1

TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
IGBT-Wechselrichter/IGBT-inverter
HchstzulssigeWerte/maximumratedvalues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T,, = 25C Vjz 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T = 80C
T = 25C
,,,

40
55
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t = 1 ms, T = 80C , 80 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T = 25C P,,, 210 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Vjz +/-20 V
CharakteristischeWerte/characteristicvalues min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
= 40 A, Vj = 15 V, T,, = 25C
= 40 A, Vj = 15 V, T,, = 125C
Vj ,,, 1,80
2,05
2,30 V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
= 1,50 mA, Vj = Vj, T,, = 25C Vj,- 5,0 5,8 6,5 V
Gateladung
gate charge
Vj = -15 V ... +15 V Q 0,33 C
nterner Gatewiderstand
internal gate resistor
T,, = 25C R,,, 6,0 D
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1 MHz, T,, = 25C, Vj = 25 V, Vj = 0 V C,,, 2,50 nF
Rckwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1 MHz, T,, = 25C, Vj = 25 V, Vj = 0 V C-,, 0,09 nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Vj = 1200 V, Vj = 0 V, T,, = 25C jz 5,0 mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Vj = 0 V, Vj = 20 V, T,, = 25C jz 400 nA
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 125C
t ,, 0,09
0,09
s
s
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 125C
t- 0,03
0,05
s
s
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C
t ,,, 0,42
0,52
s
s
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C
t, 0,07
0,09
s
s
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
= 40 A, Vj = 600 V, Lz = 45 nH
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 125C
E,, 4,10
6,00
mJ
mJ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
= 40 A, Vj = 600 V, Lz = 45 nH
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C
E,,, 3,10
3,60
mJ
mJ
Kurzschluverhalten
SC data
t ~ 10 s, Vj ~ 15 V
T,,~125C, V = 900 V, Vj,,, = Vjz -L,j di/dt
z 160 A
nnerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro GBT
per GBT
R,-| 0,60 K/W
2
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
Diode-Wechselrichter/diode-inverter
HchstzulssigeWerte/maximumratedvalues
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T,, = 25C V, 1200 V
Dauergleichstrom
DC forward current
= 40 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t = 1 ms =, 80 A
Grenzlastintegral
t - value
V = 0 V, t = 10 ms, T,, = 125C t 320 As
CharakteristischeWerte/characteristicvalues min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
= = 40 A, Vj = 0 V, T,, = 25C
= = 40 A, Vj = 0 V, T,, = 125C
V= 1,75
1,75
2,30 V
V
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
= = 40 A, - di=/dt = 900 A/s
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 25C
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 125C
, 39,0
38,0
A
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
= = 40 A, -di=/dt = 900 A/s
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 25C
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 125C
Q- 4,20
7,80
C
C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
= = 40 A, -di=/dt = 900 A/s
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 25C
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 125C
E-,, 1,35
2,80
mJ
mJ
nnerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
R,-| 0,95 K/W
Diode-Gleichrichter/diode-rectifier
HchstzulssigeWerte/maximumratedvalues
Periodische Rckw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T,, = 25C V, 1600 V
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.
forward current RMS maximum per diode
T = 80C =,z, 50 A
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
T = 80C ,z, 75 A
Stostrom Grenzwert
surge forward current
t = 10 ms, T,, = 25C
t = 10 ms, T,, = 150C
=z,
315
260
A
A
Grenzlastintegral
t - value
t = 10 ms, T,, = 25C
t = 10 ms, T,, = 150C
t
500
340
As
As
CharakteristischeWerte/characteristicvalues min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
T,, = 150C, = = 40 A V= 1,20 V
Sperrstrom
reverse current
T,, = 150C, V = 1600 V 2,00 mA
nnerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
R,-| 1,00 K/W
3
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
IGBT-Brems-Chopper/IGBT-brake-chopper
HchstzulssigeWerte/maximumratedvalues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T,, = 25C Vjz 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T, = 80C
T, = 25C
,,,

40
55
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t = 1 ms, T = 80C , 80 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T = 25C P,,, 210 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Vjz +/-20 V
CharakteristischeWerte/characteristicvalues min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
= 40 A, Vj = 15 V, T,, = 25C
= 40 A, Vj = 15 V, T,, = 125C
Vj ,,,
1,80
2,05
2,30 V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
= 1,50 mA, Vj = Vj, T,, = 25C Vj,- 5,0 5,8 6,5 V
Gateladung
gate charge
Vj = -15 V ... +15 V Q 0,33 C
nterner Gatewiderstand
internal gate resistor
R,,, 6,00 D
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1 MHz, T,, = 25C
Vj = 25 V, Vj = 0 V
C,,, 2,50 nF
Rckwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1 MHz, T,, = 25C
Vj = 25 V, Vj = 0 V
C-,, 0,09 nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Vj = 1200 V, Vj = 0 V, T,, = 25C jz 5,0 mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Vj = 0 V, Vj = 20 V, T,, = 25C jz 400 nA
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 125C
t ,, 0,09
0,09
s
s
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 125C
t- 0,03
0,05
s
s
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C
t ,,, 0,42
0,52
s
s
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C
t, 0,07
0,09
s
s
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,, = 27 D, T,, = 125C
E,, 4,10
6,00
mJ
mJ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
= 40 A, Vj = 600 V
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 25C
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C
E,,, 3,10
3,60
mJ
mJ
Kurzschluverhalten
SC data
t ~ 10 sec, Vj ~ 15 V
T,,~ 125C, V = 900 V, Vj,,, = Vjz -L,j di/dt
z 160
A
nnerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro GBT
per GBT
R,-| 0,60 K/W
4
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
Diode-Brems-Chopper/Diode-brake-chopper
HchstzulssigeWerte/maximumratedvalues
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T,, = 25C V, 1200 V
Dauergleichstrom
DC forward current
= 15 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t = 1 ms =, 30 A
Grenzlastintegral
t - value
V = 0 V, t = 10 ms, T,, = 125C t 60,0 As
CharakteristischeWerte/characteristicvalues min. typ. max.
Durchlaspannung
forward voltage
= = 15 A, Vj = 0 V, T,, = 25C
= = 15 A, Vj = 0 V, T,, = 125C
V=
1,65
1,65
2,20 V
V
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
= = 15 A, -di=/dt = 400 A/s
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 25C
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 125C
, 16,0
15,0
A
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
= = 15 A, -di=/dt = 400 A/s
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 25C
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 125C
Q- 1,80
3,00
C
C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
= = 15 A, -di=/dt = 400 A/s
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 25C
V = 600 V, Vj = -15 V, T,, = 125C
E-,, 0,55
1,10
mJ
mJ
nnerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
R,-| 1,50 K/W
NTC-Widerstand/NTC-thermistor
CharakteristischeWerte/characteristicvalues min. typ. max.
Nennwiderstand
rated resistance
T = 25C Rz 5,00 kD
Abweichung von Rzz
deviation of Rzz
T = 100C, Rzz = 493 D AR/R -5 5 %
Verlustleistung
power dissipation
T = 25C Pz 20,0 mW
B-Wert
B-value
R = Rz exp [Bz;zz(1/T - 1/(298, 15K))] Bz;zz 3375 K
5
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
Modul/module
solations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min V,zz 2,5 kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Cu
Material fr innere solation
material for internal insulation
A0z
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Khlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Khlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
7,50
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CT > 225
min. typ. max.
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
),,,, = 1 W/(mK) / )-,,,, = 1 W/(mK)
R,-( 0,009 K/W
Modulinduktivitt
stray inductance module
L,j 60 nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T = 25C, pro Schalter / per switch
R.jj
Rjj.
4,00
2,00
mD
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T,, ,,, 150 C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
T,, , -40 125 C
Lagertemperatur
storage temperature
T,, -40 125 C
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M5 M 3,00 - 6,00 Nm
Gewicht
weight
G 300 g
MitdiesertechnischenInformationwerdenHalbleiterbauelementespezifiziert,jedochkeine
Eigenschaftenzugesichert.SiegiltinVerbindungmitdenzugehrigentechnischenErluterungen.
Thistechnicalinformationspecifiessemiconductordevicesbutguaranteesnocharacteristics.
Itisvalidwiththeappropriatetechnicalexplanations.
6
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
Ausgangskennlinie GBT-Wechselr. (typisch) Ausgangskennlinie GBT-Wechselr. (typisch) Ausgangskennlinie GBT-Wechselr. (typisch) Ausgangskennlinie GBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic GBT-inverter (typical) output characteristic GBT-inverter (typical) output characteristic GBT-inverter (typical) output characteristic GBT-inverter (typical)
= f (Vj) = f (Vj) = f (Vj) = f (Vj)
Vj = 15 V Vj = 15 V Vj = 15 V Vj = 15 V
Vj [V]

[
A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T,, = 25C
T,, = 125C
Ausgangskennlinienfeld GBT-Wechselr. (typisch) Ausgangskennlinienfeld GBT-Wechselr. (typisch) Ausgangskennlinienfeld GBT-Wechselr. (typisch) Ausgangskennlinienfeld GBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic GBT-inverter (typical) output characteristic GBT-inverter (typical) output characteristic GBT-inverter (typical) output characteristic GBT-inverter (typical)
= f (Vj) = f (Vj) = f (Vj) = f (Vj)
T,, = 125C T,, = 125C T,, = 125C T,, = 125C
Vj [V]

[
A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Vj = 19V
Vj = 17V
Vj = 15V
Vj = 13V
Vj = 11V
Vj = 9V
bertragungscharakteristik GBT-Wechselr. (typisch) bertragungscharakteristik GBT-Wechselr. (typisch) bertragungscharakteristik GBT-Wechselr. (typisch) bertragungscharakteristik GBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic GBT-inverter (typical) transfer characteristic GBT-inverter (typical) transfer characteristic GBT-inverter (typical) transfer characteristic GBT-inverter (typical)
= f (Vj) = f (Vj) = f (Vj) = f (Vj)
Vj = 20 V Vj = 20 V Vj = 20 V Vj = 20 V
Vj [V]

[
A
]
5 6 7 8 9 10 11 12
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T,, = 25C
T,, = 125C
Schaltverluste GBT-Wechselr. (typisch) Schaltverluste GBT-Wechselr. (typisch) Schaltverluste GBT-Wechselr. (typisch) Schaltverluste GBT-Wechselr. (typisch)
switching losses GBT-inverter (typical) switching losses GBT-inverter (typical) switching losses GBT-inverter (typical) switching losses GBT-inverter (typical)
E,, = f (), E,,, = f () E,, = f (), E,,, = f () E,, = f (), E,,, = f () E,, = f (), E,,, = f ()
Vj = 15 V, R,, = 27 D, R,,, = 27 D, Vj = 600 V, Vj = 15 V, R,, = 27 D, R,,, = 27 D, Vj = 600 V, Vj = 15 V, R,, = 27 D, R,,, = 27 D, Vj = 600 V, Vj = 15 V, R,, = 27 D, R,,, = 27 D, Vj = 600 V,
T,, = 125C T,, = 125C T,, = 125C T,, = 125C
[A]
E

[
m
J
]
0 10 20 30 40 50 60 70 80
16
14
12
10
8
6
4
2
0
E,,
E,,,
7
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
Schaltverluste GBT-Wechselr. (typisch) Schaltverluste GBT-Wechselr. (typisch) Schaltverluste GBT-Wechselr. (typisch) Schaltverluste GBT-Wechselr. (typisch)
switching losses GBT-nverter (typical) switching losses GBT-nverter (typical) switching losses GBT-nverter (typical) switching losses GBT-nverter (typical)
E,, = f (R), E,,, = f (R) E,, = f (R), E,,, = f (R) E,, = f (R), E,,, = f (R) E,, = f (R), E,,, = f (R)
Vj = 15 V, = 40 A, Vj = 600 V, T,, = 125C Vj = 15 V, = 40 A, Vj = 600 V, T,, = 125C Vj = 15 V, = 40 A, Vj = 600 V, T,, = 125C Vj = 15 V, = 40 A, Vj = 600 V, T,, = 125C
R [D]
E

[
m
J
]
0 10 20 30 40 50 60
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
E,,
E,,,
Transienter Wrmewiderstand GBT-Wechselr. Transienter Wrmewiderstand GBT-Wechselr. Transienter Wrmewiderstand GBT-Wechselr. Transienter Wrmewiderstand GBT-Wechselr.
transient thermal impedance GBT-inverter transient thermal impedance GBT-inverter transient thermal impedance GBT-inverter transient thermal impedance GBT-inverter
Z,-| = f (t) Z,-| = f (t) Z,-| = f (t) Z,-| = f (t)
t [s]
Z
,
-
|

[
K
/
W
]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
Z,-| : GBT
i:
r,[K/W]:
,[s]:
1
0,06769
0,002345
2
0,2709
0,028
3
0,1523
0,1128
4
0,1052
0,282
Sicherer Rckwrts-Arbeitsbereich GBT-Wr. (RBSA) Sicherer Rckwrts-Arbeitsbereich GBT-Wr. (RBSA) Sicherer Rckwrts-Arbeitsbereich GBT-Wr. (RBSA) Sicherer Rckwrts-Arbeitsbereich GBT-Wr. (RBSA)
reverse bias safe operating area GBT-inv. (RBSA) reverse bias safe operating area GBT-inv. (RBSA) reverse bias safe operating area GBT-inv. (RBSA) reverse bias safe operating area GBT-inv. (RBSA)
= f (Vj) = f (Vj) = f (Vj) = f (Vj)
Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C Vj = 15 V, R,,, = 27 D, T,, = 125C
Vj [V]

[
A
]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
, Modul
, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical) forward characteristic of diode-inverter (typical) forward characteristic of diode-inverter (typical) forward characteristic of diode-inverter (typical)
= = f (V=) = = f (V=) = = f (V=) = = f (V=)
V= [V]

=

[
A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T,, = 25C
T,, = 125C
8
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical) switching losses diode-inverter (typical) switching losses diode-inverter (typical) switching losses diode-inverter (typical)
E-,, = f (=) E-,, = f (=) E-,, = f (=) E-,, = f (=)
R,, = 27 D, Vj = 600 V, T,, = 125C R,, = 27 D, Vj = 600 V, T,, = 125C R,, = 27 D, Vj = 600 V, T,, = 125C R,, = 27 D, Vj = 600 V, T,, = 125C
= [A]
E

[
m
J
]
0 10 20 30 40 50 60 70 80
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
E-,,
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical) switching losses diode-inverter (typical) switching losses diode-inverter (typical) switching losses diode-inverter (typical)
E-,, = f (R) E-,, = f (R) E-,, = f (R) E-,, = f (R)
= = 40 A, Vj = 600 V, T,, = 125C = = 40 A, Vj = 600 V, T,, = 125C = = 40 A, Vj = 600 V, T,, = 125C = = 40 A, Vj = 600 V, T,, = 125C
R [D]
E

[
m
J
]
0 10 20 30 40 50 60
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
E-,,
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr. Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr. Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr. Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter transient thermal impedance diode-inverter transient thermal impedance diode-inverter transient thermal impedance diode-inverter
Z,-| = f (t) Z,-| = f (t) Z,-| = f (t) Z,-| = f (t)
t [s]
Z
,
-
|

[
K
/
W
]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
Z,-| : Diode
i:
r,[K/W]:
,[s]:
1
0,09674
0,003333
2
0,6249
0,03429
3
0,18
0,1294
4
0,05701
0,7662
Durchlakennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical) forward characteristic of diode-rectifier (typical) forward characteristic of diode-rectifier (typical) forward characteristic of diode-rectifier (typical)
= = f (V=) = = f (V=) = = f (V=) = = f (V=)
V= [V]

=

[
A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T,, = 25C
T,, = 150C
9
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
Ausgangskennlinie GBT-Brems-Copper (typisch) Ausgangskennlinie GBT-Brems-Copper (typisch) Ausgangskennlinie GBT-Brems-Copper (typisch) Ausgangskennlinie GBT-Brems-Copper (typisch)
output characteristic GBT-brake-chopper (typical) output characteristic GBT-brake-chopper (typical) output characteristic GBT-brake-chopper (typical) output characteristic GBT-brake-chopper (typical)
= f (Vj) = f (Vj) = f (Vj) = f (Vj)
Vj = 15 V Vj = 15 V Vj = 15 V Vj = 15 V
Vj [V]

[
A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T,, = 25C
T,, = 125C
Durchlakennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch) Durchlakennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)
forward characteristic of diode-brake-chopper (typical) forward characteristic of diode-brake-chopper (typical) forward characteristic of diode-brake-chopper (typical) forward characteristic of diode-brake-chopper (typical)
= = f (V=) = = f (V=) = = f (V=) = = f (V=)
V= [V]

=

[
A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T,, = 25C
T,, = 125C
NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical) NTC-temperature characteristic (typical) NTC-temperature characteristic (typical) NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T) R = f (T) R = f (T) R = f (T)
T [C]
R
[
D
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
R,
10
TechnischeInformation/technicalinformation
FP40R12KT3G
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.1
VorlufigeDaten
preliminarydata
Schaltplan/circuitdiagram

Gehuseabmessungen/packageoutlines



Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fr technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fr die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstndigkeit der
bereitgestellten Produktdaten fr diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche Gewhrleistung
bernehmen. Eine solche Gewhrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fr das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls bernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen bentigen, die ber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fr Sie zustndigen
Vertriebsbro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Fr Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen knnte unser Produkt gesundheitsgefhrdende Substanzen enthalten. Bei Rckfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fr Sie zustndigen Vertriebsbro in
Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefhrdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fr diese Flle
- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualittssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhngig
machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche nderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.


Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments
will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect
to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted
exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its
characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.