T

R Modos de
Historia
A Trabajo
Regin activa directa
Concepto N Regin activa inversa

Funcionamiento S Regin de corte

Interruptor abierto I Regin de saturacin

Interruptor cerrado S
T Tipos
Bipolares
Tipos de Conexin
O De efecto de Campo
Multivibrador R HEMT y HBT
Flip-Flop (Biestable) E Fototransistores

S
 TRANSISTORES

Historia del Transistor

El desarrollo de la
electrnica y de sus
mltiples aplicaciones fue
posible gracias a la invencin
del transistor, ya que este
super ampliamente las
dificultades que presentaban
sus antecesores,
las vlvulas. En efecto, las
vlvulas, inventadas a
Transistor y Vlvula
principios del siglo XX, haban
sido aplicadas exitosamente
en telefona como
amplificadores y
posteriormente popularizadas
 TRANSISTORES

Historia del Trans

Uno de los mayores

inconvenientes de las
vlvulas, era que consuman
mucha energa para
funcionar.Esto era causado
porquecalientan
elctricamente un filamento (
ctodo) para que emita
electrones que luego son
colectados en un electrodo (
nodo), establecindose as
una corriente elctrica.
Luego, por medio de un
pequeo voltaje (frenador), Lmpara incandescente de Tho
mas Edison
aplicado entre una grilla y el
ctodo, se logra el efecto
amplificador, controlando el
valor de la corriente, de
 TRANSISTORES

Historia del Trans

Los transistores,
desarrollados en 1947 por los
fsicos Shockley, Bardeen y
Brattain, resolvieron todos
estos inconvenientes y
abrieron el camino,
mismoque, junto con otras
invenciones como la de los
circuitos integrados
potenciaran el desarrollo de
las computadoras. Y todo a
bajos voltajes, sin necesidad
de disipar energa (como era
el caso del filamento), en
dimensiones reducidas y sin
partes mviles o Fotografa del primer transistor
construdo porW. Shockley, J. Bardeen
incandescentes que pudierany W. Brattain (1947)
romperse.
 TRANSISTORES

Concepto del Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico,

semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin
en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se los encuentra
prcticamente en todos los enseres domsticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores
de audio y vdeo, hornos de microondas, lavarropas
automticos, automviles, equipos de refrigeracin,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lmparas fluorecentes,
equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos,
reproductores mp3, celulares, etc.
 TRANSISTORES

Caractersticas
Los materiales empleados para su elaboracin son, entre
otros, el Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de
que puede acelerarse grandemente el movimiento de los
electrones por medio de una corriente elctrica.
El tamao y peso de los transistores es bastante menor
que los tubos de vaco.

En cuanto a su estructura, se encuentran formados por

tres elementos:
Emisor: que emite los portadores de corriente,
(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al
ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
Base: que controla el flujo de los portadores de
corriente. Su labor es la equivalente a la rejilla ctodo
en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
 TRANSISTORES

Caracters
ticas
Colector: que capta los portadores de corriente
emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la
placa en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

Posee amplificacin de todo tipo (radio, televisin,

instrumentacin).
Sirve como generador de seal (osciladores, generadores
de ondas, emisin de radiofrecuencia).

Permite la conmutacin, actuando en interruptores

(control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas,
control de lmparas).
Es detector de radiacin luminosa (fototransistores)

El consumo de energa es sensiblemente bajo.

 TRANSISTORES

Funcionamiento Bsico
Cuando el interruptor SW1 est
abierto no circula intensidad por la Base
del transistor por lo que la lmpara no
se encender, ya que, toda la tensin
se encuentra entre Colector y Emisor.

Cuando se cierra el interruptor SW1, una

intensidad muy pequea circular por la
Base. As el transistor disminuir su
resistencia entre Colector y Emisor por lo
que pasar una intensidad muy grande,
haciendo que se encienda la lmpara.
De tales criterios se
establece:
IE > IC > IB ; IE = IB +
IC
 TRANSISTORES

Tipos de Conexin
Multivibrad
or Es un circuito oscilador
capaz de generar una onda
cuadrada. Segn su
funcionamiento, los
multivibradores se pueden dividir
en dos clases:
1. De funcionamiento
continuo, de oscilacin libre:
genera ondas a partir de la propia
fuente de alimentacin.
2. De funcionamiento
impulsado: a partir de una seal
de disparo o impulso sale de su
estado de reposo.
En su forma ms simple
son dos simples transistores
 TRANSISTORES

