UNIVERSIDADE AGOSTINHO

NETO
FACULDADE DE CINCIAS
DEPARTAMENTO DE FSICA

Trabalho de Tecnologia de
Microelectrnica

LITOGRAFIA
Discente: Medina Zola Makuntima
4 Ano de Electrnica de Telecomunicaes
N 83397

DOCENTE
Dr. Serghei Psar
1

 Sumrio
1. INTRODUO
1.1 Definio e conceitos gerais.
1.2 Classificao dos tipos de litografia.
2. ETAPAS DA LITOGRAFIA PTICA.
2.1 Sala limpa.
2.2 Fabricao da mscara.
2.3 Preparao de Superfcie (HMDS vapor prime ).
2.4 Deposio da camada de barreira (SO2).
2.5 Deposio do fotoresiste.
2.6 Cozimento suave (Soft bake).
2.7 Alinhamento.
2.8 Exposio (Transferncia de padres).
2.9 Revelao
2.10 Ps-cozimento (Cozimento duro - Hard bake).
2.11 Remoo do fotoresiste (Etching).
2.12 Inspeco final.
2.13 Tipos de fotoresistes e suas caractersticas.
3. CONCLUSO
4. BIBLIOGRAFIA
2

INTRODUO
No mundo moderno e muito informatizado em que vivemos, h uma
necessidade de fabricao de dispositivos e circuitos que respondam a
demanda do mercado muito concorrido.
Um dos processos importantssimos e indispensveis na criao desses
circuitos a litografia, que inicialmente foi inventada para fins artsticos e
tambm usada na imprensa, actualmente ela foi muito aprimorada e
refinada de modo a responder as exigncias requeridas no fabrico de um
circuito integrado. Por esta razo, de grande relevncia conhecermos o
funcionamento e as implicncias desse processo como uma tcnica
fundamental no fabrico desses circuitos.

1.1 Definio e conceitos gerais

Etimologicamente, a palavra litografia formada por aglutinao de
duas palavras gregas
- lithos, pedra e
- grafin, grafia ou
escrita. De um modo genrico, ela se refere ao processo de gravura ou
escrita de textos, impresso de imagens (ou figuras) e padres em pedra.
Nessa apresentao, falaremos da fotolitografia que um conjunto de
tcnicas litogrficas usadas para transferncia de padres geomtricos em
lminas de silcio (Si) com o uso de mscaras.
O processo de transferncia envolve o uso de um filme fotossensvel (o
fotoresiste), que depositado sobre a lmina de Si e exposto luz
ultravioleta (com entre 200 a 400 nm) atravs da mascara ptica. Devido
mascara ptica, apenas algumas regies do fotoresiste so de fato
expostas radiao UV.
Aps a exposio, o fotoresiste passa por um processo de
revelao, que envolve tratamentos trmicos e corroso para
cura e
remoo selectiva do fotoresiste, expondo regies da lmina de Si
com

Figura 1 Cmera construda (cerca de 1850) por

Charles Chevalier

Figura 2 Primeiro exemplo de uma fotografia

seguida por gravao mida. (Museu de Cincias,
cortesia da Royal Sociedade Fotolitogrfica)
5

1.2 DIFERENTES TIPOS DE LITOGRAFIA

Na indstria de semicondutores, 60% do tempo total para fabricao de uma
chip (4 a 25 semanas) destinado s etapas litogrficas. Isto ocorre porque
at 20 etapas litogrficas podem ser necessrias para a fabricao de circuitos
CMOS. Alm disso, estima-se que a litografia corresponda a 35% do custo total
de fabricao de um CI, por esta razo a escolha do processo litogrfico correcto
crucial para a fabricao de um circuito integrado.
. O custo para fabricar uma pastilha que esteja operando correctamente e
que passou por m etapas de processo dado por:
Por
lmina

DIAGRAMA DE CONSUMO DE TEMPO POR PROCESSO

ESCALA DE RENDA DE SEMICONDUTORES A NVEL MUNDIAL

So conhecidos quatro tipos de litografia:

