IGBT

DESCRIPCIN

La sigla IGBT hace referencia a un

transistor bipolar de puerta de
salida, el cual es un dispositivo
electrnico
semiconductor
de
potencia hibrido que combina los
atributos de un BJT y un MOSFET.

El IGBT tiene una alta impedancia de entrada

como la del MOSFET y pocas perdidas por
conduccin en estado activo, como los BJT.
Son dispositivos controlados por voltaje,
tienen una resistencia de conduccin muy
baja y una elevada velocidad de conmutacin
y tensin de ruptura.

ESTRUCTURA

A excepcin de la capa P+, el IGBT

casi idntico al MOSFET.
La capa N+ es el emisor en la parte
superior y la capa P+ es el colector
en la parte inferior.
El IGBT tiene un transistor parasito
que esta comprendido de cuatro
capas NPNP en su estructura.

Algunos IGBTs son fabricados sin la capa N+ llamados

non-punch (NPT) IGBTs, mientras que los fabricados con
dicha capa son llamados punch-through (PT) IGBTs.
La
presencia
de
esta
capa
puede
mejorar
significativamente el rendimiento del dispositivo si el nivel
de dopaje y el espesor de la capa son elegidos
apropiadamente.
A pesar de las similitudes fsicas, la operacin de un IGBT
es mas cercana a la del BJT que a la del MOSFET. Esto
debido a que la capa de drenaje P+ es la responsable
inyectar los portadores necesarios a la regin N- y la
modulacin de la conductividad resultante.

CIRCUITO EQUIVALENTE

El transistor superior PNP esta formado por una capa de

inyeccin P+ como el emisor, la capa de drenaje de tipo n
como la base y la capa p como el colector.
Si la corriente de salida es lo suficientemente grande, la
cada de tensin a travs de la resistencia puede polarizar
el transistor NPN e iniciar el proceso latch up en la
estructura del tiristor PNPN. Cuando el latch up del GATE del
IGBT se pierda, el dispositivo se destruye debido a la
perdida de potencia.

Un esfuerzo en el desarrollo de los IGBT

ha sido la prevencin del latch up del
tiristor parasitario.
A continuacin se muestra sl smbolo del
circuito y una foto de un IGBT.

PRINCIPIO DE OPERACION
Cuando la tensin en el GATE es inferior a la
tensin de umbral, la configuracin del MOSFET
permanece apagada; del mismo modo la salida
del transistor PNP permanecer apagada.
Cuando la tensin en el GATE excede el limite,
se forma una capa de inversin en la regin de p
.bajo el GATE. Esta capa de inversin pone en
cortocircuito el emisor y una corriente fluye
desde el emisor a travs de este canal.

CARACTERISTICAS DE CONDUCCIN

A partir del circuito equivalente, la cada de voltaje a

travs del IGBT es la suma de dos componentes: una cada
en el diodo a travs de la unin PN y la cada de tensin en
el MOSFET. La cada de tensin a travs del MOSFET es
sensible a la tensin de control en el GATE. Para las
corrientes que estn cerca de su valor nominal, un
incremento del voltaje en el GATE causa una reduccin de
voltaje del colector al emisor y un aumento significativo en
la capacidad de pico de corriente.

Esto se debe a que dentro de su rango de operacin, la

ganancia del PNP incrementa con la corriente y un
incremento en el voltaje en el GATE provoca un aumento en
la corriente del canal, por tanto, una reduccin en la cada
de voltaje a travs del PNP.
La influencia de voltaje en el GATE sobre la cada de voltaje
y la capacidad del pico de la corriente, depende en gran
medida de las especificaciones de diseo del dispositivo.

CARACTERISTICAS DE SWICHEO

Las formas de onda de in IGBT son muy similares a las del MOSFET. Esto se esperaba ya que la entrada del IGBT es un
MOSFET. Adicionalmente, la mayor proporcin de un IGBT del total del dispositivo la corriente fluye a travs del MOSFET,
por tanto, la tensin de conmutacin y las ondas de la corriente muestran una gran similitud con las de un MOSFET.

CIRCUITO DE SWITCHEO CON UN IGBT

La salida del transistor PNP causa un efecto significativo en las caractersticas de switcheo del dispositivo, particularmente
en el apagado. Para evitar el latch-up, el GATE emite un voltaje negativo cuando el dispositivo esta apagado.

El circuito de excitacin del GATE de un IGBT debe garantizar una conmutacin rpida y fiable, pero en particular
debe:

1. Aplicar el mximo VgE durante el periodo de encendido.

2. Aplicar un voltaje negativo durante el periodo de apagado.
3. Reducir al mnimo la perdida de conmutacin.
4. Garantizar la proteccin en un cortocircuito.
5. Realizar un control dcl/dt durante el encendido y el apagado para evitar la excesiva interferencia electromagntica.
6. Un control dVce/dt durante el switcheo para evitar el latch up.

CIRCUTOS EQUIVALENTES

ENCENDIDO

APAGADO

LATCH UP

Los huecos son inducidos a la regin N- desde el colector P+. Gran parte de estos desaparecen por la recombinacin
de electrones que vienen del canal del MOSFET. Los dems huecos son atrados por la carga negativa de los
electrones hacia la regin de la capa de inversin, pasando lateralmente por la capa P y desarrollando una cada de
tensin en la resistencia hmica del cuerpo. Este voltaje tiende a polarizar la unin N+P y si es lo suficientemente
grande, ocurrir una inyeccin de electrones desde el emisor dentro del cuerpo de la regin y el transistor NPN se
prendera. Si esto ocurre, tanto los transistores NPN como el PNP se encendern y por tanto el tiristor compuesto por
estos transistores se adherirn y se producir la condicin latch up.
Si esta condicin no termina rpidamente, el IGBT se destruir por la excesiva disipacin de potencia.

TRAYECTORIA DEL FLUJO DE

CORRIENTE DEL IGBT ON-STATE

AREA DE OPERACIN SEGURA

(SOA)
El rea de operacin segura se define como la capacidad que
tiene un transistor de soportar niveles significativos de
corriente y de voltaje al mismo tiempo. A continuacin se
enuncian las condiciones de operacin a las que se somete un
IGBT a condiciones de estrs:
1. Operacin en corto circuito: La corriente en el IGBT es
limitada por el voltaje del GATE y por la transconductancia y
puede alcanzar valores 10 veces por encima de su rango.
2. Inductive turn-off: Esta condicin se da cuando el voltaje en
el GATE se ha ido a cero.
3. Operacin como un amplificador lineal: La operacin lineal
que ejerce el rea de operacin segura del IGBT en
combinacin de los modos descritos anteriormente.

TRANSCONDUCTANCIA
La transconductancia de un IGBT ocurre cuando los niveles
capacidad trmica o de requerimientos de aplicacin estn
mucho mas all de sus valores nominales.

CONDICIONES DE TRABAJO

Bajo ciclo de trabajo

Baja brecuendia (< 20 Khz)
Aplicaciones de alta tensin
(>1000V)
Alta potencia (>5 Kw)

CARACTERISTICAS DEL IGBT

Capacidad de soportar cortocircuitos
Perdidas en estado de bloqueo son inferiores.
La frecuencia optima de conmutacin es
superior a la de los GTOs e IGCTs.
Provoca perdidas de tensin y corriente y limita
la frecuencia de funcionamiento.

VENTAJAS
Cuenta con una cada de tensin baja debido a la
modulacin de conductividad.
Baja potencia de conduccin y un circuito de
accionamiento sencillo en la puerta de entrada del MOS.
Amplia SOA. Tiene una alta capacidad de conduccin de
corriente a diferencia del transistor bipolar.

DESVENTAJAS
La velocidad de conmutacin es inferior
en comparacin a la de un MOSFET pero
superior a la de un BJT.
Hay una posibilidad de latchup debido a
la estructura interna del transistor PNPN.

APLIACIONES
Variadores de frecuencia
Convertidores de potencia
Compresores
Equipos de soldadura
Sistemas de alimentacin interrumpida (UPS)
Fuente de alimentacin switchada (SMPS)
Automviles, aviones, metro
Electrodomsticos

Los IGBT son fabricados desde una tensin de 1400 V y una

corriente de 300 A, a una tensin de 600 V y una corriente de
50 A.

COMPARACION ENTRE TRANSISTORES DE

POTENCIA