TEMA 4: DIFUSIN

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DIFUSIN

INTRODUCCIN
MECANISMOS DE DIFUSION
LEYES DE FICK
COEFICIENTE DE DIFUSION
FACTORES DE LOS QUE DEPENDE LA
DIFUSION
INFLUENCIA DEL TIPO DE SLIDO
APLICACIONES INDUSTRIALES DE LA
DIFUSION
PROBLEMAS
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INTRODUCCIN
DIFUSIN:
Es el movimiento de tomos en un material con el fin de eliminar las
diferencias de concentracin y llegar a una composicin homognea y
uniforme

Ejemplos:

Aleaciones, tratamientos trmicos, tratamientos superficiales de

endurecimiento, conductividad trmica, transistores, etc
3
INTRODUCCIN

RITMO DE DIFUSION O MOVIMIENTO ATOMICO.

Los tomos y tambin los defectos, se desplazan en el material

dependiendo de su energa trmica (excitacin) y por tanto de su
temperatura

Las partculas que pueden difundirse son aquellas que a una

determinada temperatura, T, tienen una energa mayor o igual que E*,
esto es:

N = N0 exp(-E* / RT)

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MECANISMOS DE DIFUSIN
DIFUSIN POR VACANTES:
Un tomo abandona su posicin en la red
para ocupar alguna vacante prxima y
dejando una nueva.

Se crea una corriente de tomos y otra de

vacantes en sentidos contrarios

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MECANISMOS DE DIFUSIN

DIFUSIN INTERSTICIAL:
Los tomos intersticiales se difunden a otros puntos intersticiales.

Se crea una corriente de tomos y

otra de puntos intersticiales
vacantes en sentidos contrarios

Este proceso de difusin es ms

rpido y fcil que el debido a las
vacantes pues los intersticios
existen siempre (no se necesita una
energa adicional para su creacin)

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MECANISMOS DE DIFUSIN (I)
AUTODIFUSIN:
Movimiento de tomos idnticos entre posiciones reticulares de la
estructura cristalina del material (Au197 y Au198)

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MECANISMOS DE DIFUSIN

HETERODIFUSIN:
Distintos tomos intercambian sus
posiciones en la red (soldadura de dos
materiales Ni y Cu)

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MECANISMOS DE DIFUSIN
Un tomo debe abrirse paso entre los tomos
circundantes para su difusin a otro sitio. Este
proceso requiere superar cierta barrera
energtica (energa de activacin), E*

Slo los tomos con una energa trmica

mayor o igual a E* podrn difundirse de un
punto a otro del material

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LEYES DE FICK
RGIMEN ESTACIONARIO:
-La variacin de concentracin a lo largo de la distancia de separacin es
dc/dx = - (C1 - C2)/a

-El flujo neto de tomos a travs de una superficie es

J = ( fN1 fN2 ) / 2

N el n de tomos por unidad de superficie

en cada plano y f la frecuencia de salto.
calculndose N como N=Ca

C el n de tomos por unidad de volumen y a la superficie.

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 LEYES DE FICK
RGIMEN ESTACIONARIO:
El flujo neto de tomos por unidad de rea y tiempo se calcula como

J = ( fN1 fN2 ) / 2

N=Ca a
J= ( C1 - C2 ) f
2

dc/dx = - (C1 - C2)/a

a 2 dC dC
J =- f = - D atom./ m2 seg
2 dx dx
en donde:

J = Flujo neto de tomos Atomos
2
m seg
m2
D = Coeficiente de difusin o Difusividad
seg

atomos
dC/dx = Gradiente de concentracin
m3 m 11

LEYES DE FICK
1LEY DE FICK
Determina el flujo neto de tomos, J, que se difunden de una regin a otra
dentro del material.
donde dc es la diferencia en la concentracin de tomos
a lo largo de una distancia dx dentro del material, D es el
coeficiente de difusin y dc/dx es el gradiente de
concentracin.

Segn la 1 ley de Fick, a una temperatura

dada J es constante.

En realidad J(T,t,.) y no es constante!

Objeciones:
- Con el tiempo, las concentraciones
tienden a igualarse y J disminuye
- D(T,t)
- Otros factores
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LEYES DE FICK
RGIMEN NO ESTACIONARIO:

13
LEYES DE FICK
RGIMEN NO ESTACIONARIO:
En los procesos reales, la concentracin y el
gradiente de concentracin dependen del tiempo y
de la distancia.

J(x) y J(x+dx) < J(x)

dJ = J(x + dx) - J(x)
La variacin de la concentracin con el tiempo
ser:
dJ dC dJ
dC = - dt =-
dx dt dx dC
J = - D
dx
en donde J corresponde al flujo
neto de tomos determinado por la
1 Ley de Fick.
dC d(D dC/dx)
=-
dt dx 14
LEYES DE FICK
RGIMEN NO ESTACIONARIO:

