TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA

IGBT

IGBT

La caracterstica principal del IGBT es reunir la ventaja del BJT de potencia y el MOSFET de potencia en un solo dispositivo. Los voltaje utilizado para el control de la compuerta de un IGBT son bsicamente los mismos que se utilizan en los MOSFET. (+15 y -5) La compuerta esta aislada del dispositivo, con lo que tiene un control por voltaje relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano al ideal

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.

Curva de Salida

Smbolo IGBT

ESTRUBCTURA DEL IGBT

CARACTERSTICA DE FUNCIONAMIENTO

COMPARACIN CON LOS DISPOSITIVOS DE

POTENCIA

COMPARACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE

POTENCIA

TIRISTORES
SCR,DIAC,TRIAC,

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO

Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

FUNCIONAMIENTO

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1. Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

CARACTERSTICA DE LA GRAFICA DEL SCR

PROBLEMAS RESUELTOS

SCR EN SERIE

SCR EN PARALELO

CARACTERSTICAS

SCR: Algunos ejemplos TO 209 AD B7

TO 200 AF B 20

TO 208 Ac B2

500 V 100A

1300 V 1800A

500 V 24A

La duracin del pulso aplicado a la compuerta G debe ser lo suficientemente largo para asegurar que la corriente de nodo se eleve hasta el valor de retencin. Otro aspecto importante a tomar en cuenta es la amplitud del pulso, que influye en la duracin de ste. Desactivacin de un tiristor El tiristor una vez activado, se mantiene conduciendo, mientras la corriente de nodo (IA) sea mayor que la corriente de mantenimiento (IH). Normalmente la compuerta (G) no tiene control sobre el tiristor una vez que este est conduciendo.

Circuito con alimentacin CA

Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o foco)
La fuente de voltaje suministrada a la carga se controla variando el ngulo de conduccin. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la a la compuerta del SCR. Como R es un potencimetro, el valor resistivo puede variar y as producir un corrimiento de fase ajustable, que causar que la entrega de potencia a la carga (el bombillo) tambin sea variable. Con sto se logra que la intensidad de la en el bombillo vare. El diodo en la compuerta del SCR se usa para bloquear la tensin de compuerta durante el ciclo negativo (de 180 a 360)

Formas de onda de la seal de entrada y en la carga para

diferentes corrimientos de fase

El 1er diagrama muestra la onda de entrada. Observar los ptos. 0, 180 y 360. - El 2do diagrama muestra la seal aplicada a la carga cuando el disparo es a los 45 - El 3er diagrama muestra la seal aplicada a la carga cuando el disparo es a los 150. En el segundo y tercer diagrama se ve que la semionda negativa ha desaparecido, y esto es debido a que el tiristor se comporta, cuando est conduciendo, como un diodo.

ngulo de conduccin= 180 ngulo de disparo

APLICACIONES CON SCR

Circuito intermitente de Potencia

Presionando S1, se enciende LI. Presionando S2 se enciende L2 y se apaga LI. Las lmparas son de 12V para corrientes hasta de 500mA. El capacitor de 2,2uF debe ser despolarizado

APLICACIONES CON SCR

INTERRUPTOR DE ONDA COMPLETA CON SCR

El cierre de S1 permite la aplicacin de toda la potencia de la red en L1, que tiene por lmite, para el SCR indicado, 440W. Los SCR deben usarse con disipador de calor. La corriente en S1 tiene una intensidad dada por R2. Por el interruptor pasa una corriente mnima.

APLICACIONES CON SCR

INTERRUPTOR SIN RELE

En este circuito, S1 puede ser un reedswitch o un micro switch, pues la corriente de control es muy baja. Tambin puede usarse un interruptor de presin, ya que la corriente basta, momentneamente, para accionar L1 o el rel y mantener el circuito activado. Para desconectarlo se debe presionar S2. La bobina del rel debe estar de acuerdo con la tensin de alimentacin

TIEMPO DE ENCENDIDO

Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de la tensin nodo - ctodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.

Ton = td + tr

TIEMPO DE APAGADO
Tiempo de recuperacin
inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente. Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de control. Toff = trr + tgr

DIAC DIODO DE CORRIENTE ALTERNA

(Diodo Interruptor de Corriente Alterna): Este es un dispositivo controlado por voltaje, el cual se comporta como dos diodos zener puestos en contraparalelo: cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el valor especificado, entra en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa que, si es colocado en paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podr recortar todos los picos positivos y negativos que pasen del voltaje del umbral del diac. El dispositivo tiene un rango simtrico de conmutacin(en ambos sentidos) de 20 a 40 voltios, tensin que usualmente excede el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos trabajan siempre en un nivel seguro.

