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(Ensino secundário)
Introdução
1. Introdução
O cobre é material considerado bom condutor,
tanto para o calor como para a eletricidade.
A razão é evidente quando observamos a sua
estrutura atómica como nos ilustra a figura 1.
Nessa figura, o núcleo do átomo de cobre
contém 29 protões (cargas positivas).
Quando um átomo de cobre tem uma carga
neutra, ela possui também 29 eletrões (cargas
negativas) girando à volta do seu núcleo.
Condutores eléctricos
1. Introdução
Os eletrões giram em órbitas distintas (também
chamadas de camadas), existindo:
2 eletrões na primeira camada;
8 eletrões na segunda;
18 na terceira;
E 1 na órbita mais externa (última camada).
Condutores eléctricos
2. Órbitas estáveis
O núcleo positivo da figura 1 atrai os eletrões
planetários, impedindo que esses eletrões de se
chocarem com o núcleo.
Essa força de atração que os protões exercem
sobre os eletrões é a força centrífuga (externa)
criada pelo seu movimento circular.
A força centrífuga é exatamente igual à força
de atração do núcleo, de modo que a órbita
fica estável.
Condutores eléctricos
2. Órbitas estáveis
Quanto mais distante está um eletrão do seu
núcleo, menor é a força atração que o núcleo
exerce sobre ele.
Em uma órbita externa, por exemplo a última,
um eletrão circula mais lentamente, produzindo
uma força centrífuga menor.
O eletrão mais externo (eletrão de valência) na
figura 1 circula o núcleo muito lentamente e
quase não sente sua atração.
Condutores eléctricos
3. Núcleo
Em eletrónica, tudo o que importa é a órbita
mais externa, também chamada de órbita de
valência.
Ela controla as propriedades elétricas do átomo
e para enfatizar a sua importância, definimos o
núcleo de um átomo como núcleo dos protões
com todas as órbitas internas.
Assim sendo, para um átomo de cobre, seu
núcleo envolve os 29 protões mais seus 28
eletrões das órbitas interiores.
Condutores eléctricos
3. Núcleo
Como resultado, podemos afirmar que o núcleo
de um átomo de cobre tem uma carga líquida
de +1, pois ele contém 29 protões e 28 eletrões
nas órbitas interiores.
A figura 2 ajuda a visualizar o núcleo e sua órbita
de valência, onde o eletrão de valência está
na maior órbita.
Por essa razão, a atração sentida pelo eletrão
de valência é muito baixa.
Condutores eléctricos
4. Eletrão livre
Como a atração entre o núcleo e o eletrão de valência
de um átomo de cobre é muito fraca, uma força
externa pode deslocar facilmente este eletrão do
átomo de cobre.
Quando isso aconece, o eletrão de valência passa a ser
chamada eletrão livre, sendo por isso que o cobre é um
bom condutor.
O menor valor de tensão pode fazer os eletrões livres se
deslocarem de um átomo para o próximo.
Contudo, os melhores condutores são prata, cobre
e ouro, tendo todos eles um diagrama do núcleo igual
ao ilustrado na figura 2.
Condutores eléctricos
Exercício exemplo
Suponha que uma força externa retire o eletrão
de valência do átomo de cobre (figura 2).
a) Qual é a carga líquida desse átomo de
cobre?
b) Qual é a carga líquida se outro eletrão
externo entrar nesta órbita de valência da
figura 2?
Condutores eléctricos
Resolução
a) Quando o eletrão de valência é retirado, a
carga líquida do átomo torna-se +1.
Sempre que um átomo perde um de seus
eletrões ele fica positivamente carregado.
Neste caso, o átomo instável passa a ser
chamado de ião positivo.
Condutores eléctricos
Resolução
b) Quando um eletrão externo passa a circular na
órbita de valência da figura 2, a carga líquida
do átomo torna-se -1.
Sempre que um átomo ganha um eletrão
externo ele fica negativamente carregado.
Neste caso, o átomo instável passa a ser
chamado de ião negativo.
Semicondutores
1. Introdução
Como já se disse, os melhores condutores são a
prata, o cobre e o ouro) porque possuem apenas
um eletrão de valência.
Enquanto que os melhores isolantes são os materiais
como a porcelana, a borracha, etc., que possuem
oito eletrões de valência.
O semicondutor é um elemento com propriedades
elétricas entre as do condutor e as do isolante.