Tipos de Conex
Flip-Flop
(Biestable):
Es un multivibrador capaz de permanecer en un
estado determinado o en el contrario durante un tiempo
indefinido. Esta caracterstica es ampliamente utilizada en
electrnica digital para memorizar informacin. El paso de
un estado a otro se realiza variando sus entradas.
Dependiendo del tipo de dichas entradas los biestables se
dividen en:
1. Asncronos: slo tienen entradas de control.
2. Sncronos: adems de las entradas de control
posee una entrada de sincronismo o de reloj. Si las entradas
de control dependen de la de sincronismo se denominan
sncronas y en caso contrario asncronas. Por lo general, las
D CLK Q
entradas de control asncronas prevalecen sobre las i+1

0 0
sncronas.
1 1
 TRANSISTORES

Modos de
Trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin
posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes
de polarizacin en cada una de las uniones del transistor
pueden ser :
Regin activa directa: Corresponde a una
polarizacin directa de la unin emisor - base y a
una polarizacin inversa de la unin colector -
base. Esta es la regin de operacin normal del
transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una
polarizacin inversa de la unin emisor - base y a
una polarizacin directa de la unin colector -
base. Esta regin es usada raramente.

Ver Grfico en la siguiente

 TRANSISTORES

Modos de Traba

Regin de corte:
Corresponde a una
polarizacin inversa de
ambas uniones. La
operacin en sta regin
corresponde a aplicaciones
de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor
acta como un interruptor
Regin de saturacin:
abierto (IC 0).
Corresponde a una polarizacin
directa de ambas uniones. La
operacin en esta regin
corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor
acta como un interruptor
cerrado (VCE 0).
 TRANSISTORES

Transistores Bipolares (BJT:

NPN-PNP)

Transistores de Efecto de Campo

( JFET, MESFET, MOSFET )

Transistores HEMT y
HBT

Fototransist
ores
 TRANSISTORES

Transistores
Bipolares
BJT de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar
Juncin Transistor).
Son aquellos que utilizan la corriente como
elemento de control para obtener la seal y su
comportamiento como dispositivo conmutador.

Estos solo funcionan cuando estn en

polarizacin directa (se dice que estn en saturacin) y
en polarizacin inversa no funcionan (se dice que estn
en corte). A base de estos se construyen los circuitos
integrados y otros tipos de transistores.
El trmino bipolar refleja el hecho de que los
huecos y los electrones participan en el proceso de
inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.
 TRANSISTORES

Transistores
Pueden ser de dos Bipolares
tipos:
NPN PNP

La zona N con elementos donantes de electrones

(cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos"
(cargas positivas).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas.
Su diferencia radica en la direccin del flujo de
la corriente, indicada por la flecha que se ve en ambos
grficos
 TRANSISTORES

Transistores
Bipolares

En principio es similar a
dos diodos
Un transistor es
similar a dos diodos, el
transistor tiene dos
uniones: una entre el
emisor y la base y la otra
entre la base y el colector.
El emisor y la base forman
uno de los diodos,
mientras que el colector y
la base forman el otro.
Estos diodos son
denominados: "Diodo de
emisor" (el de la izquierda
en este caso) y "Diodo de
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo
FET Transistor Efecto De Campo (del ingls, Field
Effect Transistor)

Es en realidad una familia de transistores que se

basan en el campo elctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material
semiconductor
Tienen tres terminales, denominadas puerta
(gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es
el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo

Los transistores de efecto de campo o FET ms

conocidos son los JFET, MOSFET y MESFET

JFET ( del ingls, Junction Field Effect Transistor):

Tambin llamado transistor unipolar, fue el
primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo
forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica.

G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Dra
in) y
Canal P S=Fuente(Source Canal N
).
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo JFET

Cuando aumentamos la tensin en el diodo

puerta-surtidor, las zonas de deplexin se hacen ms
grandes, lo cual hace que la corriente que va de surtidor
a drenador tenga ms dificultades para atravesar el
canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto
mayor es la tensin inversa en el diodo puerta-surtidor,
menor es la corriente entre surtidor y drenador.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por
tensin y no por corriente. Casi todos los electrones que
pasan a travs del canal creado entre las zonas de
deflexin van al drenador, por lo que la corriente de
drenador es igual a la corriente de surtidor
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo
MOSFET (del ingls, Metal-Oxide-Semiconductor
FET):