- Litografia ptica: Tambm conhecida como fotolitografia convencional, ela
consiste basicamente na exposio da luz ultra-violeta a partir das cmaras
para a transferncia de padres requisitados.
A principal diferena entre este tipo de litogra fia e os demais tipos centra-se exactamente no
mecanismo utilizado para corroso do fotoresi
ste e no processo de transferncia dos padres.
Como j foi dito, ela tambm conhecida como
litografia convencional, isso porque ela a
mais usada nos nossos dias e a sua maior va
ntagem consiste no facto de ser uma tcnica de
alto volume de produo e ao mesmo tempo a
a mais econmica por usar a tcnica de impres
so por projeco.
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- Litografia por feixe de electres: Abreviada na lngua inglesa como e-beam

lithography, ela consiste bsicamente na emisso de feixes de electres para a
transferncia de padres.
Envolve exposio directa do resiste por uma viga de electres focalizada sem uma
mscara.
Actualmente usado para produzir foto mscaras.
Vantagens:
- Criao de padres geomtricos no
resiste abaixo da escala micromtrica.
- Operao altamente automatizada e
precisamente controlada.
- Maior profundidade de foco que aquele
disponvel de litografia ptica .
- Padro directo em bolacha sem usar
uma mscara.
Desvantagens:
- Baixo processamento .
- Resiste caro.
- Efeito de proximidade: retroespalhamento de
electres irradia regies adjacentes e limites de
espaamento mnimo entre caractersticas.

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- Litografia por raios x: a litografia por raios x vista actualmente como a sucessora
da litografia ptica para a produo de C.I. em altos volumes de produo.
A sua concepo uma extenso da litografia ptica, apenas reduzindo o
comprimento de onda bruscamente (entre 0,5nm e 1,0nm) de tal forma a permitir
a utilizao de impresso por proximidade.

Vantagens:
- Alto volume de produo
- Maior resoluo (por resoluo entende-se as menores dimenses que se pode
obter no resiste que estejam livres de falhas indesejveis e que tenham um perfil
adequado).

Desvantagens:
- Equipamentos muito caros (Ex.: A fonte de synchrotron custa em torno de US$ 30
milhes e pode suportar dez equipamentos litogrficos que custam US$ 3 milhes
cada e que por sua vez empregam mscaras com custo em torno de US$ 10 mil a
unidade)

- Mscaras difceis de fabricar

- A Radiao pode danificar o dispositivo
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- Litografia com luz ultra violeta extrema: Abreviado em Ingls como EUVL
(Extreme Ultra-Violet Lithography). Utiliza sistemas reflectivos para a transferncia
de padres a partir da mscara para o substrato (wafer) usando espelhos
reflectores.
Nesse tipo de litografia usam-se raios ultravioleta de muito alta energia
que esto mais prximos dos raios-X do que da luz visvel com c.d.o em
torno dos 13 nm.

Vantagens:
- Boa resoluo
- Mscaras acessveis
Desvantagens:
- Equipamentos caros
- Retculos difceis de fabricar
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EUVL COM PROTTIPO DA FERRAMENTA DE EXPOSIO

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2. ETAPAS DA LITOGRAFIA PTICA

O processo litogrfico ptico descrito pelas seguintes etapas:

1) Sala limpa.
2) Fabricao de mscara.
3) Preparao de Superfcie (HMDS vapor prime )
4) Depsito da Camada de barreira. SiO2.
5) Deposio do fotoresiste.
6) Cozimento suave (ou Softbake")
7) Alinhamento
8) Exposio (transferncia de padres).
9) Remoo do foto resiste solvel.
10) Ps Cozimento (Cozimento duro Hardbake).
11) Remoo do fotoresiste .
12) Inspeco final.
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1 ETAPA: SALA LIMPA

preciso manter condies de ultra-limpeza durante os processos de
litografia. Algumas partculas de poeira no substrato ou que caem no substrato
durante o processamento podem resultar em defeitos como imperfeies no
espalhamento do resiste. Uma Sala Limpa equipada com um sistema de filtrao
para remover as partculas do ar.

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Como citado anteriormente, o grau de limpeza da sala limpa avaliado pelo

nmero mximo das partculas medidas por p cbico ou por metro cbico de ar
como mostrado na tabela abaixo.
Tabela de classificaes por classe da eficincia de filtrao em Sala Limpa

No funcionamento de uma sala limpa, o ar externo que entra

passa por um
sistema de filtros.

