Universidad de

Oviedo

rea de Tecnologa
Electrnica

Dispositivos Electrnicos y Fotnicos

Materiales semiconductores (Sem.ppt)
La unin PN y los diodos semiconductores (PN.ppt)
Transistores (Trans.ppt)

Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de

Computadores y de Sistemas

ATE-UO Sem 00

Materiales semiconductores (I)

Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son
Son materiales
materiales de
de conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la
de
de los
los metales
metales yy la
la de
de los
los aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica
en
en gran
gran medida
medida por
por la
la temperatura,
temperatura, la
la excitacin
excitacin
ptica
pticayylas
lasimpurezas.
impurezas.
ATE-UO Sem 01

Materiales semiconductores (II)

Estructura atmica del Carbono (6 electrones)
1s2 2s2 2p2
Estructura atmica del Silicio (14 electrones)
1s2

2s2 2p6

3s2 3p2

Estructura atmica del Germanio (32 electrones)

1s2

2s2 2p6

3s2 3p6 3d10

4s2 4p2

44 electrones
electrones en
en la
la ltima
ltima capa
capa
ATE-UO Sem 02

Materiales semiconductores (III)

Carbono gaseoso (6 electrones) 1s2, 2s2, 2p2
4 estados vacos

- -

2p2

- -

2s2

- -

1s2

Distancia interatmica
Banda de estados

Estados discretos
(tomos aislados)
ATE-UO Sem 03

Materiales semiconductores (IV)

Energa

Reduccin de la distancia interatmica del Carbono

- - - -

- - -

- - Distancia interatmica

Diamante:
Diamante:
Cbico,
Cbico,transparente,
transparente,
duro
duroyyaislante
aislante

Grafito:
Grafito:
Hexagonal,
Hexagonal,negro,
negro,
blando
blando yyconductor
conductor
ATE-UO Sem 04

Diagramas de bandas (I)

Energa

Diagrama de bandas del Carbono: diamante

4 estados/tomo
Eg=6eV
- - 4 electrones/tomo
- -

Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia

Si
Si un
un electrn
electrn de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia alcanzara
alcanzara la
la energa
energa
necesaria
necesariapara
parasaltar
saltaraala
labanda
banda de
deconduccin,
conduccin,podra
podramoverse
moverseal
al
estado
estado vaco
vaco de
de la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin de
de otro
otro tomo
tomo vecino,
vecino,
generando
generandocorriente
corrienteelctrica.
elctrica.AAtemperatura
temperaturaambiente
ambientecasi
casiningn
ningn
electrn
electrntiene
tieneesta
estaenerga.
energa.
Es
Esun
unaislante.
aislante.
ATE-UO Sem 05

Diagramas de bandas (II)

Energa

Diagrama de bandas del Carbono: grafito

4 estados/tomo

- - 4 electrones/tomo

Banda de
conduccin

Banda de
valencia

No
No hay
hay banda
banda prohibida.
prohibida. Los
Los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de
valencia
valenciatienen
tienenla
lamisma
mismaenerga
energaque
quelos
losestados
estadosvacos
vacos
de
dela
labanda
bandade
deconduccin,
conduccin,por
porlo
loque
quepueden
puedenmoverse
moverse
generando
generando corriente
corriente elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente
es
esun
unbuen
buenconductor.
conductor.
ATE-UO Sem 06

Energa

Diagramas de bandas (III)

Diagrama de bandas del Ge
4 estados/tomo
Eg=0,67eV
- - 4 electrones/tomo
- -

Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia

Si
Si un
un electrn
electrn de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia alcanza
alcanza la
la energa
energa necesaria
necesaria
para
para saltar
saltar aa la
la banda
banda de
de conduccin,
conduccin, puede
puede moverse
moverse al
al estado
estado
vaco
vaco de
de la
la banda
banda de
de conduccin
conduccin de
de otro
otro tomo
tomo vecino,
vecino, generando
generando
corriente
corriente elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente algunos
algunos electrones
electrones
tienen
tienenesta
estaenerga.
energa. Es
Esun
unsemiconductor.
semiconductor.
ATE-UO Sem 07

Diagramas de bandas (IV)