Basado en la estructura MOS. (Metal-Oxide-

Semiconductor) la cual consiste en un condensador, una
de cuyas armaduras es metlica y llamaremos "puerta";
el dielctrico se forma con un xido del semiconductor
del sustrato, y la otra armadura es un semiconductor, que
llamaremos sustrato. El funcionamiento del transistor de
efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT,
donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser
pequea en comparacin con la que circula por las otras
terminales, no siempre puede ser despreciada. Los
MOSFET, adems, presentan un comportamiento
capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta
para el anlisis y diseo de circuitos.
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo MOSFE
T
Se encuentran dos tipos de
MOSFET:
1. MOSFET de
Empobrecimiento:
1.1 Canal
N
Se diferencia del
FET canal n en que el
terminal de puerta, G, est
aislado del canal de
conduccin por una capa
de xido de silicio SiO2. y
existe un sustrato de
semiconductor tipo p cuyo
terminal habitualmente se
conectar externamente al
terminal de surtidor.
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo MOSFE
T
1.2 Canal
P Posee la misma concepcin del MOSFET de
empobrecimiento canal n. En el smbolo del MOSFET de
empobrecimiento canal p la flecha cambia de sentido.
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo MOSFE
2. MOSFET de T
Enriquecimiento
Difiere del MOSFET de
empobrecimiento en que no tiene la
capa delgada de material n sino que
requiere de una tensin positiva entre la
compuerta y la fuente para establecer
un canal. Este canal se forma por la
accin de una tensin positiva
compuerta a fuente, VGS, que atrae
electrones de la regin de sustrato
ubicada entre el drenaje y la compuerta
contaminados de tipo n. Una VGS positiva
provoca que los electrones se acumulen
en la superficie inferior de la capa de
oxido. Cuando la tensin alcanza el valor
de umbral, VT, han sido atrados a esta
regin los electrones suficientes para
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo MOSFE
T
2.1 MOSFET de Enriquecimiento
Canal N

2.2 MOSFET de
Enriquecimiento Canal P
 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de
Campo
MESFET (del ingls, Metal Effect
Semiconductor FET
Consiste en un canal
conductor situada entre una fuente y
desage en contacto con la regin,
como se muestra en la siguiente
figura. El portador de flujo desde la
fuente a la fuga est controlada por
una puerta de metal Schottky. El
control de la canal se obtiene por la
variacin de la anchura de
agotamiento de la capa de metal
debajo de los contactos que modula
Su ventaja
el espesor clave
de la canal es laende,
y, por mayorla movilidad de los
portadores
realizacinen
deellacanal y su desventaja es la presencia de la
actual.
puerta de metal Schottky que limita con inters la tensin de
polarizacin en la puerta.
 TRANSISTORES

Transistores HBT y
HEMT
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras
Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de
Hetereoestructura) y Hight Electrn Mobility Transistor
(De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales
formados por la combinacin de diferentes componentes,
con distinto salto de banda prohibida.
1.
HEMT
Un HEMT es un transistor con un cruce entre dos
materiales con diferentes lagunas de banda (es decir,
una heterounin) como el canal en lugar de una n-
dopada regin. Una combinacin es de uso comn con
GaAs AlGaAs.
 TRANSISTORES

Transistores HBT y
HEMT
El efecto de este cruce es el de crear una capa
muy delgada de la realizacin de los electrones con
bastante elevada concentracin, dando el canal de
resistividad muy baja (o dicho de otro modo, "de
electrones de alta movilidad"). Esta capa es conocido
como bidimensional de electrones del gas. Al igual que
con todos los otros tipos de FETs, un voltaje aplicado a la
puerta altera la conductividad de esta capa.

G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Dra
in) y
S=Fuente(Source
).
 TRANSISTORES

2. HBT
El transistor bipolar
de heterounin (HBT) es una
mejora de la salida del
transistor bipolar (BJT), que
puede manejar las seales de
frecuencias muy altas de
hasta varios cientos de GHz.
Es comn en los circuitos
modernos ultrarpida, en su
mayoraLadeprincipal
radio (RF) de los entre el BJT y HBT es el
diferencia
sistemas.
uso de diferentes materiales semiconductores para el
emisor y la base de las regiones, la creacin de una
heterounin. El efecto es limitar la inyeccin de
agujeros en la base de regin, ya que el posible
obstculo en la banda de valencia es tan grande.
 TRANSISTORES

Fototransis
tores
Es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal

con la corriente de base (IB)
(modo comn)
Como fototransistor, cuando Smbolo
la luz que incide en este
elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo
de iluminacin).

Nota: es la ganancia de corriente del

fototransistor.
 TRANSISTORES

Fototransist
Si se desea aumentar la s
sensibilidad del transistor, debido a
la baja iluminacin, se puede
incrementar la corriente de base
(IB ), con ayuda de polarizacin
externa.El circuito equivalente de un
fototransistor, es un transistor comn
con un fotodiodo conectado entre la
base y el colector, con el ctodo del
fotodiodo conectado al colector del
transistor y el nodo a la base.
En el grfico se puede ver el
circuito equivalente de un fototransistor.
Se observa que est compuesto por un
fotodiodo y un transistor. La corriente
que entrega el fotodiodo (circula hacia la
base del transistor) se amplifica
veces, y es la corriente que puede