Como podemos estar pensando, os melhores
semicondutores possuem quatro eletrões de
valência (Ex: Silício e germânio).
Semicondutores
2. Germânio
O germânio é o primeiro elemento semicondutor
usado nos primórdios da era eletrónica.
Pois, há muitos anos o germânio era o único
material disponível para a fabricação de
dispositivos semi-condutores.
Mas os dispositivos feitos a partir do germânio
tinham uma falha fatal, pois a sua corrente reversa
era excessiva.
Eventualmente, outro semicondutor chamado de
silício tornou-se mais utilizado e fez o germânio
tornar-se obsoleto na maioria das aplicações
eletrônicas.
Semicondutores
3. Silício
Assim como o oxigênio, o silício é um elemento
abundante na natureza.
Mas, inicialmente, existia determinado problema no
seu polimento que impedia seu uso na
fabricação de dispositivos semicondutores.
Uma vez solucionado esse problema, as vantagens
do silício fizeram dele a melhor escolha para a
fabricação de semicondutores.
Podemos afirmar sem sombras para dúvidas que
sem ele, a eletrónica moderna, as comunicações e
os computadores seriam impossíveis.
Semicondutores
3. Silício
Um átomo isolado de silício tem 14 protões e 14
eletrões, conforme nos mostra a figura 3A.
Desta forma, o seu núcleo tem uma carga
líquida de +4.
Isto porque ele contém 14 protões no núcleo e
10 eletrões nas duas primeiras órbitas.
A figura 3B mostra o diagrama do núcleo de um
átomo de silício, onde os 4 eletrões de valência
informam que o silício é um semicondutor.
Cristais de silício
1. Introdução
Quando os átomos de silício combinam-se para formar
um sólido, eles se organizam num padrão ordenado
chamado de cristal.
Cada átomo de silício compartilha os seus 4 eletrões de
valência com 4 átomos vizinhos de tal modo que
passam a existir oito eletrões na sua órbita de valência.
Por exemplo, a figura 4A ilustra a ligação covalente de
um átomo central com quatro átomos vizinhos.
Os círculos sombreados representam os núcleos de
silício, e embora o átomo central tenha originariamente
quatro eletrões na sua órbita de valência, ele agora
passa a ter oito eletrões.
Cristais de silício
2. Ligações covalentes
Conforme nos deixa perceber a ilustração da figura
4A, cada átomo vizinho compartilha um eletrão
com o átomo central.
Desse modo, ele passa a ter quatro eletrões adicio-
nais, ficando com um total de oito eletrões na últi-
ma camada.
Os eletrões não pertencem mais a nenhum átomo
isolado, ou seja, cada átomo central e seus vizinhos
compartilham seus eletrões.
A mesma ideia é válida para todos os outros átomos
de silício, isto é, cada átomo dentro do cristal de
silício liga covalentemente com quatro vizinhos.
Cristais de silício
2. Ligações covalentes
Na figura 4A, cada núcleo tem uma carga de
+4, onde, por exemplo, o átomo central e o
outro à sua direita atraem o par de eletrões
entre eles com forças iguais e opostas.
A atração nas direções opostas é o que man-
tém os átomos de silício ligados.
Cristais de silício
2. Ligações covalentes
Como cada eletrão compartilhado na figura 4A
está sendo puxado no sentido oposto, o eletrão
torna-se uma ligação entre os núcleos opostos
(ligação covalente).
A figura 4B é o modo mais simples de mostrar o
conceito de ligações covalentes.
Num cristal de silício, existem bilhões de átomos de
silício, cada um com oito eletrões de valência.
Os eletrões de valência são ligações covalentes
que mantêm a estrutura do cristal que forma o
sólido.
Cristais de silício
3. Saturação da camada de valência
Como já se viu, cada átomo num cristal de silício
tem oito eletrões na sua órbita de valência.
Esses oito eletrões produzem uma estabilidade
química que resulta num corpo sólido de material
de silício.
Não sabemos ainda, com certeza, por que as
órbitas mais externas dos elementos possuem esta
predisposição quando completam oito eletrões.
Quando não há oito eletrões, existe uma tendência
para o elemento combinar e compartilhar eletrões
com outros átomos, para atingir esse número.
Cristais de silício
3. Saturação da camada de valência
Existem equações avançadas na física que
explicam parcialmente por que os oito eletrões
produzem uma estabilidade química nos
diferentes materiais.
