin a otra en la red (se detecta mediante trazadores radioactivos). La autodifusin ocurre de manera continua en todos los materiales No se aprecia su efecto sobre el comportamiento del material

Difusin por vacancias


Mecanismo de difusin que implica el cambio de un tomo desde una posicin reticular normal a uno vacante Proceso necesita presencia de vacantes y la posibilidad de difusin es funcin del numero de defectos que existan (T )

El movimiento de los tomos van en sentido opuesto al de las vacantes

Difusin de tomos de cobre en nquel

Difusin intersticial
 Mecanismo de difusin que implica tomos que van desde una posicin intersticial a otra vecina desocupada. El mecanismo tiene lugar por interdifusin de solutos (C,H,N y O) que tiene tomos pequeos. Los solutos sustitucionales raramente ocupan posiciones intersticiales y no difunden por este mecanismo.

Energa de activacin para la difusin:  Un tomo que se difunde debe moverse entre los tomos circundantes para ocupar su nueva posicin.  El tomo debe atravesar una barrera de energa potencial que requiere una energa de activacin Q. El calor proporciona al tomo la energa para vencer esta barrera.  Normalmente se necesita menos energa para forzar un tomo intersticial a que pase entre los tomos circundantes; en consecuencia, la energa de activacin es menor en la difusin intersticial que en la difusin por vacancias

Los tomos son forzados o deformados al pasar entre otros tomos durante la difusin. Se requiere de una energa de activacin para este proceso.

La energa de activacin y el mecanismo de difusin: La energa de activacin es usualmente menor en tomos que difunden a travs de estructuras cristalinas abiertas, en comparacin con tomos que difunden en estructuras cristalinas compactas. La energa de activacin es menor para la difusin de tomos en los materiales que tienen bajas temperaturas de fusin La energa de activacin es menor para tomos sustitucionales pequeos comparados con tomos de mayor tamao.

Difusin en estado estacionario


Difusin de tomos de un gas a travs de una lmina metlica, cuyas concentraciones de las sustancias que difunden se mantienen constantes a ambos lados de la lmina. Ej. H difundiendo en una lmina de paladio o nitrgeno en una pared de acero

Ecuacin de flujo (Primera ley de Fick) La velocidad a la cual los tomos se difunden en un material se mide por la densidad de flujo (J), la cual se define como el nmero de tomos que pasa a travs de un plano de rea unitaria por unidad de tiempo.

La primera ley de Fick determina el flujo neto de tomos:

xC J ! D xx

Empricamente se ha encontrado que D vara exponencialmente con la temperatura

Q D ! D 0 exp RT
Donde: Q : energa de activacin (cal/mol) R : constante del gas ideal (1.987 cal/mol K) T : temperatura absoluta (K). Do : constante para un sistema de difusin dado.

Tipo de mecanismo de difusin; intersticial (C en Fe) o sustitucional (Cu el Al) Temperatura D Estructura cristalina del disolvente; C en Fe BCC o FCC (factor de empaquetamiento 0,68 o 0,74) Tipo de defectos cristalinos (bordes de grano, vacancias) Concentracin de las especies que difunden

Coeficiente de difusin D en funcin de la inversa de la temperatura de diversos metales

Ejercicio: La purificacin del gas hidrgeno se realiza por difusin a travs de una lamina de paladio. Calcular el nmero de kilogramos de hidrgeno que pasa en una hora a travs de una lamina de 0,25 m2 de rea y 6 mm de espesor a 600 C. Suponer un coeficiente de difusin de 1,7 x 10-8 m2/s, que las concentraciones de hidrgeno son de 2,0 y 0,4 kg de hidrgeno por metro cbico de paladio y que se ha alcanzado el estado estacionario.

Aplicaciones industriales de los procesos de difusin Ej. Endurecimiento del acero por gas carburizante Objetivo: superficie dura, interior resistente Material base: acero 0,10 0,25 % de C Atmosfera: CH4 o hidrocarburos gaseosos Temperatura 927 C

Difusin en estado no estacionario

En muchos fenmenos estudiados, la difusin ocurre en rgimen transitorio. En este caso, tanto el flujo como la concentracin varan con el tiempo

2 ley de Fick:

xC x xC ! D xt xx xx
La solucin a la segunda ley de Fick permite calcular la concentracin de muestras cercanas a la superficie del material como una funcin del tiempo y la distancia, siempre y cuando el coeficiente de difusin D permanezca constante, es decir que sea independiente del tiempo.

