Dr. Ing.

Juan Jess Ocampo Hidalgo

UAM-Azc. Departamento de
Electrnica
Cubculo G301/13
DIODOS Y
AMPLIFICADORES
OPERACIONALES
PROGRAMA SINTTICO
Introduccin a la Electrnica.
El Amplificador de Seales.
Anlisis y Diseo de Circuitos con
Diodos.
Amplificador Operacional Ideal y Circuitos
con el Amplificador Operacional.
1. Explorar la historia de la electrnica.
2. Cuantificar el impacto de las tecnologas
integradas.
3. Describir la clasificacin de las seales
electrnicas.
4. Describir una metodologa para la solucion
de problemas.
1.- Introduccin a la
Electrnica.
Explorar la historia de la electrnica.
El principio de la era de la electrnica moderna
Bardeen, Shockley, y Brattain en Bell
Labs - Brattain y Bardeen inventron el
transistor bipolar en 1947.
El primer transistor bipolar de
germanio. Aprox. 50 aos ms tarde,
la ind. Electrnica acumula un 10% (4
billones de dlares) del PIB mundial.
Explorar la historia de la electrnica.
Puntos Relevantes de la historia de la Electrnica
1874 Braun invents the solid-state
rectifier.
1906 DeForest invents triode vacuum
tube.
1907-1927 First radio circuits developed
from diodes and triodes.
1925 Lilienfeld field-effect device
patent filed.
1947 Bardeen and Brattain at Bell
Laboratories invent bipolar
transistors.
1952 Commercial bipolar transistor
production at Texas Instruments.
1956 Bardeen, Brattain, and Shockley
receive Nobel prize.
1958 Integrated circuits developed by
Kilby and Noyce
1961 First commercial IC from
Fairchild Semiconductor
1963 IEEE formed from merger of IRE
and AIEE
1968 First commercial IC opamp
1970 One transistor DRAM cell
invented by Dennard at IBM.
1971 4004 Intel microprocessor
introduced.
1978 First commercial 1-kilobit
memory.
1974 8080 microprocessor introduced.
1984 Megabit memory chip
introduced.
2000 Alferov, Kilby, and Kromer share
Nobel prize.
Explorar la historia de la electrnica.
Evolucin de los dispositivos Electrnicos
Vacuum
Tubes
Discrete
Transistors
SSI and MSI
Integrated
Circuits
VLSI
Surface-Mount
Circuits
Explorar la historia de la electrnica.
Proliferacin de la Microelectrnica
1958 Nace el C.I.
En los ltimos 20 aos la produccin de transistors
se a incrementado poco ms del 100% en cada ao.
Cada ao se producen ms transistores que la suma
de todos los aos anteriores.
Approximadamente se produjeron 10
18
transistores
hace un par de aos.
Mas o menos 50 transistores para cada hormiga en
el mundo.

*Source: Gordon Moores Plenary address at the 2003
International Solid State Circuits Conference.
Explorar la historia de la electrnica.
Los Inventores del Circuito Integrado:
Jack Kilby
Andy Grove, Robert Noyce, and
Gordon Moore with Intel 8080 layout.
Cuantificar el Impacto de las
Technologas Integradas.
El Circuito Integrado de Kilby
Semiconductor die
Active device
Electrical contacts
Cuantificar el Impacto de las
Technologas Integradas.
Rapid Increase in Density of Microelectronics
Memory chip density
versus time.
Microprocessor complexity
versus time.
Semiconductor Materials
Semiconductor
Bandgap
Energy E
G
(eV)
Carbon (diamond) 5.47
Silicon 1.12
Germanium 0.66
Tin 0.082
Gallium arsenide 1.42
Gallium nitride 3.49
Indium phosphide 1.35
Boron nitride 7.50
Silicon carbide 3.26
Cadmium selenide 1.70
Cuantificar el Impacto de las
Technologas Integradas.
Semiconductor Materials
Silicon diamond
lattice unit cell.
Corner of diamond
lattice showing
four nearest
neighbor bonding.
View of crystal
lattice along a
crystallographic axis.
Cuantificar el Impacto de las
Technologas Integradas.
Describir la clasificacin de las seales
electrnicas.
Tipos de Seales:
Las seales Analgicas
toman valores continuos -
tpicamente corriente o
voltaje.

