TEMA: INTRODUCCIN A BJT

AMPLIFICADORES MULTIETAPA

Curso: Circuitos Electrnicos II

Profesor: Ing. Romero Cortez Oscar

Integrantes:

JACINTO LEYTON AYRTON

PREZ SEGURA WINKEL
RODAS CARRASCO FRANK
SILVA BECERRA NOELY
YAFAC VELASQUEZ WALTHER
 INTRODUCCIN
Los principios fundamentales que intervienen aqu son
el uso del voltaje entre dos terminales para controlar
la corriente que circula en el tercer terminal.

Un dispositivo de tres terminales se puede usar para

realizar una fuente controlada, como ya sabemos es la
base para el diseo de amplificadores
 Hay dos tipos importantes de dispositivos semiconductores
de tres terminales:
El transistor de unin bipolar (BJT) El transistor de efecto de campo (FET)

Los dos tipos de transistores son igualmente importantes, y cada uno ofrece ventajas distintas y tiene campos de
aplicacin nicos en su gnero. Pero en este caso nos vamos a centrar en el transistor de unin bipolar(BJT)
 1.1) BJT:
La corriente es conducida por dos polaridades:
electrones negativos y huecos positivos , y de
aqu se deriva el nombre de bipolar.

El BJT se utiliza ampliamente en circuitos discretos y en

el diseo de circuitos integrados (IC) tanto como
analgicos como digitales.
Se pueden disear circuitos transistorizados cuya
operacin es sorprendentemente predecible y bastante
insensible a variaciones de los parmetros del
dispositivo.
 1.2) ESTRUCTURA Y MODOS DE OPERACIN (NPN)
El transistor est formado por dos uniones pn, la unin entre emisor y base (EBJ)
y la unin entre colector y base (CBJ). Segn sea la condicin de polarizacin
(directa o inversa) de cada una de estas uniones se obtienen diferentes modos
de operacin del BJT.
 El modo activo es el que utiliza si el transistor debe operar como amplificador.
Las aplicaciones de conmutacin (por ejemplo en circuitos lgicos) utilizan modos
de corte y de saturacin.

MODOS DE OPERACIN DE UN BJT

Modo Unin emisor-base Unin colector-base

Corte Inversa Inversa

Activa Directa Inversa

Saturacin Directa Directa

 1.3) OPERACIN DEL TRANSISTOR NPN EN EL MODO ACTIVO
. El voltaje ocasiona que la base tipo p se encuentre a un potencial ms alto que el
emisor tipo n, con lo cual se polariza directamente la unin entre emisor y base. El voltaje
entre colector y base ocasiona que el colector tipo n se encuentre ms alto en potencial que
la base tipo p, con lo cual se polariza inversamente la unin entre colector y base.
 1.4) EL TRANSISTOR PNP

1: Huecos inyectados que se recombinan sin llegar al colector

2: Huecos inyectados en el colector
3: Corriente inversa de saturacin en la unin PN de la base y el colector
4: Electrones suministrados por el contacto de base para recombinarse con los huecos en la base
5: Electrones inyectados en el emisor debido a que el emisor y la base forman una unin PN polarizada en directo
 1.5) SMBOLOS Y CONVENCIONES DE CIRCUITOS

En la figura se ilustra el smbolo para el transistor npn y

tambin el del pnp; en ambos, se distingue por medio de
una punta de flecha.

En la siguiente ilustracin se muestra las polaridades de voltaje y

circulacin de corriente en transistores polarizados en el modo
activo.
Relaciones entre corriente y voltaje (frmulas):
1.6) EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
CONDICIONES DE CD

Para operacin en modo activo, debe ser mayor que en una cantidad que permita que una seal
razonable oscile en el colector pero, invariablemente, mantenga al transistor en regin activa.
 LA CORRIENTE DEL COLECTOR Y LA TRANSCONDUCTANCIA
Esta ecuacin relaciona la corriente de seal del colector al correspondiente voltaje de seal entre base y
emisor. Se puede escribir como:

Donde recibe el nombre de TRANSCONDUCTANCIA, de la

ecuacin (8) est dada por:

El anlisis anterior sugiere que para pequeas seales (

), el transistor se comporta como una fuente de corriente
controlada por voltaje el puerto de entrada de esta fuente
controlada es entre base y emisor, y el de salida es entre
colector y emisor.
 LA CORRIENTE DE BASE Y LA RESISTENCIA DE ENTRADA EN LA BASE
Para determinar la resistencia vista por , primero evaluamos
la corriente total de base :
= = +

 LA CORRIENTE DE EMISOR Y LA RESISTENCIA DE ENTRADA EN EL EMISOR
La corriente total de emisor

=

Si denotamos por la resistencia a pequea seal entre base y

emisor:

=

Una comparacin con la ecuacin de transconductancia, deja

ver:
1
=

La relacin de las resistencias halladas se puede encontrar al

combinar sus respectivas definiciones:
= ( + 1)
 GANANCIA DEL VOLTAJE

=

Ahora con los parmetros de las ecuaciones, se puede sacar un circuito equivalente del transistor BJT
mostrando cmo es su ganancia de transconductancia (simplificada).
 AMPLIFICADORES MULTIETAPA
INTRODUCCIN
Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que tienen mltiples transistores y adems
pueden ser conectadas entre s para mejorar sus respuestas tanto en ganancia, Zin, Zout o ancho de
banda.
 METODOLOGA

Primero se analiza la primera etapa de forma independiente calculando la

tensin de salida (en funcin de Vg) y la impedancia de salida.

A continuacin se analiza la segunda etapa con la tensin de salida de la

etapa anterior y su impedancia de salida para calcula la tensin de salida y su
impedancia de salida de la segunda etapa.

As sucesivamente para todas las etapas.

 TIPOS DE ACOPLAMIENTO

Existen distintos tipos de acoplamiento: Acoplamiento directo, capacitivo y por

transformador.
a) ACOPLAMIENTO DIRECTO

Permite una amplificacin tanto de la componente de seal como

de la componente continua del circuito.
b) ACOPLAMIENTO CAPACITIVO

Se usa para interconectar distintas etapas, en las cuales slo se desea amplificar seal.

Considerando la relacin de ganancia de cada una

de ellas se tiene que la ganancia del sistema ser:
c) ACOPLAMIENTO POR TRANSFORMADOR
El transformador como carga permite aislar las seales y adems, dependiendo de la
razn de transformacin incrementar el voltaje y corriente.
!GRACIAS