Para este caso la solucin a la 2 ley de Fick es:

Cs  C x, t ! erf Cs  Co

x 2 Dt

CS : concentracin superficial del elemento del gas que difunde en la superficie Co : concentracin inicial uniforme del elemento en el slido Cx : concentracin del elemento a la distancia x de la superficie en el tiempo t x : distancia desde la superficie D : coeficiente de difusin t : tiempo

Difusin en defectos cristalinos A travs de vacancias o intersticios Difusin Dislocaciones Bordes de grano Superficies libres El movimiento de tomos por los defectos cristalinos es mucho ms rpida que por el volumen En algunos casos, la contribucin del flujo de tomos a travs de los defectos cristalinos es insignificante (la seccin transversal de las reas es muy pequea comparada con el interior del material)

Difusin en borde de grano Ocurre a una velocidad mayor que la difusin a travs del volumen

Como la difusividad a lo largo del borde de grano es mucho mayor que en volumen, el difundente penetra mucho ms profundamente por el borde que por cualquier otra regin. Se genera entonces un gradiente de concentracin en la direccin perpendicular al borde por lo que el material comienza a filtrarse hacia el interior de los cristales adyacentes.

Difusin y el procesamiento de los materiales: Los procesos a base de difusin son muy importantes cuando se utilizan o procesan materiales a temperaturas elevadas. Crecimiento de grano Soldadura por difusin Sinterizacin

Crecimiento de grano

El crecimiento de grano ocurrir cuando los tomos se difundan a travs del borde de grano de un grano a otro

Soldadura por difusin: mtodo para unir materiales

Pasos en la soldadura por difusin (a) unin del material a soldar (b) aplicacin de presin para deformar la superficie (c) difusin en bordes de grano (d) la eliminacin de huecos requiere difusin volumtrica.

Sinterizacin: es un tratamiento a alta temperatura, que hace que pequeas partculas se unan y se reduzca el volumen del espacio de los poros entre ellas (componentes cermicos, metalurgia de polvos, materiales compuestos) Los tomos difunden hacia los puntos de contacto, creando puentes y reduciendo el tamao de los poros.

Ejercicios: 1) Una forma de fabricar transistores, dispositivos que amplifican las seales elctricas, es la de difundir tomos como impurezas en un material semiconductor como el silicio. Supngase una oblea de silicio de 0,1 cm. de espesor, que contienen originalmente un tomo de fsforo por cada 10.000.000 de tomos de Si, es tratada de manera de aumentar a 400 tomos de P por cada 10.000.000 de tomos de Si en la superficie. Calcular el gradiente de concentracin a) En porcentaje atmico por centmetro b) En tomos/cm3 - cm El parmetro de red del silicio es 5.4307 A y su estructura es cbica de diamante con 8 tomos equivalentes.

Ejercicio a) Determinar el tiempo necesario para alcanzar una concentracin de 0,3% de carbono a 4 mm de la superficie de una aleacin hierrocarbono que inicialmente contena 0,1% C. La concentracin en la superficie se mantiene a 0,9 %C y la probeta se calienta a 1000 C b) El nitrgeno difunde en hierro puro a 675 C. Si la concentracin superficial se mantiene a 0,2% N en peso cul ser la concentracin a 2 mm de la superficie despus de 25 h? c) Los coeficientes de difusin del cobre en el aluminio a 500 y a 600 C son 4,8 x 10-14 y 5,3 x 10-13 m2/s, respectivamente. Determinar el tiempo aproximado necesario para conseguir, a 500 C, la misma difusin del Cu en Al en un punto determinado, que un tratamiento de 10 h a 600 C

2) La superficie de un acero con 0,1% de C va a ser endurecida por carburizacin. En la carburizacin el acero se coloca en una atmsfera que proporciona un mximo de 1,2% de C a la superficie del acero a temperatura elevada. Entonces el carbono se difunde en la superficie del acero. Para obtener propiedades optimas, el acero debe contener 0,45% de C a una profundidad de 0,2 cm. por debajo de la superficie Cunto tiempo llevar la carburizacin si el coeficiente de difusin es de 2*10-7 cm2/s? 3) Se encuentra que se necesitan 10 h para provocar que el carbono se difunda 0,1 cm desde la superficie de un engrane de acero a 800C. Cunto tiempo se necesita para lograr la misma penetracin del carbono a 900C? La energa de activacin para la difusin de tomos de carbono en el hierro FCC es de 32900 cal/mol.