Las seales Digitales
aparecen en niveles
discretos. Usualmente
toman solo 2 valores.
A un nivel se le llama
lgico 1 y el lgico 0 se
asigna al otro nivel.
Describir la clasificacin de las seales
electrnicas.
Ejemplo de un Sistema Electrnico Analgico :
Receptor de FM Stereo
Funciones Lineales: Radio and audio frequency amplification,
frequency selection (tuning), impedance matching (75-O input,
tailoring audio frequency response, local oscillator
Funciones No-lineales: DC power supply(rectification), frequency
conversion (mixing), detection/demodulation
Espctro en Frecuencia de Seales
Electrnicas
Las seales no repetitivas tienen un espectro
continuo que ocupa un amplio intervalo de
frecuencias
El anlisis de Fourier muestra que las seales
repetitivas se componen de un conjunto de
seales senoidales con distinta amplitud,
frecuencia, y fase.
Estos conjuntos de seales son las series de
Fourier.
El espectro de frecuencia de una seal son los
componentes de amplitud y fase de una seal
vs. frecuencia.
Espctro en Frecuencia de Seales
Electrnicas
Audible sounds 20 Hz - 20 KHz
Baseband TV 0 - 4.5 MHz
FM Radio 88 - 108 MHz
Television (Channels 2-6) 54 - 88 MHz
Television (Channels 7-13) 174 - 216 MHz
Maritime and Govt. Comm. 216 - 450 MHz
Cell phones and other wireless 1710 - 2690 MHz
Satellite TV 3.7 - 4.2 GHz
Wireless Devices 5.0 - 5.5 GHz
Series de Fourier
Toda seal periodica tiene componentes spectrales slo a frecuencias
discretasa relacionadas al periodo de la seal original.
Una onda cuadrada se representa por la siguiente serie de Fourier:



v(t) = V
DC
+
2V
O
t
sine
0
t +
1
3
sin 3e
0
t +
1
5
sin 5e
0
t +...
|
\

|
.
|
e
0
=2t/T (rad/s) es la frecuencia fundamental radianica y f
0
=1/T (Hz) es la
frecuencia fundamental de la seal. 2f
0
, 3f
0
, 4f
0
son la 2da, 3ra, y 4ta
frecuencias harmnicas respectivamente.
Convenciones de Notacin
Seal Total = DC bias + time varying
signal

Resistencia y conductancia - R y G con el
mismo subndice denotarn cantidades
recprocas. Se usar la forma ms
conveniente.

v
T
= V
DC
+V
sig
i
T
= I
DC
+i
sig

G
x
=
1
R
x
and g
t
=
1
r
t
Metodologa para la solucin de
Problemas
Tener un claro enunciado del problema.
Hacer una lista de datos e informacin conocida.
Definir los datos desconocidos requiridos para resolver el
problema.
Hacer una lista de suposiciones.
Desarrollar un mtodo de solucin.
Hacer el analisis basado en el mtodo.
Checar los resultados y las supocisiones.
Se resolvi el problema? Se encontraron todas las incgnitas?
Es correcta la matemtica? Se satisfajeron las suposiciones?
Evaluar la solucin.
Los resultados satisfacen razonablemente los requisitos?
Se obtuvieron valores realizables?
Usar computer-aided analysis para verificar el anlisis a mano.
Cuales son Nmeros
Razonables?
Si la alimentacin es +/-10 V, un valor calculado de DC bias de15
V (no est dentro de los lmites de alimentacin) no es razonable.
Generalmente, nuestros niveles de corriente de bias estarn entre
1 uA algunos cientos de milliamps.
Una corriente de bias de 3.2 amps es probably no-razonable y
debera ser reexaminado.
Voltajes de ac Peak-to-peak deben estar entre las tensiones de
alimentacin.
El valor calculado de un component que no sea realista debe ser
rechecado. For ejemplo, una resistencia igual a 0.013 ohms.
Dadas las tolerancias ineherentes en casi todos los componentes
electrnicos, 3 dgitos significativos son adecuados para escribir
los resultados. 3 digitos significativos se usaran en el curso.
Metodologa de Diseo
Circuit Theory Review: Voltage
Division

v
1
=i
s
R
1

v
2
=i
s
R
2
and

v
s
= v
1
+v
2
=i
s
(R
1
+R
2
)

i
s
=
v
s
R
1
+ R
2

v
1
= v
s
R
1
R
1
+ R
2

v
2
= v
s
R
2
R
1
+ R
2
Applying KVL to the loop,
Combining these yields the basic voltage division formula:
and

v
1
=10 V
8 kO
8 kO + 2 kO
= 8.00 V
Using the derived equations
with the indicated values,

v
2
=10 V
2 kO
8 kO + 2 kO
= 2.00 V
Design Note: Voltage division only applies when both
resistors are carrying the same current.
Circuit Theory Review: Voltage
Division (cont.)
Circuit Theory Review: Current
Division

i
s
=i
1
+i
2
and

i
1
= i
s
R
2
R
1
+ R
2
Combining and solving for v
s
,
Combining these yields the basic current division formula:
where

i
2
=
v
s
R
2

i
1
=
v
s
R
1
and

v
s
= i
s
1
1
R
1
+
1
R
2
= i
s
R
1
R
2
R
1
+ R
2
= i
s
R
1
|| R
2

i
2
= i
s
R
1
R
1
+ R
2
Circuit Theory Review: Current
Division (cont.)

i
1
= 5 ma
3 kO
2 kO + 3 kO
= 3.00 mA
Using the derived equations
with the indicated values,
Design Note: Current division only applies when the same
voltage appears across both resistors.

i
2
= 5 ma
2 kO
2 kO + 3 kO
= 2.00 mA
Circuit Theory Review: Thvenin
and Norton Equivalent Circuits
Thvenin
Norton
Circuit Theory Review: Find the
Thvenin Equivalent Voltage
Problem: Find the Thvenin
equivalent voltage at the output.
Solution:
Known Information and
Given Data: Circuit topology
and values in figure.
Unknowns: Thvenin
equivalent voltage v
th
.
Approach: Voltage source v
th

is defined as the output voltage
with no load.
Assumptions: None.
Analysis: Next slide
Circuit Theory Review: Find the
Thvenin Equivalent Voltage

|i
1
=
v
o
v
s
R
1
+
v
o
R
S
= G
1
v
o
v
s
( )
+G
S
v
o

i
1
=G
1
v
o
v
s
( )

G
1
| +1
( )
v
s
= G
1
| +1
( )
+G
S
| |
v
o

v
o
=
G
1
| +1
( )
G
1
| +1
( )
+G
S
v
s

R
1
R
S
R
1
R
S
=
| +1
( )
R
S
| +1
( )
R
S
+ R
1
v
s
Applying KCL at the output node,
Current i
1
can be written as:
Combining the previous equations
Circuit Theory Review: Find the
Thvenin Equivalent Voltage (cont.)

v
o
=
| +1
( )
R
S
| +1
( )
R
S
+ R
1
v
s
=
50+1
( )
1 kO
50+1
( )
1 kO+1 kO
v
s
= 0.718v
s
Using the given component values:
and

v
th
=0.718v
s
Circuit Theory Review: Find the
Thvenin Equivalent Resistance
Problem: Find the Thvenin
equivalent resistance.
Solution:
Known Information and
Given Data: Circuit topology
and values in figure.
Unknowns: Thvenin
equivalent voltage v
th
.
Approach: Voltage source
v
th
is defined as the output
voltage with no load.
Assumptions: None.
Analysis: Next slide
Test voltage v
x
has been added to the
previous circuit. Applying v
x
and
solving for i
x
allows us to find the
Thvenin resistance as v
x
/i
x
.
Circuit Theory Review: Find the
Thvenin Equivalent Resistance (cont.)

i
x
= i
1
|i
1
+G
S
v
x
= G
1
v
x
+ |G
1
v
x
+G
S
v
x
= G
1
| +1
( )
+G
S
| |
v
x
R
th
=
v
x
i
x
=
1
G
1
| +1
( )
+G
S
= R
S
R
1
| +1
Applying KCL,

R
th
= R
S
R
1
| +1
=1 kO
20 kO
50+1
=1 kO 392 O = 282 O