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Concepto
Funcionamiento
Interruptor abierto
Interruptor cerrado
Tipos de Conexin
Multivibrador
Flip-Flop (Biestable)
T
R
A
N
S
I
S
T
O
R
E
S
Modos de
Trabajo
Regin activa directa
Regin activa inversa
Regin de corte
Regin de saturacin
Tipos
Bipolares
De efecto de Campo
HEMT y HBT
Fototransistores
TRANSISTORES
Transistor y Vlvula
TRANSISTORES
TRANSISTORES
Los transistores,
desarrollados en 1947 por los
fsicos Shockley, Bardeen y
Brattain, resolvieron todos
estos inconvenientes y
abrieron el camino,
mismoque, junto con otras
invenciones como la de los
circuitos integrados
potenciaran el desarrollo de
las computadoras. Y todo a
bajos voltajes, sin necesidad
de disipar energa (como era
el caso del filamento), en
dimensiones reducidas y sin
Fotografa del primer transistor
partes mviles o
construdo porW. Shockley, J. Bardeen
incandescentes que pudierany W. Brattain (1947)
romperse.
TRANSISTORES
TRANSISTORES
Caractersticas
Los materiales empleados para su elaboracin son, entre
otros, el Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de
que puede acelerarse grandemente el movimiento de los
electrones por medio de una corriente elctrica.
El tamao y peso de los transistores es bastante menor
que los tubos de vaco.
En cuanto a su estructura, se encuentran formados por
tres elementos:
Emisor: que emite los portadores de corriente,
(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al
ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
Base: que controla el flujo de los portadores de
corriente. Su labor es la equivalente a la rejilla ctodo
en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
TRANSISTORES
Caracters
ticas
Colector: que capta los portadores de corriente
emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la
placa en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
Posee amplificacin de todo tipo (radio, televisin,
instrumentacin).
Sirve como generador de seal (osciladores, generadores
de ondas, emisin de radiofrecuencia).
Permite la conmutacin, actuando en interruptores
(control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas,
control de lmparas).
Es detector de radiacin luminosa (fototransistores)
El consumo de energa es sensiblemente bajo.
TRANSISTORES
Funcionamiento Bsico
Cuando el interruptor SW1 est
abierto no circula intensidad por la Base
del transistor por lo que la lmpara no
se encender, ya que, toda la tensin
se encuentra entre Colector y Emisor.
Cuando se cierra el interruptor SW1, una
intensidad muy pequea circular por la
Base. As el transistor disminuir su
resistencia entre Colector y Emisor por lo
que pasar una intensidad muy grande,
haciendo que se encienda la lmpara.
De tales criterios se
establece:
IE > IC > IB ; IE = IB +
IC
TRANSISTORES
Tipos de Conexin
Multivibrad
or Es un circuito oscilador
capaz de generar una onda
cuadrada. Segn su
funcionamiento, los
multivibradores se pueden dividir
en dos clases:
1. De funcionamiento
continuo, de oscilacin libre:
genera ondas a partir de la propia
fuente de alimentacin.
2. De funcionamiento
impulsado: a partir de una seal
de disparo o impulso sale de su
estado de reposo.
En su forma ms simple
son dos simples transistores
TRANSISTORES
Tipos de Conex
Flip-Flop
(Biestable):
Es un multivibrador capaz de permanecer en un
estado determinado o en el contrario durante un tiempo
indefinido. Esta caracterstica es ampliamente utilizada en
electrnica digital para memorizar informacin. El paso de
un estado a otro se realiza variando sus entradas.
Dependiendo del tipo de dichas entradas los biestables se
dividen en:
1. Asncronos: slo tienen entradas de control.
2. Sncronos: adems de las entradas de control
posee una entrada de sincronismo o de reloj. Si las entradas
de control dependen de la de sincronismo se denominan
sncronas y en caso contrario asncronas. Por lo general, las
D
CLK Q
entradas de control asncronas prevalecen sobre las
0
0
sncronas.
i+1
TRANSISTORES
Modos de
Trabajo
Existen cuatro
condiciones de polarizacin
posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes
de polarizacin en cada una de las uniones del transistor
pueden ser :
Regin activa directa: Corresponde a una
polarizacin directa de la unin emisor - base y a
una polarizacin inversa de la unin colector base. Esta es la regin de operacin normal del
transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una
polarizacin inversa de la unin emisor - base y a
una polarizacin directa de la unin colector base. Esta regin es usada raramente.
