PRESENTACION 1 CELDAS FOTOVOLTAICAS

Efecto foto-elctrico.

Banda Valencia

En la teora de slidos, se denomina banda de valencia al ms alto de los intervalos de energas electrnicas (o bandas) que se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto. En semiconductores y aislantes aparece una banda prohibida o gap por encima de la banda de valencia, seguida de una banda de conduccin a energas an mayores. En los metales, por el contrario, no hay ningn intervalo de energas prohibidas entre las bandas de valencia y de conduccin.

Banda Prohibida

Gap

La banda prohibida (en ingls bandgap), en la fsica del estado slido y otros campos relacionados, es la diferencia de energa entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. Est presente en aislantes y semiconductores. La conductividad elctrica de un semiconductor intrnseco (puro) depende en gran medida de la anchura del gap. Los nicos portadores tiles para conducir son los electrones que tienen suficiente energa trmica para poder saltar la banda prohibida, la cual se define como la diferencia de energa entre la banda de conduccin y la banda de valencia. La probabilidad de que un estado de energa E0 est ocupado por un electrn se calcula mediante las estadsticas de Fermi-Dirac. Una aproximacin, la de Maxwell-Boltzmann, es vlida tambin si se cumple E0 > > EF, donde EF es el nivel de Fermi. La aproximacin de Maxwell-Boltzmann viene dada por:

Banda Prohibida

Gap

Banda Prohibida Gap Para una estructura de silicio , y Arseniuro de Galio

Material

Smbolo Si Ge SiC AlP AlAs

Band gap (eV) @ 300K 1.11 0.66 2.86 2.45 2.16 1.6 6.3 5.5 2.26 1.43 3.4 2.5 (@ 295 K) 0.7 0.7 1.35 0.36 3.37 3.6 2.7 2.25 2.42 1.73 1.49 0.37 0.27 0.29 2.17

Referencia
1 1 1 1 1 1

Banda Prohibida

Gap

Silicio Germanio Carburo de silicio Fosfuro de aluminio Arseniuro de aluminio

Antimoniuro de aluminio AlSb Nitrato de aluminio Diamante Fosfuro de galio (III) Arseniuro de galio Nitruro de galio (III) Sulfuro de galio (II) Antimoniuro de galio Nitruro de indio (III) Fosfuro de indio (III) Arseniuro de indio (III) xido de cinc Sulfuro de cinc Seleniuro de cinc Telururo de cinc Sulfuro de cadmio Seleniuro de cadmio Telururo de cadmio Sulfuro de plomo (II) Seleniuro de plomo (II) Telururo de plomo (II) xido de cobre (II) AlN C GaP GaAs GaN GaS GaSb InN InP InAs ZnO ZnS ZnSe ZnTe CdS CdSe CdTe PbS PbSe PbTe Cu2O

1 1 1

1 2 1 1

1 1 1 1 1 3 1 1 1 4

Longitudes de onda del espectro de la luz

Naturaleza de la luz onda o corpsculo

La interpretacin efectuada por Einstein del efecto fotoelctrico fue indiscutible, pero tambin lo era la teora de Maxwell de las ondas electromagnticas. Ambas haban sido el producto final de la evolucin de dos modelos cientficos para la luz, en un intento de ajustarlos con ms fidelidad a los resultados de los experimentos. Ambos explican la realidad, a pesar de lo cual parecen incompatibles. Sin embargo, cuando se analiza la situacin resultante prescindiendo de la idea de que un modelo deba prevalecer necesariamente sobre el otro, se advierte que de los mltiples fenmenos en los que la luz se manifiesta, unos, como las interferencias o la difraccin, pueden ser descritos nicamente admitiendo el carcter ondulatorio de la luz, en tanto que otros, como el efecto fotoelctrico, se acoplan slo a una imagen corpuscular. No obstante, entre ambos se obtiene una idea ms completa de la naturaleza de la luz. Se dice por ello que son complementarios. Las controversias y los antagonismos entre las ideas de Newton y Huygens han dejado paso, al cabo de los siglos, a la sntesis de la fsica actual. La luz es, por tanto, onda, pero tambin corpsculo, manifestndose de uno u otro modo en funcin de la naturaleza del experimento o del fenmeno mediante el cual se la pretende caracterizar o describir.

Efecto fotovoltaico Cuando una clula fotovoltaica convierte la luz en electricidad le llamamos el efecto fotovoltaico (FV). Los fotones, (se le llama fotn a la partcula mediadora de la interaccin electromagntica y la expresin cuntica de la luz). El efecto fotovoltaico se genere mediante diferentes tipos de energas dependiendo de las distintas longitudes de las ondas solares. Cuando los fotones chocan con las clulas fotovoltaicas, estos son absorbidos, reflejados e incluso pasar a travs de las clulas. Solo los fotones absorbidos pueden generar electricidad solar.

Efecto fotovoltaico
Cuando es absorbido el fotn, la energa de este se conduce hacia un electrn de un tomo de la clula. Al generarse esta nueva energa, este electrn es capaz de transformarse y pasar a formar parte de una corriente en un circuito elctrico. La corriente de electrones es creada en las capas de semiconductores de la clula solar.

Semiconductores. La unin PN: el DIODO.

Efecto fotovoltaico
Los semiconductores son tratados para que formen dos capas diferentes para formar un campo elctrico, positivo y negativo. La corriente elctrica se forma gracias a los electrones atrapados en el campo elctrico, una vez que la luz se proyecta en la clula solar. Las clulas se fabrican con materiales que actan como aislantes con bajas temperaturas y como conductores cuando se aumenta la energa.