Banda de
conduccin
Eg
Banda de
valencia
Aislante
Eg=5-10eV

Banda de
conduccin

Banda de
conduccin

Eg

Banda de
valencia
Semiconductor
Eg=0,5-2eV

Banda de
valencia
Conductor
No hay Eg

AA00K,
K,tanto
tantolos
losaislantes
aislantescomo
comolos
lossemiconductores
semiconductoresno
noconducen,
conducen,
ya
ya que
que ningn
ningn electrn
electrn tiene
tiene energa
energa suficiente
suficiente para
para pasar
pasar de
de la
la
banda
bandade
devalencia
valenciaaala
lade
deconduccin.
conduccin.AA300
300K,
K,algunos
algunoselectrones
electrones
de
de los
los semiconductores
semiconductores alcanzan
alcanzan este
este nivel.
nivel. Al
Al aumentar
aumentar la
la
temperatura
temperatura aumenta
aumenta la
la conduccin
conduccin en
en los
los semiconductores
semiconductores (al
(al
contrario
contrarioque
queen
enlos
losmetales).
metales).
ATE-UO Sem 08

Representacin plana del Germanio a 0 K

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa
que
que los
los electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia no
no
pueden
puedensaltar
saltaraala
labanda
bandade
deconduccin.
conduccin.
ATE-UO Sem 09

Situacin del Ge a 0K
300 K (I)
Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

99
Hay
1
enlace
roto
por
cada
1,710
Hay 1 enlace roto por cada 1,710 tomos.
tomos.
Un
Un electrn
electrn libre
libre yy una
una carga
carga +
+ por
por
cada
cada enlace
enlace roto.
roto.
ATE-UO Sem 10

Situacin del Ge a 300 K (II)

Ge

Generacin

+
Ge

--

Recombinacin

Ge

+
Ge

Ge

+
Recombinacin
-

Generacin

Ge

Ge

Ge

--

Muy
importante

Generacin

Siempre
Siempre se
se estn
estn rompiendo
rompiendo (generacin)
(generacin) yy
reconstruyendo
reconstruyendo (recombinacin)
(recombinacin) enlaces.
enlaces. La
La vida
vida media
media
de
de un
un electrn
electrn puede
puede ser
ser del
del orden
orden de
de milisegundos
milisegundos oo
microsegundos.
microsegundos.
ATE-UO Sem 11

Ge

Ge

-- -

Ge

+
Ge

Ge

- -

Ge

Ge

Ge

El
El electrn
electrnlibre
librese
semueve
muevepor
poraccin
accindel
del
campo.
campo.
Y
Yla
lacarga
carga+
+?.
?.

+++++++

Aplicacin de un campo externo (I)

ATE-UO Sem 12

Ge

Ge

-- -

Ge

+
Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Muy
importante

+++++++

Aplicacin de un campo externo (II)

La
Lacarga
carga+
+ se
semueve
muevetambin.
tambin. Es
Esun
un nuevo
nuevo
portador
portador de
decarga,
carga, llamado
llamado hueco
hueco..
ATE-UO Sem 13

Mecanismo de conduccin. Interpretacin

en diagrama de bandas
tomo 1

tomo 2

tomo 3

- - -

+
-

- -

Campo elctrico

- - -

+
ATE-UO Sem 14

Movimiento de cargas por un campo

elctrico exterior (I)

jp

jn

+++++

Existe
Existecorriente
corrienteelctrica
elctricadebida
debidaaalos
losdos
dosportadores
portadoresde
decarga:
carga:

jjpp=q
=qppp
p es
esla
ladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
dehuecos.
huecos.

jjnn=q
=qnnn
n es
esla
ladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
deelectrones.
electrones.

