Tema 7 Transistor BJT Análisis Dinámico

REGIN CAPITAL
Dr. Federico Rivero Palacio

20/05/2014 Prof: Jhonny Garca 11
ELECTRNICA TRANSISTOR BJT:
Anlisis dinmico
Recta de carga dinmica: Una vez fijado el punto de operacin y la recta de carga
mediante la red de polarizacin, el BJT esta en condiciones de amplificar la seal
alterna aplicada a su entrada.
El estudio del transistor en regimen dinmico se har en la zona lineal del BJT, de modo
que los niveles de la seal de entrada debe ser tal que no corte ni sature el transistor
(pequea seal), adems el rango de frecuencias de esta seal es tal que los
condensadores se comportan como un cortocircuito para estas frecuencias.
BJT: red de polarizacin
Q: I
CQ
, V
CEQ
, I
BQ
Recta de carga: I
C
=f(V
CE
)

v
s

R
s

V
i
I
i
V
o
I
o
Z
i
Z
o
R
L
REGIN CAPITAL
Anlisis dinmico
Otro aspecto a considerar es la frecuencia de la seal de entrada, sabemos el efecto de
sta en todo unin PN,(tiempo de recuperacin inversa y capacitancia). Estos efectos
son despreciados si trabajamos en bajas frecuencias (menores a las decenas de MHz).
Bajo estas consideraciones la recta de carga en esttico difiere de la recta de carga en
dinmico: I
C
=f(V
CE
)= MV
CE
+I
Csat
difiere de i
c
=f(v
ce
)=mv
ce
+ i
csat

Para el anlisis es importamte conocer la recta de carga en dinmico ya que de sta
depende los niveles mximos de excursin de la seal de entrada, antes de caer en la
zona de corte , saturacin o de mxima potencia.
Para la determinacin de la recta de carga en dinmico procedemos de la siguiente
manera:
1.- En esttico: determinamos el Q y la recta de carga
2.- En dinmico: reemplazamos las fuentes de voltaje dc y los condensadores por
cortocircuitos, obtenemos de la malla de salida la pendiente m, obteniendo:
i
c
=mv
ce
+ i
csat

REGIN CAPITAL
Anlisis dinmico
3.- La i de saturacin en dinmico (i
csat
) la obtenemos evaluando en i
c
=mv
ce
+ i
csat
el Q
esttico ya que este punto es comn a las dos rectas, esttica y dinmica.
Rgimen esttico
I
C
=f(V
CE
)= MV
CE
+I
Csat
V
CC
I
Csat
Rgimen dinmico
i
c
=f(v
ce
)=mv
ce
+ i
csat

i
csat
i
csat
/m V
CE
I
C
Q

I
C
Q
V
CE
Q
REGIN CAPITAL
Recta de carga dinmica: La variacin de la recta de carga en rgimen dinmio
depender de la presencia de condensadores en la red de polarizacin, ya que para el
rango de frecuencias a emplear los condensadores son equivalentes a un cortocircuito
para la seal alterna, y como sabemos en esttico estos son un circuito abierto con un
voltaje constante igual al volatje de carga que xiste en sus extremos.
Puesto que la seal alterna en algn momento pasar por cero el Q en dinmico ser en
ese momento igual al Q en esttico, por lo que el cambio de pendiente de la recta de
carga ocurrir rotando la recta sobre el punto de operacin en esttico. Es decir que el Q
es un punto comn para las dos redes, esttica y dinmica. De modo que solo
requerimos la la nueva pendiente de la recta en dinmico para determinar la recta.
Anlisis dinmico
REGIN CAPITAL
Anlisis dinmico
Parmetros: En el anlisis dinmico en pequea seal del BJT, este se comporta como
un amaplificador de potencia, es decir:
P
o
= A
P
P
i
siendo A
P
la amplificacin o ganancia de potencia:
A
P
=P
o
/P
i
Expresando las potencia en el mismo sistema de unidades A
P
resultra ser adimencional.
Q: I
CQ
, V
CEQ
, I
BQ
Recta de carga: I
C
=f(V
CE
)

v
s

R
s

V
i
I
i
V
o
I
o
Z
i
Z
o
R
L
REGIN CAPITAL
Anlisis dinmico
Parmetros: Para efectos prcticos de operacin aritmtica esta amplificacin o ganacia
de potencia se expresa en decibel (dB) como:
A
P
(dB)=10 log(A
P
)=10 log(P
o
/P
i
)=10 log(P
o
) - 10log(P
i
)
Si las potencias estan en Wattios se define el dBWattio (dBW) como:
P(dBW)=10 log[P(W)]
o el dBmiliWatt (dBm) como
P(dBm) = 10 log[P
o
(mW)]
As la ganancia puede calcularse como:
A
P
(dB)= P
o
(dBW) - P
i
(dBW) = P
o
(dBm) - P
i
(dBm)
REGIN CAPITAL
Anlisis dinmico
Parmetros: En trminos de los voltajes y de impedamcias de entrada y de salida la
ganancia puede escribirse como:
A
P
(dB)=20 log V
o
20 log V
i
+10log (Z
i
/Z
o
)
Q: I
CQ
, V
CEQ
, I
BQ
Recta de carga: I
C
=f(V
CE
)

v
s

R
s

V
i
I
i
V
o
I
o
Z
i
Z
o
R
L
En trminos de los voltajes y de corrientes de entrada y de salida la ganancia puede
escribirse como:
A
P
= A
v
A
i

A
P
(dB)=10 log (V
o
/V
i
)+10 log (I
o
/ I
i
)
REGIN CAPITAL
Anlisis dinmico
I mpedancia de entrada: Para el anlisis en pequea seal y bajas frecuencias los
efectos inductivos y capacitivos del BJT son despreciables de modo que la impedancia
de entrada es resistiva pura, y puede variar desde las unidades de ohms hasta
megahoms, segnla configuracin mepleada.
La magnitud de la impedacia de entrada del amplificador BJT determina la eficiencia de
la tramsferemcia de potemcia de la fuente hacia el amplificador:
V
i
= V
s
Z
i
/(R
s
+Z
i
)
Para mxima transferencia de potemcia la seal de la fuente debe aparecer sobre Z
i
y
esto ocurre solo si Z
i
>> R
s
o R
s
=0
Q: I
CQ
, V
CEQ
, I
BQ
Recta de carga: I
C
=f(V
CE
)

v
s

R
s

V
i
I
i
V
o
I
o
Z
i
Z
o
R
L
REGIN CAPITAL
Anlisis dinmico
I mpedancia de salida: Por las mismas cosideraciones hechas para la impedacia de
entrada la impedancia de salida es resistiva pura, y dependiendo de la configuracin
desde unos cuantos ohm hasta los Mehgahoms.
La corriente suministrada por el amplificador hacia la carga se comparte con la
impedamcia de salida. De modo que si deseamos la mxima transferecia de potencia
hacia la carga la impedamcia de salida debe ser mucho mayor que la impedancia de la
craga
Par mxima transferenia de potencia del amplificador hacia la carga
Z
o
>> R
L

Q: I
CQ
, V
CEQ
, I
BQ
Recta de carga: I
C
=f(V
CE
)

v
s

R
s

V
i
I
i
V
o
I
o
Z
i
Z
o
R
L
REGIN CAPITAL
Anlisis dinmico
Modelos del transistor: Existen dos modelos que se utilizan en el anlisis dinmico de
pequea seal del transistor BJT: el modelo r
e
y el equivalente hbrido (h)
En todo modelo de anlisis dinmico, todas las fuentes de dc y los condensadores se
pueden reemplazar por un corto circuito.

+V
CC

C
1

R
1

C
2

R
C

I
E
v
i

v
o

R
E

b
R
2

I
C
v
s

R
s

C
3

Rgimen esttico
Circuito
equivalente
en ac
v
s

R
s

R
1

R
2

R
C

B
E
C
v
o

v
i

I
i

I
0

Z
i
Z
0

Circuito equivalente en rgimen dinmico
R
L

R
L

REGIN CAPITAL
Prametros de importantes en el modelo:
Impedancia de entrada: Z
i
= V
i
/I
i
es fundamental para la mxima transferencia de
potencia
Impedancia de salida: Z
0
= V
0
/I
0
|
Vs=0

Circuito
equivalente
en ac
v
s

R
s

R
1

R
2

R
C

B
E
C
v
o

v
i

I
i

I
0

Z
i
Z
0

R
L
Circuito equivalente en rgimen dinmico
Ganancia de voltaje:
A
v
= V
0
/V
i
Ganancia de coriente:
A
I
= I
0
/I
i

Anlisis dinmico
R
L
REGIN CAPITAL
Modelo equivalente hbrido: Para cualquier cuadripolo
Anlisis dinmico
CUADRIPOLO
+
-
+
-
I
i
V
i
I
0
V
0
h
i
= h
11
=V
i
/I
i
|
V
0
=0
Impedancia de entrada (imput) con la salida en corto
circuito
h
r
=h
12
=V
i
/V
0
|
I
i
=0
Relacin de transferencia de voltaje inversa (reverse) con la
entrada en circuito abierto
h
f
=h
21
=I
0
/I
i
|
V
0
=0
Relacin de transferencia de corriente directa (forward) con
la salida en corto circuito
h
o
=h
22
=I
0
/V
0
|
I
i
=0
Admitancia de salida (output) con la entrada en circuito
abierto
V
i
= h
11
I
i
+ h
12
V
0
I
0
= h
21
I
i
+ h
22
V
0