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O sistema constitudo por um pr-filtro (ou filtro grosso) para

eliminar partculas entre 5 e 10 m. Um segundo filtro (fino),
intermedirio, filtra partculas entre 1 e 5 m. H um terceiro filtro
(absoluto) ou HEPA high efficiency particulate air (alta eficincia de ar
com partculas), em geral construdo com papel de micro-fibra de vidro
plissado, para partculas menores que 1m.
O ar insuflado na sala limpa, normalmente pelo teto, extrado
pelo piso, (condutor e perfurado).

linhas da distribuio do tamanho das partculas em funo da dimenso

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Estrutura interna de uma sala limpa classe 100

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2 ETAPA: FABRICAO DA MSCARA

A mscara uma placa de vidro com um arranjo de padres. Cada padro
consiste em uma rea clara e outra opaca que, respectivamente, permite ou impede a
passagem da luz.
A mscara constituda por uma placa de material transparente e superfcie bem
plana. O material pode ser quartzo ou outro. Inicialmente a placa deve ser coberto por
um filme de material opaco, como o Cr (Cromo).
O cromo utilizado, pois com ele pode-se obter espessuras em torno de (0,05
0,09)m, possui boa aderncia e alta dureza.

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MSCARA AMPLIADA
Mscara vista a olho nu

Mscara ampliada 40x

Local do chip secundrio

Local do chip primrio

Mscara ampliada 40x

novamente

Caracterstica do dispositivo
20

21

SISTEMA COMPUTACIONAL CAD

Actualmente, com a grande complexidade dos CIs, o projecto das mscaras
s pode ser efectivamente realizado com auxilio de um sistema computacional
conhecido como CAD (ComputerAidedDesing). O CAD dispe de uma estao
grfica de projecto onde o projectista pode desenhar as clulas bsicas de um CI,
calculadas anteriormente, em funo da tecnologia a ser empregada. A seguir, as
clulas podem ser repetidas e interconectadas formando-se o CI desejado. Antes
da arte final, cada nvel de mscara desenhado com cores diferentes, sobrepostas,
em uma mesa X-Y de grandes dimenses. Se com base neste resultado, se o
projectista no encontrar mais erros e estiver satisfeito, os dados esto prontos para
a fabricao das mscaras padres.

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Projecto de um CI usando o terminal interactivo grfico CAD

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3 ETAPA: PREPARAO DE SUPERFCIE DA LMINA

(HMDS VAPOR PRIME)
A etapa da preparao da superfcie da lmina de Si tambm descrita como
cozimento (bake), serve para fazer uma limpeza profunda na superfcie do substrato
e deix-la seca e pronta para etapa a seguir como vem descrito a baixo:
a) Cozemos (ou seja, aquecemos) em cmara fechada com escape.
b) Superfcie da bolacha limpa e seca.
c) Aplicar o promotor de adeso (HMDS = "Hexi-metil-di-silizane").
Temperatura ~ 200-250 0C. Tempo ~ 60 segundos.

Fig.1: Processo no interior do forno

Fig.2: Composio qumica da camada24

4 ETAPA: DEPSITO DA CAMADA DE BARREIRA

Depois da limpeza, a lmina de Silcio pode ser coberta com um material
que servir para formar uma camada de barreira cuja funo proteger o
substrato, ou partes do substrato em processos de dopagem, corroso por ies
ou deposio de filmes. O material mais comum o dixido de Silcio (SiO 2),
embora o nitreto de silcio (Si3N4) seja tambm utilizado . O dixido de Silcio
mais usado nos projectos de CIs, por formar uma barreira que serve para isolar
um dispositivo do outro, sendo tambm til nas etapas selectivas dos processos de
difuso, como tambm no de metalizao.
A formao da camada de SiO2, no processo de oxidao trmica do Silcio,
realizada, aquecendo a lmina de Silcio a uma temperatura tipicamente de 900C
a 1200C, numa atmosfera contendo oxignio puro ou vapor de gua. Ambos, os
vapores de gua e oxignio, difundem-se facilmente para o silcio a estas
temperaturas como apresentadas nas equaes qumicas abaixo:
Si + O2
SiO2 : Para o oxignio seco.
Si + 2H2O2
SiO2 + 2H2 : Para o vapor de gua.
A espessura da camada de SiO2 varia de 0,02m a 2m,
sendo a temperatura do processo, a concentrao de impure zas e o tempo, os factores que determinam a espessura real.