ATE-UO Sem 15

Movimiento de cargas por un campo elctrico

exterior (II)

jp=q pp
jn=q nn
q = carga del electrn
p = movilidad de los huecos
n = movilidad de los electrones
p = concentracin de huecos
n = concentracin de electrones
= intensidad del campo elctrico

Muy
importante

n
p

ATE-UO Sem 16

Ge

Si

As Ga

(cm2/Vs)

(cm2/Vs)

(cm2/Vs)

3900

1350

8500

1900

480

400

Semiconductores Intrnsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
Semiconductores Intrnsecos, en los que:
No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p =
ni
Ge: ni = 21013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

Pueden
Puedenmodificarse
modificarseestos
estosvalores?
valores?
Puede
Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
elnmero
nmerode
deelectrones
electronesyyde
de
huecos?
huecos?
La
Larespuesta
respuestason
sonlos
los Semiconductores
Semiconductores Extrnsecos
Extrnsecos
ATE-UO Sem 17

Semiconductores Extrnsecos (I)

Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

Ge

0K
-

Ge

Ge

- -

Tiene 5 electrones en la
ltima capa

Sb

Ge

Ge

Ge

Ge

grupo V

A
A00 K,
K, habra
habra un
un electrn
electrn
adicional
adicional ligado
ligado al
al tomo
tomo
de
de Sb
Sb
ATE-UO Sem 18

Semiconductores Extrnsecos (II)

- -

Ge

Ge

Ge

Sb
Sb+
-

300
0 KK

Ge

Ge

Ge

Ge

AA300
300 K,
K, todos
todos electrones
electrones adicionales
adicionales de
de los
los tomos
tomos de
de Sb
Sb estn
estn
desligados
desligados de
de su
su tomo
tomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente

elctrica).
elctrica). El
El Sb
Sb es
es un
un donador
donador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay ms
ms electrones
electrones
que
quehuecos.
huecos.Es
Esun
unsemiconductor
semiconductor tipo
tipo N.
N.
ATE-UO Sem 19

Semiconductores Extrnsecos (III)

Energa

Interpretacin en diagrama de bandas de un

semiconductor extrnseco Tipo N

3
4 est./atm.
1
0 electr./atm.
+ -

ESb=0,039eV

0300
K K
Eg=0,67eV

- - - 4 electr./atm.
El
El Sb
Sb genera
genera un
un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda
prohibida,
prohibida, muy
muy cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de conduccin.
conduccin. La
La
energa
energa necesaria
necesaria para
para alcanzar
alcanzar la
la banda
banda de
de
conduccin
conduccinse
seconsigue
consigueaala
la temperatura
temperaturaambiente.
ambiente.
ATE-UO Sem 20

Semiconductores Extrnsecos (IV)

Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

Ge

0K
-

Ge

Ge

Tiene 3 electrones en la
ltima capa

Al

Ge

Ge

Ge

Ge

grupo III

A
A00 K,
K, habra
habra una
una falta
falta de
de
electrn
electrn adicional
adicional ligado
ligado
al
al tomo
tomo de
de Al
Al
ATE-UO Sem 21

Semiconductores Extrnsecos (V)

Ge

Ge

Ge

300
0 KK

4 (extra)

Al
Al

Ge

Ge

Ge

Ge

AA 300
300 K,
K, todas
todas las
las faltas
faltas de
de electrn
electrn de
de los
los tomos
tomos de
de
Al
Al estn
estn cubiertas
cubiertas con
con un
un electrn
electrn procedente
procedente de
de un
un
tomo
tomo de
de Ge,
Ge, en
en el
el que
que se
se genera
genera un
un hueco.
hueco. El
El Al
Al es
es un
un
aceptador
aceptador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay ms
ms huecos
huecos que
que electrones.
electrones. Es
Es
un
unsemiconductor
semiconductor tipo
tipoP.
P.
ATE-UO Sem 22

Semiconductores Extrnsecos (VI)

Energa

Interpretacin en diagrama de bandas de un

semiconductor extrnseco Tipo P

4 est./atom.
EAl=0,067eV

0300
K K
Eg=0,67eV

- +- 34 electr./atom.
- - 10 hueco/atom.
huecos/atom.
El
El Al
Al genera
genera un
un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida,
muy
muy cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de valencia.
valencia. La
La energa
energa necesaria
necesaria
para
para que
que un
un electrn
electrn alcance
alcance este
este estado
estado permitido
permitido se
se
consigue
consigue aa la
la temperatura
temperatura ambiente,
ambiente, generando
generando un
un hueco
hueco
en
enla
labanda
bandade
devalencia.
valencia.
ATE-UO Sem 23

Resumen
Semiconductores intrnsecos:

Muy
importante

Igual nmero de huecos y de electrones

Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones
(minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.

Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos
(minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos de donador ionizados +.

ATE-UO Sem 24

Diagramas de bandas del cristal

Energa

4m estados

0K
300
Banda de
conduccin

+- - - - - - - +- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 4m electrones

Banda de
valencia

Cristal de Ge
con m tomos

Cmo
Cmo es
es en
en la
la realidad
realidad la
la distribucin
distribucin de
de los
los
electrones,
electrones, los
los huecos
huecos yy los
los estados?
estados? Esto
Esto se
se estudiar
estudiar
ms
msadelante
adelanteen
enuna
una Prctica
Prcticade
deAula
Aula
ATE-UO Sem 25

Ecuaciones en los semiconductores extrnsecos

ND= concentr. donador

NA= concentr. aceptador

Neutralidad elctrica (el semiconductor intrnseco era

neutro y la sustancia dopante tambin, por lo que
tambin lo ser el semiconductor extrnseco):
Dopado
Dopadotipo
tipoN:
N:
Dopado
Dopadotipo
tipoP:
P:

nn == pp ++NNDD
nn ++NNAA==pp

Muy
importante

Ambos
Ambosdopados:
dopados: nn ++ NNAA== pp ++ NNDD
Producto np

22
pn
=n
pn =nii

Simplificaciones si ND >> ni
n = ND
NDp = ni2

(no
(no demostrada)
demostrada)
Simplificaciones si NA >> ni
p = NA
NAn = ni2
ATE-UO Sem 26

Difusin de electrones (I)

n1

jn

n2 < n1

Los
Los electrones
electrones se
se han
han movido
movido por
por difusin
difusin (el
(el mismo
mismo
fenmeno
fenmenoque
quela
ladifusin
difusin de
de gases
gasesoo de
de lquidos)
lquidos)
ATE-UO Sem 27

Difusin de electrones (II)

Mantenemos la concentracin distinta

n2 < n1

jn

n1

ATE-UO Sem 28

Difusin de electrones (III)

jn

n1

n2 < n1

La
La densidad
densidad de
de corriente
corriente aa la
la que
que da
da origen
origen es
es proporcional
proporcional al
al

gradiente
gradientede
dela
laconcentracin
concentracinde
deelectrones:
electrones:

jn = qDn n

ATE-UO Sem 29

Difusin de huecos (I)

+

+
+

p1

jp

p2 < p1

Los
Los huecos
huecos se
se han
han movido
movido por
por difusin
difusin (el
(el mismo
mismo
fenmeno
fenmenoque
quela
ladifusin
difusin de
de electrones)
electrones)
ATE-UO Sem 30

Difusin de huecos (II)

+
+

jp

+
+

+
+

+
+

p1

+
+
+
+
+
+
+

Mantenemos la
concentracin distinta

p2 < p1

La
La densidad
densidad de
de corriente
corriente aa la
la que
que da
da origen
origen es
es proporcional
proporcional al
al

gradiente

gradientede
dela
laconcentracin
concentracinde
dehuecos:
huecos:

jp = -qDp p

ATE-UO Sem 31

Resumen de la difusin de portadores

jn = qDn n

jp = -qDp p

Dn = Constante de difusin de electrones

Dp = Constante de difusin de huecos

Muy
importante

Ntese
Ntese que
que las
las corrientes
corrientes de
de difusin
difusin no
no dependen
dependen
de
de las
las concentraciones,
concentraciones, sino
sino de
de la
la variacin
variacin
espacial
espacial (gradiente)
(gradiente) de
de las
lasconcentraciones
concentraciones
ATE-UO Sem 32

