Los diferentes tipos de dispositivos son , como transistores de unin bipolar TBJ, transistores de efecto de campo xido metlico

semiconductor MOSFET, tiristores desactivables por puerta (GTO) y transistores bipolares de puerta aislada IGBT).

EL GTO
- Interruptor unidireccional controlado por puerta - Entrada en conduccin: - Inyeccin de corriente en puerta - Salida de conduccin: - Extraccin de corriente de puerta. - Soporta tensiones inversas baja (20V) - La corriente de apagado es del orden de 1/3 de la corriente que maneja el dispositivo. (IT)

Caractersticas:
VDRM = ITGQM = ITSM = VRRM = IGQ = 6000V 3000A 24KA 17V ITGQ/3

Aplicaciones:

A nivel industrial algunos usos son: troceadores y convertidores, Control de motores asncronos. Inversores, Caldeo inductivo, Rectificadores y soldadura al arco.

Son controlados por voltaje If se aproxima a cero Entre el contacto metlico y la capa N existe un contacto metlico Tiempos de encendido y Apagado pequeos No tienen zona de segunda avalancha, por lo que son trmicamente estables Tienen un Vds alto (Vce) (2 a 4V) por lo que las prdidas estticas aumentan

Tienen problemas con descargas electrostticas Son de costo alto, sirven para trabajo a alta frecuencia y media potencia El Mosfet no tiene portadores minoritarios, hace que las conmutaciones se produzcan en tiempos muy cortos Tpico: Toff = 100ns Ton = 50ns Circuitos de disparo simples Habilidad para el paralelaje

Un voltaje positivo aplicado a la compuerta genera un campo elctrico que convierte la regin p en una regin n. Este fenmeno se conoce como inversin de superficie y permite la circulacin de corriente entre el drain y el source

RDS= Resistencia de salida D-S RDS= DVDS /Dio

Es alta en la regin de estrechamiento (MW)y baja en la regin lineal (mW)

Igual que el TBJ Cuidar que VGS no exceda el voltaje, normalmente esta entre 20V 30V

TBJ TRANSISTORES BIPOLARES

Magnitud de control: corriente Terminal central: corriente de control. Terminal base: B Terminal izquierda: emisor, E Terminal derecha: colector, C

A
i T.C.

+
vAB

B
P N

i f (v AB , iT .C . )
N P N

Tipos de transistores bipolares transistor bipolar NPN transistor bipolar PNP

colector

C B

colector

base

emisor

base

emisor

Sentido flecha: de P hacia N

Magnitudes en los transistores bipolares

Seis magnitudes a relacionar Corriente en cada terminal: IC, IB , IE Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE Dos ecuaciones de comportamiento Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones

NPN
IB
B

VBC

IC

PNP

+
IB
B

+ +
VBE

VCB

IC

VCE

VEB

VEC

IE

+
IE

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar

Un transistor tiene dos uniones PN, 4 posibles polarizaciones: unin BE unin BC Distinguir entre E y C? Polarizacin relativa determina quin funciona como E y quin como C E y C no son exactamente iguales a nivel fsico Funcionamiento directo o normal (NPN): VBE> VBC Funcionamiento inverso (NPN): VBE< VBC Habitualmente: funcionamiento directo Posible con tres de las cuatro opciones Tres zonas de funcionamiento
Corte Regin Activa Normal (R.A.N.) Saturacin

IP IP

IP DP

DP IP

DP DP

1. Corte
BE y BC en I.P. Por tanto VBE 0,7 V y VBC 0,7 V (se suele comprobar slo VBE 0,7 V) En I.P. no circula corriente, por tanto: IC = 0 A IB = 0 A (por tanto IE = 0 A) Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban

Resumiendo:

condicin VBE 0,7 V

ecuacin IC = 0 , IB = 0

2. Regin Activa Normal (R.A.N.)

BE en D.P., BC en I.P Slo una unin en D.P. pero corriente en ambas. An as IB << IC BE en D.P., por tanto, VBE = 0,7 V (una ecuacin ms) Otra ecuacin: analizando las curvas caractersticas del transistor

Conclusin anlisis: IC/IB = ( nueva ecuacin, ganancia de corriente)

Vara segn el tipo de transistor. Consideraremos 100 Verificacin de esta zona implica comprobar unin BC en I.P: comprobar VBC 0,5 V (no 0,7 como en una unin aislada). Equivalente: VCE 0,2 V

condicin VCE 0,2 V

ecuacin IC VBE = 0,7 V , IB

3. Saturacin
BE y BC en D.P. Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V No relacin constante anterior

Verificacin de esta zona implica comprobar IC/IB

condicin

ecuacin VBE = 0,7 V VCE = 0,2 V

IC IB

Zonas de funcionamiento en la curva caracterstica

mA IC
12
10 8 6

IB 100 mA IB 80 mA R.A.N. IB 60 mA IB 40 mA IB 20 mA Corte

4
2 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Saturacin

10

VCE V

Combina las ventajas del TBJ y el MOSFET Alta impedancia de entrada y bajas prdidas en conduccin No tiene problemas de segunda avalancha Controlado por voltaje Ton y Toff pequeos

Encendido y apagado similar al mosfet, es decir durante el encendido se aplica un voltaje positivo a la compuerta lo que provoca una inversin en la capa n y la conduccin entre c-e+ Para apagar se manda a cero el gate o se aplica un voltaje negativo

Capacidad alta de corriente (mayor al mosfet y TBJ) Fcil manejo, similar al mosfet Excelente capacidad de bloqueo Frecuencia de operacin menor a la de un MOSFET

CONCLUSIONES

Nos permiti comprender y analizar cada uno de los componentes o elementos de potencia ms utilizados hacindoles un estudio detallado para mirar su comportamiento y su forma fsica y de esta manera comprender su uso en determinados procesos, por otro lado cabe recordar que los elementos semiconductores de potencia son elementos que permiten convertir seales bajas y ampliarlos de manera sorprendente y as utilizarlos en la industria. Tambin vale la pena concluir que estos dispositivos nombrados anteriormente se pueden aadir unos con otros para buscarles distintas formas de procesos que trabajando operacionalmente juntos logran hacer trabajos de manera muy practica y sencilla.