Mas não sabemos a razão do número oito ser
tão especial, tal como as leis da gravidade, de
Coulomb e outras.
No entanto, admite-se que quando a órbita de
valência tem oito eletrões, ela fica saturada.
Cristais de silício
𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎çã𝑜 𝑑𝑒 𝑣𝑎𝑙ê𝑛𝑐𝑖𝑎 ⟹ 𝑛 = 8
4. Lacunas
Num cristal de silício, as vibrações dos átomos
podem ocasionalmente deslocar um eletrão da
órbita de valência.
Quando isso acontece, o eletrão liberado ga-
nha energia suficiente para mudar para outra
órbita mais externa (figura 5A), e nessa órbita o
eletrão torna-se um eletrão livre.
Cristais de silício
4. Lacunas
Mas isso não é tudo, pois a saída do eletrão cria
um vazio na órbita de valência chamado de la-
cuna (figura 5A).
A lacuna comporta-se como uma carga posi-
tiva, pois a perda de um eletrão produz um ião
positivo.
A lacuna vai atrair e capturar outro eletrão ime-
diatamente mais próximo dela.
Cristais de silício
4. Lacunas
A existência de lacunas é a diferença crítica entre
os condutores (corrente elétrica) e os semi-
condutores (corrente eletrónica).
As lacunas permitem aos semicondutores fazer
muitas coisas impossíveis de conseguir com os
condutores.
Na temperatura ambiente, a energia térmica pro-
duz apenas alguns eletrões livres.
E para aumentar o número de lacunas e de eletrões
livres, é preciso fazer a dopagem do cristal.
Cristais de silício
5. Recombinação e tempo de vida útil
Num cristal de silício puro, a energia térmica
(calor) cria um número igual de eletrões livres e
lacunas.
Os eletrões livres têm um movimento aleatório
através do cristal.
E quando um eletrão livre se aproxima de uma
lacuna, é atraído por ela e “cai” nessa lacuna.
A recombinação é o desaparecimento de um
eletrão e uma lacuna, como nos ilustra a figura
5B.
Cristais de silício
5. Ideias principais
A qualquer instante, os seguintes acontecimen-
tos ocorrem dentro de um cristal de silício:
a) Alguns eletrões livres e lacunas são gerados
pela energia térmica;
b) Outros eletrões livres e lacunas se recom-
binam;
c) Alguns eletrões livres e lacunas existentes
temporariamente esperam pela recombi-
nação.
Cristais de silício
Exercício exemplo
Suponha que um cristal de silício puro tem 1
milhão de eletrões livres:
a) Quantas lacunas existem?
b) O que acontece com o número de
eletrões livres e lacunas se a temperatura
ambiente aumentar?
Cristais de silício
Resolução
a) Observando, por exemplo a figura 5A, quando
a energia térmica gera um eletrão livre, auto-
maticamente aparece uma lacuna ao mesmo
tempo.
Portanto num cristal de silício puro sempre tem o
mesmo número de lacunas e eletrões livres.
Assim sendo, se existe 1 milhão de eletrões livres,
então existe 1 milhão de lacunas.
Cristais de silício
Resolução
b) Um aumento na temperatura faz aumentar as
vibrações nos níveis atómicos, o que significa
que mais eletrões livres são gerados.
Mas não importa o que acontece com a tem-
peratura, num cristal de silício puro tem o
mesmo número de elétrons livres e lacunas.
Semicondutores intrínsecos
1. Introdução
O cristal de silício é um semicondutor intrínseco
(puro) se cada átomo no cristal for um átomo
apenas de silício.
Na temperatura ambiente, um cristal de silício
age como um isolante porque tem apenas
alguns eletrões livres e lacunas produzidas pela
energia térmica.
Semicondutores intrínsecos
2. Fluxo de eletrões
A figura 6 mostra parte de um cristal de silício
entre placas metálicas carregadas.
Suponha que a energia térmica tenha
produzido um eletrão livre e uma lacuna.
O eletrão livre está numa órbita mais externa do
lado direito do cristal.
Semicondutores intrínsecos
2. Fluxo de eletrões
Como a placa está carregada negativamente,
o eletrão livre é repelido para o lado esquerdo.
Esse eletrão livre pode mover-se de uma órbita
externa para a próxima até alcançar a placa
positiva.