El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama. El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

DIAC: Diode AC
Dispositivo auxiliar Slo se puede disparar por sobretensin Soporta picos de corriente elevados Se debe conocer la Tensin de cebado (33V en el DB3) DB3: Diac comercial muy popular

IT

A1

A2

-VB

+VB

VT

Caracterstica

DIAC:

Podemos decir que es un interruptor que se cierra por tensin (Tensin de ruptura) y permanece cerrado hasta que la corriente por el pase por cero (corriente de mantenimiento)
T2
N3 P1 N1 P2
N2 N2

N3

T2

T1

T1

Estructura Interna

CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES. Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos controles de velocidad de motores. La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura , en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC, producindose a travs de l la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podr ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz control de potencia.

TRIAC TRODO DE CORRIENTE ALTERNA

El TRIAC es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

TRIAC: Trodo AC

T2 G T1

T2 n4 P1 n1 P2 n3 n2 n4

Smbolo
T2

IT

IG
G T1
T1

-VB

IG

+VB

VT

Estructura Interna
NOTA: Se puede disparar con pulsos positivos o negativos de corriente en puerta

Caracterstica

TRIAC: Trodo AC
T2 G T2

T1

T2

G T1

G T1

TRIAC: Un modelo ideal sencillo

Podemos decir que es un interruptor bidireccional que se cierra con un pulso de corriente de puerta (disparo) y se abre cuando la corriente pasa por cero. La puerta es ahora bidireccional (2 diodos en anti-serie)

T2 T2 G G T1 T1 MODELO IDEAL DE UN TRIAC

TRIAC: Ejemplo de control de fase

RL
UCarga

Apagado
T2 IG G T1 IG

Ucarga UT2T1 Ue

UMAX

IG

Disparo

IT(RMS) = 12A VDRM = VRRM = 700 V

FUNCIONAMIENTO BSICO DEL TRIAC

El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser positiva y otra negativa. La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera: La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba) Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta).

ESTRUCTURA BASICA

Estructura bsica del TRIAC

la caracterstica tensin corriente del Triac.

Ejemplo:
Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas incandescentes (circuito de control de fase). Donde: - Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.) - L: lmpara - P: potencimetro - C: condensador (capacitor) - R: Resistor - T: Triac - A2: Anodo 2 del Triac - A1: Anodo 1 del Triac - G: Gate, puerta o compuerta del Triac El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula) Si se vara el potencimetro, se vara el tiempo de carga de un capacitor causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se aplica a la compuerta

INTERRUPTOR CONTROLADO DE SILICIO (SCS)

El SCS es semejante en construccin al SCR. Sin embargo, el SCS tiene dos terminales de compuerta, la compuerta del ctodo y la compuerta del nodo. El SCS puede encenderse y apagarse usando cualquiera de sus terminales de compuerta. El SCR puede encenderse usando slo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se encuentra disponible slo en rangos de potencia menores que las del SCR.

SCS

Un interruptor de silicio controlado consiste en una estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones semiconductoras son accesibles. El dispositivo puede ser considerado como un circuito integrado con sendos transistores npn y pnp conectados como un par de realimentacin positiva. Siendo accesibles las cuatro regiones, la realimentacin positiva es fcilmente controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un amplificador lineal de elevada ganancia de c.c. o como un interruptor.

FUNCIONAMIENTO DEL SCS

La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al equivalente con transistores que se muestra en la figura . Se supone que ambos Q1 y Q2 estn apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce.

Un pulso positivo en la compuerta andica lleva al Q2 hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la corriente de base al Q1.
Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona excitacin de base al Q2, manteniendo as el estado encendido del dispositivo.

EJEMPLO

CIRCUITO DE ALARMA

una aplicacin simple de un SCS es en un dispositivo sensor de voltaje como lo muestra la figura Se trata de sistema de alarma de N entradas . Cualquiera de stas entradas encender el SCS particular , lo que da por resultado un relevador de alarma activado y una luz en el circuito de compuerta de nodo para indicar la ubicacin de la entrada activada

INTERRUPTOR CONTROLADO EN COMPUERTA (GTO) GATE TURN-OFF THYRISTOR

Bsicamente tiene la misma estructura y funcionamiento que el SCR salvo que puede desactivarse por una pulsacin en su compuerta, sea cual sea el estado del dispositivo, esta pulsacin debe ser de una magnitud lo suficientemente elevada. Un tiristor de este tipo necesita una mayor corriente de compuerta para encenderse que un SCR normal. Para grandes aparatos de potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10A. Para apagar el dispositivo se necesita una pulsacin de corriente negativa que debe oscilar entre 20 y 30 s de duracin. La magnitud de la corriente negativa de pulsacin debe ser de un cuarto o un sexto de la corriente que fluye por el tiristor.

La ventaja que presenta el GTO es que puede ser encendido o apagado aplicando el pulso adecuado entre compuerta y ctodo. Una consecuencia de esta capacidad de control es un aumento en las magnitudes de corriente de compuerta requeridas para el disparo. Valores tpicos de esta corriente son del orden de los 20 mA. Otra caracterstica importante que presenta el GTO es una conmutacin mejorada: el tiempo de encendido es prcticamente igual al de apagado (tpico 1 s).

Tambin suelen usarse para el control de motores.

APLICACIN DE GTO
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica En circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia

APLICACIN DEL GTO

El GTO puede ser utilizado como generador de barrido, proporcionando una seal diente de sierra Al aplicarse la polarizacin al dispositivo, este entra en conduccin debido al voltaje Zener aplicado en compuerta.

La circulacin de corriente por el condensador permite su carga con una constante de tiempo RC, hasta alcanzar el nivel del Zener y se invierta la polaridad en compuerta, con lo cual se bloquea el GTO y el condensador se descargue a travs de R, comenzando nuevamente el ciclo.

Oscilador con GTO

ESTRUCTURA DEL GTO

FUNCIONAMIENTO DE GTO

Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma.

Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.

FORMA DE ONDAS DEL GTO

ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si solo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente se puede daar. Si solo entra en conduccin bajara una parte de la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrn entrar en conduccin. Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente

(tiene menos ganancia que el SCR).

FORMA DE ONDA EN EL APAGADO DEL GTO

Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/V off muy grande Ya que V off es del orden de 5 a 10.

Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el dispositivo entre en conduccin espontneamente.

FET-CTH (TIRISTOR CONTROLADO POR FET)

Este dispositivo combina en paralelo a un MOSFET y un Tiristor. Si se aplica el voltaje suficiente en la compuerta de MOSFET, normalmente 3V, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor . Tiene alta velocidad de conmutacin y alta tasa di/dt y dv/dt.

MTO
Es una combinacin de GTO y MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado del GTO. Mejora los inconveniente del GTO que requiere de un circuito de encendido con grandes pulsos del corriente para la compuerta de baja impedancia. El MTO proporciona la misma funcionabilidad de GTO pero usa un control en la compuerta para encender y apagar los transistores MOS. Su estructura es parecida al GTO y conserva las ventajas del GTO (10000V y 4000A). Los MTO tienen aplicaciones en grandes potencias desde 1 a 20 MVA

MTO
Encendido Apagado

Enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta de encendido. Este pulso enciende al transistor T1 que a su vez enciente T2 y retiene al MTO

Se aplica un pluso de voltaje en la compuerta del MOSFET al encender el MOSFET pone en corto los transistores deteniendo as el proceso de retencin

Circuito equivalente MTO

Durante el apagado, el interruptor de compuerta es encendido, desviando la corriente a travs del diodo compuerta-ctodo del GTO y realizando un apagado con ganancia unitaria

ETO (TIRISTOR APAGADO POR EMISOR)

El ETO es un dispositivo hibrido del MOS y GTO, en el que se combinan las ventajas de GTO y el MOSFET. El ETO tiene dos compuertas, una normal para encender y una con un MOSFET en serie para apagarlos.

Sea han diseados ETO de altas potencias con especificaciones de corriente de 4000A y de hasta 6000V

ETO
Activado Apagado

Un ETO se enciende aplicando un voltaje positivo a las dos compuertas. Con un voltaje positivo en la compuerta 2 el MOSFET se enciende y una inyeccin de corriente en la compuerta 1 enciende el GTO

Cuando se aplica un voltaje negativo al MOSFET, se apaga el ETO y todo la corriente del GTO se desva apagndolo, esto detiene el proceso de retencin regenerativo haciendo un apagado rpido.