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5 ETAPA: DEPOSIO DO FOTORESISTE

Os resistes, que no nosso caso so fotoresistes, so materiais que podem ser
moldados, ou ter suas propriedades de dissoluo e remoo alteradas atravs de
radiaes ou de feixe de partculas nele incidente.
Os resistes, em geral, possuem ou so constitudos por trs componentes
principais: uma resina bsica polimrica que forma a parte estrutural em si do
fotoresiste, os componentes foto activos que promovem as modificaes geradas
pela ao, por exemplo, de luz utra-violeta, os solventes, e os agentes furfactantes
ou tenso-activos que promovem a uniformidade das camadas depositadas sobre o
substrato.
A aplicao do fotoresiste efectuada dentro de um aparelho chamado spinner;
colocam-se umas gotas da soluo sobre o wafer (substrato), previamente
introduzida no spinner e presa ao mesmo atravs de vcuo.
Este, ao iniciar o seu movimento de rotao a grande velocidade, vai espalhar a
soluo de forma uniforme e com uma dada espessura, a qual est relacionada.

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APLICAO DO FOTORESISTE
Descrio das etapas e factores que
influenciam a aplicao do fotoresiste

Aplicao do fotoresiste (ontrak)

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6 ETAPA: COZIMENTO SUAVE

Aps aplicao do fotoresiste, faz-se o cozimento suave ou Soft Bake. Esta
etapa usada para melhorar a adeso e remover o solvente do foto resiste. O
tempo varia de 60 120 segundos em um forno com temperaturas entre 90
120C.
Os fornos mais usados so: Forno de conveno, um sistema alternativo de
chapa quente, fonte de micro ondas e aquecedores de raios infravermelhos.
Objectivos:
-Evaporizar parcialmente a foto resistncia lquida.
(solventes).
- Melhorar a aderncia
- Melhorar a uniformidade.
- Optimizar as caractersticas de absoro de luz do
fotoresiste.

Aps o cozimento suave, o fotoresiste est pronto para o alinhamento e a

exposio da mascara.
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7 ETAPA: ALINHAMENTO

A Mscara para cada camada deve ser alinhada a padres de camadas prvias.
Para um tamanho mnimo caracterstico de ~ 1 mm => Tolerncia de alinhamento
deve ser + / - 0.2 mm
Para alinhar, a bolacha segurada em uma ferramenta com vcuo e se move
usando um suporte com os eixos xyz.
Marcas de alinhamento: Padres especiais em mscara facilitam alinhamento
preciso.

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Tipos de alinhamentos de mscara

Tipos de desalinhamentos (a) direco x,

(b) rotacional e (c) descentralizado.

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8 ETAPA: EXPOSIO (TRANSFERNCIA DE PADRES)

Exposio so empregados para a sensibilizao do resiste depositado sobre a
lmina, atravs das mscaras, ou seja, transferncia de imagem da mscara para a
lamina.
A exposio pode ser realizada por 2 mtodos bsicos: por sombreamento ou
por projeco.
No mtodo por sombreamento, podemos fazer a exposio por Contacto directo
ou Proximidade.

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Para entendermos os mtodos de transferncia de imagem ptica, temos de ter

em mente os seguintes aspectos:
Resoluo: Mnimas dimenses que se pode obter no resiste que estejam livres
de falhas indesejveis e que tenham um perfil adequado
Inscrio: Preciso com que os padres podem ser alinhados (ou revestidos) em
mscaras sucessivas em relao a padres previamente definidos.
Processamento: Nmero de bolachas que podem ser expostas por unidade de
tempo para um determinado nvel de mscara.

