Evaporacin

1 dN
1/ 2
2 mkT
p
A dt

Teora Cintica de gases

1 dN
Numero de molculas que golpean sobre la superficie A en
un tiempo dt.
A dt
m, T y p la masa, la temperatura y la presin

Mxima velocidad de evaporacin:

Tantas molculas dejan la superficie como las necesarias para tener la presin
de equilibrio a T y ninguna retorna p=0. Esto no ocurre si la presin hidrosttica
es diferente de cero. ( p* presin de vapor de equilibrio)

1 dN e
1/ 2
2 mkT
p * p
A dt
Algunas molculas retornan de la fase vapor y
rebotan en la superficie del lquido. Contribuyen
a la phidrosttica pero no al flujo de material (lquido a
vapor). Es una fraccin (1-v). v Coeficiente de
evaporacin.
Ecuacin de Knudsen-Hertz

1 dN e
1/ 2
v 2 mkT
p * p
A dt

Camino libre medio

(MFP, Mean Free Path)
Recorrido promedio para una molcula entre dos

2
Haciendo el clculo exacto:

Reemplazando:

N
p kT
V

kT

p 2 2

MFP(cm)

colisiones sucesivas.
Estimacin: molculas viajando a velocidad media c .
Suponiendo el resto de las molculas quietas, y todas con el
mismo dimetro .
En un tiempo dt en que la molecula recorre cdt . En este
tiempo la molcula barre un volumen cdt encontrndose
con (N/V)cdt molculas, a las que chocar.
Camino medio entre molculas: cdt / (N/V)cdt
((N/V)
10

10

10

10

Calcular el MFP para N2

A: 1 Torr,
10-3 Torr

-3

10-6 Torr
10

-6

10

-9

10

-6

10

-3

Presion (Torr)

10

10

Velocidad de evaporacin
Par la mayor parte de los casos para presiones < 1 Torr la
velocidad de evaporacin es igual a la que se tendra si la
superficie estuviese en equilibrio con su vapor. (Langmuir)
Velocidad de evaporacin msica:
O:

M
5.83 10
T
2

Masa total evaporada:

1 dN m
m

A dt 2 kT

1/ 2

p*

1/ 2

p*

, en g cm-2 s-1. Con M: Masa molar (g)

y p (Torr).

M e dAdt
tA

Suponiendo
uniformidad
enevaporacin
area y tiempo
es para
posible determinar p* .
Calcular la
velocidad de
msica
Paraellaaluminio
mayoraa de
a-2p*
=10-2 Torr, 10-4 g cm-2 s-1
700los
y aelementos
900 C y a10
Torr
Esto se denomina Evaporacin libre o de Langmuir y supone v= 1.
Si v< 1 se denomina Evaporacin de Knudsen

Presin de vapor
Evaporacin de Knudsen
Evita v< 1
La evaporacin sucede
como una efusin de una
celda isotrmica con un
pequeo orificio.
La celda mantiene la presin
de vapor p* en su interior.
El dimetro del orificio debe
ser <1/10 del mfp. Las
paredes circundantes deben
ser muy finas.
dN

En estas condiciones la efusin desde la celda es: e Ae 2 mkT

dt
Donde Ae es el rea del orificio

1/ 2

p * p

Celdas de Knudsen

Mecanismos de la evaporacin
Lquidos
Modelos simples
suponen que las
molculas en el lquido
poseen todas la misma
energa de ligadura.
Los mas complejos
prevn una distribucin
para las energas de
ligadura.

Slidos
Hay una distribucin muy
amplia de energas de ligadura
dependiendo de la posicin de
c/tomo
La evaporacin de un tomo
sucede luego de una serie de
reacomodamientos. Combina
disociacin y difusin.
Dependiendo del nmero de
rebordes (Cornisas) que se
forman se facilita la
evaporacin.
Para planos cristalinos de alto
ndice se facilita la formacin de
cornisas, v 1

Direccionalidad de la evaporacin

Ley del Coseno Celda de Knudsen

La distribucin de molculas en el haz
emergente es la que hay en el interior de la
celda (c2)
Nmero de molculas con velocidad c:
dNc=N (c2)dc.
De ellas solo alcanzan la salida las del rea
sombreada:

cdt

c dt cos dA / V
Solo la fraccin d /4se mueve hacia la
apertura.

dA

Las moleculas que alcanzan la apertura en la

direccin con velocidad c:

