Diodo como elemento de circuito

Objetivos
Estudiar el comportamiento del diodo como
elemento de circuito no lineal
Analizar el uso de modelos lineales aproximados
Aplicar en circuitos bsicos:
recortadores
rectificadores
reguladores

Estructura bsica de un diodo de unin PN

Regin tipo P

Regin tipo N

P
nodo

(NA)

(ND)

Ctodo

Regin neutra tipo N

Regin de
carga espacial

Regin neutra tipo P

Si se colocan los terminales de nodo (regin P) y ctodo (regin N) se

forma un dispositivo electrnico denominado diodo de unin PN.
P

A
nodo

ID

K
Ctodo

Encapsulado
La juntura PN se cubre con una envoltura plstica o metlica denominada
encapsulado.

Ctodo

El ctodo K y el nodo A se indican en el

encapsulado.
Normalmente el K se marca con una banda.
Se debe consultar la hoja de datos.

SOT: encapsulado de tres terminales en

el cual hay uno o dos diodos.

Encapsulados para diodos de potencia

http://www.semikron.co

Encapsulados para diodos de montaje superficial

SOT

SOD y SMA: encapsulado para montaje

superficial. La banda indica el K.

Caracterstica corriente-tensin diodo ideal

Ecuacin de Shockley

ID Is( eVD/VT - 1)

ID

VD

Caracterstica corriente-tensin diodo real

Ecuacin de Shockley modificada

ID Is(e VD/ VT - 1)

Ecuacin vlida hasta la regin de ruptura

: factor de idealidad, vara entre 1 y 2

ID

VD

Cmo informa el fabricante?

Utiliza la hoja de datos.
En la hoja de datos encontramos la informacin necesaria para
operar al dispositivo sin exceder sus lmites de funcionamiento.
Parmetros y lmites de operacin de los dispositivos
Tipos de encapsulado
Pines o terminales de salida (pinout)
Mtodos de prueba
Aplicaciones
Ejemplos

Familia de diodos

Tipo de encapsulado

Valores lmites de funcionamiento

Disipacin de potencia

Caractersticas elctricas

Las hojas de datos de diodos dan las grficas para polarizacin

directa y polarizacin inversa en funcin de la temperatura

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

La tensin directa disminuye

al aumentar la temperatura

+
K

La corriente inversa
aumenta al aumentar
la temperatura

Diodo como elemento de circuito

D

+
VCC

VD ID

+
R

VR
0

Ecuacin de la malla:
(1)

VCC = VD + ID R
ID Is(e VD/ VT - 1)

una ecuacin con dos incgnitas, la ecuacin que falta

para obtener la solucin corresponde a la caracterstica
del diodo

Si de (1) despejamos ID obtenemos:

Ecuacin de una recta en el plano I D-VD

ID

VCC VD
R
R

Recta de carga esttica

Para trazar la recta de carga esttica slo se necesitan dos puntos:

ID 0 VD VCC

VCC VD
ID
R
R

VD 0 ID

VCC
R

VCC/
R
IDQ

VDQ
Q (IDQ, VDQ): punto de reposo esttico

VC
C

El mtodo grfico permite analizar circuitos con elementos no lineales

Para variar el punto Q podemos modificar el valor de VCC o de la

carga R.
- Si vara VCC la recta de carga se mueve en forma paralela
- Si vara R cambia la pendiente de la recta de carga esttica

R1

Q1
Q

R2

VCC

VCC1

Modelo de diodo ideal

Modelo aproximado lineal, permite rpidamente analizar circuitos con
diodos. Considera el comportamiento del diodo como una llave ideal.
A

polarizacin directa: VD 0 V llave cerrada

polarizacin inversa: VD < 0 V llave abierta
Caracterstica ID-VD diodo ideal
Llave cerrada

Llave abierta

R
R

VCC

VCC

ID
0

Polarizacin inversa, VD < 0 V

Polarizacin directa, VD > 0 V

VD

Modelo lineal por tramos

ID [mA]

VD [V]

Tensin umbral V
ID [nA]

ID [mA]

Caracterstica
diodo lineal por
tramos
VD [V]

V = 0.7 V
Diodo

V 0.7 V (Si)

V
VCC

Polarizacin directa con VD V

A

Llave abierta

K
Polarizacin inversa con VD < V

VCC

Modelo lineal por tramos

ID [mA]

Caracterstica
ID [mA] diodo lineal por
tramos con RD

ID RD
VD [V]

VD [V]

V = 0.7 V

Tensin umbral V
ID [nA]

V 0.7 V (Si)

Polarizacin directa con VD V

A

V
VCC

RD
Diodo

K
Llave abierta

Polarizacin inversa con VD < V

VCC