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RESOLUO
A resoluo dada (na exposio por sombreamento) pela expresso:

Onde:
bmin : a metade do perodo da grade do mnimo tamanho caracterstico
transfervel.
S: o gap (ou espao) entre a mscara e a superfcie do fotoresiste;

: o comprimento de onda de exposio;

z: a espessura do foto resiste.
Tambm pode ser dada (na exposio por projeco) por:
Factor que depende do processo

A alta intensidade da
radiao ideal quando
direccionada num ngulo
de 90 com a superfcie da
lmina.

ndice de refraco
Apertura numrica dada por NA = n sen

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EXPOSIO (OU IMPRESSO) POR CONTACTO

Na exposio por contacto colocamos o fotoresiste em contacto directo com a
mscara. No mtodo de exposio por contacto directo, o conjunto de mscaras
matrizes deve ter exactamente as dimenses finais do CI. Utilizando um de 400nm
e espessura do fotoresiste igual a 1 m, possvel obter uma resoluo prxima a
1m com este mtodo.
Para pequenos comprimentos de onda, como 248 nm,e para uma mnima
espessura da camada de resiste, tem-se maiores resolues.
Neste mtodo de impresso por contacto, a foto mscara pressionada de
encontro ao resiste depositado sobre a lmina com uma presso na escala de 0,05
atm a 0,3 atm e neste caso o s da equao dada acima igual zero, pois no h
espao entre a mscara e a lmina.
Desvantagens: Partculas de poeira na bolacha podem ser embutidos na
mscara onde a mscara faz para contacto com a bolacha.
- Partculas embutidas causam danos permanentes na mscara e
resulta em defeitos em cada exposio sucessiva.
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ESQUEMA BSICO DO SISTEMA DE EXPOSIO POR CONTATO

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EXPOSIO (OU IMPRESSO) POR PROXIMIDADE

No equipamento de aproximao da mscara na lmina existem espaadores por
meio dos quais aproxima-se a mscara na lmina. Na tcnica de aproximao os
mnimos espaadores que podem ser utilizados so da ordem de 20 m a 50 m. O
sistema tem sua limitao imposta principalmente pela difrao de Fresnel, a
qual reduz a resoluo. Neste mtodo, como s (espao entre a mscara e a
lmina) muito maior que z (espessura do resiste). E equao da resoluo
ser dada por:
Quanto menor for o comprimento de onda da fonte empregada, maior ser a
resoluo.

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Vantagens:
Abertura pequena (10-50 m) entre a bolacha e a mscara.
Minimiza dano de mscara.
Desvantagens:
Abertura resulta em difraco ptica nas extremidades caractersticas que
degradam a resoluo a 25 m.
Largura de linha mnima ou dimenso crtica (CD):A largura absoluta da menor
estrutura que se deseja produzir (linha, espao ou janela de contacto)

Onde.: = comprimento de onda.

g = abertura.

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EXPOSIO (OU IMPRESSO) POR PROJECO

A foto gravao por projeco consegue minimizar os efeitos negativos
da difraco de Fresnel, pois utiliza mscaras em dimenses ampliadas.
Como por exemplo, com mscaras cinco vezes maiores
(5x) do que o tamanho final do CI, pode-se obter uma
relao entre o comprimento de onda da iluminao
e a abertura mnima da mscara tambm 5 vezes
maior.
Neste sistema, aps a passagem da luz colimada
atravs da mscara, existe uma ptica de reduo
cujo resultado a exposio, sobre a lmina, nas
dimenses finais do CI.
Devido abertura limitada do sistema ptico, cada
circuito projectado passo a passo

Esquema do sistema de exposio

passo-a-passo

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PASSOS DA PROJECO REPETIDA

a) A bolacha deve estar a muitos centmetros de mscara.
b) Para aumentar resoluo, s poro pequena da mscara est de cada vez
exposta.
c) Uma pequena rea de imagem esquadrinhada em cima da bolacha para cobrir a
superfcie de bolacha inteira.
d) Depois de exposio de um local, a bolacha movida para prximo local e o
processo est repetido.

Essa projeco tambm chamada de

passo-a-passo, e possui uma certa razo de
demagnificao M.

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Esquema dos passos da projeco repetida

Em litografia ptica, o principal objectivo obter-se maior resoluo com a maior

profundidade de foco. A profundidade de foco ou tolerncia de foco de um sistema
dada por:

Onde K2: um outro factor medido experimentalmente que depende do sistema

ptico empregado.