REGIN CAPITAL
Modelo equivalente hbrido: Para cualquier cuadripolo
Anlisis dinmico
CUADRIPOLO
+
-
+
-
I
i
V
i
I
0
V
0
El modelo de circuito que cumple con el sistema de ecuaciones anterior es el
siguiente.
V
i
= h
i
I
i
+ h
r
V
0
I
0
= h
f
I
i
+ h
o
V
0

h
f
I
i

h
o

h
r
V
o

h
i

V
i
V
o

I
i

I
0
El circuito de entrada es el
equivalente Thevenin de
entrada y a la salida esta
el equivalente Norton, de
aqu el nombre de modelo
hbrido
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Modelo hbrido aproximado del BJT
Modelo aproximado: Por lo general h
r
=h
12
=V
i
/V
0
|
I
i
=0
es muy pequeo por lo que la
fuente dependiente retroalimentada de entrada del modelo se reempalaza por un
cortocircuito.
De la misma manera la admitancia de salida h
o
=h
22
=I
0
/V
0
|
I
i
=0
es muy pequea por lo
que se reemplaza por un circuito abierto:
h
f
I
i

h
o
h
i

V
i
V
o

I
i

Model hbrido aproximado del BJT
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Modelo hbrido del BJT
Cada parmetro h tiene un subindice que distingue la configuracin empleada:
h
ie
= V
b
/I
b
h
ib
= V
e
/I
b
h
ic
= V
b
/I
b
h
re
= V
b
/V
c
h
rb
= V
e
/V
c
h
rc
= V
b
/V
e
h
fe
= I
c
/I
b
h
fb
= I
c
/I
e
h
fc
= I
e
/I
b
h
oe
= I
c
/V
c
h
ob
= I
c
/V
c
h
oc
= I
e
/V
e
Emisor C. Base C. Colector C.
Impedancia de entrada
Relacin de transferencia
de voltaje inversa
Relacin de transferencia
de corriente directa
Admitancia de salida
h
f
I
in

h
o

h
r
V
out

h
i

V
in
V
out

I
in

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Modelo hbrido del BJT EC y BC
Cada parmetro h tiene un subindice que distingue la configuracin empleada:
I
e

E
B
I
c

I
b
C
h
fe
I
b

h
oe

h
re
V
ce

h
ie

V
be
V
ce

I
b

B
E
C
I
c
I
e
Emisor comn
h
fb
I
e

h
o

h
rb
V
cb

h
ib

V
eb
V
cb

I
e

E
B
C
I
c
I
b
Base comn
I
b

E
B
C
I
e

I
c

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Parmetros hbridos
oe ie re fe
ie
ib
h h h h
h
h
+ - +
) 1 )( 1 (
oe ie re fe
fe re oe ie
rb
h h h h
h h h h
h
+ - +
+ -
) 1 )( 1 (
) 1 (
oe ie re fe
oe ie re fe
fb
h h h h
h h h h
h
+ - +
- - -
) 1 )( 1 (
) 1 (
oe ie re fe
oe
ob
h h h h
h
h
+ - +
) 1 )( 1 (
ie ic
h h
oe oc
h h
) 1 (
fe fc
h h + -
re rc
h h - 1
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Clculo de los parmetros h
A partir de las curvas caractersticas de entrada y de salida del BJT es posible calcular
cada uno de los parmetros h, aplicando las siguientes relaciones:
h
i
= h
11
=Dv
i
/Di
i
|
V
0
=cte
h
r
=h
12
=Dv
i
/Dv
0
|
I
i
=cte
h
f
=h
21
=Di
0
/Di
i
|
V
0
=cte h
o
=h
22
=Di
0
/Dv
0
|
I
i
=cte
Donde D se refiere a una pequea variacin de la cantidad alrededor del punto de
operacin estable
Los parmetros h
i
y h
r
estan determinados a partir de las caractersticas de entrada y los
parmetros h
f
y h
o
se obtienen desde la caracterstica de salida
Los pasos a seguir son:
1.- Calcular Q
2.- Trazar sobre la caracterstica de entrada (o salida) una recta para fijar la
cantidad constante segn el parmetro a determinar
3.- Trazar los cambios D de cada cantidad del denominador lo ms pequeo
posible alrededor de Q
4.- La interseccin del D anterior con la recta del paso 2 determinan el D del
numerador
5.- Calcular h
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Para el caso de la configuracin en EC a partir de las caractersticas de salida tenemos:
h
fe
=Di
c
/Di
b
|
V
CE
=cte
= (3,2 1,5)mA /(20-10)mA = 170
h
oe
=Di
c
/Dv
ce
|
I
B
=cte
=(2,52,3)mA/(8-5)V=67 mS