Efecto fotovoltaico

Estructura piramidal de una celda fotovoltaico

INFLUENCIA DEL RECICLAJE DE FOTONES EN EL FUNCIONAMIENTO Y EL DISEO DE LAS CELULAS SOLARES DE ARSENIURO DE GALIO

Silicio negro
Entre 100 y 500 veces ms sensible a la luz del sol. Obtencin: haciendo brillar brevemente un lser

sobre una lmina de silicio a la que han agregado hexafluoruro de azufre. Paneles solares de gran eficiencia.

Algebraicamente:

, que puede tambin escribirse como

Efecto fotovoltaico

Para analizar el efecto fotoelctrico cuantitativamente utilizando el mtodo derivado por Einstein es necesario plantear las siguientes ecuaciones: Energa de un fotn absorbido = Energa necesaria para liberar 1 electrn + energa cintica del electrn emitido. Algebraicamente:

. donde h es la constante de Planck, f0 es la frecuencia de corte o frecuencia mnima de los fotones para que tenga lugar el efecto fotoelctrico, es la funcin trabajo, o mnima energa necesaria para llevar un electrn del nivel de Fermi al exterior del material y Ek es la mxima energa cintica de los electrones que se observa experimentalmente.

Tipos de las Celda Fotovoltaicas

Tipos de estructuras cristalinas

Estructuras de las Celda Fotovoltaicas

Estructuras de las Celda Fotovoltaicas

Estructuras de las Celda Fotovoltaicas

Estructuras de las Celda Fotovoltaicas

Eficiencia de las Celda Fotovoltaicas

Eficiencia de las Celda Fotovoltaicas

Celdas Multiunin
La diferencia fundamental entre multiunin clulas solares y clulas de unin simple solar es el nmero de uniones pn (sub-celdas) conectados en serie. Figura C (a) ilustra la estructura bsica de un ejemplo tpico de triple unin disponible en el comercio. A fin de cubrir mejor el espectro solar AM1.5 (un espectro tpico de referencia terrestre para la evaluacin del desempeo fotovoltaica), materiales adecuados se debe elegir para cada unin pn.
Una capa de ventana se utiliza para reducir la velocidad de recombinacin superficial S . Del mismo modo, una superficie del campo de la espalda (BSF) capa reduce la dispersin de los transportistas para el cruce del tnel. La estructura de estas dos capas es el mismo: se trata de una heterounin que las capturas de electrones (agujeros). De hecho, a pesar de campo elctrico E d , estos no pueden saltar por encima de la barrera formada por la heterounin porque no tienen energa suficiente, como se ilustra en la figura E. Por lo tanto, los electrones (agujeros) no puede recombinarse con huecos (electrones) y no puede difundir a travs de la barrera. Por cierto, la ventana y capas BSF debe ser transparente a longitudes de onda absorbida por la pn siguiente cruce es decir, E gWindow > E gEmitter y E gBSF > E gEmitter . Adems, la constante de red debe estar cerca de la una de InGaP y la capa debe ser altamente dopado

Celdas Multiunin CPV

CPV .- Celdas con concentrador fotovoltaico Eficiencia de 30%

xido de Titanio
Tcnica que no emplea el silicio purificado sino que esta basada en

nanoestructuras de xido de titanio.

Al ser nanoestructuras son introducidas en sprays.
Buena respuesta ante intensidades lumnicas variables y una tasa de

conversin de energa lumnica en electricidad estimada en el 11%.

Transforma amplias superficies de acero en superficies captadoras de

energa solar, lo que abaratara en gran medida el coste por KW.

Costos de la Celdas FV

Materiales de Celdas FV

Proceso de construccin de Celdas FV

Ver video de mtodos de Celdas

Proceso de construccin de Celdas FV

Ver video de mtodos de Celdas

Fabricante: Yingli Solar Clula: Policristalina Potencia mxima: 80 Wp Voltaje pot. Mxima: 17,5V Corriente mxima: 4,6A Voltaje circuito abierto 22V Intensidad de cortocircuito: 5A Tamao: 1172x541x35 mm Peso: 7,7 kg Garanta: 2 aos por defecto de fabricacin,10 aos 90% de la potencia de salida y 25 aos 80% potencia de salida Certificados: ISO, UL, TUV, IEC

GARANTAS Garanta de producto limitada de 5 aos* Garanta de potencia limitada*: 10 aos al 90% de salida de potencia mnima, 25 aos al 80% de salida de potencia mnima. CUALIFICACIONES Y CERTIFICACIONES IEC 61215 Edition 2, IEC 61730 Class A, CE, ISO 9001

RENDIMIENTO >> Clulas solares policristalinas de alta eficacia con un vidrio texturizado y de alta transmisin que proporciona una eficiencia del mdulo de hasta el 14,2%, minimizando los costes de instalacin y maximizando el rendimiento de kWh de su sistema por unidad de rea. >> Tolerancia de potencia de +/- 3% minimizando las prdidas de desequilibrio del sistema FV.

Costos actuales para cuatro tecnologas fotovoltaicas

Costo ($/Wp) Silicio monocristalino Sistemas autnomos 5-30 Sistemas interconectados 3-8

Silicio policristalino 5-30

Silicio amorfo 4-30

3-8
2-7

Pelculas delgadas 4-30

2-7