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9 ETAPA: REVELAO
O fotoresiste revelado por um processo muito similar ao usado no
desenvolvimento de um filme fotogrfico. Cada tipo de fotoresiste possui o seu
revelador especfico. A rea do resiste que foi exposta luz ultravioleta
removida e lavada, deixando o substrato desprotegido nas reas expostas para
ser posteriormente processado (corroso, dopagem, deposio de filmes).

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10 ETAPA: PS-COZIMENTO ( HARD BAKE)

Aps a revelao, realiza-se o ps cozimento hard-bake que tem como
objectivo endurecer o fotoresiste e melhorar ainda mais sua adeso ao substrato. A
bolacha colocada num forno de cozedura que deve ser pr-aquecido a uma
temperatura entre 120-130C.

Inspeco do cozimento
Questes de qualidade:
-Partculas
-Defeitos
-Dimenses crticas
-Preciso de sobreposio
42

11 ETAPA: REMOO DO FOTORESISTE (ETCHING)

Depois que o substrato exposto processado, o fotoresiste removido
da superfcie, deixando uma janela no dixido de Silcio. Para a remoo do
fotoresiste, utiliza-se tradicionalmente uma srie de processos qumicos secos
ou em solues liquidas nos strippers (processos de remover completamente o
resiste), que fazem com que o resiste inche e perca sua adeso do substrato.
Geralmente os processos de remoo de resistes so divididos dentro
da categoria dos resistes positivos e dos resistes negativos, como tambm
podem ser divididos pelo tipo da superfcie da lmina: metalizada ou no
metalizada.
Tcnica

Mecanismo

Plasma oxignio

Oxidao em vcuo

Descarga de Oznio

Oxidao sobre presso atmosfrica

Acetona

Liquido em dissoluo

gua Deionizada

Quebra de ligaes e dissoluo

Acido Sulfrico + oxidante

Oxidao em meio liquido

Orgnicos Aminos

Oxidao em liquido e dissoluo

H2O2

Oxidao em liquido

Processos de remoo completa de fotoresiste

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Um nico CI submetido geralmente a vrios etchings (ou corroso qumica)

durante a sua fabricao. Alm da remoo selectiva, outra caracterstica deste
processo o seu grau de anisotropia, ou seja, o etching anisotrpico ocorre
somente em uma direco, enquanto que o etching isotrpico ocorre em todas as
direces.

Exigncias generais da corroso (etching):

1. Obter perfil desejado (inclinado ou vertical) .
2. Mnimo corte abaixo da superfcie.
3. Selectividade para outros filmes e resiste expostos.
4. Uniformidade e reproduo.
5. Minimizar o dano aparente na superfcie e no circuito.
6. Limpo, econmico, e seguro,

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Um sistema tpico de uma corroso isotrpica feita com o HNO3 (cido

ntrico) + HF (cido fluordrico) + cido actico. O mecanismo a oxidao do
Si pelo cido ntrico seguido de remoo do xido pelo HF. O cido actico
age como agente tampo e pode, em muitos casos, ser substitudo por gua
DI. (Si +HNO3 + 6HF
H2SiF6 +HNO2 +H2O+H2)
Na corroso anisotrpica por via hmida, a taxa de corroso depende do
plano cristalogrfico, ou seja, a corroso feita preferencialmente de acordo
com o plano cristalino. Uma das principais solues utilizadas para este tipo de
corroso feita com KOH hidrxido de potssio.

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12 ETAPA: INSPECO FINAL

A inspeco final serve para verificar se:
-Fotoresiste foi completamente removido.
- Padro em correspondncias de wafer
padro de mscara .

Questes de qualidade:
- Defeitos
- Partculas
- Etapas bem sucessidas.

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TIPOS DE FOTORESISTE E SUAS CARACTERSTICAS

Existem dois tipos de fotoresistes, a saber: Fotoresiste positivo e fotoresiste
negativo.
A radiao UV, em uma determinada faixa de comprimento de onda , produz no
foto resiste uma mudana de solubilidade diferenciada nas regies expostas e no
expostas, o que determina, na etapa da revelao, a formao da imagem no
resiste. Este padro do resiste pode ser positivo ou negativo, de acordo com a
poro (exposta ou no exposta) a ser dissolvida durante a revelao .
Fotoresiste positivo - o resiste positivo responde radiao de maneira que
as regies expostas se tornem mais solveis que a regio no exposta,
protegida pela poro opaca da mscara.
Fotoresiste negativo - resiste negativo actua de forma contrria.

