INSTITUTO PROFESIONAL SANTO TOMAS

DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA

UNIDAD 1. Diodos

GERMAN CRUZ PANIRE

IQUIQUE - CHILE
 Unidad I
Funcionamiento del diodo

Aprendizajes esperados

1) Establecer las caractersticas y funcionamiento del diodo

2) Aplicar conceptos de circuitos I y II, Electrnica Digital

Integrada para resolver circuitos elctricos de potencia.

2
 Requisitos
Definicin : Fsica, cargas elctricas, materiales, semiconductores.
Herramientas e instrumentos:
Pinzas Multmetro
Cautn Fuente de voltaje
Caimanes..... Osciloscopio....
Conocimientos bsicos: Carga, campo elctrico y magntico, diferencia de
potencial, corriente, voltaje.
Leyes
Ohm, Kirchhoff (LVK, LCK), Capacitancia, Inductancia, divisor de voltaje y de
corriente, circuitos equivalentes de Thevenin y de Norton.
Dispositivos:
Amplificadores operacionales, Diodos, transistores, dispositivos digitales
(compuertas, contadores, flip flops...), convertidores, pics,
microcontroladores, microprocesadores, DSP...
Aplicaciones: Mdicas, sociales, entretenimiento, investigacin, aeronutica,
aeroespacial, navegacin, transporte.....
 Diodos de Potencia

Los diodos semiconductores de potencia juegan un

papel significativo en los circuitos electrnicos de
potencia. Un diodo funciona como interruptor, a fin de
llevar a cabo varias funciones, como la de
interruptores en los rectificadores, de marcha libre en
los reguladores conmutados, etc.

Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede

suponer que los diodos de potencia son interruptores
ideales, pero en la prctica difieren de las
caractersticas ideales y tienen ciertas limitaciones.
4
 Diodos de Potencia

Los diodos de potencia son similares a los diodos de

seal de unin pn. Sin embargo, los diodos de
potencia tienen mayores capacidades en el manejo
de la energa, el voltaje y la corriente, que los diodos
de seal ordinarios. La respuesta a la frecuencia (o
velocidad de conmutacin) es baja en comparacin
con los diodos de seal.

5
 Caractersticas de los diodos
Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn
de dos terminales, por lo general, una unin pn est
formada por aleacin, difusin, y crecimiento epitaxial.
Las tcnicas modernas de control en los procesos de
difusin y epitaxiales permiten obtener las
caractersticas deseadas para el dispositivo.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de

electrones del cristal n al p

Crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricacin

de circuitos integrados.

6
 Semiconductores
SEMICONDUCTORES: Materiales que poseen un nivel de conductividad sobre
algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor.
COBRE: = 10-6-cm
MICA: = 1012-cm
SILICIO = 50 x 103-cm GERMANIO: = 50 -cm
-Alto nivel de pureza
-Existen grandes cantidades en la naturaleza.
-Cambio de caractersticas de conductores a aislante por medio de procesos de dopado
o aplicacin de luz calor.
MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):
Estructura atmica: Red cristalina
Enlaces entre tomos: Covalentes
Electrones de valencia: 4
 Semiconductores
NIVELES DE ENERGA : Mientras ms distante se
encuentre el electrn del ncleo mayor es el estado de
energa, y cualquier electrn que haya dejado su tomo,
tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn
en la estructura atmica.

Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda prohibida Banda prohibida
Eg > 5 eV Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV
Banda de valencia
Banda de valencia

Banda de valencia

Aislante Semiconductor Conductor

 Semiconductores
Si Si Si

Si Si Si
Material Intrinseco
Si Si Si

Materiales extrinsecos

Si Si Si Si Si Si

Si 5 Si Si 4 Si

Antimonio Si Si Si Boro Si Si Si
Arsnico Galio
Fsoforo Indio

TIPO n TIPO p
 Semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO N

+ + +
+
+ +
Impurezas grupo V
+ +
+ +
+
+
+
300K
+ + +

Electrones libres tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO P

- - -
-
- -
- -
- -
-
-
-
300K
- - -

Huecos libres tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actan como portadores de carga positiva.
 La unin P-N

La unin P-N en equilibrio

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

 La unin P-N

La unin P-N en equilibrio Zona de transicin

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
 La unin P-N
TIPO p TIPO n
Iones Iones
aceptores donadores
Portadores Portadores
m ayoritarios m ayoritarios

Portadores
Portadores
m inoritarios
m inoritarios

Tipo p Tipo n

Regin de
agotamiento
 La unin P-N

La unin P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay

circulacin de corriente.
 La unin P-N

La unin P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
 La unin P-N

La unin P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Concentracin de huecos Concentracin de electrones

+

La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
 La unin P-N
p n

Sin polarizacin

p n

Polarizacin inversa

p n

Polarizacin directa
 La unin P-N

Conclusiones:

Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente

Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin

de corriente elctrica

P N

DIODO SEMICONDUCTOR
 Caractersticas de los diodos
Cuando el potencial del nodo es positivo con respecto al
ctodo, se dice que el diodo tiene una polarizacin directa o
positiva y el diodo conduce.
A (nodo)
nodo
i i
+ + P

V V N
K (ctodo)
Ctodo - -

Un diodo en conduccin tiene una cada de voltaje directa

relativamente pequea a travs de si mismo; la magnitud de
esta cada de voltaje depende del proceso de manufactura y de
temperatura de unin. 20
 Caractersticas de los diodos
Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al
nodo, se dice que el diodo tiene una polarizacin inversa.

A (nodo)
nodo
i i
+ + P

V V N
K (ctodo)
Ctodo - -

Bajo condiciones de polarizacin inversa, fluye una pequela

corriente inversa tambin (Conocida como I de fuga) en el
rango de los uA o mA, cuya magnitud crece lentamente en
funcin del voltaje inverso, hasta llegar al voltaje de avalancha
o zenner. 21
 El diodo semiconductor

nodo Terminal
nodo Encapsulado
(cristal o resina
sinttica) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
semiconductor
DIODOS DE POTENCIA

N
Contacto metal-
Marca semiconductor
Ctodo sealando el
ctodo
Ctodo Terminal
 Caractersticas de los diodos
Las caractersticas v-i mostradas en la imagen anterior, se
pueden expresar mediante una ecuacin conocida como la
ecuacin Schockey de diodo, y esta dada por:


= 1
Donde:
iD: Corriente a travs del diodo, A
VD: Voltaje del diodo con nodo positivo con respecto al ctodo, V
IS: Corriente de fuga, tpicamente en el rango entre 10-6 a 10-15 A
n: Constante emprica conocida como coeficiente de emisin o factor de
idealidad, cuyo valor vara de 1 a 2.
VT: constante de voltaje trmico

23
 Caractersticas de los diodos
El coeficiente de emisin n depende del material y de la
construccin fsica del diodo. En el caso de los diodos de
germanio, n se considera igual a 1. En los diodos de silicio, el
valor n=2, pero en la mayor parte de los diodos de silicio
reales, el valor n cae entre 1.1 y 1.8
El voltaje trmico VT, esta dada por:

=

Donde:
q= carga del electrn: 1.6022x10-9 Coulomb (C)
T= temperatura absoluta en Kelvins (K=273+C)
K= constante de Boltzmann: 1.3806x10-23 J/K

24
 Caractersticas de los diodos
Ejemplo:
A una temperatura de unin de 25C, la ecuacin queda:

1.3806 1023 273 + 25

= = 19
25.8
1.6022 10

25
 Caractersticas de los diodos
A una temperatura especfica, la corriente de fuga IS es una
constante para un diodo dado. La caracterstica del diodo se
puede dividir en tres regiones:
i [mA]
1

0
VD V [V]

Regin de polarizacin directa, donde VD>0

Regin de polarizacin inversa, donde VD<0
Regin de ruptura, donde VD< - VZK
26
 Caractersticas de los diodos
Regin de polarizacin directa:
En la regin de polarizacin directa VD>0. La corriente del
diodo ID es muy pequea si el voltaje del diodo VD es menor
que un valor especfico VTD (tpicamente 0.7 V). El diodo
conduce totalmente si VD es mayor que este valor VTD, que se
conoce como el voltaje umbral, voltaje de corte, o voltaje de
activacin. Por lo tanto, el voltaje umbral es un voltaje al cual
el diodo conduce totalmente.
Ejem: Consideremos un pequeo voltaje de diodo VD=0.1 V, n=1 y
VT=25.8mV. De la ecuacin del diodo, podemos encontrar que la corriente
correspondiente al diodo ID es:


