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UNIDAD I 1.1 Anlisis con BJT. 1.2 Anlisis con JFET. 1.3 Anlisis de circuitos mixtos (BJT y JFET).
El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn, Las tres regiones se llaman emisor, base y colector.
Smbolos
Corrientes en npn
Corrientes en pnp
Ganancia de corriente en cd
Equivalente:
en corriente directa
Ejemplo: Determine la ganancia de coriente directa, CD y la corriente de emisor IE para un transistor con IB=50A e IC=3.65mA
CD = 73 IE = 3.10mA
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TAREA 2
Que son los parmetros hbridos? 3 ejercicios de los ejemplos vistos en clase.
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Valores nominales mximos con variacin de temperatura Limites de operacin: 25C Factor de reduccin de valor nominal: 2 mW/C
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El JFET opera con una unin pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal.
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El JFET debe operar entre VGS 0 V y VGS(corte). JFET de canal n, mientras ms negativo es VGS, ms pequea llega a ser ID en la regin activa. Cuando VGS tiene un valor negativo suficientemente grande, ID se reduce a cero.
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TAREA 3
Fecha de entrega 7/febrero a las 12:00pm Configuraciones base, emisor, colector comn con 1 ejercicio de cada arreglo. Investigacin de recta de carga y polarizacin. Comparacin del voltaje de estrangulamiento y el voltaje de corte
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El estrangulamiento ocurre con valores de VDS menores que VP cuando VGS no es cero. As que, aunque VP es una constante, el valor mnimo de VDS al cual ID se vuelve constante vara con VGS.
VGS(corte) y VP siempre son iguales en magnitud pero de signo opuesto. Una hoja de datos normalmente dar VGS(corte) o VP, mas no ambos.
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Conclusin: Este es el valor de VDD para hacer que VDS=VP y poner el dispositivo en la regin de corriente constante
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La transconductancia en directa
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Autopolarizacin
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Canal p
Canal n
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Material tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada a la izquierda. La zona p se denomina substrato (o cuerpo).
Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar a traves del estrecho canal entre la puerta y la zona p.
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MOSFET de empobrecimiento
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Como la compuerta est aislada del canal, se puede aplicar en ella un voltaje positivo o un voltaje negativo. El MOSFET de canal n opera en el modo de empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a fuente, y en modo de enriquecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a fuente. Estos dispositivos en general se operan en el modo de empobrecimiento.
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Al igual que el JFET de canal n, el D-MOSFET de canal n conduce corriente en el drenaje con voltajes de compuerta a fuente entre VGS(corte) y cero.
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Calcular VD, VC
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TAREA
Como funciona un MOSFET? Parametros electricos Que es un IGBT? Comparacion de parametros de IGBT, MOSFET , JFET y BJT. Incluir un analisis de circuitos para cada caso.
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