DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Prof. Mag. De Pasquale Lorenzo

Comisin: Moreno-Bez

Dispositivos Multicapa

IRISTORES Y TRIACS

Introduccin a la Electrnica de Potencia

Con visin histrica, el concepto de Electrnica diferenciaba dos ramas: La primera estudiaba el procesamiento de seales elctricas y los dispositivos asociados y la segunda estaba dedicada al estudio del procesamiento de la potencia elctrica y los dispositivos asociados. En la Electrnica de seal se vara la cada de tensin que un componente activo crea en un circuito habitualmente alimentado en continua. Esta variacin permite, a partir de una informacin de entrada, obtener otra de salida modificada o amplificada. Lo que interesa es la relacin entre las seales de entrada y salida, examinando posteriormente la potencia suministrada por la fuente auxiliar que requiere para su funcionamiento. La funcin de base es la amplificacin y la principal caracterstica es la ganancia.

Introduccin a la Electrnica de Potencia

Seal

Seal tratada

Potencia

Pot. modificada

entrada

salida

entrada

salida Seal de disparo

Fuente aux.
potencia

Electrnica de seal

Electrnica de potencia

Introduccin a la Electrnica de Potencia

En la Electrnica de potencia, el concepto principal es el rendimiento. El elemento de base no puede trabajar en rgimen de amplificacin pues las prdidas seran elevadas, es necesario trabajar en rgimen de conmutacin, siendo el componente de base el semiconductor quien trabaja como interruptor. Este componente trabajando en conmutacin deber cumplir las siguientes caractersticas: - Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). - Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequea potencia de control. - Ser capaz de soportar altas tensiones cuando est bloqueado y grandes intensidades, con pequeas cadas de tensin entre sus extremos, cuando est en conduccin. - Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

Introduccin a la Electrnica de Potencia

La Electrnica de potencia se desarrolla fundamentalmente a partir del nacimiento del tiristor. A partir de esa fecha los conceptos electrotcnicos se convierten en electrnicos. Se desarrollan entre los aos 1965 y 1980 gran cantidad de dispositivos multicapa para el procesamiento de la potencia elctrica basados en este dispositivo. Cabe agrupar los desarrollos en este sentido en convertidores AC/DC (rectificadores controlados), convertidores DC/AC y AC/AC (inversores), y convertidores DC/DC. A partir de los aos 1980 se produce un fuerte incremento de la penetracin en el mercado de equipos de potencia debido fundamentalmente a la incorporacin por parte de estos de otros nuevos elementos de potencia como el transistor, MOSFET, IGBT, que permiten mayores frecuencias de conmutacin y consecuentemente la reduccin del tamao de los equipos. El tiristor sigue ocupando a pesar de todo un lugar preferente para las altas potencias (mayores de 500 KW).

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DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE POTENCIA: Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

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TIRISTORES
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se utilizan en los circuitos conversores de potencia elctrica controlada. Compiten en algunas aplicaciones, con los transistores de potencia. Actan como interruptores de corriente elctrica, con caracterstica biestable, que lo hace pasar de un estado no conductor, a un estado conductor. En comparacin con los transistores, desde el punto de vista de su actuacin como interruptor de corriente elctrica, los tiristores tienen menores perdidas por conduccin en estado encendido y tienen mayores especificaciones para el manejo de la potencia elctrica a convertir. Los transistores, en cambio, tienen en general, mejor prestacin durante la conmutacin, por su mayor velocidad y menor perdida de conmutacin. Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores denominados tiristores, con dos, tres y hasta cuatro terminales externos.

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TIRISTORES
Por ejemplo el tiristor convencional, denominado SCR (rectificador controlado de silicio) es el tiristor de mayor inters hoy en da. Fue introducido por primera vez en 1956 por los laboratorios de Bell Telephone y son capaces de controlar hasta 10MW con niveles de corriente de hasta 2000 A a 18000 V. Posee tres terminales, dos de los cuales los emplea para conducir la corriente elctrica a convertir, y el tercer terminal se lo utiliza para encender el dispositivo (pasaje al estado conductor). La operacin inversa, o sea el bloqueo de la corriente controlada, solo se logra por accin natural (cruce por cero de la corriente por el cambio de polaridad del voltaje), o por accin forzada de circuitos de conmutacin auxiliares. El GTO es un tiristor que tiene implementada la funcin de encendido y apagado mediante una compuerta que se le aplican pulsos positivos (para encendido) y pulsos negativos (para apagado), respecto al terminal ctodo.