= 1 = 0.1 10.0258 1 = 48.23 1
48.23

27
 Caractersticas de los diodos
Regin de polarizacin inversa:
En la regin de polarizacin inversa, VD< 0. Si VD es negativo y |VD|>>VT,
cosa que ocurre para VD>-0.1, el termino de la exponencial de la ecuacin
del diodo se vuelve despreciablemente pequeo en comparacin con la
unidad, y la corriente del diodo ID se vuelve

= 1

Lo que indica que la corriente del diodo ID en la direccin inversa es

constante y es igual a IS

28
 Caractersticas de los diodos
Regin de ruptura:
En la regin de ruptura, el voltaje inverso es alto, por lo general mayor que
1000 V. La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado
conocido como voltaje de ruptura, VBR. La corriente inversa aumenta
rpidamente con un pequeo cambio en el voltaje inverso mas all de VBR.
La operacin en la regin de ruptura no ser destructiva, siempre y cuando
la disipacin de la potencia este dentro del nivel seguro especificado en el
datasheet. A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin
de ruptura, a fin de mantener la disipacin de la energa dentro de valores
permisibles.

29
 Caractersticas de los diodos
Ejemplo:
La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es VD=1.2 V a ID= 300A.
Suponiendo que n=2 y VT= 25.8mV, encuentre la corriente de saturacin IS.
Solucin:
Al aplicar la ecuacin del diodo, podemos encontrar la corriente de fuga (o
corriente de saturacin) IS, a partir de:

= 1 = 300 1.220.0258 1
Al despejar IS = 2.38 * 10-8 A

30
 Caractersticas de los diodos
Ejem: Consideremos un pequeo voltaje de diodo VD=0.1 V, n=1 y
VT=25.8mV. De la ecuacin del diodo, podemos encontrar que la corriente
correspondiente al diodo ID es:


= 1 = 0.1 10.0258
1 = 48.23 1

Por lo tanto, para VD>0.1 V, que es por lo general el caso, ID>>IS, se puede
aproximar la ecuacin:
48.23


= 1

31
 Diodo Real

i [mA]
nodo ctodo 1

p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Smbolo -0.25
0
0.25 0.5

Silicio
Germanio
IS = Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
VKDTq q = carga del electrn
I D I S e 1 T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo
 Diodo Real (distintas escalas)

Ge: mejor en conduccin

i [mA] Si: mejor en bloqueo i [mA]
30 Ge
1
Si Si
Ge

V [Volt.] V [Volt.]
-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5

i [A] i [pA]

V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 0
-0.5

Si
Ge
-0.8 -10
 Diodo Real (distintas aproximaciones)

DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I I
Solo tensin
Ideal de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6

V V

I I
Curva real
Tensin de codo y (simuladores,
Resistencia directa anlisis grfico)

V V
 Diodo: Limitaciones

Corriente mxima
I
Tensin inversa
Lmite trmico,
mxima
seccin del conductor
Ruptura de la Unin
por avalancha

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 Diodo: Parmetros facilitado por fabricantes

id

IOmax

VR = 1000V Tensin inversa mxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa mxima VR
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
VR = 100V Tensin inversa mxima
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa 1N4007). Normalmente aparecern varios
IR = 25 nA Corriente inversa fabricantes para el mismo componente.
 Caractersticas de los diodos
En la figura se muestra la caracterstica v-i de un diodo en
rgimen permanente. Para fines prcticos se puede considerar
como un interruptor ideal.
En polarizacin directa, la
cada de tensin es nula, sea
cual sea el valor de la i
i [mA] corriente directa conducida
1

0
V [V]
VD V

En polarizacin inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor de
la tensin inversa aplicada 37
Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V
- V - V
Batera Fuente
Corriente
 Diodo: Parmetros facilitado por fabricantes

Tiempo de recuperacin inversa

iS
UE
+ Alta frecuencia
UE R Baja frecuencia

iS

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.
 Diodos especiales
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
Tensin I
Zener En la zona Zener se comporta
(VZ) como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

V Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

Lmite mximo Podemos aadir al modelo lineal

la resistencia Zener.
Normalmente, lmite
de potencia mxima Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y referencias.
Si a un diodo Zener se le aplica una corriente
elctrica del nodo al ctodo (polarizacin directa) toma las caractersticas de un diodo
rectificador bsico (la mayora de casos), pero si se le suministra corriente
elctrica de ctodo a nodo (polarizacin inversa), el diodo slo dejar pasar una
tensin constante. No acta como rectificador sino como un estabilizador de tensin
 Diodos especiales
Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

A K
 Diodos especiales

Fotodiodos (Photodiode) Los diodos basados en compuestos III-V, presentan

una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
i Comunicaciones

V
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
I = f(T)
V
corriente dependiente de la luz o de
T1 0
la temperatura segn el caso
T2>T1
 Diodos especiales
Clulas solares (Solar Cell) Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de clulas
solares
 Diodos especiales

Diodo Schottky (Schottky diode)

Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto

schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).

Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en

1938 por Walter H. Schottky
 Encapsulados de diodos
Axiales

DO 201
1N4148
(Si)

DO 204
DIODOS DE POTENCIA

1N4007
(Si)
 Encapsulados de diodos

Axiales
DIODOS DE POTENCIA

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
 Encapsulados de diodos

Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

Para grandes potencias

DO 5
DIODOS DE POTENCIA

B 44
 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA

2 diodos en ctodo comn 2 diodos en serie

 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA

Nombre del dispositivo

 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

para el mismo dispositivo

Nombre del Encapsulados

dispositivo
DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

Dual in line
 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

+ -
 Encapsulados de diodos

Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

DIODOS DE POTENCIA
 Agrupacin de diodos semiconductores

2 diodos en ctodo
comn Puente de diodos Anillo de diodos

+
+ -
+
B380 C3700
DIODOS DE POTENCIA

(Si)

-
+
BYT16P-300A HSMS2827
(Si) B380 C1500 (Schottky Si)
(Si)
 Encapsulados de diodos

D 61
TO 220 AC

DOP 31
DO 5
DIODOS DE POTENCIA

TO 247

B 44
 Encapsulados de diodos
Mdulos de potencia

Varios dispositivos en un encapsulado comn

Alta potencia
Aplicaciones Industriales
Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Motores Satlites
 Parmetros en Hoja de datos
Parmetros en inversa:
VR= Tensin Inversa (Tensin continua capaz que es de soportar el diodo)
VRM = Tensin de pico
VBR = Tensin de ruptura
IR = Corriente inversa (corriente de fuga)

Parmetros en directa:
VD = Tensin en directa
DIODOS DE POTENCIA

I = Corriente directa
IAV= Corriente media directa
IFM= Corriente mxima en directa
IFRM = Corriente de pico repetitiva
IFSM= Corriente directa de sobrecarga
 Caractersticas fundamentales de cualquier diodo

1 -Mxima tensin inversa soportada

2 -Mxima corriente directa conducida
3 -Cada de tensin en conduccin
4 -Corriente de inversa en bloqueo
5 -Velocidad de conmutacin

1 Mxima tensin inversa soportada

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin inversamente polarizada
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensin Media tensin Alta tensin

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de
45 V 200 V 800 V
clasificacin
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
 1 Mxima tensin inversa soportada

El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensin inversa mxima de pico repetitivo VRRM
- Tensin inversa mxima de pico no repetitivo VRSM
DIODOS DE POTENCIA

La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
 2 Mxima corriente directa conducida

El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente eficaz mxima IF(RMS)
- Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM
DIODOS DE POTENCIA

Depende de la cpsula
 3 Cada de tensin en conduccin

La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la

corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente

ideal

rd
V

i
DIODOS DE POTENCIA

ID

5A

V
VD
 3 Cada de tensin en conduccin

La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin

soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA
 3 Cada de tensin en conduccin

Se obtiene directamente de las curvas tensin corriente

IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V

1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V

En escala lineal no son muy tiles

Frecuentemente se representan en
escala logartmica
2,2V @ 25A
 3 Cada de tensin en conduccin

Curva caracterstica en escala logartmica

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA

0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
 3 Cada de tensin en conduccin

Los Schottky tienen mejor

comportamiento en conduccin
para VRRM < 200 (en silicio)

Tensin inversa mxima de pico repetitivo VRRM

DIODOS DE POTENCIA

0,5V @ 10A
 3 Cada de tensin en conduccin

Schottky de VRRM relativamente alta

DIODOS DE POTENCIA

0,69V @ 10A

La cada de tensin en conduccin no slo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN
 3 Cada de tensin en conduccin

Schottky

Schottky
DIODOS DE POTENCIA

Similares valores
de VRRM y similares
cadas de tensin
en conduccin
PN
 4 Corriente de inversa en bloqueo

Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco)

y de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

 4 Corriente de inversa en bloqueo Crece con IF(AV)
Crece con Tj
Dos ejemplos de diodos Schottky
Decrece con VRRM
IF(AV) = 10A, VRRM = 40V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