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (I)
Partimos de un semiconductor tipo N muy dopado
Llamamos nyp a las concentraciones de electrones y huecos
en rgimen permanente cuando no hay causa de generacin de
exceso de concentracin. Se cumple: n>>p(por estar muy
dopado)
Llamamos n(t) y p(t) a las concentraciones de electrones y huecos
en rgimen transitorio cuando hay una causa de generacin de
exceso de concentracin
Llamamos n(t) = n(t) - n y p(t) = p(t) - p a los excesos de
concentracin de electrones y huecos en rgimen transitorio
Antes
Dibujamos
los pocos
huecos
hay en el cristal
de provocar
un exceso
deque
concentracin
(t << 0), p(t) = p

n p

+
ATE-UO Sem 33

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (II)
En t = tluz < 0 incide luz (por ejemplo), se rompen enlaces
covalentes y se genera un incremento de n0 electrones y de p0
huecos. Se cumple:
n0 = p0
n0 = n(0) = n0 + n y p0 = p(0) = p0 + p
Suponemos un caso habitual: p << p0 = n0 << n(los
minoritarios aumentan mucho al llegar la luz, pero los
mayoritarios casi no cambian)
Por tanto: p0 p0 >> p y n0 n

+
+

+
+

+
+

+
+

p0

ATE-UO Sem 34

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (III)
Cesa la luz en t = 0
Hay un exceso de concentracin de huecos con relacin
a la de equilibrio trmico
Se incrementan las recombinaciones

p0

+
+

p(t)

p
tluz

+
+

p0
p(t)
p

Cmo es esta curva?

p1

p2

t1

t2

p
t

ATE-UO Sem 35

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (IV)
Ley experimental: La tasa de recombinacin de huecos
debe ser proporcional al exceso en su concentracin
Por tanto:

-dp(t)/dt = K1p(t)=K1[p(t) - p]
Integrando:

p(t) = p+(p-p)e-tp
donde p= 1/K1 (vida media de los huecos)

p0
p

p(t)

Muy
importante

t
ATE-UO Sem 36

Evolucin temporal de un exceso en la

concentracin de minoritarios (V)
Interpretaciones de la vida media de los huecos p

p0

Tangente en el origen

Misma rea

p(t)

p
p0

p
p(t)

p
p

Idea aproximada

Lo mismo ocurrira con los electrones si stos

fueran los minoritarios

ATE-UO Sem 37

Evolucin espacial de un exceso en la

concentracin de minoritarios (I)
Partimos de un semiconductor tipo N muy dopado
Llamamos nyp a las concentraciones de electrones y huecos
en lugares muy alejados del lugar donde se produce una inyeccin
de portadores. Se cumple: n>>p(por estar muy dopado)
Llamamos n(x) y p(x) a las concentraciones de electrones y
huecos a una distancia x del lugar donde se produce una
inyeccin de portadores
Llamamos n(x) = n(x) - n y p(x) = p(x) - p a los excesos de
concentracin de electrones y huecos a una distancia x
Dibujamos los pocos huecos que hay en el cristal lejos del lugar
donde se produce una inyeccin de portadores. Hay muchos
electrones, que no han sido dibujados

n p

+
ATE-UO Sem 38

Evolucin espacial de un exceso en la

concentracin de minoritarios (II)
En x = 0 incide luz (por ejemplo), se rompen enlaces
covalentes y se genera un incremento de n0 electrones y de p0
huecos. Se cumple:
n0 = p0
n0 = n(0) = n0 + n y p0 = p(0) = p0 + p
Suponemos un caso habitual: p << p0 = n0 << n(los
minoritarios aumentan mucho al llegar la luz, pero los
mayoritarios casi no cambian)
Por tanto: p0 p0 >> p y n0 n

+
+
+
0

p0
+
+

+
+
+

+
+

+
+

+
+

+
+

N
+
p

xN
ATE-UO Sem 39

Evolucin espacial de un exceso en la

concentracin de minoritarios (III)
+
+
+

p0
+

+
+

p0

p(x) p
1

p0
0

N
+

xN

x1

Cmo es esta curva?

p2
x2

xN
ATE-UO Sem 40

Evolucin espacial de un exceso en la

concentracin de minoritarios (IV)
Ley experimental: La tasa de recombinacin de huecos debe ser
proporcional al exceso en su concentracin (como en el caso de la
variacin temporal)
Por tanto:

-dp(x)/dx = K1p(x)=K1[p(x) - p]

Integrando:

p(x) = p+(p-p)e-xLp

donde Lp= 1/K1 (Longitud de difusin de los huecos)

p0

p(x)

p
0

Muy
importante

xN

Ojo: este resultado es nicamente vlido si L p << xN!!