dC
J = - D
dx suponiendo que
D es constante

dC dJ
=- dC d(D dC/dx) 2
dt dx =- dC d C
dt dx =D 2
dt dx

C s - C x = erf x

C s - C0 2 Dt
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LEYES DE FICK
RGIMEN NO ESTACIONARIO:
2 LEY DE FICK
Determina el perfil de composicin, permitiendo conocer la evolucin
temporal del gradiente de concentracin de los tomos que se difunden en el
material.
2
dC d C z Erf(z) z Erf(z)
=D 2 0 0.0000 0.85 0.7707
dt dx 0.025 0.0282 0.90 0.7969
0.05 0.0564 0.95 0.8209
0.10 0.1125 1.00 0.8427
0.15 0.1680 1.1 0.8802
0.20 0.2227 1.2 0.9103
C s - C x = erf x 0.25 0.2763 1.3 0.9340
0.30 0.3286 1.4 0.9523
C s - C0 2 Dt 0.35
0.40
0.3794
0.4284
1.5
1.6
0.9661
0.9763
0.45 0.4755 1.7 0.9838
0.50 0.5205 1.8 0.9891
0.55 0.5633 1.9 0.9928
0.60 0.6038 2.0 0.9953
0.65 0.6420 2.2 0.9981
0.70 0.6778 2.4 0.9993
0.75 0.7111 2.6 0.9998
0.80 0.7421 2.8 0.9999
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COEFICIENTE DE DIFUSION
El COEFICIENTE DE DIFUSION D se determina a partir de la expresin del
flujo J tal que
a
2
dC dC
J =- f = - D D = ( a 2 /2) f
2 dx dx
D = ( a 2 /6) f

La posibilidad de que un tomo abandone su posicin de equilibrio y se

desplace hacia otra posicin cercana, implica la superacin de una barrera
energtica, denominada energa de activacin.

S ED
f = exp exp -
R RT

siendo la frecuencia de vibracin.

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 COEFICIENTE DE DIFUSIN

Q
D = D0 exp -
RT
siendo:
D = Coeficiente de difusin o difusividad (m2/seg)
D0 = Constante independiente del tiempo y funcin del sistema (m2/seg)
Q = Energa de activacin (J/mol; cal/mol)
R = Cte. Molar gases = 1,987 cal/molK = 8,314 J/molK = 1,3810-23
J/atK (Cte. Boltzmann)

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COEFICIENTE DE DIFUSION
Soluto Disolvente Do (m2/s) Calor de activacin
KJ/mol Kcal/mol

Carbono Hierro CCC 2 x 10-5 142 34,0

Carbono Hierro CC 22 x 10-5 122 29,3

Hierro Hierro CCC 2,2 x 10-5 268 64,0

Hierro Hierro CC 20 x 10-5 240 57,5

Nquel Hierro CCC 7,7 x 10-5 280 67,0

Manganeso Hierro CCC 3,5 x 10-5 282 67,5

Cinc Cobre 3,4 x 10-5 191 45,6

Cobre Aluminio 1,5 x 10-5 126 30,2

Cobre Cobre 2 x 10-5 197 47,1

Plata Plata 4 x 10-5 184 44,1

Carbono Titanio HC 51 x 10-5 182 43,5

Azufre GaAs 0,4 385 92,0

Cinc GaAs 1,5 x 10-12 238 57,0

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FACTORES DE LOS QUE DEPENDE
LA DIFUSIN.
MECANISMO DE DIFUSIN

La difusin intersticial de pequeos tomos

en redes de disolventes con tomos grandes
es ms fcil que la difusin por sustitucin en
tomos de tamao similar.

TEMPERATURA
Este factor tiene gran influencia sobre la
difusin. A medida que la temperatura
aumenta la difusin es ms fcil debido a que
crece el coeficiente de difusin.

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 FACTORES DE LOS QUE DEPENDE LA
DIFUSIN

ESTRUCTURA CRISTALINA: el tipo influye

debido al distinto espaciado interatmico en las
redes. El factor de empaquetamiento nos da una
idea de los espacios intersticiales que existen en
cada red. A menor factor de empaquetamiento ms
fcil es la posibilidad de movimiento de los tomos
a travs de los huecos.

IMPERFECCIONES CRISTALINAS: Al
aumentar estas se producen ms huecos en la red
matriz, siendo las estructuras ms abiertas y
producindose mayor movimiento atmico.

TAMAO DEL GRANO: Al ser este ms

pequeo, la superficie del lmite de grano aumenta,
y por tanto la difusin.

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INFLUENCIA DEL TIPO DE SLIDO

Si el enlace que predomina es

covalente la energa de
activacin Q de estos tomos es
muy elevada y la difusin ser
lenta.

Por el contrario, la difusin de

tomos a nivel intersticial
requiere energas de activacin
ms pequeas, siendo el
proceso mucho ms rpido.

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INFLUENCIA DEL TIPO DE
SLIDO

En los slidos inicos, los iones

presentes en su estructura necesitan
vencer energas de activacin ms
altas que las de los metales.
La ENERGIA DE ACTIVACIN Q se ve
influenciada por el tamao de los
cationes.
La DIFUSIVIDAD es mayor para
cationes que para aniones.

23
INFLUENCIA DEL TIPO DE SLIDO

La DIFUSIVIDAD depende de la
longitud de la cadena polimrica.

A mayor peso molecular, la

ENERGIA DE ACTIVACIN Q
ser ms elevada.

24
INFLUENCIA DEL TIPO DE
SLIDO

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APLICACIONES INDUSTRIALES
DE LA DIFUSIN
TRATAMIENTOS TERMOQUMICOS

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APLICACIONES INDUSTRIALES
DE LA DIFUSIN

SINTERIZACIN.

27
APLICACIONES INDUSTRIALES
DE LA DIFUSIN
TRATAMIENTOS TRMICOS.

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APLICACIONES INDUSTRIALES DE
LA DIFUSIN
OBTENCIN DE ELEMENTOS CON ALTO GRADO DE
PUREZA.

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