Concentracin de

Portadores
Marco Antonio Criollo Arellano

Concentracin de Portadores
Al igual que al calcular la posicin de un electrn dentro de un nivel de energa, el querer ubicar los
electrones en un material semiconductor recae en lo probabilstico.

Al ser tan grande la cantidad de estados y la cantidad de electrones que interactan sobre ellos es
mas fcil interpretarlos como una densidad de electrones por unidad de volumen.

Para resolver este problema hay que tomar en cuenta dos factores:
Densidad de estados
Probabilidad de que cierto estado sea ocupado por un electrn.

Densidad de Estados
Concentracin de Portadores

Clculo de la Densidad de Estados

El
problema se va a resolver en 3 dimensiones. Al estar nuestro semiconductor distribuido en cristales
encerrados en cajas, consideremos la constante de Lattice (i.e. , , ) y la distancia interatmica (i.e. , , ) en cada
uno de los ejes. El modelo de Kroning-Penney dice que el nmero de valores en cada direccin
equivale al nmero de tomos en el cristal en esa direccin.

El ancho de la primer zona de Brillouin en la direccin de es (e igual para cada una de las respectivas
direcciones). Este solo nivel, entonces, requiere un tamao en la zona en la direccin de de:

Dejando que el volumen en un solo nivel sea: . Debido que dos estados con
spin opuesto pueden tener el mismo nivel de energa, un solo estado
requiere la mitad del volumen anterior.
Buscamos el nmero de estados permitidos en el espacio dentro de una
esfera de radio y grosor . Esto ser encontrado dividiendo los volmenes:

Ya que es el volumen del cristal queda lo siguiente:

Tomando
en cuenta la aproximacin parablica de las bandas de conduccin:

Reemplazando por su relacin con y por la ecuacin queda como sigue:

Para lo cual, es llamada la densidad de estados en la banda de conduccin en el rango de energa

de a .
Lo mismo pude ser aplicado para encontrar la densidad en la banda de conduccin.

Densidad de Estados en Banda de Conduccin y Valencia

Funcin de Distribucin
Concentracin de portadores

Teniendo
conocimiento de la densidad de estados, ahora es necesario calcular la probabilidad de que un

estado de energa sea ocupado. Este problema, al igual que la posicin del electrn, solo puede ser
aproximado por medios probabilsticos.
La distribucin de Fermi Dirac nos ayuda a saber la probabilidad de que un electrn ocupe un
determinado nivel de energa:

Donde es el nivel de energa, el nivel de Fermi, la constante de Boltzmann () y la temperatura en

grados Kelvin. En grandes rasgos, para un nivel de energa igual a , la probabilidad de ser ocupado por
una partcula es de 0.5.

DistribucindeFermiDirac
enfuncindediferentesT

DistribucindeFermiDiracylasbandasdeconducciny
valencia.

Clculo de la densidad de
portadores
Concentracin de portadores

La
funcin de distribucin de Fermi Dirac puede ser usada para calcular la concentracin de
electrones en ciertos niveles de energa (i.e. siempre y cuando se conozcan la densidad de
estados). Por ejemplo, para calcular la densidad de electrones en la banda de conduccin tenemos:

Donde es la densidad de estados y la distribucin de Fermi Dirac. Sustituyendo cada funcin:

Debido al valor de (0.026 eV a temperatura ambiente), y que lo anterior se puede rescribir como:

Substituyendo y haciendo el lmite inferior queda


La integral definida puede ser aproximada al valor de dando

Donde es una notacin reducida para el coeficiente denominado densidad efectiva de estados.
El mismo procedimiento puede ser aplicado para calcular los huecos , ya que la probabilidad de que
haya un hueco es igual a la probabilidad de que el estado no sea ocupado por un electrn.

Planteando
de la misma manera:

Dando al final:

Donde es llamado coeficiente de estados efectivos en la banda de valencia.

Para encontrar el nivel de Fermi en base a lo anterior, se igualan con respecto a de acuerdo a la
condicin de neutralidad:

Dado que la masa efectiva tanto de

los huecos como de los electrones
es casi la misma (del mismo orden)
en un material intrnseco, el nivel
de Fermi se encuentra casi a la
mitad de .

El producto de y se aproxima a
gracias a la ley de accin y masa:

Para
el caso de un material extrnseco los clculos no cambian, excepto por el nivel de Fermi producto

de las condiciones de neutralidad (i.e. ser desplazado). En el caso extrnseco:

Por lo tanto:

Siguiendo la Ley de accin masa se obtiene:

Resultando en el mismo caso que para un material intrnseco.

Para
encontrar ahora el valor de (el cual desaparece en la ley de accin masa) se recurre a la condicin

de neutralidad descrita a continuacin:

(Intrinseco)
(Extrinseco)

Donde y son donadores y aceptadores ionizados de las impurezas.

Para expresar se divide y , aplicando logaritmo y sacando de la ecuacin:

Donde es el nivel de Fermi para el material en el caso intrnseco. Gracias a esta relacin es posible
observar como el nivel es desplazado segn la cantidad de donadores y aceptadores.

En
condiciones normales de temperatura prcticamente todas las impurezas estn ionizadas. En un
semiconductor de tipo N, y se puede llegar a que y por lo tanto:

Substituyendo lo anterior en la ecuacin de para un material extrnseco, da:

El caso similar sucede al analizar un semiconductor tipo P, donde y :

Otra
manera conveniente de escribir y

es en trminos de y . Esto se obtiene

usando la ley de accin y masa y
despejando los trminos respectivos
para cada uno de los portadores:

Semiconductor degenerado

Forma integral de Fermi Dirac

Retomando
la forma integral de a concentracin de portadores:

Acomodando trminos:

Y sustituyendo :

Donde es la densidad efectiva de estados y

es tambin como un caso especifico de la forma general de la integral de Fermi Dirac cuando .

La forma general de la integral de Fermi Dirac, como se haba mencionado no tiene una solucin analtica, pero
conforme crece la diferencia de se puede aproximar su solucin. Esto ocurre solo cuando el nivel de Fermi esta
confinado dentro del bandgap:

Para
aproximar la forma integral de Fermi

Dirac () se tienen tres alternativas

dependiendo de valor de :

Aproximacin de Boltzmann

Aproximacin de Ehrenberg

Aproximacin de Joyce-Dyxon

Introduciendo
las aproximaciones anteriores para , la concentracin de portadores puede ser calculada como

sigue:

Boltzmann

Ehrenberg

Joyce-Dixon

Electrones

Huecos

Una manera til de estimar el nivel de Fermi en base a la concentracin de portadores en un semiconductor
degenerado en un material tipo n es la siguiente:

Y para el tipo p:

Bibliografa consultada:
Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee, Solid State Electronic Devices, Pearson Prentice Hall, 2006.
Adir Bar-Lev, Semiconductor and electronic devices, Prentice-Hall, 1993
Marius Grundmann, The Physics of Semiconductors: An Introduction Including Nanophysics and
Applications, Springer Science & Business Media, 2010.
Simon M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, 2006.
S. M. Sze, Semiconductordevices, physics and technology, Wiley, 1985.
Raseong Kim, Mark Lundstrom, Notes on Fermi Dirac Integrals 3rd edition, Network for
Computational Nanotechnology Purdue University, December 2008.

Gracias por su atencin