Semicondutores intrínsecos
3. Fluxo de lacunas
Observe que a lacuna no lado esquerdo da
figura 6 atrai o eletrão de valência do ponto A e
isso faz com que o eletrão de valência se mova
para a lacuna.
Quando o eletrão de valência do ponto A
move-se para a esquerda, ele cria uma lacuna
no ponto A.
O efeito é o mesmo que mover a lacuna original
para a direita e a nova lacuna no ponto A pode
atrair e capturar outro eletrão de valência
Semicondutores intrínsecos
3. Fluxo de lacunas
Desse modo, os eletrões de valência podem via-
jar ao longo do caminho mostrado pelas setas.
Isso significa que a lacuna pode mover-se no
sentido oposto, ao longo do caminho A-B-C-D-
E-F, funcionando do mesmo modo que uma
carga positiva.
Dois tipos de fluxos
3. Aumento de lacunas
A figura 8B mostra um átomo trivalente no
centro rodeado por quatro átomos de silício.
Sabemos que um átomo trivalente tem original-
mente apenas três eletrões de valência.
E cada átomo de silício vizinho compartilha com
um eletrão do átomo da impureza, resultando
num total de sete eletrões na órbita de valência.
Dopagem do semiconductor intrínseco
3. Aumento de lacunas
Isso significa que existe uma lacuna na órbita de
valência de cada átomo trivalente.
Por essa razão, o átomo trivalente é chamado
de átomo aceitador.
Isto porque cada lacuna que existe pode
receber um eletrão livre durante a recombina-
ção.
Semiconductor extrínseco
1. Introdução
Um semicondutor pode ser dopado para ter um
excesso de eletrões livres ou excesso de lacunas.
Por essa razão, existem dois tipos de semicon-
dutores dopados (extrínsecos), ou seja:
Semicondutor do tipo P(positivo);
Semicondutor do tipo N(negativo);
Semiconductor extrínseco
2. Semicondutor do tipo N
O silício que foi dopado com impureza penta-
valente é chamado de semicondutor tipo N,
(negativo).
A figura 9 mostra um semicondutor tipo N, onde
se vê claramente que o número de eletrões
livres excede o número de lacunas.
Desta forma, num semicondutor tipo N, os ele-
trões livres são chamados de portadores maiori-
tários e as lacunas, de portadores minoritários.
Semiconductor extrínseco
2. Semicondutor do tipo N
Devido à aplicação de uma tensão, os eletrões
livres movem-se para a esquerda e as lacunas
movem-se para a direita.
Quando uma lacuna alcança o final do lado
direito do cristal, um dos eletrões livres do
circuito externo passa para o semicondutor e
recombina com a lacuna.
Semiconductor extrínseco
2. Semicondutor do tipo N
Os eletrões livres mostrados na figura 9 circulam
para o lado final à esquerda do cristal.
E ali, eles passam para o fio condutor em dire-
ção ao terminal positivo da bateria.
Semiconductor extrínseco
3. Semicondutor do tipo P
O silício que foi dopado com impureza trivalente
é chamado de semicondutor tipo P (positivo).
A figura 10 mostra um semicondutor tipo P, onde
se vê agora que o número de lacunas excede o
número de eletrões livres.
Por essa razão, num semicondutor tipo P, as
lacunas são chamadas de portadores maiori-
tários e os eletrões livres, de portadores mino-
ritários.
Semiconductor extrínseco
3. Semicondutor do tipo P
Com a aplicação de uma tensão, os electrões livres
movem-se para a esquerda e as lacunas movem-se
para a direita.
Na figura 10, as lacunas que chegam ao
final direito do cristal recombinam com os electrões
livres do circuito externo.
Existe também um fluxo de portadores minoritários
(neste caso, os electrões livres) dentro do semicon-
dutor circulando da direita para a esquerda.
Como existem poucos portadores minoritários, eles
quase não afetam o circuito.
Diodo não polarizado
1. Introdução
Por si só, um semicondutor tipo N é usado como um
resistor de carbono e o mesmo pode ser dito para um
semicondutor tipo P.
Mas quando um fabricante dopa um cristal de modo
que metade dele é do tipo P e a outra metade do tipo
N, algo novo começa a acontecer.
A “fronteira” entre o tipo P e o tipo N é chamada de
junção PN, sendo ela a base para todo tipo de
invenções, inclusive dos diodos, transistores e circuitos
integrados.
Entendendo a junção PN, seremos capazes de enten-
dermos todos os outros dispositivos semicondutores.