ATE-UO Sem 41

Interpretacin de la longitud de difusin

de los huecos Lp
Muy

p0

p0
p

Misma rea

p(x)

importante

Tangente en el origen

Lp
p(x)

Idea aproximada

Lp
Con
Conlos
loselectrones
electronesminoritarios
minoritariosde
deuna
unazona
zonaPPsucede
sucedelo
lomismo
mismo
ATE-UO Sem 42

Ecuacin de continuidad (I)

Objetivo: relacionar la variacin temporal y
espacial de la concentracin de los portadores.
El clculo se realizar con los huecos
Por
Por qu
qu razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el tiempo
tiempo la
la
concentracin
concentracinde
dehuecos
huecosen
eneste
esterecinto?
recinto?
1 Acumulacin de huecos al entrar y
salir distinta densidad de corriente

jp2

jp1
1

2
ATE-UO Sem 43

Ecuacin de continuidad (II)

Por
Por qu
qu razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el
tiempo
tiempo la
la concentracin
concentracin de
de huecos
huecos en
en este
este
recinto?
recinto?

2 Recombinacin de los huecos

electrones que pueda haber en exceso

ATE-UO Sem 44

Ecuacin de continuidad (III)

Por
Por qu
qu razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el tiempo
tiempo
la
laconcentracin
concentracinde
dehuecos
huecosen
en este
esterecinto?
recinto?

Luz

-+
1

3 Generacin de un exceso de concentracin

de huecos y electrones por luz
ATE-UO Sem 45

Ecuacin de continuidad (IV)

1 Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de corriente

jp(x)

jp(x+dx)

dx

Carga elctrica que entra por unidad de tiempo: jp(x)A

Carga elctrica que sale por unidad de tiempo: jp(x+dx)A
Variacin de la concentracin de huecos en el volumen
Adx por unidad de tiempo:

jp(x)A-jp(x+dx)A

1 jp(x)-jp(x+dx)
q
dx

qAdx
ATE-UO Sem 46

Ecuacin de continuidad (V)

1 Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de
corriente (continuacin)
Si la corriente vara en una dimensin, la variacin de la
concentracin de huecos por unidad de tiempo en el
volumen Adx, es:
j (x)-j (x+dx)

1 p
q

dx

Si vara en 3 dimensiones, ser:

jp/q

(concepto de divergencia)

2 Recombinacin de los huecos que pueda haber en exceso

La variacin de la concentracin de huecos por unidad de tiempo
en el volumen Adx, ser :

-[p(t)- p]/ p

3 Generacin de un exceso de concentracin de huecos por luz

La variacin de la concentracin de huecos por unidad de tiempo
en el volumen Adx debida a luz:
portadores por luz)

GL

(tasa de generacin de
ATE-UO Sem 47

Ecuacin de continuidad (VI)

Reunimos los tres efectos en una ecuacin para
cada portador (ecuacin de continuidad):

Ecuacin de continuidad para los huecos:

p/t = GL- [p(t)-p]/ p

jp/q

Igualmente para los electrones:

n/t = GL- [n(t)-n]/ n

Muy
importante

jn/q
ATE-UO Sem 48

Casos de aplicacin de la ecuacin de continuidad

La ecuacin de continuidad nos ayuda a cuantificar muchos
fenmenos del mundo de los semiconductores. Ejemplos:
Evolucin temporal de un exceso en la concentracin de
minoritarios (transparencias ATE-UO Sem 33-37)
Evolucin espacial de un exceso en la concentracin de
minoritarios en una zona larga si Lp << xN (transparencias ATE-UO
Sem 38-42)
Evolucin espacial de un exceso en la concentracin de
minoritarios en una zona corta si Lp >> xN (no demostrada aqu):

p(x) = p+ p0- p (xN-x)/xN

Evolucin lineal de la concentracin en

vez de exponencial (fundamental para la
explicacin del funcionamiento de los
transistores bipolares)

p0

p(x)

x
xN
ATE-UO Sem 49