CONCEPTOS MATERIALES CRISTALINOS:

Estructura Cristalina: se refiere al tamao, la forma y la organizacin atmica dentro de la red de un material. Red : Conjunto de puntos, conocidos como puntos de red, que estn ordenados de acuerdo a un patrn que se repite en forma idntica. Puntos de Red : Puntos que conforman la red cristalina. Lo que rodea a cada punto de red es idntico en cualquier otra parte del material. Celda Unitaria : es la subdivisin de la red cristalina que sigue conservando las caractersticas generales de toda la red.

Parmetro de Red : Longitudes de los lados de las celdas unitarias y los ngulos entre estos lados. Numero de Coordinacin : el numero de tomos que tocan a otro en particular, es decir el numero de vecinos mas cercanos, indica que tan estrechamente estn empaquetados los tomos.

REDES DE BRAVAIS

14 celdas unidad estndar pueden describir todas las unidades reticulares posibles de puntos equivalentes en una red tridimensional. La estructura cristalina se especifica indicando la adecuada malla de Bravais y las posiciones de los tomos en la celda unitaria
3

En funcin de los parmetros de red, es decir, de las longitudes de los lados o ejes del paraleleppedo elemental y de los ngulos que forman, se distinguen siete sistemas cristalinos:

NDICES DE MILLER
Para poder identificar unvocamente un sistema de planos cristalogrficos se les asigna un juego de tres nmeros que reciben el nombre de ndices de Miller. Los ndices de un sistema de planos se indican genricamente con las letras (h k l) Los ndices de Miller son nmeros enteros, que pueden ser negativos o positivos, y son primos entre s. El signo negativo de un ndice de Miller debe ser colocado sobre dicho nmero.

OBTENCIN DE LOS NDICES DE MILLER

Se determinan las intersecciones del plano con los ejes cristalogrficos. Para poder determinarlas se utiliza como unidad de medida la magnitud del parmetro de red sobre cada eje. Se consiguen los recprocos de las intersecciones. Se determinan los enteros primos entre s que cumplan con las mismas relaciones. tienen que ser enteros
7

EJEMPLO LAS SUPERFICIES (210)

cortes: a/2, a, cortes fraccionarios: 1/2, 1, ndices de Miller: (210)

CBICA DE CARA CENTRADA(CFC)

La relacin entre el radio atmico, R, y la arista del cubo, a, es dada por: El nmero de tomos por celda unitaria es igual a 4. El nmero de coordinacin es igual a 12. Ejemplo de metales CFC: cobre, aluminio, oro, plomo.

CBICA DE CUERPO CENTRADO(CCC)

La relacin entre el radio atmico, R, y la arista del cubo, a, es dada por:

El nmero de tomos por celda unitaria es igual a 2 El nmero de coordinacin es igual a 8 Ejemplo de metales CCC: Fe-,cromo, tungsteno, molibdeno
10

DISTANCIA INTERPLANAR DHKL

En ocasiones es til conocer la distancia interplanar de una misma familia de planos, esta distancia se halla as:

11

EJEMPLO

Determinar los ndices de Miller de los plano B mostrados en la siguiente celdilla unidad: Suponiendo que dicho plano pertenezca a una estructura cristalina cbica de parmetro de red igual a 2.8 A, calcular la distancia interplanar.

Cortes: a/2,a/3,

cortes fraccionarios: 1/2, 1/3, ndices de Miller: (230)

La distancia entre estos planos se obtiene a partir de: =0.77A

12

FORMAS DE EMPAQUETAMIENTO COMPACTO

Bsicamente hay dos formas de empaquetar tomos en un plano

13

Secuencia de apilamiento Partimos de una primera capa de tomos empaquetados de forma compacta.

Hay dos formas de depositar sobre la primer capa de tomos en posicin tipo B y tipo C

14

Una ves depositada la capa A para la segunda tenemos dos posiciones equivalentes tipo C o tipo B

15

Una vez colocada la segunda capa de tomos, tenemos de nuevo dos opciones para colocar la tercera

16

17

FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO ATMICO(FEA)

Es la fraccin de volumen en una celda unidad que est ocupada por tomos. Este factor es a dimensional y siempre menor que la unidad. Para propsitos prcticos, el FEA de una celda unidad es determinado asumiendo que los tomos son esferas rgidas. Para cristales de un componente (aquellos que contienen un nico tipo de tomo), el FEA se representa matemticamente por

18

FEA CBICO SIMPLE

FEA=
a = 2r 1 x 4/3 r FEA= (2r) 6 4 r

1 x 4/3 r a

=
3 x 8 r

FEA=

= 0.52 x 100 = 52%

Vaco = 48%

r a

FEA CBICO DE CUERPO CENTRADO

FEA=

2 x 4/3 r a a 3 = 4r

2 x 4/3 r
FEA= =

2 x 4 r x 3 3

( 4r / 3 )
r

3 x 4x4x4 r

D= a3
2r r

FEA= 3 8

= 0.68 x 100 = 68%

Vaco = 32%

FEA CBICO DE CARA CENTRADA

FEA=

4 x 4/3 r
a

a2 = 4r 4 x 4/3 r FEA= (4r / 2) r 2r r FEA= 2 6 = 3 x 4x4x4 r 4 x 4 r x 22

= 0.74 x 100 = 74%

d= a 2

Vaco = 26%

SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO; DEFORMACIN.

Un sistema de deslizamiento es la combinacin de un plano y una direccin que se halla sobre el plano a lo largo del cual se produce el deslizamiento. El Mecanismo de deslizamiento puede definirse como el movimiento paralelo de dos regiones cristalinas adyacentes, una respecto a la otra, a travs de algn plano (o planos). Los cristales FCC poseen 12 sistemas de deslizamiento debido a que tienen cuatro grupos {111} y con tres direcciones <110> en cada una.

22

23

DEFINICIONES DE DENSIDAD

Densidad volumtrica. Relacin entre la masa de un cuerpo con respecto a su volumen. Basados en una celda unitaria, la densidad de un material puede ser hallada como:

24

Densidad Planar. Relacin entre el numero de tomos completos contenidos en un plano y el rea del plano

25

Densidad Lineal. Relacin entre el numero de tomos completos contenidos en una cierta direccin y la longitud de la direccin

26

DIFRACCIN DE RAYOS X
El fenmeno de difraccin ocurre cuando una onda encuentra una serie de obstculos espaciados regularmente, que: son capaces de dispersar la onda y el espaciado entre ellos es comparable en magnitud a la longitud de onda.

27

INTERFERENCIA CONSTRUCTIVA
La difraccin de los rayos X consiste bsicamente en un proceso de interferencia constructiva de onda de los rayos X que se produce en determinadas direcciones del espacio. Dichas ondas deben estar en fase, es decir, sus amplitudes tienen la misma magnitud y el sentido. Sucede cuando la diferencia de trayectoria entre ellas es cero o un mltiplo entero de longitudes de onda,

28

29

INTERFERENCIA DESTRUCTIVA
Se produce cuando las ondas que interfieren tienen diferencia de caminos Entre los dos tipos de interferencia (constructiva y destructivas) pueden darse otros tipos de interferencia parciales.

30

31

Interferencia constructiva

INTERFERENCIA
DESTRUCTIVA

32

LEY DE BRAGG
La difraccin de rayos X se puede tratar teniendo en cuanta el fenmeno d reflexin. De aqu se puede utilizar la ley de Bragg. En 1914 los hermanos Bragg mostraron que los rayos X difractados por los cristales podan ser tratados como reflexiones desde planos atmicos a las estructura cristalina, dependiendo del ngulo de difraccin para una longitud de onda dada.

33

La interferencia es constructiva cuando la diferencia de fase entre la radiacin emitida por diferentes tomos es proporcional a 2.

34

LA VERIFICACIN DE LAS LEYES DE LA REFLEXIN:

1.

2.

Angulo de incidencia igual a ngulo de reflexin. Angulo de incidencia, ngulo de reflexin, rayo incidente, rayo reflejado y perpendicular a la superficie de separacin de dos medios se encuentran en el mismo plano.

35

Impone las condiciones para que las ondas dispersas en todos los nudos de un mismo plano reticular (hkl) tal como el (h1k1l1) esten en fases unas con otras

36

(LEY DE BRAGG)

Donde n es un nmero entero, es la longitud de onda de los rayos X, d es la distancia entre los planos de la red cristalina y, es el ngulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersin.
37

BIBLIOGRAFA
http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/caracterizacion-de-

materiales/practicas-2/Practicas_de_DRX.pdf
http://www.utp.edu.co/~publio17/temas_pdf/estructura_sol.pdf

38