Diodo não polarizado
3. Camada de depleção
Em virtude da repulsão, os eletrões livres do lado
N na figura 12 tendem a se difundir (espalhar)
em todas as direções.
Alguns eletrões livres se difundem através da
junção e, quando um eletrão livre entra na
região P, ele passa a ser um portador minoritário.
Diodo não polarizado
3. Camada de depleção
Com tantas lacunas em seu redor, esse portador
minoritário tem um tempo de vida muito curto.
Ou seja, logo que entra na região P, o eletrão
livre recombina com uma lacuna.
Quando isso acontece, a lacuna desaparece e
o eletrão livre passa a ser um eletrão de valên-
cia.
Diodo não polarizado
3. Camada de depleção
Cada vez que um eletrão difunde-se na junção,
ele cria um par de iões.
Quando um eletrão deixa o lado N, ele deixa
para trás um átomo pentavalente que perde
uma carga negativa e se torna num ião positivo.
Após a migração, o eletrão “cai” numa lacuna
do lado P.
Isso faz que um ião negativo fora do átomo tri-
valente o capture.
Diodo não polarizado
3. Camada de depleção
A figura 13A mostra esses iões em cada um dos
lados da junção.
Os círculos com sinais positivos são os iões
positivos e os círculos com sinais negativos são
os iões negativos.
Os iões ficam fixos na estrutura do cristal em
virtude da ligação covalente.
Por essa razão, eles não podem se mover entre
os átomos como eletrões livres e lacunas.
Diodo não polarizado
3. Camada de depleção
Cada par de iões positivos e negativos na
junção é chamado de dipolo.
A criação de um dipolo significa que um eletrão
livre e uma lacuna ficam fora de circulação.
À medida que o número de dipolos aumenta, a
região próxima da junção torna-se vazia de
porta-dores de carga.
Chamamos a região vazia de portadores de
carga de camada de depleção (figura 13B).
Diodo não polarizado
4. Barreira de potencial
Cada dipolo cria um campo elétrico entre os
iões positivo e negativo.
Portanto, se um eletrão livre adicional entrar na
camada de depleção, o campo elétrico tenta
empurrar este eletrão de volta para a região N.
A intensidade do campo elétrico aumenta ca-
da vez que um eletrão cruza a junção até atin-
gir o equilíbrio.
Diodo não polarizado
4. Barreira de potencial
Para uma primeira aproximação, significa que o
campo elétrico eventualmente interrompe a
difusão de eletrões através da junção.
Na figura 13A, o campo elétrico entre os iões é
equivalente a uma diferença de potencial cha-
mada de barreira de potencial (𝑼𝑩𝑷 ).
Na temperatura de 25ºC, a barreira de
potencial é de 0.3V aproximadamente para os
diodos de germânio, e de 0.7V para os diodos
de silício.
Polarização directa
1. Introdução
A figura 14 mostra uma fonte DC aplicada a um
diodo, onde o terminal negativo da fonte está
conectado a um material tipo N.
E o terminal positivo está conectado a um mate-
rial tipo P.
Essa conexão produz o que chamamos de pola-
rização direta da junção PN.
Polarização directa
2. Fluxo dos eletrões livres
Na figura 14 a bateria empurra as lacunas e os
eletrões livres em direção à junção.
Se a tensão da bateria for menor que a barreira
de potencial, os eletrões livres não possuem
energia suficiente para penetrar na camada de
depleção.
Isto porque, quando eles penetram na camada
de depleção, os iões empurram os eletrões livres
de volta para a região N, por isso não há
corrente pelo diodo.
Polarização directa
1. Introdução
Invertendo a fonte de tensão DC, obteremos o
circuito mostrado na figura 15.
Desta vez, o terminal negativo da bateria está
conectado do lado P, e o terminal negativo da
bateria do lado N.
Essa conexão produz o que é chamado de
polarização inversa da junção PN.
Polarização inversa
2. Aumento da largura da camada de depleção
O terminal negativo da bateria atrai as lacunas,
e o terminal positivo da bateria atrai os eletrões
livres.
Por isso, as lacunas e os eletrões livres afastam-se
da junção e desta forma, a camada de deple-
ção alarga-se cada vez mais até que se estabi-
liza (figura 16A).
Quando as lacunas e os eletrões se afastam da
junção, os novos iões gerados aumentam a
d.d.p. através da camada de depleção.
Polarização inversa