Semiconductores

http://einstein.ciencias.uchile.cl/
Instrumentacion2008/Clases/
DiodosyTransistores.ppt

2008

Pregunta.
Cuntas cargas elctricas atraviesan la
ventana de rea a durante un tiempo t?

a
vt
Respuesta.
Las contenidas en el volumen avt.

Las contenidas en el volumen son cavt.

c = cargas por unidad de volumen ( Cm-3)
a = rea de la ventana ( m2 )
v = velocidad de las cargas ( ms-1 )
t = intervalo de tiempo ( s )
Unidades de cAvt?

C m-3 m2 m s-1 s
3

Nmero de cargas que atraviesan la ventana

en un tiempo t es cAvt coulomb.
Densidad de corriente = J = Nmero de
cargas que pasan la ventana por unidad de
rea y por unidad de tiempo = cv (C m-3 m s-1 =
amper m-2).

J cv

Am-2

La velocidad es el producto de la
movilidad de las cargas multiplicada por la
fuerza que las impulsa

J c movilidad fuerza

Am-2
4

J cv

Am-2

J c movilidad fuerza

Am-2

La movilidad es la velocidad que toman

las cargas cuando se les aplica una fuerza
de 1 newton por coulomb.(m C s-1N-1)
La conductividad, , el producto de la
movilidad por la concentracin de las cargas
(m C s-1N-1 C m-3 )

J fuerza

m-2 C2 s-1N-1 N C-1

Am-2
5

J fuerza

m-2 C2 s-1N-1 N C-1

Am-2

La unidad de potencial elctrico, V, es el

voltio o volt, V, igual a 1 joule por coulomb.
La fuerza aplicada a cada coulomb es menos
el gradiente de potencial elctrico,
V. (joule C-1m-1= N C-1 ).
En una sola dimensin:

dV
-1
fuerza
NC
dx
6

En una dimensin la densidad de corriente :

dV A
J q
2
dx m

La intensidad de la corriente, i, en un
conductor de rea a es:
dV
A
i a
dx
Para un conductor de rea y composicin
homognea, de largo l la corriente es:
a
i
V A
l
Donde V es la diferencia de potencial entre
los extremos del conductor.
7

a
i
V
l

a
1

G
AV
l

Intensidad de
corriente, i , amper
Conductancia, G,
siemens, S.
Conductividad, , Scm-1

l
1

R
VA
a

Resistencia, R, ohm,

l

R
a

Resistividad, , cm
8

Semiconductores

http://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductors

Silicio (Si) puro es muy poco conductor

10

Silicio (Si) puro es muy poco conductor

11

Si con impurezas es buen conductor

P, As, Sb
12

Si con impurazas es buen conductor

B, Ga, In, Al
13

Diodos

14

E de los electrones
0

E de los huecos
15

E de los electrones

E de los huecos

16

E de los electrones

E de los huecos

17

E de los electrones
0

E de los huecos

18

+
E de los electrones
-

E de los huecos

http://en.wikipedia.org/wiki/Diode
http://en.wikipedia.org/wiki/Light_emiting_diode

19

20

1 volt en el nodo 2 equivale a una intensidad de corriente de 1 amper

21

22

23

24

25

500 10 3 V
R
5.1 10 13 A

R 1012 ohm @ V < 0

26

27

28

V a b ln(i )

V a
ln(i )
b

V a / b

0.18 0.05
b
0.028 volt
ln(100)

ie

V V0 F / RT
29

30

31

Circuito para el anlisis de un diodo

32

Diodo rectificador

33

Diodo zener

http://en.wikipedia.org/wiki/Zener_diode

34

35

36

37

XSC1
G
A

1V 1kHz 0Deg

R1
10kohm
V3
D1

D3

R3
1Mohm

38

XSC1
G
A

1V 1kHz 0Deg

R1
10kohm
V3

D1
02DZ4.7

D2
02DZ4.7 R3
1Mohm

39

XSC1
G
A

1V 1kHz 0Deg

R1
10kohm
V3

D1
02DZ4.7

D3

D2
02DZ4.7 R3
1Mohm

D4

40

XSC1
G
A

10V 1kHz 0Deg

R1
10kohm

V3

D1
02DZ4.7

D3

D2
02DZ4.7 R3
1Mohm

D4

41

J1
XSC1

R1
10kohm

Key = Space

G
A

V1
12V
1V 1kHz 0Deg

V3

D2

D1

D4

D3

R3
10kohm

R2
10kohm

V2
12V
J2

Key = Space

42

J1
XSC1

R1
10kohm

Key = Space

G
A

V1
12V
1V 1kHz 0Deg

V3

D2

D1

D4

D3

R3
10kohm

R2
10kohm

V2
12V
J2

Key = Space

43

J1
XSC1

R1
10kohm

Key = Space

G
A

V1
12V
1V 1kHz 0Deg

V3

D2

D1

D4

D3

R3
10kohm

R2
10kohm

V2
12V
J2

Key = Space

44

J1
XSC1

R1
10kohm

Key = Space

G
A

V1
12V
1V 1kHz 0Deg

V3

D2

D1

D4

D3

R3
10kohm

R2
10kohm

V2
12V
J2

Key = Space

45

Transistores

46

colector
N

base

emisor

47

colector

base

emisor

48

colector
N

base

emisor

49

colector
P

base

emisor

50

colector
P

base

emisor

51

colector
P

base

emisor

52

colector

colector
base

base
emisor
Transistor NPN

emisor
Transistor PNP

53

1kohm
I1

1ohm

Corriente de base, A
Corriente de colector, A

12V

Corriente de colector, A

Ganancia de corriente del transistor. icolector/ibase

Corriente de base, A

54

Ganancia de corriente del transistor. icolector/ibase

icolector
ibase

Transistor como amplificador de potencia.

W = iV = V2/R = i2R
55

56

100V

1kohm
1kohm

V2

1ohm

Voltaje colector, V

Transistor como amplificador de voltaje.

Voltaje V2, V

57

100V

1kohm

V2

10kohm

Voltaje base, V
Voltaje emisor, V

Transistor como seguidor de emisor.

Voltaje base, V

58

Fuente de Voltaje constante

+
R3
0.501mA
3kohm -

2.7 V

Q1
BJT_NPN_VIRTUAL

D1
BZV55-B2V7
R1

2.000 V

4kohm

59

Fuente de Voltaje constante

+
R3
4.810mA
3kohm -

Q1
BJT_NPN_VIRTUAL
D1
BZV55-B2V7
R1

1.941V

4kohm
400
ohm

60

Fuente de Voltaje constante

V
30V

+ 0.057mA
R3
3kohm -

Q1
BJT_NPN_VIRTUAL
D1
BZV55-B2V7
R1

+ 2.058V -

4kohm
40
Kohm
40
Kohm
61

Fuente de Corriente constante

R3
3kohm

200 ohm

R2

+ 0.197V
-

0.984mA

Q1
BJT_NPN_VIRTUAL
D1
BZV55-B2V7
R1

1.983V

2kohm

62

Fuente de Corriente constante

R3
3kohm

20 ohm

R2

+ 0.020V
-

- 0.981mA+
Q1
BJT_NPN_VIRTUAL
D1
BZV55-B2V7
R1

+ 1.983V -

2kohm

63

Fuente de Corriente constante

R3
3kohm

2000 ohm

0.984mA

R2

+ 1.965V
-

Q1
BJT_NPN_VIRTUAL
D1
BZV55-B2V7
R1

1.983V

2kohm

64

Transistor de efecto de campo

source
gate
N

drain
N

65

source
N

gate
P

drain
N

66

gate
P

drain
N

IDS, micro amper

source

67

VDS, volt

source

gate

drain
N

0V

Q1
V1

0V
R1
1ohm

68

source

gate

drain
N

-0.5 V

Q1
V1

-0.5V
R1
1ohm

69

source

gate

drain
N

-1 V

Q1
V1

-1V
R1
1ohm

70

Q1
Vds

IDS, micro amper

Relacin corriente DS vs voltaje DS.

VGS = 0 volt

VGS = -0.5 volt

Vgs
R1

VGS = -1 volt

1ohm

VDS, volt

71

Q1
Vds

IDS, micro amper

Relacin corriente DS vs voltaje GS.

Vgs
R1
1ohm

VGS, volt

72

VDS, volt

Transistor como amplificador de voltaje.

VGS, volt

73