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TIRISTORES
Estructura y smbolo:
Es un semiconductor slido de silicio formado por cuatros capas P y N alternativamente, dispuestas como se ve en la siguiente figura donde tambin se representa su smbolo.

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TIRISTORES

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Principio de funcionamiento
Siguiendo el grafico se supone que entre nodo y ctodo no existe tensin alguna as como entre el electrodo de gobierno, o puerta y el ctodo por lo que existen ciertas zonas desprovistas de cargas, bien definidas, en cada una de las uniones PN, y sealadas como J1, J2, J3.

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Polarizacin directa
Al aplicar una tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin J1 y J3 se polariza en directa, y la unin J2 se polariza en inversa. En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra cortado.

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Polarizacin directa
Si aumentamos la tensin nodo-ctodo (vca), la juntura J2 entra en ruptura por avalancha (vca = VBO), denominado voltaje de ruptura directo. Por el tiristor circulara una gran corriente, solo limitada por la carga conectada al circuito. Se dice que el tiristor entro en estado de conduccin directo o activado. En esta condicin, vca1 volt. La corriente se mantendr circulando, solo si esta supera un valor, denominado corriente de retencin o enganche(IL)-Latching.

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Curva I-V en polarizacin directa

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Polarizacin en inversa
Cuando se aplica una tensin negativa en el nodo respecto al ctodo, J1 y J3 se polarizan inversamente, y J2 se polariza directamente. En esta condicin, la junturas J1 y J3, se comportan como dos diodos conectados en serie, soportando una tensin inversa, por lo que circulara una pequea corriente de fuga entre nodo y ctodo (corriente inversa). Se dice que en esta condicin, el tiristor esta en estado de bloqueo inverso, similar a un diodo polarizado inversamente.

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Polarizacin en inversa
Curva I-V del SCR

Curva I-V de un SCR

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Activacin por Corriente de Compuerta

La activacin de un tiristor, haciendo vca > VBO, lo puede destruir. En la prctica vca < VBO. y para activarlo, se le aplica un voltaje positivo a la compuerta G, respecto al ctodo. Una vez activado, puede quedar en esta condicin (por un mecanismo de realimentacin interna positiva), siempre y cuando la corriente de nodo supere el valor de la corriente mnima de retencin o enganche (ia> iL). Dadas estas condiciones, la tensin de compuerta se puede retirar, sin afectar el ultimo estado conductor del tiristor . El tiristor, en el estado conductor, se comporta en forma similar a la de un diodo polarizado directamente y ya no hay control sobre el dispositivo. El estado de bloqueo directo se logra, como dijimos, mediante la conmutacin natural de la tensin de alimentacin a un valor negativo o mediante circuitos especiales de apagado del tiristor; todos ellos actuando sobre la corriente de nodo para que su valor se haga menor a la de mnima de mantenimiento (ia < iH).

Curva I-V de un SCR

Dispositivos Multicapa Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Consiste en separar su estructura fsica en dos mitades. La mitad izquierda es un transistor PNP y la mitad derecha NPN, resultando el circuito mostrado en la siguiente figura que normalmente es referido como candado.

Dispositivos Multicapa Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Aplicando una tensin positiva en el electrodo de puerta, vemos que la corriente pasa a travs de la unin J3 polarizada en sentido directo, del ctodo hacia la puerta o electrodo de gobierno, tal como ocurrira en un transistor NPN. Las tres regiones inferiores compuestas por los cristales N2, P2 y N1 se pueden considerar como un transistor NPN en el cual P2 constituye la base; N1 el colector, y N2, el emisor. La corriente electrodo de gobierno-ctodo equivale a la corriente emisor-base de un transistor, y por el efecto transistor parte de la corriente de emisor atraviesa la unin J2 y pasa al colector. El flujo de electrones a travs de la unin J2 es causa de que la regin de agotamiento se estreche y que , por lo tanto, su resistencia se reduzca.