Ver Grfico en la siguiente
TRANSISTORES
Modos de Traba
Regin de corte:
Corresponde a una
polarizacin inversa de
ambas uniones. La
operacin en sta regin
corresponde a aplicaciones
de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor
acta
como un interruptor
Regin
de saturacin:
abierto (IC 0).
Corresponde a una polarizacin
directa de ambas uniones. La
operacin en esta regin
corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor
acta como un interruptor
cerrado (VCE 0).
TRANSISTORES
Transistores HEMT y
HBT
Fototransist
ores
TRANSISTORES
Transistores
Bipolares
TRANSISTORES
Transistores
Bipolares
PNP
TRANSISTORES
Transistores
Bipolares
En principio es similar a
dos diodos
Un transistor es
similar a dos diodos, el
transistor tiene dos
uniones: una entre el
emisor y la base y la otra
entre la base y el colector.
El emisor y la base forman
uno de los diodos,
mientras que el colector y
la base forman el otro.
Estos diodos son
denominados: "Diodo de
emisor" (el de la izquierda
en este caso) y "Diodo de
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo
FET Transistor Efecto De Campo (del ingls, Field
Effect Transistor)
Es en realidad una familia de transistores que se
basan en el campo elctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material
semiconductor
Tienen tres terminales, denominadas puerta
(gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es
el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo
Canal P
G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Dra
in) y
S=Fuente(Source Canal N
).
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
JFET
Campo
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
MOSFE
Campo
T
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
MOSFE
Campo
T
1.2 Canal
P
Posee la misma concepcin del MOSFET de
empobrecimiento canal n. En el smbolo del MOSFET de
empobrecimiento canal p la flecha cambia de sentido.
TRANSISTORES
2. MOSFET de
Enriquecimiento
Transistores de Efecto de
MOSFE
Campo
T
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
MOSFE
Campo
T
2.2 MOSFET de
Enriquecimiento Canal P
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo
TRANSISTORES
Transistores HBT y
HEMT
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras
Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de
Hetereoestructura) y Hight Electrn Mobility Transistor
(De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales
formados por la combinacin de diferentes componentes,
con distinto salto de banda prohibida.
1.
HEMT
TRANSISTORES
Transistores HBT y
HEMT
TRANSISTORES
2. HBT
El transistor bipolar
de heterounin (HBT) es una
mejora de la salida del
transistor bipolar (BJT), que
puede manejar las seales de
frecuencias muy altas de
hasta varios cientos de GHz.
Es comn en los circuitos
modernos ultrarpida, en su
mayoraLadeprincipal
radio (RF)
de los entre el BJT y HBT es el
diferencia
sistemas.
uso
de diferentes materiales semiconductores para el
emisor y la base de las regiones, la creacin de una
heterounin. El efecto es limitar la inyeccin de
agujeros en la base de regin, ya que el posible
obstculo en la banda de valencia es tan grande.
TRANSISTORES
Fototransis
tores
Smbolo
TRANSISTORES
Si se desea aumentar la
sensibilidad del transistor, debido a
la baja iluminacin, se puede
incrementar la corriente de base
(IB ), con ayuda de polarizacin
externa.El circuito equivalente de un
fototransistor, es un transistor comn
con un fotodiodo conectado entre la
base y el colector, con el ctodo del
fotodiodo conectado al colector del
transistor y el nodo a la base.
En el grfico se puede ver el
circuito equivalente de un fototransistor.
Se observa que est compuesto por un
fotodiodo y un transistor. La corriente
que entrega el fotodiodo (circula hacia la
base del transistor) se amplifica
veces, y es la corriente que puede
Fototransist
s