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a) Cobrir a superficia com um fotoresist + ou .

Incidir a luz U.V. atravs de uma mascara.

b) Se amolece +) ou se endurece (-) a resina

c) Eliminar a fotoresina no polimerizada com

exposta.

tricloroetileno.

d) Gravado: Atacar com HCl ou HF e se eliminar

SiO2 no protegido pela fotoresina

e) Se eliminar a fotoresina com um dissolvente

Sulfrico H2SO4.
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RELAO DO CONTRASTE DO FOTORESISTE

A razo do contraste de um fotoresiste a grandeza dada pela seguinte
frmula:

Onde: Et - Sensibilidade ou energia limiar (onde resiste se torna

completamente solvel)
E1 - Energia para alcanar 100% da densidade do resiste (50% para
resistes negativos)

Quanto maior for , maior ser a solubilidade do resiste e imagens mais claras
ET e E1 trocam-se para resistes negativos.

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CURVAS DE CONTRASTE DE FOTORESISTE

POSITIVO E NEGATIVO

Mais energia de exposio

Vs

Maior resoluo
50

ESQUEMA DO STEPPER

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3. CONCLUSO
fotolitografia que um conjunto de tcnicas litogrficas usadas para transferncia de
padres geomtricos em lminas de silcio (Si) com o uso de mscaras.
Existem trs tipos de litografia: litografia ptica, litografia por feixe de electres,
litografia por raios x e litografia por raios ultravioleta extrema.
A escolha do processo litogrfico correcto depende factores tcnicos e econmicos.
O tipo de litografia mais utilizado a litografia ptica por se adequar melhor a esses
factores.
As etapas foto litogrficas no devem jamais serem executadas ou seguidas como
uma receita pronta, mas reter as experincias adquiridas em um processo. Os parmetros
de qualidade pertinentes a cada etapa devem sempre serem inspeccionados com os
devidos critrios de medida, pois no campo de micro electrnica qualquer falha em uma
destas etapas podem comprometer seriamente o processo de fabricao.
O processo fotolitogrfico descrito pelas seguintes etapas:
1) Sala limpa
2) Fabricao de mscara.
3) Preparao de Superfcie
4) Depsito da Camada de barreira. SiO2.
5) Deposio do fotoresiste.
6) Macio cozer (ou "pr-bake")
7) Alinhamento
8) Exposio (transferncia de padres).
9) Remoo do fotoresiste solvel.
10) Ps cozimento (ou Hardbake).
11) Remoo do fotoresiste .
12) Inspeco final.

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A importncia que a litografia tem no processo global da micro fabricao, no qual

representa uma parcela de 35% do custo total de fabricao e 60% do tempo.
Limitaes da fotolitografia
- Resoluo que se torna um desafio para as exigncias dos processos
submicron fundo IC
- Complexidade de produo de mscara e inspeo de mscara
- Custo alto de mscaras
A fotolitografia aplicada em muitas outras reas da microfabricao dentre elas
a micro maquinagem: Tcnica usada para definir a forma das estruturas de micro
Mquinas, na microtecnologia mdica, espacial, etc.
No existiria nano tecnologia sem os processos litogrficos. O principal
factor de produo de dispositivos complexos a um custo menor deve-se a
litografia.
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4. BIBLIOGRAFIA
- Monografia de Benjamim Rodrigues de Souza. 2008. Etapas dos Processo
Fotolitogrfico .
- Aulas do Instituto de Tecnologia da Georgia. Janeiro, 22 de 2004.
Photolithography. Gary S. May
- 2 Aula de Processos em microelectrnica de uma Universidade Brasileira.
- Litografia para Microelectrnica. Prof. Antonio C. Seabra. Escola Politcnica da
USP (Universidade de So Paulo).
- Alguns outros materiais cedidos pelo Dr. Serghei Psar sobre litografia.
- Fontes electrnica: www.google.com e www.wikipedia.com

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