MOSFETpotencia

Leccin 17.
- El transistor MOSFET de potencia

Universidad de Oviedo
Tema VII.
Dispositivos semiconductores de potencia.
Interruptores.
Leccin 17 El transistor MOSFET de potencia.
17 El transistor de efecto de campo de potencia.
17.1 Estructura de un MOSFET de potencia.
17.2 Caractersticas estticas.
17.3 Caractersticas dinmicas.
17.3.1 Conmutacin con carga resistiva.
17.3.2 Conmutacin con carga inductiva.
17.4 Clculo de prdidas.
Leccin 17. - El transistor MOSFET de potencia
17.5 Circuitos de gobierno de puerta.
17.5.1 Circuitos sin aislamiento.
17.5.2 Circuitos con aislamiento.
17.5.3 Circuito de bomba de carga (bootstrap).
17.6 Encapsulado y datos de catlogo de fabricantes.

17.1 Estructura de un MOSFET de potencia.
Un MOSFET de potencia se
compone de muchas clulas de
enriquecimiento conectadas en
paralelo.
La conduccin se hace con
portadores mayoritarios.

D D
S
S
G
G
Canal N
Canal P

n-
p
n n
p
n n
n
Puerta
Surtidor
Drenador
xido
Uso como interruptores controlados por
tensin.
Impedancia de entrada elevada: Capacidad.
Los MOSFET de canal p tienen propiedades
inferiores.
D
S
G
I
D
V
DS
V
GS
Cuando V
GS
es menor que el valor umbral,
V
GS,TH
, el MOSFET est abierto (en corte). Un
valor tpico de V
GS,TH
es 3V.
V
GS
suele tener un lmite de 20V.
Cuando V
GS
es mayor de 7V el
dispositivo est cerrado. Suele
proporcionarse entre 12 y 15 V para
minimizar la cada de tensin V
DS
.
Cuando conduce se comporta,
estticamente, como una
resistencia: R
ON
.
En un MOSFET de potencia suele
ser ms limitante R
ON
que el mximo
de corriente.
Conociendo R
ON
las prdidas se
pueden calcular con el valor eficaz
de la corriente al cuadrado.
V
DS
I
D
V
GS
=15V

V
GS
=12V

V
GS
=7V

V
GS
V
GS,TH
Corte

C
e
r
r
a
d
o

I
D,MAX
V
DS,MAX
A
v
a
l
a
n
c
h
a

P
MAX
SOAR

D
S
G
I
D
V
DS
V
GS
2
D ON
I R P =

Interruptor abierto: V
DS
>0
Ambas uniones, pn y pn-, estn inversamente polarizadas.
La tensin drenador-surtidor cae en la unin p-n-.
La regin n- est ligeramente dopada para alcanzar el valor requerido
de tensin soportada (rated voltage).
Tensiones de ruptura grandes requieren zonas n poco dopadas de
gran extensin

n-
p
n n
p
n n
n
V
DS

n-

Zona de deplexin
S
D
G
Interruptor cerrado: I
DS
>0
Con suficiente V
GS
se forma un canal
bajo la puerta que permite la
conduccin.
R
ON
es la suma de resistencias:
contactos de surtidor y drenador, regin
n-, canal ...
Cuando la tensin de ruptura
aumenta, la regin n- domina en el valor
de R
ON
.

En una zona poco dopada no hay muchos portadores, por lo que
R
ON
se incrementa rpidamente si la tensin de ruptura se quiere
hacer de varios centenares de voltios.
Un MOSFET es el interruptor preferido para tensiones menores o
iguales a 500V. Ms all es preferible, en general, un IGBT (o BJT).
El MOSFET es capaz de conducir corrientes de pico bastante
superiores a su valor medio mximo (rated current).

n-
p
n
p
n
n
canal
I
D
V
GS
S
D
G
Diodo parsito de la unin pn-
El diodo se polariza directamente cuando V
DS
es negativa.
Es capaz de conducir la misma corriente que el MOSFET.
La mayora son diodos lentos. Esto provoca grandes picos de corriente de
recuperacin inversa que pueden destruir el dispositivo.
Se producen diodos de rpida recuperacin. El dispositivo se dimensiona
para soportar la corriente de pico en la conmutacin.

n-
p
n
p
n
n
V
DS

S
D
G
El diodo se puede
anular o substituir
por otro externo
Los tiempos de conmutacin del MOSFET se deben principalmente
a sus capacidades e inductancias parsitas, as como a la resistencia
interna de la fuente de puerta.
C
ISS
: C
GS
+ C
GD
Capacidad de entrada
Se mide con la salida en cortocircuito.
C
RSS
: C
GD
Capacidad Miller o de
transferencia inversa.
C
OSS
: C
DS
+ C
GD
Capacidad de salida se
mide con la entrada cortocircuitada
L
D
: Inductancia de drenador
L
S
: Inductancia de fuente.
Parmetros parsitos.
Las capacidades son moduladas. Ejemplo:
DS
DS
DS
DS DS
V
C
V
V
C
V
V
C
V C
*
) (
0 0
0
0
0
1
= ~
+
=
(C
O
y V
0
son constantes que
dependen del dispositivo).
17.3 Caractersticas dinmicas.
Grande,
constante
Pequeo,
no lineal
Intermedio,
no lineal
17.3.1 Conmutacin con carga resistiva pura.
V
DS

I
D

t
ON

I
DMAX

V
DD

t
t
D(on
)

t
R

V
GG

V
GS

Efecto Miller

90%
10%
10%
V
DS

I
D

t
OFF

I
DMAX
V
DD

t
t
D(off
)

t
F

V
GG

V
GS

Efecto Miller

90%
10%
10%
2.- Salida de conduccin.
1.- Entrada en conduccin.
1.- La corriente de la bobina es conducida por el diodo y el MOSFET
alternativamente.
2.- Cuando conduce, por poco que sea, la tensin de un diodo es nula.
3.- Cuando el diodo deja de conducir se produce un pico de recuperacin
inversa que debe asumir el MOSFET.
4.- El MOSFET tiene ms prdidas, sobretodo en la entrada a conduccin.
5.- El efecto Miller tiene lugar durante t
2
, que es cuando se carga la
capacidad C
GD
.

Entrada en conduccin
V
DS
I
D

t
ON

I
MAX

V
DD

t
t
1

t
2

I
RR

DIODO

17.3.2 Conmutacin con carga inductiva.
I
D
V
D
I
DMAX
V
DD

SOAR
I
MAX
MAX

V

P
MAX
La energa disipada en entrada de
conduccin se calcula de forma similar.
Conmutacin simplificada
V
DS

i
D

I
DMAX

V
DD

t
t
F

F
F
DMAX D
t
t t
I t i

= ) (
F
DD DS
t
t
V t V = ) (
Durante t
F
:
}
=
OFF
t
DS D OFF
dt t V t i E
0
) ( ) (
6
F DD DMAX
OFF
t V I
E

=
17.4 Prdidas en conmutacin (carga resistiva).
Ejemplo. Evalense las prdidas en el MOSFET de R
ON
=0,55 O
para el caso de que su tensin y corriente sean las de la figura.
Hgase el clculo cuando d=0,3 y con frecuencias de:
V
DS

i
D

5A
150V
t
100ns 100ns 100ns dT (1-d)T
a) f =10kHz
b) f =150kHz
( ) W d I R P
D ON
825 0 5 55 0
2
1
, , = = =
J
t V I
E E
C DD DMAX
N OFF
=

