La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente

elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las

propiedades fsicas ms importantes.
Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes
conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son
muy malos conductores.
A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como
aislante. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas
(dopado) o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores
puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a
los de los metales. Los principales semiconductores utilizados en electrnica
son el silicio, el germanio y arseniuro de galio.

Semiconductor
Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor
que un aislante, pero peor que un metal.

Silicio : Si
Descubridor : Jns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco)
Ao : 1823
Etimologa : del latn silex

En estado puro tiene propiedades fsicas y qumicas parecidas a las del
diamante.
El dixido de silicio (slice) [SiO
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] se encuentra en la naturaleza en
gran variedad de formas: cuarzo, gata, jaspe, nice, esqueletos de
animales marinos.
Su estructura cristalina le confiere propiedades semiconductoras. En
estado muy puro y con pequeas trazas de elementos como el boro,
fsforo y arsnico constituye el material bsico en la construccin de los
chips de los ordenadores.
Semiconductor

Silicio: tomo, Modelo
de enlace y estructura
crsitalina
Semiconductor: representacin bidimensional de la estructura cristalina
Idealmente, a T=0K, el semiconductor sera aislante porque todos los e- estn formando enlaces. Pero
al crecer la temperatura, algn enlace covalente se puede romper y quedar libre un e- para
moverse en la estructura cristalina.
El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la estructura cristalina.
De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrn libre (e-), pero tambin hay un segundo
tipo de portador: el hueco (h+)
Semiconductor: Accin de un campo elctrico.
Si
Si Si
Si Si
Si Si
Si
Si
Si Si
Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si
+
Semiconductor intrnseco: accin de un campo elctrico
+
+
+
+
+
+
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+
+
+
+
+
+
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-
+
La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de carga:
HUECOS y ELECTRONES
La temperatura afecta fuertemente a las propiedades elctricas de los semiconductores:
mayor temperatura ms portadores de carga menor resistencia
Semiconductor Intrnseco Extrnseco.
Semiconductor intrnseco indica un material semiconductor
extremadamente puro que contiene una cantidad
insignificante de tomos de impurezas.


Semiconductor extrnseco, se le han aadido cantidades
controladas de tomos impuros (Dopado) para favorecer la
aparicin de electrones (tipo n tomosde valencia 5: As,
P o Sb ) o de huecos (tipo p - tomos de valencia 3: Al, B,
Ga o In).
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si Si
Si Si
Si Si
Si
Si Si
Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si
Sb
+
Semiconductor Intrnseco Extrnseco.
Semiconductor extrnseco : TIPO N
Semiconductor extrnseco : TIPO P
Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son
Electrones libres
Sb: antimonio
Impurezas del grupo V de
la tabla peridica
Es necesaria muy poca
energa para ionizar el
tomo de Sb
Si
Si Si
Si Si
Si Si
Si
Si
Si Si
Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si
Al
-
+
Al: aluminio
Impurezas del grupo III de
la tabla peridica
Es necesaria muy poca
energa para ionizar el
tomo de Al
A temperatura ambiente
todos los tomos de
impurezas se encuentran
ionizados
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
300K
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Huecos libres Huecos libres tomos de impurezas ionizados tomos de impurezas ionizados
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo P son
Huecos. Actan como portadores de carga
positiva.
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Impurezas grupo V Impurezas grupo V
300K
+
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Electrones libres Electrones libres tomos de impurezas ionizados tomos de impurezas ionizados
Semiconductores. La unin PN: el DIODO.
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Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
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+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
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+
+
+
+
+
++ --
Zona de transicin Zona de transicin
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada zona de transicin, que acta como una barrera para el
paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
Semiconductores. La unin PN: el DIODO.
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+
++
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-
+
+
+
+
+
P
N
La unin P-N polarizada inversamente
La zona de transicin se
hace ms grande.
Con polarizacin inversa
no hay circulacin de
corriente.
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+
+
+
+
+
P
++
La unin P-N polarizada en directa
N
La zona de transicin se
hace ms pequea.
La corriente comienza a
circular a partir de un cierto
umbral de tensin directa.
I
P N P N P N
DIODO SEMICONDUCTOR
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente.
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin de
corriente elctrica