Di
c
.Q
V
CE
I
B1
I
B2
I
BQ
Dv
ce
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Para el caso de la configuracin en EC a partir de las caractersticas de entrada:
h
ie
=Dv
be
/Di
b
|
V
CE
=cte

1.- Se ubica el Q para I
BQ
y la V
CEQ

2.- Se traza la tangente por el Q que
corresponde a V
CE
=cte
3.- Se escoge un Di
B
que intersecten la
tangente anterior.
4. Obteniendose el Dv
be

h
re
=Dv
be
/Dv
ce
|
I
B
=cte
1.- Se traza la recta
I
BQ,
=constante
2.- Se escoge el Dv
ce
y el
Dv
be

v
CE
= 0 V

v
CE
= 10 V

v
CE
= 20 V

0,6 0,7 0,8
20

15

10
i
B
(mA)
v
BE
(V)
Q
Di
B
=10mA)
Dv
be
=10mA)
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Anlisis dinmico
Conocido el modelo equivalente hbrido del BJT el anlisis dinmico en pequea seal
puede desarrollarse aplicando las ecuacines que rigen en los circuitos.
Este anlisis consiste en determinar los parmetros del cuadripolo:

i
= V
i
/I
i

0
= V
0
/I
0

Ganancia de voltaje: A
v
= V
o
/V
i
Ganancia de coriente: A
i
= I
o
/I
i

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Anlisis dinmico
V
i
V
o

h
f
I
i

h
o

h
r
V
o

h
i

I
i

v
s

R
s

Z
i
R
L

Z
0
I
o
Ganancia de corriente: A
i
= I
o
/I
i
=h
f
/(1+h
o
R
L
)


A
v
=V
o
/V
i
=-h
f
R
L
/{h
i
+(h
i
h
o
-h
f
h
r
)R
L
}

i
= V
i
/I
i
=h
i
- h
f
h
r
R
L
/(1+h
o
R
L
)

Impedancia de salida(V
s
=0): Z
o
=V
o
/I
o
=1/{h
o
- h
f
h
r
/(h
i
+R
S
)}

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Anlisis dinmico modelo aproximado
V
o

v
s

R
s

Z
i
R
L

Z
0
I
o
Ganancia de coriente: A
i
= I
o
/I
i
=


A
v
=V
o
/V
i
=

i
= V
i
/I
i
=h
i
o
=V
o
/I
o
=

h
f
I
in

h
o
h
i

V
in

I
in

Determinar las expresiones de ganacia y de impedancia para cada una de las
plarizaciones

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Anlisis dinmico modelo aproximado
Comparing CE, CC, & CB Amplifiers
CE CC CB
A
v
High ( - R c /r e ) Low 1 High ( R c /r e )
A
i(max)
High ( b ac ) High ( b ac ) Low
.
1
A
p
Very high
( A v A i )
High A i High
.
A v
R
in (max)
Low ( b ac r e ) High ( b ac R e )
Very low
( r e )
R
out
High ( R c ) Very low
( R s / b ac )//R e )
High ( R c )
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Amplificador multietapas
Los amplificadores multietapasa consisten en una conexin en serie con la salida de
una etapa aplicada como entrada de la etapa siguiente
Se utilizan las conexiones multietapas con la finalidad de obtener
Mayores ganacias: ya que la ganancia total es el producto de las ganancias
individuales de cada etapa
Mejores acoplamientos
Mejor respuesta de frecuencia
A
v1
A
i1 A
v2
A
i2
A
vn
A
in
Z
i
Z
o1
Z
i2 Z
o2
Z
in
Z
o
V
i
V
o1
V
i2
I
i
I
o1
I
i2
I
in
I
o2
I
o
Z
L
V
o
V
o2
V
in
v
s

R
s

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Amplificador multietapas
El estudio de amplificadores multietapas consiste en:
Anlisis esttico: calcular el Q y la recta de carga de cada etapa
Anlisis dinmico: calcular las ganacias e impedacias de cada etapa y del sistema
completo
A
v1
A
i1 A
v2
A
i2
A
vn
A
in
Z
i
Z
o1
Z
i2 Z
o2
Z
in
Z
o
V
i
V
o1
V
i2
I
i
I
o1
I
i2
I
in
I
o2
I
o
Z
L
V
o
V
o2
V
in
v
s