N
d
2
d N e,c ( ) c (c )dcdAe dt cos( )
considerando
V
4
N
d
Multiplicando por m:
d 3 N e ( )
cdAe dt cos( )
4V

d
d M e ( ) dAe dt cos( )

c (c 2 )dc c

1 N
m c
4 V

d M e ( ) M e cos( )

Direccionalidad de la evaporacin

Influencia de la superficie receptora

La superficie receptora
es:
r 2 d
dAr

dAr

La masa colectada es:

d M r ( , ) M
2 cos cos
dAr
r

dAe

cos( )

Este resultado se puede extender a lquidos

siempre que v= 1 (Implica que las moleculas
emergentes del lquido tienen una distribucin maxweliana)

Comprobacin experimental:
cos cos

r
2r0

El espesor no depende de la posicin

Emisin desde una fuente puntual

Dada una fuente puntual que emite en todas las
direcciones

Las molculas emergen de

una superficie infinitesimal de
rea dAe
dAr

d 3 M e ( ) dAe dt

dAe

d
4

Como la integral en dAe y dt es la

masa total evaporada
d
d 3 M e ( ) M e
4
Considerando un elemento receptor de area dAr
relacionado a d con un ngulo

r 2d
dAr
cos

entonces

Me
dM r

dAr
4 r 2

Material de soporte

Baja presion de vapor a la temperatura de evaporacin

Baja reactividad qumica
Disponibilidad en forma adecuada (Alambre, hoja, crisol)
Mas populares: Tungsteno, Molibdeno y Tantalio

A y B aptos para alambres (el material

moja el alambre - En algunos casos se
ala).
C para materiales que no mojan
D y F para granallas y polvos (>capacidad
de contencin,>volumenes)
E recubiertas para evitar caida de la
temperatura

Fuentes de sublimacin
Casos tpicos de sublimacin: Cr, Mo,
Pd, V, Fe, y Si. Tambien se aplica en
Ni, Rh y Ti, con muy bajas
velocidades.
Si altamente reactivo para ser
evaporado convencionalmente.
Cr es el ms adecuado para la
sublimacin.
Fuentes especficas. Se puede
recubrir filamentos de W con Cr.
Se subliman compuestos trmicamente estables .
Como estn en forma de polvos es necesario usar bafles para
impedir proyeccin de partculas

Uso de crisoles

Prolongado contacto.
Materiales especficos para
evitar contaminacin.
Crisoles de Mo se usan para
Cu, Ag, Au.
xidos refractarios
TiO2 y NiO se descomponen
(Baja energa de disociacin).
El SiO2 (Cuarzo) reacciona con
varios metales.
El BN es muy usado con Al
TiB2 usado calentados por RF

Uso del Grafito

Buena conductividad (Se
calienta por RF).
Baja reactividad trmica
Fcilmente maquinable
Usable hasta 2500C.
Recomendado para
compuestos III-V,
telururos y MgF2.
Para bajas temperaturas
sufre de degases
violentos

Bombardeo electrnico
Un filamento suministra un haz
de electrones que son acelerados
por un campo elctrico y
conducidos hacia la superficie del
metal donde al chocar con ste
producen la evaporacin del
mismo.
El calentamiento es muy
localizado en la superficie.
Se pueden alcanzar
temperaturas de hasta 3000C.
La presin debe ser baja para
evitar prdida de energa de las
partculas cargadas

Distribucin de espesores
Suponiendo que la masa depositada ocupa un volumen dAr x d.
densidad del material.
1 dM r
, cos = cos = h/r
d
dAr
l
dAe
Para fuentes de rea pequea:
r
Me
d

dAr

h 2 1 (l / h) 2

Para fuentes puntuales:

d

Me

4 h 1 (l / h)
2

Distribucin de espesores

Nmeros: s/h
TR: Para un anillo
S: pequea superficie

Para un disco de dimetro

s a una distancia h

Me
d
2 s 2

1 (l / h) ( s / h)
2

1 (l / h) ( s / h)
2

4(l / h)

Evaporacin de compuestos
Evaporacin como
molculas.
Co-evaporacin
Evaporacin Flash

Fuentes de contaminacin para la

evaporacin

Bomba rotativa de vaco

Bomba rotativa

Bombas Root Blowers

Bombas Difusoras

Bombas turbos

Bomba de desplazamiento
Seco

Bomba Turbo

Sistema de vacio