El ETO hace uso de dos interruptores para realizar una conmutacin de corriente alta en el apagado. Durante el apagado, el interruptor de emisor QE es apagado mientras que la compuerta del interruptor QG es encendida. Un voltaje tan alto como el voltaje de ruptura de QE puede ser aplicado en el lazo de la compuerta de la inductancia parsita, realizando una conmutacin de corriente rpida. Durante el transitorio de encendido, QE es encendido y QG es apagado

Circuito equivalente ETO

MCT (TIRISTOR CONTROLADO POR MOS)

En un MCT combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta de MOS. Como un IGBT combina las ventajas de las estructuras bipolar con el efecto de campo del FET Maneja hasta 1000 voltios y 100 amperios

MCT
Encendido

Apagado

Se enciende aplicando un pulso de voltaje negativo en la compuerta.

Se apaga aplicando un pulso de voltaje positivo a la compuerta

IGCT (TIRISTOR CON COMPUERTA CONMUTADA INTEGRADA)

Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor IGCT (del ingls Integrated GateCommutated Thyristor) es un dispositivo semiconductor empleado en electrnica de potencia para conmutar corriente elctrica en equipos industriales. Es la evolucin del Tiristor GTO (del ingls Gate Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo adems de activarlo, tambin desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del ingls Gate). La electrnica de control

IGCT
(TIRISTOR CON COMPUERTA CONMUTADA INTEGRADA)

Usa una fuente de voltaje y un interruptor de compuerta para disminuir drsticamente la inductancia parsita del lazo de compuerta, alcanzando as una corriente alta de conmutacin

Circuito equivalente IGCT

IGCT
Encendido

Apagado

Como un GTO, el IGCT se enciende aplicando la corriente de encendido a su compuerta

Se apaga con un circuito de compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rpida.

CARACTERISTICA

Mejorar las caractersticas de conmutacin del GTO para obtener una operacin sin amortiguamiento de dv/dt para altas densidades de corriente.

Reducir las prdidas en los estados de encendido y apagado para minimizar el grosor del silicio
Reducir los requerimientos del impulsor de compuerta especialmente durante la conduccin. Desarrollar diodos antiparalelo para reducir los snubber en el apagado para altos di/dt Integrar el interruptor principal GTO y el diodo en un empaque semiconductor, especialmente en baja potencia.

UJT (TRANSISTOR UNIJUNTURA)

Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales, denominados base 1(B1) y base2 (B2), se sita una resistencia semiconductora (tipo n) denominada resistencia interbase RBB, cuyo valor varia desde 4,7 a 10 K. En un punto determinado de esta resistencia, se difunde una zona p que forma una juntura didica que se conecta al tercer terminal, denominado emisor (E). El grafico muestra la caracterstica V-I del emisor respecto a la base1 (B1), el smbolo del UJT y su circuito equivalente:

La polarizacin se realiza aplicando una tensin positiva a la base B2 (VBB5 a 30 volt) La mxima tensin aplicada, esta limitada por la disipacin del UJT. __________ VBB = RBB. VDmax. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB La tensin VE, para producir el disparo o sea VP, vale: VP = (R1/R1+R2). VBB + VD. = .VBB +VD

VP 0.7 n VB 2 B1

CIRCUITO BASICO CON UJT

El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + . VBB. (1) VBB= Vcc RB2. IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + . VCC - .Vcc. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp VD + . VCC - .Vcc . RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0,008%/C y el de RB2 es de +0,004%/C, entonces tanto VD como el termino .Vcc . RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura. Si hacemos: VD = .Vcc. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= . VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior, lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D. RBB / (VCC. ) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-. RB1) / quedando: RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) /

CIRCUITO OSCILADOR

El condensador se carga hasta que se carga el voltaje de disparo del UJT, cuando esto sucede este se descarga a travs de la unin E-B1. El condensador se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv), aproximado de 2.5 Voltios, con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el condenador inicia su carga otra vez. (ver grfico de lnea verde siguiente)
El grfico de lnea negra representa el voltaje que aparece en la resistencia R3 conectada entre B1 y tierra cuando el condensador se descarga

DISEO

Si deseamos variar la frecuencia de oscilacin podemos modificar tanto el condensador C como la resistencia R1. Pero es muy importante saber que R1 debe de estar entre unos lmites aceptables para que pueda el circuito oscilar. Estos valores se obtienen con las siguientes frmulas:

donde: Vs = Es el valor del voltaje de alimentacin. Vp = Valor obtenido dependiendo de los parmetro del UJT en particular Ip = Dato del fabricante Vv = Dato del fabricante Iv = Dato del fabricante

RESUMEN
Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional