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Tema 1:
Fabricacin de Dispositivos
semiconductores
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1.1.- Evolucin histrica de la
tecnologa electrnica.
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Definicin de Electrnica:

"Electrnica es la rama de la Ciencia y la Tecnologa que se
ocupa del estudio de las leyes que rigen el trnsito controlado
de electrones a travs del vaco, de gases o de
semiconductores, as como del estudio y desarrollo de los
dispositivos en los que se produce este movimiento
controlado y de las aplicaciones que de ello se deriven".

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Era del tubo de vaco
Abarca la primera mitad del siglo XX
1905 A.Fleming inventa la primera vlvula de vaci, el diodo termoinico
Estos dispositivos aprovecharon la observacin previa de T.A. Edison (1881) de que, para
que pase corriente entre un electrodo (nodo) y un filamento (ctodo), es necesario que el
electrodo sea positivo respecto al filamento.
Esta propiedad fue estudiada por W.Preece en 1885 y el propio Fleming entre 1890 y
1896 y fue explicada mediante la teora de la emisin termoinica de Richardson
nodo +
Ctodo -
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1907 Lee de Forest propone el trodo, primer amplificador
1912 el perfeccionamiento alcanzado por los tubos de vaco hizo posible que F.Lowenstein
patentara el trodo como amplificador , aumentando el grado de vaco en su interior,
1916 Hull y Schottky introducen la rejilla pantalla entre la de control y el nodo para disminuir
capacidades dando lugar al tetrodo
1928, cuando B.Tellegen introdujo una nueva rejilla proponiendo un nuevo dispositivo: el
pentodo. Esta ltima rejilla, llamada supresora, est conectada cerca del nodo y tiene como
misin eliminar la emisin secundaria de electrones,.

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1922 Estaba generalizado el uso de tubos electrnicos en
mltiples aplicaciones:
Comunicaciones: radio y telfono
Rectificadores de potencia,
Amplificadores de potencia,
Convertidores DC-AC, (corriente continua a alterna)
Controladores de motores, hornos de induccin, etc.
Informtica

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1946 Eckert y Mauchly construyen el primer ordenador electrnico
(ENIAC)
Diseado para calcular tablas balsticas.
Utilizaba unos 18000 tubos de vaco.
Ocupaba una habitacin de 100m
2
, pesaba 40Tm, consuma 150kW
Trabajaba a una frecuencia de reloj de 100kHz.. Multiplicacin en 2.8mseg
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Problemas de la vlvula de vaco:

Consumo de potencia elevado.
Fiabilidad.
Costo de fabricacin.
Tamao.

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1.1.1 Electrnica de Estado Slido
El gran avance de la Electrnica, que ha permitido alcanzar el nivel de desarrollo
actual, fue la sustitucin de los tubos de vaco por los dispositivos semiconductores
La utilizacin de contactos entre materiales slidos diferentes para controlar la
corriente elctrica fue relativamente temprana
1874, Braun hizo notar la dependencia de la resistencia de una unin metal-
semiconductor con respecto a la polaridad de la tensin aplicada y las condiciones
de las superficies de contacto
1904 se utiliz un dispositivo de puntas de contacto como rectificador (Diodo)
1920 se haba generalizado el uso comercial de rectificadores cobre-xido de cobre
o hierro-selenio

Intento de primer transistor de estado solido
1926, J.E. Liliendfeld patent cinco estructuras que corresponden a dispositivos
electrnicos modernos: La primera, en 1926, es el "MESFET", La segunda
estructura, en 1928, incorpora un aislante entre el metal de puerta y el
semiconductor, por tanto se trata de un MISFET o MOSFET de deplexin
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Primer transistor
1947 En los laboratorios de la Bell Telephone Shockley Bardeen y
Brattain inventan el Transistor de puntas de contacto.
Consiguieron Nobel en 1956
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1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unin (npn pnp)
1951 Teal, Spark y Buehler construyeron el primer transistor bipolar de
unin con posibilidades comerciales inmediatas
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1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo, el FET de
unin (JFET).

1955 I.M.Ross describio la estructura MOSFET de enriquecimiento tal
como se conoce hoy da, es decir, con uniones p-n en la fuente y el drenador.
A pesar de ser la idea del MOSFET ms antigua que la del BJT, fueron los avances
tecnolgicos producidos en el desarrollo del transistor bipolar los que hicieron viable al
de efecto campo. No obstante habra que esperar a que se perfeccionara la tecnologa
para poder aprovechar toda la potencia del MOSFET

1955 Nacimiento del Silicon Valley en Palo Alto (California)
Hewlett y Packard ,Shockley Transistor Corporation, Fairchild Semiconductor
Corporation, Texas Instruments

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1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado, patent un flip-
flop realizado en un cristal de germanio con interconexiones de oro

1959 Noyce de Fairchild patent la idea de circuito integrado de silicio
utilizando en 1960 la tecnologa planar para definir, mediante fotolitografa,
transistores y resistencias interconectados usando lneas delgadas de aluminio
sobre el xido de pasivacin
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Se comenz a usar el Si como material semiconductor por sus propiedades:
Fcil oxidacin, Pasivacin.
Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si.
Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden actuar
como condensadores
1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo
Alrededor de 1968 ya se haban propuesto las estructuras bsicas MOS. Desde
entonces la mayor parte de los esfuerzos tecnolgicos se han dedicado a la
miniaturizacin de los dispositivos con el propsito de aumentar su velocidad y la
densidad de integracin
1960 SSI (Small Scale Integration) 100 componentes/chip
1966 MSI (Mediun Scale Integration) 100-1000 componentes/chip
1969 LSI (Large Scale Integration)1000-10000 componentes/chip
1975 VLSI (Very Large Scale Integration) mas de 10mil componentes/chip
Actualmente ULSI (Ultra Large Scale Integration) mas de 100Millones comp/chip

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Procesador 4004 de Intel

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Procesador Pentiun II
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1.2: Etapas para la fabricacin
de un dispositivo
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1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)
2.- Oxidacin
3.- Litografa y Grabado
4.- Impurificacin
5.- Creacin de capas delgadas (Deposicin y
crecimiento epitaxial).
6.- Colocacin de los contactos metlicos

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1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)

Obtencin de Si puro

1) Materia prima: Slice o dixido de Silicio: SiO
2
(muy abundante,
arena de la playa).

2) Reduccin del SiO
2
a alta temperatura:
Silicio + Carbn a 2000C Silicio metalrgico, Si al 98%.

3) Si metalrgico + ClH (Clorhdrico)SiHCl
3
TricloroSilano

4) Destilacin del SiHCl
3
SiHCl
3
TricloroSilano puro.

5) Reduccin del SiHCl
3


SiHCl
3
+ H
2
Si de alta pureza Si Policristalino
Concentracin impurezas<1 ppmm (10
13
cm
-3
).
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Tres tipos de solidos, clasificados por su ordenacin atmica:
(a) La estructura cristalina y (b) Amorfa son ilustradas con una vista
microscopica de sus atomos, mientras (c) la estructura
policristalina se muestra de una forma ms macroscopica con sus
pequeos cristales con distinta orientacion pegados unos con
otros.
El Silicio policristaio o polisilicio esta formado por pequeos
cristales de silicio
Las obleas para la fabricacin de un C.I. Tienen que tener una
estructura cristalina
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Dos mtodos para obtener Si cristalino
a) Mtodo de Czochraiski
b) Mtodo de Zona flotante
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Mtodo de Czochralski
Es el mtodo empleado en el 90%

aparato denominado
"puller"
(a) Horno
Crisol de slice fundida (SiO2)
Soporte de grafito
Mecanismo de rotacin
Calentador

(b) Mecanismo de crecimiento del
cristal
Soporte para la semilla
Mecanismo de rotacin (sentido
contrario).

(c) Mecanismo del control de ambiente
Una fuente gaseosa (argn)
Un mecanismo para controlar el flujo
gaseoso
Un sistema de vaciado.
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Procedimiento
Se coloca el Si policristalino en el crisol y el horno se calienta hasta fundirlo.
Se aaden impurezas del tipo necesario para formar un semiconductor tipo N
(Fosforo, Arsenico, Antimonio) o P (Boro, Aluminio, Galio) con el dopado deseado
Se introduce la semilla en el fundido (muestra pequea del cristal que se quiere crecer)
Se levanta lentamente la semilla (se gira la semilla en un sentido y el crisol en el
contrario)
El progresivo enfriamiento en la interface slido-lquido proporciona un Si
monocristalino con la misma orientacin cristalina que la semilla pero de mayor
dimetro
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Dimetro depender de:
La temperatura
La velocidad de elevacin y rotacin
de la semilla
La velocidades de rotacin del crisol
Efecto de segregacin:
La concentracin de dopante del Si solidificado es inferior a la del Si fundido.
La concentracin del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece.
La concentracin de impurezas es menor en lado de la semilla que en el otro
extremo.
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El Silicio fabricado por el mtodo de Czochralski contiene oxigeno,
debido a la disolucin del crisol de Slice (SiO
2
).

Este oxigeno no es perjudicial para el silicio de baja resistividad
usado en un circuito integrado.

Para aplicaciones de alta potencia donde se necesita Si con alta
resistividad este oxigeno es un problema.

En estos casos se usa el mtodo de Zona Flotante.

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Mtodo de Zona Flotante
El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino
Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla
Una pequea zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia
que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla
El Si fundido es retenido por la tensin superficial entre ambas caras del Si slido
Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se
solidifica en el extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensin de la
semilla
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2) Proceso de Oxidacin trmica.
Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo
Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de
apertura cilndrica calentado por resistencia
T entre los 850 y 1100C
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Dos tipos de oxidacin: Seca y hmeda
Oxidacin Hmeda
Se introduce vapor de agua en el horno
Si(s) +2H
2
O(g) SiO
2
(s) + 2H
2
(g)
Es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos gruesos
Oxidacin seca
Se introduce gas de oxigeno puro
Si(s) + O
2
(g) SiO
2
(s) + 2H
2
(g)
Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms lenta
Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya que se puede
producir una redistribucin de las impurezas introducidas en los anteriores procesos
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Tipos de Hornos
Horno horizontal
Horno vertical
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1 Cuando el espesor del oxido formado es pequeo
Crecimiento limitado por la reaccin en la interface Si-SiO
2

Espesor varia linealmente con el tiempo.
En la oxidacin trmica parte de la capa de Si se consume
La interface Si-SiO
2
se introduce en el Si
Por cada micra de oxido crecido se consume 0.44 micras de Si
2 Cuando el espesor es grande
Crecimiento limitado por la difusin de las especies oxidantes
Espesor proporcional a la raz cuadrada del tiempo.
t Espesor
t Espesor
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3) Proceso de litografa y grabado
Se cubre la oblea con una fotoresina + o -
Se hace incidir luz U.V. a travs de
una mascara
Se ablanda (+) o se endurece (-) la
resina expuesta
Se elimina la fotoresina no
polimerizada con tricloroetileno
Grabado: se ataca con HCl o HF y se
elimina el SiO
2
no protegido por la
fotoresina
Se elimina la fotoresina con un
disolvente Sulfrico SO
4
H
2

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Litografa
Diferentes fuentes de luz
Luz Ultravioleta
Rayos X
Haces de electrones
Litografa con luz ultravioleta
Es la ms utilizada
Litografa con rayos X
Menor longitud de onda Mayor resolucin
Problemas mascaras difciles de fabricar
Radiacin puede daar el dispositivo
Para una buena resolucin (longitud de onda de la luz) tiene que ser
lo suficientemente pequea para evitar efectos de difraccin
Litografa con haces de electrones
No necesita mascara
Buena resolucin
Problema proceso muy lento
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Litografa
Tipos de mascaras
Para una oblea entera
Para un solo Chip
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Litografa
Stepper
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Grabado
Hmedo y Seco
(a) Hmedo:
Bao de cido fluorhdrico o
clorhdrico que ataca SiO
2
no protegido,
pero no ataca al Si.
Gran selectividad
Problema: ataque isotrpico igual en
todas las direcciones
(b) Seco:
Se usa un plasma con un gas ionizado
Grabado Fsico o qumico
Ataque anistropo
Menor selectividad
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Reactive Ion Etching (RIE)
(1) El proceso comienza con la formacin de los reactivos
(2) Los reactivos son transportados por difusin a travs de una capa gaseosa de
estao hacia la superficie.
(3) La superficie adsorbe a los reactivos.
(4) Se produce la reaccin qumica de los reactivos con la especies de la superficie,
junto con efectos fsicos (bombardeo inico).
(5) Los materiales resultados de la reaccin qumica o bombardeo fsico son
repelidos por la superficie y eliminados por un sistema de vaco.
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4) Impurificacin (adicin de dopantes)
Dos mtodos: Difusin e implantacin inica
Difusin
Se colocan las obleas en el interior de un horno a
travs del cual se hace pasar un gas inerte que
contenga el dopante deseado.
T entre 800 y 1200 C
Para Si tipo P el dopante ms usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsnico
y Fsforo.
Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de
temperatura de difusin.
Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusin:
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a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentracin de
impurezas durante el proceso
b) Con fuente limitada: se parte de una concentracin inicial y no se aaden
mas dopantes
Normalmente se usan los dos mtodos uno seguido del otro.
La profundidad de la difusin depender del tiempo y de la temperatura.
La concentracin de dopante disminuye montonamente a medida que se
aleja de la superficie.
La tcnica de difusin tiene el problema de que las impureza se difunden
lateralmente
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Implantacin inica
Se ionizan las impurezas
Se aceleran y adquieren alta energa
Se introducen en el Si con el ngulo adecuado
Annealing: se somete la oblea a un recocido para reordenar al estructura
Mejor control de la difusiones profundidad y dopado
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5) Formacin de capas delgadas (Deposiciones y Epitaxia)
1) Chemical vapour deposition (CVD)
Atmospheric pressure CVD
Low-pressure CVD
Plasma-enhanced CVD

2) Physical vapour deposition (PVD)
Evaporation technology
Sputtering
Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Se puede depositar diferentes tipos de material como xidos, polisilicio, metal y
semiconductor con estructura cristalina (en este caso el proceso se llama epitaxia)
Podemos distinguir entre dos tipos de deposicin segn se produzca en el
proceso una reaccin qumica o fsica
Las tcnicas de CVD se suelen usar para depositar aislante y polisilicio
La tcnica de CVD y MBE para depositar semiconductores cristalinos (Epitaxia)
Las tcnicas Fsicas de evaporacin y Sputtering para metalizaciones
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Chemical vapour deposition (CVD)
Creacin de una capa de Si
Las obleas de silicio se introducen en un recipiente sobre un soporte de grafito,
En el recipiente se introduce la fuente gaseosa, tpicamente tetracloruro de
silicio (SiCl4 ) y se calienta todo a una temperatura de 1200 C, dndose la
reaccin:
Pero adems se produce tambin la reaccin siguiente:
Si la concentracin de tetracloruro de silicio (SiCl4 ) es demasiado elevada, predominar la
segunda reaccin, por lo que se producir una eliminacin de silicio del substrato en vez del
crecimiento de la capa epitaxial.
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La capa epitaxial puede crecerse con un cierto dopado. El dopante se introduce a la
vez que el SiCl4 en la mezcla gaseosa. Como dopante tipo p se utiliza el diborano
(B2 Cl4 ), mientras que la arsina (AsH3 ) y la fosfina (PH3 ) se utilizan como
dopantes tipo n.
Distintos
tipos de
hornos
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Creacin de una capa de polisilicio
se utiliza un reactor LPCVD a una temperatura entre 600 y 650 C
donde se produce la pirolisis del silano:
Creacin de una capa de oxido
A bajas t (300 a 500 C) las pelculas se forman al reaccionar silano y oxgeno.
A altas t (900 C) al reaccionar diclorosilano, SiCl2 H2 con xido nitroso a
bajas presiones:
a medida que mayor es la temperatura mejor es la calidad del xido
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Molecular Beam epitaxy MBE
Recipiente al vaco
No hay reaccin qumica
Distintos materiales en crisoles se calientan las
partculas evaporadas son dirigidas a la muestra
bajas temperaturas (400 a 800 C)
Control preciso del perfil del dopado.
Crecimiento de mltiples capas
monocristalinas con espesores atmicos.
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6) Metalizacin
Phisical vapour deposition
Se evapora el metal con calor a depositar en una cmara de alto vaco
Se condensa en la superficie de la oblea al enfriarse.
La energa de los tomos de vapor suele ser baja lo cual pueden resultar capas
porosas y poco adherentes
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Varias tcnicas para evaporar el metal
En un crisol de nitruro
de boro se calienta el Al
mediante induccin RF.
Filamento de tungsteno. De
cada espira del filamento se
cuelga un pequeo trozo de
aluminio.
Evaporacin por haces de
electrones.
Un filamento suministra un haz
de electrones que son acelerados
por un campo elctrico y
conducidos hacia la superficie
del metal donde al chocar con
ste producen la evaporacin del
mismo.
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Sputtering (Salpicado)
El material a depositar se arranca cargndolo negativamente al
bombardearlo con iones positivos Argon
Los tomos de Al desprendidos se dirigen y depositan sobre al oblea
Ms uniformidad
Mejor control del
espesor
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Fabricacin de 4
diodos
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Fabricacin de un MOSFET
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