DISPOSITIVOS DE

POTENCIA
DIODOS DE POTENCIA
Caractersticas del diodo de potencia
Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que
puede ser soportada por el dispositivo de forma
continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que
puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos
cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella
que puede ser soportada una sola vez durante 10ms
cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea
una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contina (VR): es la tensin continua
que soporta el diodo en estado de bloqueo
Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor
medio de la mxima intensidad de impulsos
sinusuidales de 180 que el diodo puede
soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella
que puede ser soportada cada 20 ms , con una
duracin de pico a 1 ms, a una determinada
temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es
el mximo pico de intensidad aplicable, una vez
cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que
circula por el diodo cuando se encuentra en el
estado de conduccin.
Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que
transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta
llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el
pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es
debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada
en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de
pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.
Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y
representa el rea negativa de la caracterstica de
recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de
suavizado "SF"
PERDIDAS EN CONDUCCIN
Los diodos de potencia, son de tres tipos:
Diodos de uso general; estn disponibles hasta de 3000V y 3500A
Diodos de alta velocidad ; estn disponibles hasta 3000V y 1000A; y
su tiempo de recuperacin inversa varia de 0.1 a 5 uSeg.
Diodos Schottky; su tiempo de recuperacin es menor en el orden de
los nanosegundos y las tensiones y corrientes son bajos; la corriente
de fuga aumenta con la tensin directa y estn disponibles de 100V
y 300A
La cada de tensin en los diodos vara de 0.5 a 1.2V
Ejercicio
El diodo mostrado tiene una tensin de cebado (VB, VBO) de 10V. Si la
tensin de entrada se incrementa a 15V, Cual es la corriente por el
diodo.
Los Tiristores de Potencia: estn disponibles de hasta 6000V y
3500 A y el tiempo de desactivacin es de 10 a 20uSeg.
Ejercicio

El SCR siguiente tiene una tensin de disparo de 0.75V y una corriente

de disparo de 7mA, Cual es la tensin de entrada que ceba el SCR?; si
la corriente de mantenimiento es de 6mA Cual es la tensin mxima
que interrumpe la conduccin de la corriente en el SCR?
Los Tiristores desactivado por compuerta GTO y Tiristor de
induccin esttico SITH son tiristores auto desactivado; se
activan con un pulso positivo en al puerta y se desactivan con un
pulso negativo en la puerta
Los GTO estn disponibles hasta 4000V y 3000A
Y los SITH estn disponibles hasta 1200V y 300A
En el siguiente circuito, el interruptor esta
cerrado. Si el Triac esta disparado, determinar la
corriente que circula por la carga de 22
Los Tiristores de conduccin inversa de RCT y los Tiristor
desactivado con asistencia de compuerta GATT son tiristores de
alta velocidad ; los RCT se puede considerar como un tiristor que
incluye un diodo inverso en paralelo y se puede encontrar hasta
2500V y 1000A y un tiempo de interrupcin de 40uSeg. Y los
GATT estn disponibles hasta 1200V y 400A y con una velocidad
e interrupcin de 8uSeg.
Transistor Bipolar de Potencia (TBP)
Ms conocidos como BJTs (Bipolar Junction Transistors), bsicamente se trata de
interruptores de potencia controlados por corriente. Existen dos tipos
fundamentales, los npn y los pnp. En la realidad, la estructura interna de los
transistores bipolares de potencia (TBP) es diferente. Para soportar tensiones
elevadas, existe una capa intermediaria del colector, con baja concentracin de
impurezas (bajo dopado), la cual define la tensin de bloqueo del componente.
Los transistores de potencia son usados comnmente en los
convertidores de energa a frecuencias menores que 10KHz , estn
disponibles hasta 1200V y 400A
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello de debe al aislamiento
(xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos
bsicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en Electrnica de
Potencia los ms comunes son los primeros, por presentar menores prdidas y
mayor velocidad de conmutacin, debido a la mayor movilidad de los electrones
con relacin a los agujeros.
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de
alta velocidad y estn disponibles hasta 1000V y 50A y en un rango de
frecuencia de varios decenas de kilo Herz
Los IGBT son transistores de potencia controlados por tensin ,
son mas rpidos que los transistores bipolares pero no tan rpidos
como los MOSFETs , estn disponibles hasta 1200V y 400 A
Los SIT es un dispositivo de alta frecuencia y alta potencia , son
de bajo ruido y baja distorsin y la velocidad de desactivacin
son muy cortos, tpicamente de 0.25uSeg. se dispone hasta
1200V y 300 A, y son muy utilizados en los amplificadores de
microondas o audio VHF/UHF.
MTO. Es un Mosfet y Gto. Supera las caractersticas de apagado
del GTO. Posee un terminal adicional denominado compuerta de
apagado, que permite desconectar al dispositivo con tensin.
Esto produce un pulso elevado de corriente negativa que
disminuye las perdidas asociadas al tiempo de almacenamiento.
SVS: Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en
antiparalelo, entrando en conduccin si se supera la tensin
Lmite, protegiendo los dispositivos contra sobretensiones.
Se conectarn en paralelo con el dispositivo o equipo que deba
ser protegido, as para proteger a un SCR, se elegir un SVS de
forma que teniendo en cuenta las tolerancias de fabricacin del
SVS para la corriente mxima prevista por el SVS no se alcance
la tensin VDRM o VRRM del SCR.
 http://
es.slideshare.net/Boytronic/tiristores-caractersticas-aplicaciones-y-f
uncionamiento
https://www.google.com.pe/search?sclient=psy-ab&site=&
source=hp&btnG=Buscar&q=diodos+de+potencia#q=tiristores+de+pot
encia