JUNO P-N

HYPERPHYSICS
PLANO DE ESTUDO
PLANO DE ESTUDO II
BANDAS DE ENERGIA EM
SLIDOS

BANDAS DE ENERGIA DO
SILCIO
Em temperaturas normais o nmero de eltrons que alcanam a banda de
conduo e contribuem para a corrente pode ser modelado pela funo de Fermi.
Esta corrente pequena comparada com a de semicondutores dopados sob as
mesmas condies

BANDAS DE ENERGIA DO
GERMNIO

Em temperaturas normais o nmero de eltrons que alcanam a banda de
conduo e contribuem para a corrente pode ser modelado pela funo de Fermi.
Esta corrente pequena comparada com a de semicondutores dopados sob as
mesmas condies

SEMICONDUTOR INTRNSECO
CORRENTE NO SEMICONDUTOR
Tanto eltrons quanto buracos contribuem para a corrente em um semicondutor
intrnseco.

ELTRONS E BURACOS
Em um semicondutor intrnseco como o silcio, em temperaturas acima do zero
absoluto alguns eltrons sero suficientemente excitados para atravessar o gap e
atingir a banda de conduo, produzindo corrente. Ao abandonar a banda de
valncia ele deixa uma vaga ou buraco na estrutura cristalina. Sob a ao de
voltagem externa os eltrons e os buracos se movem atravs do material. Nos
semicondutores tipo n os dopantes fornecem eltrons extra, aumentando a
conduo dramaticamente. Nos semicondutores tipo p os dopantes fornecem
buracos que tambm aumentam a condutividade. Entretanto o comportamento da
juno p-n que a chave para a enorme variedade de dispositivos eletrnicos de
estado slido..
SILCIO
Na eletrnica de estado slido tanto o
silcio quanto o germnio podem ser
usados como semicondutores
intrnsecos, o ponto de partida para a
fabricao de tudo.
Ambos tem 4 eltrons de valncia mas,
na mesma temperatura o germnio
apresenta maior condutividade.
O silcio o mais usado em eletrnica e
uma das razes o fato de funcionar
bem em temperaturas mais altas.

GERMNIO
ESTRUTURA DO SILCIO
Os tomos de silcio formam ligaes covalentes e cristalizam numa estrutura
regular. O desenho abaixo uma simplificao pois na realidade a estrutura
espacial e semelhante do diamante.

ESTRUTURA CRISTALINA
(SILCIO E GERMNIO)
aresta do cubo
Si 0,543nm
Ge 0,566nm
DOPING DE
SEMICONDUTORES
DOPING DE
SEMICONDUTORES II
A adio de pequenas porcentagens de tomos diferentes numa estrutura cristalina
regular de silcio ou germnio produz mudanas espetaculares nas propriedades
eltricas, produzindo semicondutores dos tipos n e p.
Impurezas cujos tomos tem 5 eltrons de valncia produzem semicondutores tipo
n devido ao eltron extra.
Impurezas cujos tomos tem 3 eltrons de valncia produzem semicondutores tipo
p devido ao eltron faltante.



SEMICONDUTORES TIPOS
P E N
SEMICONDUTORES TIPO N
Fsforo pode ser adicionado atravs da difuso do gs
PH
3


SEMICONDUTORES TIPO P
A adio de impurezas trivalentes como o boro, alumnio ou glio
cria uma deficincia de eltrons de valncia, isto , buracos. O gs
B
2
H
6
usado para difuso de boro no material.
BANDAS DE
SEMICONDUTORES
DOPADOS
A teoria das bandas mostra que nveis extra de energia so
adicionados pelas impurezas. Nos materiais tipo n h nveis de
energia de eltrons prximos ao alto do gap de energia, podendo ser
facilmente levados para a banda de conduo enquanto que nos
materiais tipo p os nveis extra de buracos so prximos banda de
valncia, permitindo a excitao de eltrons de valncia que deixam
buracos mveis nesta banda.
JUNO P-N
Quando materiais tipo p e tipo n so postos em contato a juno funciona
completamente diferente dos materiais isolados. A corrente flui em uma direo,
criando um diodo. Isto est relacionado com o transporte de cargas em cada material.
Os crculos claros representam buracos e os escuros eltrons. Perto da juno os
eltrons se difundem e combinam com os buracos, criando uma regio vazia. O
esquema abaixo mostra o equilbrio na juno.
REGIO VAZIA
(REGIO DE DEPLEXO)
Quando uma juno p-n formada alguns dos eltrons livres do
material n difundem atravs da juno e recombinam com buracos
para formar ons negativos, deixando ons positivos no material
doador.
DETALHES DA REGIO
VAZIA
Na regio p h buracos da impureza receptadora e na regio n
h eltrons extra.
Ao formar a juno p-n alguns eltrons da regio n que
alcanaram a banda de conduo difundem atravs da juno
e combinam com os buracos.
Preencher um buraco cria um on negativo no lado p e deixa um
on positivo no lado n. criada uma distribuio de carga que
cria uma regio vazia, inibindo o movimento de eltrons, a
menos que a juno seja polarizada no sentido direto.
EFEITOS DA POLARIZAO NOS
ELTRONS DA REGIO VAZIA
A fora de Coulomb criada pelos ons impede mais migraes
atravs da juno, estabelecendo-se uma situao de equilbrio.
POLARIZAO INVERSA
Uma tenso com a polaridade indicada ajuda a impedir o fluxo de
eltrons atravs da juno p-n.
POLARIZAO DIRETA
A polarizao direta, conforme indicada na figura, ajuda os
eltrons a vencer a barreira de Coulomb na regio vazia.
Eltrons fluiro na direo indicada com pequena resistncia.