Diodo semiconductor

CURSO : Dispositivos electrnicos

PROFESOR : Ponce
INTEGRANTES :
Alarcn Palomino, Mary (16190175)
Huamn Cusinga, Astrid (16190022)
Huamn Garca, Gersson (16190163)
Moreno Acosta, Olenka (15190279)
Tapia Aguilar, Ruth (16190027)
LA JUNTURA P-N
LA JUNTURA P-N
POLARIZACIN DIRECTA
POLARIZACIN INVERSA
Concentracin de portadores
en un semiconductor

Tambin le podemos denominar

ley de accin de masas.
Los electrones excitados son los que conducen cargas
negativas y los huecos transportan carga positiva
*Semiconductor dopado tipo n y tipo p
CURVA CARACTER STICA DEL DIODO

Tensin umbral, de codo o de partida (V )

Corriente mxima (Imax )
Corriente inversa de saturacin (Is )
Tensin de ruptura (Vr )
 ECUACION DEL DIODO
Nobel de Fsica en 1956

El modelo matemtico ms empleado es

el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite
aproximar el comportamiento del diodo
en la mayora de las aplicaciones. La
ecuacin que relaciona la intensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:
POLARIZACIN
DIRECTA DE UN
DIODO

En este caso, la batera

d i s m i n u y e l a b a rre r a d e
potencial de la zona de carga
e s p a c i a l , p e rm i t i e n d o e l p a s o
d e l a c o rr i e n t e d e e l e c t ro n e s a
travs de la unin; es decir, el
d i o d o p o l a r i z a d o d i re c t a m e n t e
conduce la electricidad.
Pa r a q u e u n d i o d o e s t
p o l a r i z a d o d i re c t a m e n t e , s e
debe conectar el polo positivo
de la batera al nodo del
diodo y el polo negativo al
c t o d o. E n e s t a s c o n d i c i o n e s
podemos observar que:
 POLARIZACIN DIRECTA DE UN
DIODO

El polo negativo de la ba tera repele los electrones libres del cristal n,

con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atra e a los electrones de valencia del
cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la
unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la ba tera es
mayor que la diferencia de potencial en la z ona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente pa ra
saltar a los huecos del cristal p.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p
atravesando la zona de carga espa cial, cae en uno de los mltiples
huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrn es atra do por el polo positivo de la batera y
se desplaza de tomo en tomo ha sta llegar a l fina l del cristal p,
desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la
batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona
n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a
travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
 POLARIZACIN INVERSA DE UN DIODO
En este caso, el polo negativo de
labaterase conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la
z o n a d e c a rg a e s p a c i a l , y l a t e n s i n e n d i c h a
zona hasta que se alcanza el valor de la
tensin de la batera.
En esta situacin, el diodo no debera
c o n d u c i r l a c o rr i e n t e ; s i n e m b a rg o , d e b i d o a l
e f e c t o d e l a t e m p e r a t u r a s e f o rm a r n p a re s
e l e ct r n - h u e c o. d e n o m i n a d a c o r r ie n t e
inversa de saturacin. Ad e m s una
denominadacorriente superficial de
f u g a s l a c u a l c o n d u c e u n a p e q u e a c o rr i e n t e
por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los tomos de silicio no estn
ro d e a d o s d e s u f i c i e n t e s t o m o s p a r a re a l i z a r
l o s c u a t ro e n l a c e s c o v a l e n t e s n e c e s a r i o s
para obtener estabilidad. Esto hace que los
tomos de la superficie del diodo, tanto de la
zona n como de la p, tengan huecos en su
o r b i t a l d e v a l e n c i a c o n l o q u e l o s e l e c t ro n e s
c i rcu l a n s i n d i f i c u l t a d a t r a v s d e e l l o s . N o
o b s t a n t e , a l i g u a l q u e l a c o rr i e n t e i n v e r s a d e
s a t u r a c i n , l a c o rr i e n t e s u p e r f i ci a l d e f u g a
e s u s u a l m e n t e d e s p re c i a b l e .
 POLARIZACIN INVERSA DE UN
DIODO
El polo posit ivo de la batera atrae a loselectroneslibres de la
zona n, los cuales sale n del cristal n y se introduce n e n e l
conductor de ntro de l cual se de splazan hasta lle gar a la batera.
A medida que los electrone s libre s abandonan la zona n, los
tomos pentavale ntes que antes eran neutros, al verse
despre ndidos de su e le ctrn en el orbital de conduccin,
adquiere n estabilidad y una carga elct rica neta de +1, con lo
que se convierte n en iones positivos.
El polo negativo de la bat era cede e le ctrones libres a los tomos
trivale nte s de la zona p. Recorde mos que estos tomos slo
tienen 3 e le ctrones de vale ncia, con lo que una vez que han
formado los enlace s covalentes con los tomos de silicio, tiene n
solamente 7 e le ctrones de valencia, siendo el electrn que falta
el de nominado hue co. El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batera entran en la zona p, cae n dentro de e stos
huecos con lo que los tomos trivalentes adquiere n estabilidad y
una carga e l ctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.
Este proceso se re pite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismopotencial elctrico que la bate ra.
fectos de la temperatur
La temperatura tiene un efecto importante.
Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensin
de encendido V y viceversa.
En la regin de polarizacin
directa, las caractersticas de
un diodo de silicio se desplazan
a la izquierda a razn de
2.5mV por grado centgrado de
incremento de temperatura.

En la regin de polarizacin
inversa, la corriente de
saturacin en inversa de un
diodo de silicio, se duplica por
cada 10C de aumento de
temperatura.

El voltaje de saturacin en
inversa de un diodo
semiconductor se
incrementar o reducir con la
temperatura segn el potencial
Zener.