=

= =

5 12
6
10 100 150 5
6
9
0
,
f E f E f E P
ON OFF ON S
= + = 2
P
TOT
P
S

1,08W
38,3W
0,25W
37,5W
f
10kHz
150kHz
( ) ns T 100 >>
17.4 Prdidas en conmutacin (carga resistiva).
Entrada en conduccin
V
DS
I
D

t
ON

I
MAX

V
DD

t
t
1
t
2

I
RR

}
=
OFF
t
DS D ON
dt t V t i E
0
) ( ) (
3
2
2
1
|
.
|
\
|
+
+

=
t
t V I
t V I
E
ON DD RR
ON DD MAX
ON
Durante t
1
:
( )
1
) (
t
t
I I t i
RR MAX D
+ =
DD DS
V t V = ) (
Durante t
2
:
2
2
t
t t
V t V
DD DS
= ) (
2
2
) (
t
t t
I I t i
RR MAX D
+ =
17.4 Prdidas en conmutacin (carga inductiva).
Salida de conduccin
}
=
OFF
t
DS D OFF
dt t V t i E
0
) ( ) (
2
OFF DD MAX
OFF
t V I
E

=
V
DS
i
D

t
OFF

I
MAX

V
DD

t
t
1
t
2

2
2
) (
t
t t
I t i
MAX D
=
1
t
t
V t V
DD DS
= ) (
En t
1
:
En t
2
:
I

I
D
V
D
I
DMAX
V
DD

SOAR
MAX
MAX

V

P
MAX
Recuperacin inversa
Sobretensin
17.4 Prdidas en conmutacin (carga inductiva).
17.5 Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
I
C

I
D

1.- Circuito para disminuir el
efecto Miller.
2.- Los transistores de puerta
son de seal y por tanto
ms rpidos.
3.- La resistencia de puerta, r,
es muy pequea (<10) y
se coloca para proteger la
puerta de posibles picos
de tensin.
4.- Las capacidades se cargan linealmente, con corriente
constante.
5.- La etapa de transistores acta como un inversor con
capacidad de dar cierta corriente.
6.- La potencia que maneja el circuito de gobierno es muy
pequea.
Sin aislamiento.
1.- Siempre hay un solo interruptor cerrado
generndose una onda cuadrada sobre R.
2.- Cuando cierra el interruptor de abajo, en G
y en S debe haber 0V.
3.- Cuando es el MOSFET quien se cierra, en
su surtidor hay 500V.
4.- En ese momento, para mantener el
MOSFET cerrado, en puerta debe haber
515V.
5.- En general, en equipos de potencia todas las fuentes de
tensin deben estar referidas a masa, pues provienen de V
G
.
6.- Se necesita una tensin superior a la propia V
G
.
7.- En la resolucin de este problema, los circuitos de bomba de
carga se han impuesto a los transformadores de impulsos.
Necesidad de aislamiento. Etapa tpica de fuente de alimentacin
1.- Cuando se cierra el interruptor
inferior el condensador se carga a
15V en un solo ciclo.
2.- Cuando en S hay 500V el diodo
impide que C
BOOT
se descargue.
3.- El diodo debe ser capaz de
bloquear toda la tensin del
circuito.
4.- Con dos transistores auxiliares se
aplica la tensin de C
BOOT
a la
puerta del MOSFET de potencia.
5.- C
BOOT
debe tener una capacidad muy superior a la de puerta para
que apenas se descargue.
BOOTSTRAP
12 5 1
>
,
CC
G
BOOT
V
Q
C
QG Carga de puerta.
VCC 15V
1,5V para los transistores auxiliares.
12V mnimo en puerta.

IRF510 100V 5,6A 0,54 5nC
IRF540N 100V 27A 0,052 71nC
APT10M25BVR 100V 75A 0,025 150nC
IRF740 400V 10A 0,55 35nC
APT4012BVR 400V 37A 0,12 195nC
APT5017BVR 500V 30A 0,17 200nC
SMM70N06 60V 70A 0,018 120nC
MTW10N100E 1000V 10A 1,3 100nC
Referencia V
DS,MAX
I
D,MAX
R
ON

Q
G

(tpica)
Caractersticas de diferentes MOSFET de potencia.
47ns
74ns
50ns
40ns
67ns
66ns
120ns
290ns
t
c
(tpico)
17.6. Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes.
Semitrans 2
Semitrans 1
TO247 TO220 TO3
Semitop 2
IRF540
SKM180A

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