R
s

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Acoplamiento de amplificador multietapas
El acoplamiento consiste en la forma que la etapa previa de amplificacion se conecta a
la etapa siguiente
Este acoplamiento puede ser: Directo, Capacitivo o Por transformador
+V
CC

C
1

R
1

R
2

R
3

R
4

C
3

C
2

V
in

R
5

R
6

R
7

R
8

C
5

C
4

V
out

Q
1

Q
2

R
1

R
2

R
3

R
4

V
in

R
5

R
6

V
out

Q
1

Q
2

+V
CC

R
5
C
2

Q
1

R
6
C
4

Q
2

V
in

C
1

C
3

C
5

R
2

R
1
R
3

R
4

+V
CC

T
1

T
2

T
3

V
out

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Acoplamiento directo
El voltaje de colector de la primera etapa provee el voltaje de polarizacin de la base
de la segunda etapa
Debido a la ausencia de reactancias capacitiva en la entrada de la segunda etapa la
amplificacin en DC es posible
Los cambios en dc debido a la temperatura y de la seal proveniente de la etapa
anterior provocan cambios en la polarizacin de la segunda etapa
R
1

R
2

R
3

R
4

V
in

R
5

R
6

V
out

Q
1

Q
2

+V
CC

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Acoplamiento por transformador
Utilizado en aplicaciones de alta frecuencia tales como en secciones de RF e IF para
radio transreceptores
No es til en bajas frecuencia debido a que las dimensiones fsicas del transformador
son exageradas
Usualmente se emplea un condensador en paralelo con el primario del transformador
para obtener resonancia e incrementar la selectividad del circuito
R
5
C
2

Q
1

R
6
C
4

Q
2

V
in

C
1

C
3

C
5

R
2

R
1
R
3

R
4

+V
CC

T
1

T
2

T
3

V
out

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Conexin darlington
El b globla es igual al producto del de cada transistor b
D
b
1
b
2
La tensin base emisor es dada por el fabricante y esta entre 1,4 y 2 V
Este arreglo proporciona una alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida
R
E

I
B
I
E

+V
CC

b
1

b
2

I
C

b
D
C
C
E
B
V
i
V
0
V
BE
V
i
V
0
+V
CC

R
E

E
B
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Polarizacin de la conexin darlington
De la malla de entrada I
BQ
= (V
CC
- V
BE
)/(R
B
+b
D
R
E
);
con I
C
=b
D
I
B
=I
E

De la malla de salida V
E
=I
E
R
E

Determinar el punto de operacin para:
V
CC
=18 V R
B
=3,3 M R
E
=390 ohm,
b
D
=8000, V
BE
=1,6 V.
R
E

I
B

I
E

+V
CC

R
B

I
C

b
D
V
BE
V
i
V
0
REGIN CAPITAL
V
i

V
0

I
0

B
E
I
b

ELECTRNICA
Anlisis dinmico de la conexin darlington
El circuito equivalente en regimen dinmico es el siguiente
R
E

I
b

+V
CC

b
D

C

E

B

V
0

C
r
i

R
E

b
D
I
b
I
0

REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Ganancia de corriente:
V
i

V
0

I
0

B
E
I
b

C
r
i

R
E

b
D
I
b
Impedancia de entrada:
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
V
i

V
0

I
0

B
E
I
b

C
r
i

R
E

b
D
I
b
Impedancia de salida con V
i
=0:
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Ejemplo
R
E

I
b

+V
CC

R
B

b
D
V
BE
V
i
V
0
V
0

I
0

B
E
I
b

R
B

R
E
b
D
I
b
V
i
I
i
r
i

I
i
REGIN CAPITAL
ELECTRNICA
Ganancia de corriente A
i
= I
0
/I
i

Del nodo de salida: I
0
=(b
D
+1)I
b
= b
D
I
b
Recorriendo la malla exterior y con la
ecuacin anterior se obtiene:
A
i
= b
D
R
B
/(r
i
+b
D
R
E
+R
B
)
V
0

I
0

B
E
I
b

R
B

R
E
b
D
I
b
I
i
r
i

V
i
Impedancia de entrada Z
i
= V
i
/I
i

Del nodo de salida: I
0
=(b
D
+1)I
b
= b
D
I
b
Recorriendo la malla exterior y con la
ecuacin anterior se obtiene:
A
i
= b
D
R
B
/(r
i
+b
D
R
E
+R
B
)

Tema 7 Transistor BJT Análisis Dinámico

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Dr. Federico Rivero Palacio

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