Dispositivos Multicapa Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Como consecuencia de todo lo expuesto la proporcin de la tensin nodo-ctodo que aparece en la unin J2 disminuye, lo cual permite que aumente la tensin de las uniones J1 y J3. La polarizacin directa de J1 aumenta y un cierto nmero de huecos atraviesa la unin, lo cual se ve representado por la flecha blanca.

Dispositivos Multicapa Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Las regiones P1, N1 y P2 pueden a su vez ser consideradas como un transistor PNP , por lo que , debido al efecto del transistor normal, algunos de los huecos del emisor P1 fluyen hacia el colector P2 a travs de la base N1 (flecha blanca). Este ltimo flujo de huecos a travs de la unin J2 hace que su anchura se reduzca an ms y, por consiguiente, aumenta el flujo de electrones en el transistor formado por las regiones N2, P2 y N1. Este efecto acumulativo, iniciado por el impulso positivo aplicado entre electrodo de gobierno y ctodo, contina rpidamente hasta que la unin J2 desaparece del todo, con lo cual la resistencia efectiva nodo-ctodo del tiristor se hace muy pequea y puede circular a travs de l una corriente directa de gran intensidad.

Dispositivos Multicapa Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Cada transistor posee una ganancia de corriente: Q1=1 ; Q2=2 La corriente IC del colector de un transistor se relaciona con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO. IC = IE + ICBO

Dispositivos Multicapa Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

La ganancia de corriente en base comn se define como IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente de emisor es la corriente andica IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar con la ecuacin:

IC1= 1IA + ICB01

donde 1 es la ganancia en corriente e ICB01 es la corriente de fuga para Q1. De igual modo, para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es IC2= 2Ik + ICB02 donde 2 es la ganancia en corriente e ICB02 es la corriente de fuga para Q2. Se combinan IC1 e IC2 para obtener IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICB01 + 2IK + ICB02 Si la corriente de disparo es IG, IK = IA + IG, reemplazando en la ecuacin anterior y despejando IA se obtiene IA = 2IG + ICB01 + ICB02 1 ( 1 + 2 )

Dispositivos Multicapa Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

1) Si en la ecuacin anterior hacemos IG = 0 , es decir no hay activacin por compuerta, la corriente de nodo vale: IA = ICB01 + ICB02 En este caso 1 =2 0 dado que IE e IC 0 2) Si hacemos IG distinto de 0 o sea tenemos activacin por la compuerta del transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la realimentacin interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector de Q2 que a su vez es corriente de base de Q1 y por efecto de amplificacin aumenta su corriente de emisor (corriente de nodo del tiristor); de la misma forma aumenta la corriente de colector de Q1 y esta corriente alimenta nuevamente la base de Q2 y as sucesivamente hasta que ambos transistores pasan a la saturacin. En la formula el crecimiento de la corriente de nodo se nota al aumentar las ganancias de corrientes de los transistores por efecto del aumento de las corrientes de emisor de los transistores.

Dispositivos Multicapa Diferentes formas de activar un tiristor

Trmica: Si la temperatura de un tiristor es alta, hay aumento en la cantidad de pares e- hueco, que aumenta las corrientes de fuga y estas hacen que aumente 1 y 2. Debido a la accin regenerativa 1+2 puede tender a la unidad y el tiristor se puede activar. Este tipo de activacin puede causar avalancha trmica, y por lo tanto se evita. Luz: Al incidir luz en las uniones del tiristor, aumentan los pares e- hueco y el mismo puede activarse. Los que utilizan este mtodo dejan que la luz incida sobre la oblea de silicio. Alto voltaje: Si el voltaje en sentido directo (A-K) es mayor que el VBO (voltaje de ruptura directo) pasa una corriente de fuga suficiente para iniciar la activacin regenerativa. Esta activacin se debe evitar porque es destructiva. dv/dt: Si la rapidez de aumento del VAK es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas es suficiente para activar el tiristor. Se debe proteger contra una alta tasa de dv/dt. Corriente de compuerta: Si el tiristor esta polarizado en directa, la inyeccin de corriente de compuerta al aplicar un voltaje (+) entre la compuerta y el ctodo hace que el tiristor conduzca. Al aumentar la corriente de compuerta disminuye el voltaje de bloqueo en sentido directo.

Dispositivos Multicapa Desactivacin de un tiristor

Un tiristor que esta activo puede desactivarse reduciendo la corriente en sentido directo hasta un valor inferior al de la corriente de retencin IH. En todas las tcnicas de desactivacin la corriente andica se mantiene inferior a la corriente de retencin durante un tiempo suficientemente largo para que todo el exceso de portadores en las 4 capas se recombinen. Los tiristores para activarse necesitan un impulso corto, para desactivarse necesitan circuitos especiales de control.

Dispositivos Multicapa Tipos de tiristores

Se pueden clasificar en 13 categoras: Tiristores controlados por fase (SCR) Tiristores bidireccionales controlados por fase BCT (Bidirectional PhaseControlled Thyristor) Tiristores de conmutacin rpida Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASC) Tiristores de trodo bidireccional TRIACS (Triode Alternating Current Switch) Tiristores de conduccin en sentido inverso RCT (reverse-conducting thyristor) Tiristores apagados (desactivado) por compuerta GTO (Gate Turn-Off) Tiristores controlados por FET ( FET-CTH) Tiristores de apagado por MOS (MTO- Mos Turn-Off) Tiristores de apagado (control) por emisor ETO (Emitter Turn-Off) Tiristores conmutados por compuerta integrada IGCT (Integrated GateCommutated Thy) Tiristores controlados por MOS (MCT- Mos Contolled Thyristor) Tiristores de induccin esttica (SITH- Static inducction Thyristor)

Dispositivos Multicapa Aplicaciones de los diferentes dispositivos

Dispositivos Multicapa Grafico comparativo frec-I-V

Dispositivos Multicapa Tipos de Encapsulado

Dispositivos Multicapa TRIACS

El TRIAC (TRIode for Alternative Current) Es un dispositivo semiconductor de caracterstica biestable, con la particularidad que puede conducir corriente controlada en ambos sentidos, con tensiones positivas y negativas, aplicadas a sus terminales principales. La activacin, se realiza en forma similar a los SCR, aplicndoles una tensin elctrica, de determinada polaridad, al terminal de compuerta. Como el triac, puede conducir en ambas direcciones, sus terminales principales, se denominan T2 y T1, en reemplazo del ctodo y nodo de los dispositivos unidireccionales, como el SCR.

Dispositivos Multicapa MODOS DE ENCENDIDO

Dispositivos Multicapa TRIACS

En la prctica las sensibilidades al disparo son diferentes. En el primer cuadrante se logra activar al triac con menor corriente de compuerta, aplicndole un pulso de tensin positiva. Para el tercer cuadrante la mayor sensibilidad, se logra con un pulso de tensin negativa, en la compuerta. Esencialmente el TRIAC no presenta diferencias de funcionamiento con respecto al SCR. Los regimenes mximos que garantiza el fabricante estn determinados por la temperatura mxima de funcionamiento. Los valores de tensin de bloqueo estn disponibles hasta 1200 V y corrientes mximas de 300 A. La frecuencia mxima de operacin es de 400Hz, con tiempos de conmutacin de 200 a 400 seg. Los TRIAC, tienen aplicaciones en los convertidores de ca a ca (modifican el valor eficaz de la tensin alterna) por el mtodo de control por fase. Cuando trabajan con carga inductiva, debido a que la corriente circula mas all del cruce por cero de la tensin de alimentacin, cuando la corriente se hace finalmente cero, el TRIAC se somete a una dv/dt alta debido a que en ese momento la tensin en sus extremos toman el valor de la tensin externa que en ese momento tiene un valor alto.

Dispositivos Multicapa TRIACS

Por ello es necesario protegerlo con una red pasiva RC, dado que si no se lo hace, se pierde el control de potencia y el TRIAC se reactiva inmediatamente sin pulso de disparo.

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Bibliografa: Electrnica de Potencia. Muhammad H.Rashid. Prentice Hall. Solid State Electronic Devices. Streetman. Prentice Hall. Artculos de internet ( Introd.Sistemas de Potencia Universidad de Valencia-Universidad Nacional de Rosario-UTN Facultad Regional Santa FeVarios)

AO 2007