DIODOS DE POTENCIA
 5 Velocidad de conmutacin

Comportamiento ideal de un diodo en conmutacin

R
i Transicin de a a b,
a b + es decir, de conduccin
V2 V a bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t

V t

-V2
 5 Velocidad de conmutacin

Comportamiento real de un diodo en conmutacin

Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de cada (fall time ) t
trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time ) -V2
 5 Velocidad de conmutacin
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
Transicin de b a a, es decir, de bloqueo conduccin (encendido)

R i
i 0,9V1/R
a b + 0,1V1/R
V2 V
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA

tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperacin directa genera menos

problemas reales que el de recuperacin inversa
 5 Velocidad de conmutacin

Informacin suministrada
por los fabricantes
Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

 5 Velocidad de conmutacin Ms informacin suministrada por
los fabricantes
STTA506D
DIODOS DE POTENCIA
 5 Velocidad de conmutacin

La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a

clasificar los diodos
VRRM IF trr

Standard 100 V - 600 V 1 A 50 A > 1 s

Fast 100 V - 1000 V 1 A 50 A 100 ns 500 ns
Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A 50 A 20 ns 100 ns
Schottky 15 V - 150 V 1 A 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto,

tambin de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)

www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
 Prdidas en diodos
Son de dos tipos:
- Estticas en conduccin (en bloqueo son despreciables)
- Dinmicas

Prdidas estticas en un diodo

Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal
DIODOS DE POTENCIA

rd Potencia instantnea perdida en conduccin:

V pDcond (t) = vD (t)iD (t) = (V + rd iD(t)) iD(t)

Potencia media en un periodo:

T

1
PDcond pDcond (t )dt PDcond = VIM + rd Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
 Prdidas dinmicas (prdidas de conmutacin) en un diodo

Las conmutaciones no son perfectas

Hay instantes en los que conviven tensin y corriente
La mayor parte de las prdidas se producen en la salida de conduccin

10 A iD
trr

t
DIODOS DE POTENCIA

3A
Potencia instantnea perdida
0,8 V VD en la salida de conduccin:
t pDsc (t) = vD (t)iD (t) =

Potencia media en un periodo:

trr

1
PD p Dsc (t )dt
T
-200 V 0
 Informacin de los fabricantes sobre prdidas

Estticas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

 Informacin de los fabricantes sobre prdidas

Dinmicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)
 Informacin de los fabricantes sobre prdidas

Dinmicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)
 Caractersticas Trmicas
Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado
El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150C

Magnitudes trmicas:
- Resistencias trmicas, RTH en C/W
- Increm. de temperaturas, T en C
- Potencia perdida, P en W
Si Ley de Ohm trmica: T=PRTH
RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA

P Magnitudes elctricas:
(W) a
j Ambiente - Resistencias elctricas, R en
Unin - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea) - Corriente, I en A
c RTH R
T V
Encapsulado Equivalente
elctrico
PI
 Caractersticas Trmicas
RTH R
T V
Equivalente
elctrico
PI

TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P

j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA

Unin
0K

c
Encapsulado

Por tanto: T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca)

Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = PRTHca
 Caractersticas Trmicas

La resistencia trmica unin-cpsula es baja ( 0,5-5 C/W)

La resistencia trmica cpsula-ambiente es alta ( 30-100 C/W)

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cpsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

DIODOS DE POTENCIA

RTHca [C/W] 30 105 45 60 40

Para reducir la temperatura de la unin hay que disminuir la

resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente.
Para ello se coloca un radiador en la cpsula.
 Caractersticas Trmicas
RTHrad

j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si RTHjc RTHca
P 0 K
(W) a
Ambiente
j
DIODOS DE POTENCIA

Unin

c
Encapsulado

Por tanto: Tj-Ta = P[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = P(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

 Aplicaciones:

DIODOS DE GAMA MEDIA:

Fuentes de alimentacin
Soldadores

DIODOS RPIDOS
Aplicaciones en que la velocidad de conmutacin es crtica
Convertidores CD CA
DIODOS DE POTENCIA

DIODOS SCHOTTKY
Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente
Fuentes de alimentacin de baja corriente eficientes
 ASOCIACIN DE DIODOS
Puente rectificador

Monofsico
Diodo de alta tensin +
(Diodos en serie)

-
Trifsico
+

DISPLAY
-
APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores de barrera
 APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED

Fotodetector

Objetivo

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo