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IC
IBn
IB6
IC55 IB5
IC5
IBP
ICP IB4
IB3
IB2
IB1
UCE
UCE5UCEP UC55
TRANSISTORES
Polarización Fija
Ecuación del circuito de salida
UCC
ICC U CC RC I C U CE
U CC U CE
RC IC
RB IC RC RC
IB
Ecuación de la recta de carga
UCE
UBE IE Si IC 0 U CE U CC
U CE 0 U CC
Si IC
RC
TRANSISTORES
Recta de carga UCC
ICC
IC Zona de RC
U CC Amplificación IBn
RB IC
IC IB
RC IB6
UCE
IC55 IB5 UBE IE
IC5
Zona de
Saturación IBP
I CP IB4
IB3
IB2
IB 0
IB1
UCE IC 0
U CE 0 UCE5UCEP UC55
Zona de Corte
U CE U CC IB 0
TRANSISTORES UCE
Conclusiones
Cuando el punto de trabajo esta en la
zona de corte
UCC
ICC U CE U CC IC 0 IB 0
Cuando el punto de trabajo esta en la
RC zona de saturación
RB IC
IB
U CE 0 IC
U CC IB 0
UCE RC
UBE IE
UCC
IC Zona de ICC
U CC Amplificación IBn
IC
RC IB6 RC
RB IC
IB5 IB
IC UCE
IB4 UBE IE
IB3
IB2
UCE
1
U CE U CC
Amplificación 2 U CE U CC
TRANSISTORES
Recta de carga
Ecuación del circuito de salida
UCC
ICC UCC = RC IC + UCE
Ecuación del circuito de ingreso
RC
RB IC UCC = RB IB + UBE
IB
UBE ≈ 0.7[V]
UCE
Característica mutua
UBE IE
IC = β IB Saturación Amplificación
Amplificación
zona de corte y saturación Interruptor zona de amplificación
electrónico
U CC
U CESat 0 U CESat 0 10.5V U CE
2
TRANSISTORES
Polarización: Realimentación por emisor
Ecuación del circuito de salida
UCC
ICC U CC RC I C U CE RE I E
Ecuación del circuito de ingreso
RB
RC
IC U CC RB I B U BE RE I E
IB Característica mutua
UCE I C I B IC I E
UBE
Saturación Amplificación Amplificación
RE IE
U RE U CC U RE
1
U CC
10
zona de corte y saturación Interruptor zona de amplificación
electrónico
U CC
U CESat 0 U CESat 0 10.5V U CE
2
TRANSISTORES
Estabilidad térmica
UCC
1
IC IB I CBO
RC 1 1
IC
I C I B I CEO
UBB RB 1
UCE 1
1 1 1
IB UBE IE 1 1
I C I B 1I CBO
RE
Estabilidad térmica
dI C dI B
dI C S ( 1) 1
S dI CBO dI CBO
dI CBO
TRANSISTORES
Estabilidad térmica
UCC
U BB RB I B U BE RE I E
RC IC I E
IC I E IC I B
RB
I C I B 1I CBO
UBB
UCE
IB UBE IE
RE
U BB ( RB RE ) I B U BE RE ( I B ( 1) I CBO )
Derivando respecto a ICBO
dI B dI B
0 ( RB RE ) I B RE ( 1) RE
dI CBO dI CBO
Realizando operaciones
TRANSISTORES
Estabilidad térmica
dI B ( 1) RE
UCC 2
dI CBO RB RE RE
RC Reemplazando 2 en 1
IC
2 RE RE RB RE 2 RE RB RE RE
UBB RB S
RB RE RE
UCE
IB Realizando operaciones
UBE IE
RB RE 1 S
1
RE S
R B R E R E 1
3
K
RB RE RB 4
Donde K K 1
RE RE
TRANSISTORES
Ejemplo IC = 80 [mA] UCC = 15 [V]
RC = 120 [Ω]
UCC Β = 150
Fijando S = 10
1
RC S K
IC 1
1 1
K S
UBB RB
UCE K
150
10.638 U RE
1
U CC
IB 150 1 10
UBE IE 1
RE
10
U RE 7.5V
7.5V RB
RE 93.75 K 1
80mA RE
RB RE ( K 1) 93.75(10.638 1) 903.56
U BB RB I B U BE RE I E U BB 903.56 * 0.08 0.7 93.75 * 0.08 8.68[V ]
150
TRANSISTORES
Circuito de autopolarización
UCC
UCC ICC
ICC
RC
IB1 RC IC
RB1 IC IB
UCC IB1
IB
RB1 UCE
UCE UBE
UBE RB2 IE
RB2 IB2RE
IB2 RE IE
TRANSISTORES
Circuito de autopolarización
UCC
RB1 * RB 2 RB 2
RBB U BB U CC
RC RB1 RB 2 RB1 RB 2
IC
RB1 RB 2 RBB
UBB RBB U BB U CC U BB U CC
UCE RB1 RB1 RB 2 RB1
IB UBE IE U CC RC I C U CE RE I E
RE
U BB RBB I B U BE RE I E I C I B
S
1
K
RBB
1
1
K RE
TRANSISTORES
U CE RB I B U BE
U CE RB I B U BE
ICC I CC I C I B I E IC I B IC I E
RB
UCE U CC RC I CC RB I B U BE RE I E
IB U
BE IE
RE U CC RC ( I C I B ) RB I B U BE RE ( I C I B )
U CC ( RC RE )( I C I B ) RB I B U BE
Derivand
o U CC U BE ( RC RE )( h fe I B I B ) RB I B
U CC U BE
IB
( RC RE )( h fe 1) RB
TRANSISTORES
U CE RB I B U BE
U CE RB I B U BE
Estabilidad térmica
I C I B 1I CBO
UCC
ICC dI C dI C dI B
RC S S ( 1)
dI CBO dI CBO dI CBO
RB ICC
U CC RC I C U CE RE I E U CE RB I B U BE
UCE
IB U
BE IE U CC RC I CC RB I B U BE RE I E
RE
U CC RC ( I C I B ) RB I B U BE RE ( I C I B )
U CC RC RE I C U BE RC RE RB I B
U CC U BE RC RE I C
IB
RC RE RB
TRANSISTORES
U CE RB I B U BE
U CE RB I B U BE
Estabilidad térmica
I C I B 1I CBO
UCC
ICC U CC U BE RC RE I C
RC IC ( 1) I CBO
RC RE RB
ICC
RB 1 RC RE U CC U BE
IC ( 1) I CBO
UCE RC RE RB RC RE RB
IB U
IE
BE
U CC U BE ( 1) I CBO
RE IC
1 RC RE 1 RC RE
C
R R E R B
dI C ( 1)
S
dI CBO 1 RC RE
C
R R E R B