Soft Switching

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER
PROF. DR. HACI BODUR
DC- DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

Yumuak Anahtarlama (SS) Teknikleri ve Bastrma Hcreleri (SC) Temel DC-DC Dntrcler ve Rezonans Devreleri Darbe Genilik Modlasyonu (PWM) ve Rezonans Teknikleri Sfr Akm ve/veya Gerilimde Anahtarlamal (ZCS ve/veya ZVS) Pasif Rezonans Bastrmal PWM DC-DC Dntrcler Sfr Akm ve/veya Gerilimde Anahtarlamal (ZCS ve/veya ZVS) Aktif Rezonans Bastrmal PWM DC-DC Dntrcler Sfr Akm ve/veya Gerilimde Geili (ZCT ve/veya ZVT) Aktif Rezonans Bastrmal PWM DC-DC Dntrcler
SOFT SWITCHING TECHNIQUES IN DC-DC CONVERTERS

Soft Switching (SS) Techniques and Snubber Cells (SC) Basic DC-DC Converters and Resonant Circuits Pulse Width Modulation (PWM) and Resonant Techniques Zero Current and/or Voltage Switching (ZCS and/or ZVS) PWM DC-DC Converters with Passive Resonant Snubber Cell Zero Current and/or Voltage Switching (ZCS and/or ZVS) PWM DC-DC Converters with Active Resonant Snubber Cell Zero Current and/or Voltage Transition (ZCT and/or ZVT) PWM DC-DC Converters with Active Resonant Snubber Cell
ZET
Yksek g younluu, hzl gei cevab ve kontrol kolayl nedeniyle, darbe genilik modlasyonlu (PWM) DC-DC dntrcler, endstride yaygn olarak kullanlmaktadr. Daha yksek g younluu ve daha hzl gei cevab, ancak anahtarlama frekans arttrlarak salanabilmektedir. Fakat, frekans arttnda, anahtarlama kayplar ve elektromanyetik giriim (EMI) grltleri de artmaktadr. O halde, frekansn arttrlabilmesi iin, bu kayp ve grltlerin drlmesi gerekmektedir. Bu ise, ancak sert anahtarlama (HS) yerine bastrma hcreleri ile salanan yumuak anahtarlama (SS) teknikleri kullanlarak gerekletirilebilmektedir. Bu nedenle, PWM dntrclerin gelimesi, artk SS sayesinde mmkn olmaktadr. Son yllarda, yumuak anahtarlama dncesi gittike artan bir ekilde cazibesini srdrmektedir.
ABSTRACT
Pulse width modulated (PWM) DC-DC converters have been widely used in industry because of their high power density, fast transient response and ease of control. Higher power density and faster transient response can be achieved by increasing switching frequency. On the other hand, while the frequency rises switching losses and electromagnetic interference (EMI) noises increase. For this reason, it is required that these losses and noises must be decreased to increase the switching frequency. This aim can be realized by using the soft switching (SS) techniques implemented with snubber cells instead of hard switching (HS) techniques. Consequently, the improvement of PWM converters have been possible by means of only SS. The attraction of soft switching concept has been lasting increasingly in recent years.
GENEL GR
Yksek g younluu, hzl gei cevab ve kontrol kolayl nedeniyle, Darbe Genilik Modlasyonlu (PWM) DC-DC dntrcler, endstride yaygn olarak kullanlmaktadr. Daha yksek g younluu ve daha hzl gei cevab ise, ancak anahtarlama frekans arttrlarak elde edilebilmektedir. Fakat, anahtarlama frekans arttnda, anahtarlama kayplar ile Elektromanyetik ve Radyofrekans Giriimi (EMI ve RFI) grltleri de artmaktadr. Ancak, Sert Anahtarlama (HS) yerine Yumuak Anahtarlama (SS) tekniklerinin kullanlmasyla, anahtarlama kayplar drlerek frekansn ykseltilmesi mmkn olmaktadr. Bu dnce, akademik ve endstriyel almalarda, yirmi yldan beri gittike artan bir ekilde cazibesini srdrmektedir [1]-[12]. SS, stres azaltma, bastrma, gerilim bastrma, yk hatt ekillendirme ve stres azaltma ebekeleri gibi terimlerle yaynlarda farkedilir. SS, anahtarlama esnasnda, elemann maruz kald akm ve gerilim deerleri ile akm ve gerilim ykselme hzlarnn bastrlmas, akm ve gerilim deiimlerinin ekillendirilmesi, anahtarlama kayplar ile EMI grltnn azaltlmas ve anahtarlama enerjisinin yke veya kaynaa transfer edilmesi fonksiyonlarn kapsar [1].
3
Temel olarak anahtarlama kayplar, anahtarlama esnasndaki akm ve gerilimin stste binme enerji kayb, diyodun ters toparlanma enerji kayb ile parazitik kondansatrn dearj enerji kaybndan oluur. Genel olarak SS teknikleri, Sfr Akmda Anahtarlama (ZCS), Sfr Gerilimde Anahtarlama (ZVS), Sfr Akmda Gei (ZCT) ve Sfr Gerilimde Gei (ZVT) ile anahtarlama eklinde sralanabilir [10]. SS, rezonansl devrelerde doal olarak oluur veya genellikle bastrma hcreleri denilen ilave devrelerle elde edilir. Bastrma hcreleri, klasik ve modern olarak iki genel gruba ayrlabilir. Bastrma hcreleri, dntrclerin temel paralar olmayp ilave devrelerdir. Bir bastrma hcresiyle salanan SS yararlar ve geri kazanlan anahtarlama enerjileri ile bu hcrenin ana ve yardmc devrelerde sebep olduu ek enerji kayplar ve maliyet arasndaki denge, bu bastrma hcresinin seiminde sonucu belirler [5]. Bu almada, nce sert ve yumuak anahtarlama ile bastrma hcresi kavramlar ele alnm, sonra yumuak anahtarlama teknikleri incelenmi ve ayrca bastrma hcrelerinin bir snflamas ile bir karlatrmas sunulmutur.
KAYNAKLAR
1. A. Ferraro, An Overview Of Low-Loss Snubber Technology For Transistor Converters, IEEE Power Electron. Spec. Conf., 1982, pp.466-477. 2. G. Hua, C. S. Leu, Y. Jiang, F. C. Y. Lee, Novel Zero-Voltage-Transition PWM Converters, IEEE Trans. on Power Electron., vol.9, no.2, pp.213-219, March 1994. 3. G. Hua, E. X. Yang, Y. Jiang, F. C. Lee, Novel Zero-Current-Transition PWM Converters, IEEE Trans. on Power Electron., vol.9, no.6, pp.601-606, November 1994. 4. A. Elasser, D. A. Torrey, Soft Switching Active Snubbers for DC/DC Converters, IEEE Trans. on Power Electron., vol.11, no.5, pp.710-722, September 1996. 5. H. Mao, F. C. Y. Lee, X. Zhou, H. Dai, M. Cosan, D. Boroyevich, Improved ZeroCurrent-Transition Converters for High-Power Applications, IEEE Trans. on Ind. Applicat., vol.33, no.5, pp.1220-1232, September/October 1997. 6. C. J. Tseng, C. L. Chen, A Passive Snubber Cell for Non-isolated PWM DC/DC Converters, IEEE Trans. on Ind. Electron., vol.45, no.4, pp.593-601, August 1998. 7. C. J. Tseng, C. L. Chen, Novel ZVT-PWM Converters with Active Snubbers, IEEE Trans. on Power Electron., vol.13, no.5, pp.861-869, September 1998. 8. V. Grigore, J. Kyyra, A New Zero-Voltage-Transition PWM Buck Converter, Mediterranean Electrotechnical Conf., MELECON 98, 9 th, vol.2, pp.1241-1245, 1998. 9. P. J. M. Menegaz, M. A. Co, D. S. L. Simonetti, J. L. F. Vieira, Improving the operation of ZVT DC-DC Converters, Power Electron. Spec. Conf., PESC 99, 30 th, vol. 1, 1999, pp. 293-297. 10. K. M. Smith, K. M. Smedley, Properties and Synthesis of Passive Lossless SoftSwitching PWM Converters, IEEE Trans. on Power Electron., vol.14, no.5, pp.890-899, September 1999. 11. H. Bodur, M.H. Sarul, A.F.Bakan, A Passive Lossless Snubber Cell Design For An Ohmic Loaded PWM IGBT Chopper Fed By a Diode Bridge From AC Mains, ELECO99 Int. Conf. on Elect. and Electron. Eng., Bursa (Turkey), December 1-5, 1999, Electron., pp. 440-444. 12. T.W. Kim, H.S. Kim, H. W. Ahn, An Improved ZVT PWM Boot Converter, Power Electron. Spec. Conf., PESC00, 31 st, vol. 2, 2000, pp.615-619.
YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

1. YUMUAK ANAHTARLAMA VE BASTIRMA HCRES KAVRAMI
Burada anahtarlama kavram, rnek olarak seilen omik ykl bir DC kyc ile dk kl bir DC-DC dntrc devresinin periyodik almalar zerinde incelenmitir. Yar iletken anahtarlama g eleman olarak bir Bipolar Transistr (BJT) kullanlmtr.
1.1. Omik Ykl bir DC Kyc

ekil 1de anahtarlama eleman olarak kullanlan BJTnin v-i karakteristii ile omik ykl bir DC kycnn devre emas ve temel dalga ekilleri grlmektedir. ekil 1(c)den grld gibi, bir anahtarlama peryodu ierisinde BJT, iletim ve kesim ile anahtarlama olmak zere 3 temel durumda bulunmaktadr. Anahtarlama durumu ise iletim ve kesime girme ilemlerinden olumaktadr.
iB
IBS Vi / R0 ICS IB2 IB1 IB0 = 0 Vi , I0 IBS
iC
PLOSS iC vCE
dv /dt
V CE sat ii = iC
(a)
+
Vi i0 = iC vBE
+ +
vCE
di /dt
tON
WON iletime girme ilemi
tCON
Tp
WCON letim Durumu
tOFF
WOFF Kesime girme ilemi
tBLO
WBLO Kesim Durumu
vCE iB
Vi
(b)
(c)
ekil 1. (a) BJTnin v-i karakteristii ile (b) omik ykl bir DC kycnn devre emas ve (c) temel dalga ekilleri.
1. letim Durumu : G anahtarnn minimum gerilim dm altnda maksimum akm geirdii ve doyumda alma denilen durumdur. Bu durum,
v CE = v CON = VCE min = VCEsat i C = i CON = I CS = I 0 = (Vi VCEsat ) / R 0 letim Durumu t CON WCON = v CON i CON dt 0
(1)
eklinde tanmlanr. Baz durumlarda,

VCEsat 0 Kabuller I 0 Vi / R 0
(2)
kabulleri yaplr. Burada, VCEsat transistrn doyum gerilimi ve ICS doyum akmdr. 2. Kesim Durumu : G anahtarnn akm geirmeden kaynak gerilimini tutmas durumudur. Bu durumda, elemandan ok kk deerde bir kaak veya sznt akm geer. Bu durum,
v CE = v BLO = Vi i C = i BLO 0 Kesim Durumu WBLO 0
(3)
eklinde ifade edilir. 3. Anahtarlama Durumu : G anahtarnn iletim ve kesime girme ilemleridir. a) letime Girme lemi : Giri sinyali uygulandnda, ezamanl ve lineer olarak, g anahtarnn ularndaki gerilimin minimum deerine dmesi ve anahtardan geen akmn maksimum deerine ykselmesi ilemidir. Bu durum,
v CE = v ON Vi Vi i C = i ON WON =
t ON
Vi t R 0 t ON
ON ON
v
0
dt
t t ON letime Girme lemi
(4)
eklinde tanmlanr. Burada, tON anahtarn iletime girme sresidir.
b) Kesime Girme lemi : Giri sinyali kesildiinde, yine ezamanl ve lineer olarak, anahtarn ierisinden geen akmn sfra dmesi ve anahtarn ularndaki gerilimin kaynak gerilimine ykselmesi ilemidir. Bu durum ise,
t OFF V V t i C = i OFF i i Kesime Girme lemi R 0 R 0 t OFF t OFF WOFF = v OFF i OFF dt 0 v CE = v OFF Vi t
(5)
olarak tanmlanr. Burada, tOFF anahtarn kesime girme sresidir. Yukardaki bantlara gre, g anahtarnn anahtarlama ve toplam enerji kayplar,
WSW = WON + WOFF Enerji Kayplar WTOT = WCON + WSW
(6)
olur. Enerji kayplarnn darbe frekans ile arplmasyla, genel olarak g kayplar iin,
PCON = f P WCON PSW = f P WON + f P WOFF = PON + POFF G Kayplar PTOT = f P WCON + f P WSW = PCON + PSW
(7)
yazlabilir. Burada, fP devrenin anahtarlama veya alma ya da darbe frekansdr. Anahtarlama peryodu TP olduuna gre, fP=1/TP olur. letim durumunda, transistrn gerilim dm vCON ve geirdii akm iCON sabit kabul edilir ve tCON=TP alnrsa, toplam g kayb, PTOT = VCON I CON + f P WSW = PCON + PSW (8)
eklinde yazlabilir. Burada, bal iletim sresi veya iletim / kesim oran olarak bilinir. (8) bantsndan grld gibi, iletim g kayb bal iletim sresi ve anahtarlama g kayb anahtarlama frekans fP ile dorudan orantldr. Transistr iin, t CON / TP = , t ON t r , t OFF t f , vCON = VCEsat ve iCON = I 0 olarak alnrsa,
WCON = VCEsat I 0 TP Vi I 0 WON = tr BJT Enerji Kayplar 6 Vi I 0 WOFF = tf 6
(9)
sonularna eriilir. Burada, tr ve tf, transistr akmnn srasyla ykselme ve dme sreleridir. Genellikle, iletim ve kesime girme srelerinin bu akm ykselme ve dme srelerine eit olduu kabul edilir. Ayrca, anahtarlama ilemleri esnasnda, akm ve gerilim deiimlerinin lineer olduu kabul edilir. 8
1.2. Dk kl bir DC-DC Dntrc

Dk kl bir DC-DC dntrcnn devre emas ve temel dalga ekilleri ekil 2de verilmitir. Bir alma peryodu ierisinde BJT, yine iletim ve kesim ile anahtarlama durumlarnda olmaktadr. ekil 2(b)den de grld gibi, bu devrenin iletim ve kesim durumlar omik ykl DC kycdakiler ile ayndr, fakat anahtarlama ilemleri olduka farkldr. Aslnda bu dntrc, yeterli byklkte bir endktansa sahip olan omik-endktif ykl bir DC kyc rneidir.
ii
iB
iL iD
I0
(a)
iB
I BS
t
PLOSS
Vi , I0 di /dt
iC vCE
dv /dt
t
tON
WON
tCON
WCON
tOFF
Tp
WOFF
tBLO
WBLO
(b)
ekil 2. Dk kl bir DC-DC dntrcnn (a) devre emas ile (b) temel dalga ekilleri.
DC-DC dntrcler, anahtarlanan endktansn enerji aktarm prensibine gre alan devrelerdir. Endktans deerinin yeterince byk olduu ve endktans akmnn sabit kald kabul edilebilir. Transistr iletimde iken, diyot kesimdedir ve gerilim kayna hem endktans hem de yk besler. Transistr kesimde iken, diyot iletimdedir ve endktansta biriken enerji bu diyot zerinden yke aktarlr. Bu dntrcye ait ve zellikle omik ykl DC kycdan farkl olan balantlar, v CE = v ON Vi Vi i C = i ON I 0 v CE = v OFF Vi i C = i OFF I 0 t t ON letime Girme lemi
(10)
t t OFF Kesime Girme lemi
(11)
W CON = V CEsat I 0 T P Vi I 0 W ON = tr BJT Enerji Kayplar 2 Vi I 0 W OFF = tf 2 eklinde zetlenebilir.
(12)
Burada hemen unu vurgulamak gerekir ki, DC-DC dntrcde, anahtarlama ilemleri sabit kabul edilen k akm altnda gerekleir ve anahtarlama kayplar omik ykl DC kycdaki kayplarn 3 katdr. Bu devrede, g diyodunun ideal olduu kabul edilmitir. Gerekte, diyot iletimde iken transistr srldnde, diyodun ters toparlanma veya snme sresi boyunca iki eleman zerinden tam bir ksa devre oluur ve sonunda diyot sner. Burada, g diyodunda bir ters toparlanma kayb oluur ve geen ksa devre akm ilave salnm ve kayplara neden olur. Ayrca, g anahtarnn ana ular arasnda bir parazitik kondansatr mevcuttur. G anahtarnn iletime girmesi esnasnda, bu parazitik kondansatrn anahtar zerinden dearj olmas da ilave bir kayba neden olur. Genellikle, yar iletken g anahtarlarnda, kesime girme sresi iletime girme sresinden daha byktr ve bylece kesime girmedeki anahtarlama kayb iletime girmedeki anahtarlama kaybndan ok daha yksektir.
10
1.3. Anahtarlama ve Dntrme zellikleri

Omik ykl bir DC kycnn endstriyel olarak pek anlam yoktur. nk, DC kyc olarak bilinen devreler endstride yaygn olarak DC motor kontrolnde kullanlr ve bu motorlar da omik-endktif yklerdir. Yine endstride yaygn bir ekilde kullanlan PWM kontroll DC-DC dntrcler de omik-endktif zellikli devrelerdir. Anahtarlama, temel olarak bir g elemann iletim ve kesime girme ilemleridir. Anahtarlama ilemlerinde, g anahtarnn akm ve geriliminin stste binmesiyle oluan anahtarlama kayplar yannda, g diyodunun ters toparlanma kayb ve g anahtarnn parazitik kondansatrnn dearj kayb da olumaktadr. Bu anahtarlama kayplarnn hepsi darbe frekans ile doru orantldr. Bu kayplar arttka, kullanlan g elemanlarnn nominal deerleri ile soutucu ve soutma sisteminin boyutlar da artar. Sonu olarak, devrenin hacmi ile maliyeti artar ve g younluu der. Anahtarlama ilemleri esnasnda, byk deerli olan akm ve gerilim ykselme hzlar, yksek deerli EMI grltlere neden olur. Bu grltler ise, kontrol ve haberleme sinyallerini bozar. Akm ve gerilimin ykseleme hzlar, aslnda anahtarlama kayplarnn da temel nedenidir. DC-DC dntrclerde, iletim ve kesim durumlarndaki akm ve gerilim deiimlerinde dalgalanmalar olmadndan, sirklasyon enerjisi veya reaktif enerjinin de olmad sylenebilir. Bu durum ise, anahtarlama ilemleri dikkate alnmadnda, bu devredeki g younluunun ok yksek olduunu gsterir. Ayrca, anahtarlama frekans ykseldike, endkatans ile kapasitans deerleri orantl olarak der ve g younluu daha da artar. Ancak, frekans ykseldiinde, anahtarlamadaki enerji kayplar ve EMI grlt de artmaktadr. Bu nedenle, PWM DC-DC dntrclerin geliimi, anahtarlama problemlerinin zmne dayaldr.
1.4. Yumuak Anahtarlama ve Bastrma Hcresi Kavram

Yukarda, bir DC kyc ve bir DC-DC dntrc rnek alnarak, anahtarlamann kavram ve zellikleri etrafl olarak incelenmitir. Bu rneklerden grld gibi, ek bir dzen kullanlmadan doal olarak gerekleen anahtarlamalara Sert Anahtarlama (HS) denilmektedir. Sert anahtarlamadaki anahtarlama problemlerinin zlmesi arzusu Yumuak Anahtarlama (SS) kavramn ortaya karmtr. Yumuak anahtarlama, temel olarak, anahtarlama kayplar ve EMI grltnn zel dzenlerle yok edilmesi veya en aza indirilmesi eklinde tanmlanr. Yumuak anahtarlama amacyla gelitirilen ve dntrclerin temel bir paras olmayan ilave dzen ve devrelere ise bastrma hcreleri denilmektedir. Yaynlarda bastrma hcreleri, yumuak anahtarlama, stres azaltma, bastrma, yk hattn ekillendirme gibi terimlerle farkedilir. Bastrma hcreleri, dntrcnn ana anahtar ve ana diyodu zerinde ilave akm ve gerilim streslerinin veya ek kayplarn olumasna neden olabilir. Bu ek kayplar yok edilmeli veya en dk seviyelerde tutulmaldr. Ayrca, bu hcrelerin almas g anahtarnn iletim ve kesime girme srelerinin dna tanabilir. Bu tamalar minimum seviyelerde kalmal, bylece bastrma hcresi PWM kontroluna mani olmamal ve dntrc deiken veya hafif yklerde de alabilmelidir. lave olarak, bastrma hcreleri dntrcnn karmaklk ve fiyatn arttrabilir. Bu artlar da dk seviyelerde kalmaldr. 11
Yumuak anahtarlama veya bastrma hcrelerinde nihai amacn devrenin g younluunun arttrlmas olduu daima gz nnde tutulmaldr. Bir bastrma hcresinin seilme karar, bu hcrenin salad btn yumuak anahtarlama yararlar ile bu hcrenin neden olduu ek klfetler iyice karlatrlarak verilmelidir. Yumuak anahtarlamadan istenen fonksiyonlar, genel olarak aada sralanmtr. Bu fonksiyonlarn ou birbirine bal veya birbirinin tamamlaycs niteliindedir. Anahtarlama geileri esnasnda akm ve gerilimin stste binmesini azaltmak. Akm ve gerilimin ykselme hzlarn snrlamak. Yk hatt akm ve gerilim deiimlerini dzenlemek Anahtarlama enerji kayplarn bastrmak. EMI ve RFI grltlerini bastrmak. Anahtarlama enerjilerini geri kazanmak. alma frekansn ykseltmek. Peryodun byk bir ksmnda PWM almay korumak. Hafif yklerde de yumuak anahtarlamay srdrmek. Devrenin boyut ve maliyetini drmek. Devrenin verim ve g younluunu arttrmak.
2. YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

Yumuak anahtarlama teknikleri, genel olarak, 1. 2. 3. 4. Sfr Akmda Anahtarlama (ZCS) Sfr Gerilimde Anahtarlama (ZVS) Sfr Akmda Gei (ZCT) Sfr Gerilimde Gei (ZVT)
eklinde 4 genel gruba ayrlr. ekil 3te, bir anahtarlama elemannn kontrol sinyali ile sert anahtarlama (HS) ve yumuak anahtarlama (SS) teknikleriyle ilgili temel dalga ekilleri grlmektedir. ZCS ile ZVS temel ve ZCT ile ZVT ileri yumuak anahtarlama teknikleridir.
2.1. Sfr Akmda Anahtarlama

Sfr Akmda Anahtarlama (ZCS), iletime girme ileminde gerekletirilen bir SS tekniidir. Bu teknikte, temel olarak g anahtarna kk deerli bir endktans seri balanarak, iletime girme ileminde elemandan geen akmn ykselme hz snrlanr. Bylece, akm ile gerilimin stste binmesi ve anahtarlama enerji kayb azaltlr. Aslnda, iletime girme ilemindeki anahtarlama enerjisi endktansa aktarlr. Endktanstaki bu enerji, klasik hcrelerde bir dirente harcanr, fakat modern hcrelerde ksa sreli bir ksmi rezonans ile gerilim kayna veya yke aktarlarak geri kazanlr.
12
Kontrol Sinyali (a) HS HS
t
i v
(b) ZCS SS
v i
t
Vm v i
Im i v
(c)
ZVS SS
ZVT SS
i v
(d)
ZCT SS
v i
tr
tf
ekil 3. (a) Bir anahtarlama g elemann kontrol sinyali ile (b) HS, (c) ZCS ile ZVS ve (d) ZCT ile ZVT almalaryla ilgili temel dalga ekilleri.
2.2. Sfr Gerilimde Anahtarlama

Sfr Gerilimde Anahtarlama (ZVS), kesime girme ileminde gerekletirilen bir SS tekniidir. Bu teknikte, temel olarak g anahtarna kk deerli bir kondansatr paralel balanarak, iletimden kma ileminde elemann ularnda oluan gerilimin ykselme hz snrlanr. Bylece, iletimden kma ileminde, anahtarlama enerji kayb azaltlr ve anahtarlama enerjisi kondansatre aktarlr. Kondansatrdeki bu enerji, modern hcrelerde geri kazanlr. ZCS ve ZVS tekniklerinde anahtarlama enerji kayb tamamen yok edilememektedir. Bu nedenle, bu tekniklere yaklak ZCS ve yaklak ZVS teknikleri de denilmektedir. Genel olarak, ZCSde kullanlan endktansa seri bastrma eleman ve ZVSde kullanlan kondansatre paralel bastrma eleman denilir. Normal olarak, seri endktans g eleman zerinde ilave bir gerilim stresine ve paralel kondansatr ise ilave bir akm stresine neden olur. Seri endktansn neden olduu ek gerilim stresinin nlenemedii kabul edilmektedir.
13
2.3. Sfr Akmda Gei

Sfr Akmda Gei (ZCT), kesime girme ileminde gerekletirilen ileri bir SS tekniidir. Bu teknikte, g anahtarndan geen akm ksa sreli bir ksmi rezonansla sfra drlr ve akm sfrda tutulurken kontrol sinyali kesilir. Bylece, akm ile gerilimin stste binmesi ve anahtarlama enerji kayb tamamen yok edilir. Mkemmel bir kesime girme ilemi salanr. Burada hem ZCS hem de ZVSnin saland sylenebilir. Akmn sfra dmesi ileri alnarak gerekletirilen bir SS tekniidir. Anahtarlama enerjisinin geri kazanld bu teknik, ancak modern hcrelerle salanabilir ve bir yardmc veya ilave yar iletken anahtar gerektirir.
2.4. Sfr Gerilimde Gei

Sfr Gerilimde Gei (ZVT), iletime girme ileminde uygulanan ileri bir SS tekniidir. Bu teknikte, g anahtar ularndaki gerilim ksa sreli bir ksmi rezonansla sfra drlr ve bu gerilim sfrda tutulurken kontrol sinyali uygulanr. Bylece, anahtarlama enerji kayb tamamen yok edilir ve mkemmel bir iletime girme ilemi salanr. Gerilimin sfra dmesi ileri alnarak gerekletirilen bu teknikte de hem ZVS hem de ZCSnin salad sylenebilir. Anahtarlama enerjisinin geri kazanld bu teknik de modern hcrelerle elde edilir ve ilave bir anahtar gerektirir. Burada hemen unun belirtilmesi gerekir ki, sadece bu teknikte g anahtarnn parazitik kondansatrnn dearj enerji kayb yok edilir ve bu enerji geri kazanlr. Yksek deerlerde parazitik kondansatrlere sahip olan MOSFET g elemanlarnda bu SS teknii byk nem tar.
3. BASTIRMA HCRELERNN SINIFLANDIRILMASI

Bastrma hcreleri, genel olarak ekil 4te grld gibi, anahtarlama trne, boyuta, yn ve rezonans ile ilave bir anahtarn olup olmamasna gre snflandrlr. Ayrca, gelimilik lsne gre bastrma hcreleri ekil 5te verildii gibi snflandrlabilir. Bir bastrma hcresi, genellikle ya iletim ya da kesime girme ileminde yumuak anahtarlamay salamak zere tasarlanr. Bazen, belirli kriterlerle hcrenin boyutu tanmlanr. Kontroll g elemanlarnda, genellikle kutuplu veya tek ynl bastrma hcreleri kullanlr. zellikle diyot ve tristrlerde, ters toparlanma ilemlerinde de etkili olmas iin kutupsuz veya iki ynl hcreler kullanlr. Rezonanssz hcreler klasik ve rezonansl olanlar ise modern hcrelerdir. Buradaki rezonans, sadece anahtarlama ilemleri esnasnda etkili olan geici veya ksmi bir rezonanstr. Ksmi rezonans, temel olarak, bastrma ileminin ksa sreli ve mkemmel olmas ile bastrma enerjisinin geri kazanlmasn salar. Hibir ilave veya yardmc anahtar iermeyen hcreler pasif ve en az bir yardmc anahtarn kullanld hcreler aktif olarak adlandrlmaktadr. Buradaki snflandrmalarda, btn bastrma hcreleri ayrk ve etrafl bir ekilde verilmitir. Ancak, uygulamalarda bir g elemannn yumuak anahtarlama ile hem iletim hem de kesime girmesi istenmektedir. Bunun iin, iki bastrma hcresinin birlikte kullanlmas gerekir. Bu durumda, bastrma hcrelerinin veya ilave devrelerin toplam, bir tek hcre olarak kabul edilir ve tasarm bir btn olarak yaplr. Hatta dntrcler, genellikle bastrma hcresine gre adlandrlr. ZCS-PWM dntrc, ZVT-PWM dntrc ve ZCS-ZVS-PWM dntrc gibi.
14
GENEL OLARAK BASTIRMA HCRELER
Anahtarlama Tr
letime Girme
Kesime Girme
Boyut Durumu
Kk
Normal
Byk
Kutup/Yn Durumu
Kutuplu
Kutupsuz
Rezonans Durumu
Rezonansl
Rezonansz
Ek Anahtar Durumu
Aktif
Pasif
ekil 4. Bastrma hcrelerinin genel olarak snflandrlmas.
GELMLK AISINDAN BASTIRMA HCRELER
Klasik / Kaypl Rezonansz
Modern / Kaypsz Rezonansl
letime Girme ZCS
Kesime Girme ZVS
letime Girme
Kesime Girme
ZCS RLD RCD RC
ZVT
ZVS
ZCT
RL
Pasif
Aktif
Aktif
Aktif
Pasif
ekil 5. Bastrma hcrelerinin gelimilik asndan snflandrlmas.
15
Aktif
4. BASTIRMA HCRELERNN KARILATIRILMASI

Klasik ve modern bastrma hcreleri Tablo 1de etrafl olarak karlatrlmtr. zet olarak, klasik hcreler, rezonanssz, kaypl ve pasif hcrelerdir. Modern hcreler ise, ksmi rezonansl, kaypsz ve aktif veya pasif hcrelerdir. Tablo 1. Klasik ve modern bastrma hcrelerinin karlatrlmas. KLASK VE MODERN BASTIRMA HCRELERNN KARILATIRILMASI Klasik Bastrma Hcreleri Rezonans devresi mevcut deildir. Yardmc bir anahtar yoktur letime girme ileminde ZCS salanr. Kesime girme ileminde ZVS salanr. Anahtarlama enerji kayplar, byk lde bastrlr. Anahtarlama enerjileri, geri kazanlamaz ve direnlerde harcanr. Ana anahtar zerinde, ZCSde ilave gerilim ve ZVSde ise ilave akm stresi oluur. Bastrma hcresinin almas hat gerilimi ve yk akmna byk lde baldr. Yani deiken ve hafif yk artlar altnda alma olduka zordur. Dk frekansl klasik devreler iin uygundur. Basit yapl ve ucuzdur. Modern Bastrma Hcreleri Hepsi ksmi rezonansldr. Aktif olanlarnda yardmc anahtar vardr. letime girme ileminde ZCS salanr. Kesime girmede ZVS salanr. Anahtarlama enerji kayplar, pasif olanlarda byk lde, aktif olanlarda ise tamamen bastrlr. Anahtarlama enerjileri, pasif olanlarda byk lde, aktif olanlarda ise tamamen geri kazanlr. Ana anahtar zerinde, pasif olanlarda genellikle ilave stresler oluur, aktif olanlarda ise hibir ilave stres olumayabilir. Bastrma hcresinin almas hat gerilimi ve yk akmna pasif olanlarda epeyce baldr, aktif olanlarda bu ballk byk lde azaltlabilir ve hatta yok edilebilir. Yksek frekansl modern devreler iin gerekli bastrclardr. Pasif olanlarn basit yapl ve ucuz, fakat aktif olanlarn daha karmak ve pahal olduu kabul edilebilir. Ayrca, Aktif olanlarda, yardmc anahtar iinde yumuak anahtarlamann salanmas olduka nemlidir ve bu salanabilir. Parazitik kondansatrn dearj enerji kaybnn yok edilmesi ve bu enerjinin geri kazanlmas, sadece aktif olan ZVTde mmkn olmaktadr. Bu ise MOSFET iin ok nemlidir.
16
Bastrma Hcrelerini Karlatrma Kriterleri

Bastrma hcrelerini karlatrabilmek iin, aada sralanan kriterlerin salanp salanmad denetlenmelidir.
Ana anahtar ve ana diyodun SS ile iletim ve kesime girmeleri. Ana anahtar ve ana diyot zerinde ilave bir akm veya gerilim stresinin olumamas. Varsa yardmc anahtar ve diyotlarn SS ile iletim ve kesime girmeleri. Varsa yardmc anahtar ve diyotlar zerindeki akm ve gerilim streslerinin makul dzeylerde kalmas. Anahtarlama enerjilerini geri kazanlmas. Anahtarlarn parazitik kondansatr enerjilerinin geri kazanlmas. Bastrma devresinin geni bir hat ve geni bir yk aralnda alabilmesi. Yani hafif yk artlarnda SSnin srmesi ve PWM almann korunmas. Bastrma hcresinin basit ve ucuz olmas. Devrenin verim ve g younluunun artmas.
Genel zet ve Karlatrma

Yumuak anahtarlama, temel olarak anahtarlama kayplar ile EMI grltlerin yok edilmesi veya en aza indirilmesidir. Anahtarlama kayplar ise, anahtarlama esnasnda g anahtarnn akm ve geriliminin stste binme kayb ile g diyodunun ters toparlanma kayb ve anahtarn parazitik kondansatrnn dearj kaybndan olumaktadr. SS salayan ve ilave devreler olarak bilinen bastrma hcreleri, klasik ve modern olarak iki genel gruba ayrlr. Bu hcreler arasndaki temel fark, modern hcrelerin bir ksmi rezonansa sahip olmalardr. Bir bastrma hcresinden beklenen fonksiyonlar, anahtarlama kayplar ve EMI grltlerin bastrlmas, anahtarlama enerjilerinin geri kazanlmas, hafif yk artlarnda da yumuak anahtarlamann srmesi veya zamann ounda PWM almann korunmas, ana elemanlar zerinde ilave akm ve gerilim streslerinin olumamas veya en az dzeyde kalmas, devrenin boyut ve maliyetinin dmesi ile verim ve g younluunun artmas eklinde sralanabilir. Bu fonksiyonlarn ok az bir ksm klasik, byk bir ksm modern pasif ve tamamna yakn bir ksm ise modern aktif hcreler ile salanabilmektedir. Sonu olarak, devrenin g younluunu arttrmann ana ama olduu daima gz nnde tutulmal, bir bastrma hcresinin salad SS yararlar ile devreye ykledii klfetler iyice karlatrlmal ve nihai seim yaplmaldr.
17
5. KLASK BASTIRMA HCRELER 5.1. Giri

Klasik bastrma hcreleri, genel olarak rezonanssz, kaypl ve pasif hcreler olarak bilinmektedir. Bu hcreler, 1. Seri bastrma hcreleri 2. Paralel bastrma hcreleri eklinde 2 genel gruba ayrlr. Seri ve paralel bastrma hcreleri, srasyla ekil 6 ve ekil 7de verilmitir.
L Bastrma RL Bastrma v0 RLD Bastrma v0
ii = i0 Vi
R0
+ -
ii = i0 Vi
R0
+ -
ii = i0 R 0
Rs
v0
+ -
Ls T (a)
Vi
T (c)
Rs
Ds
T (b)
ekil 6. (a) L, (b) RL, ve (c) RLD eklinde klasik seri veya ZCS bastrma hcreleri.
C Bastrma RC Bastrma v0 RCD Bastrma v0
ii = i0 Vi
R0
+ -
ii = i0 Vi
R0
+ -
ii = i0 Vi
Rs
R0
v0
+ -
Rs T Cs
Ds
Cs (b)
Cs (c)
(a)
ekil 7. (a) C, (b) RC, ve (c) RCD eklinde klasik paralel veya ZVS bastrma hcreleri.
5.2. Seri Bastrma Hcreleri

Seri bastrma hcresi, iletime girme veya sfr akmda anahtarlama (ZCS) hcresi olarak da tanmlanr. Temel olarak seri bastrmada, ana anahtara seri olarak kk deerli bir endktans balanmasyla, iletime girme anahtarlamas esnasnda, elemandan geen akmn ykselme hz snrlanarak Sfr Akmda Anahtarlama (ZCS) salanr.
18
Burada, iletime girme ileminde anahtarlama enerji kayb byk lde azaltlr. Aslnda, anahtarlama enerjisi endktansa aktarlr. Fakat, bu enerji, kesime girme ileminde, endktansta byk bir emk oluturur ve daha byk bir enerji kayb ile anahtarn tahrip olmasna neden olabilir. Ana anahtarn pozitif bir devrilme gerilimi ve bir parazitik kondansatre sahip olduunu dnerek bu durumu yorumlaynz. Bu problemin zm iin, en azndan endktansa paralel bir direncin balanmas gerekir. Bylece, seri RL hcresi oluur. Seri RL bastrma hcresinde, kesime girdii anda anahtarn maruz kald maksimum gerilim,
R Vi (13) = (1 + s )Vi R0 R0 olarak bulunur. Burada Rs direnci, iletime girme ileminde anahtarda ek bir akm stresinin olumasna neden olur. Bu problemin zm iin ise, bu dirence seri olarak ve anahtarn iletim ynnn tersi ynde bir diyot balanr. Bylece, seri RLD bastrma hcresi elde edilir. VOFF max = Vi + R s I 0 = Vi + R s
Seri RLD bastrma hcresinde, anahtarn maruz kald gerilim yukardakine gre sadece bir diyodun gerilim dm kadar artar, fakat direncin ok daha kk deerlerde seilmesine imkan salanr. Bylece, klasik olarak mkemmele eriilir. Fakat, anahtarlama enerjisi dirente harcanr ve ana anahtarda ek bir gerilim stresi oluur.
5.3. Paralel Bastrma Hcreleri

Paralel bastrma hcresi, kesime girme veya sfr gerilimde anahtarlama (ZVS) hcresi olarak da tanmlanr. Temel olarak paralel bastrmada, ana anahtara paralel olarak kk deerli bir kondansatr balanmasyla, kesime girme anahtarlamas esnasnda, eleman ularnda oluan gerilimin ykseleme hz snrlanarak Sfr Gerilimde Anahtarlama (ZVS) salanr. Paralel bastrma hcrelerinin almas, seri bastrma hcreleriyle tam bir benzerlik gsterir. Burada, kesime girmedeki anahtarlama enerji kayb byk lde azaltlr ve bu enerji kondansatre aktarlr. Dolu olan bu kondansatr, iletime girme ileminde anahtardan ar bir akm gemesine neden olur. Bunu nlemek iin, kondansatre seri bir diren balanr. Bu durumda, iletime girdii anda anahtardan geen maksimum akm,
Vi (14) Rs olarak bulunur. letimden kma ileminde bu direncin ek bir gerilim stresine neden olmamas iin, bu diren anahtarn iletim ynnde bir diyot ile kprlenir. Artk bu diren daha byk deerlerde seilebilir. Bylece, klasik olarak mkemmele eriilir. Fakat, anahtarlama enerjisi dirente harcanr ve ana anahtarda ek bir akm stresi oluur. I ON max = I 0 +
Uygulamalarda, genellikle seri ve paralel bastrma hcreleri birlikte kullanlr. Bu durumda, bu hcreler birbirini olumlu ya da olumsuz olarak etkiler. Bu hcrelerin veya ilave devrelerin toplam, genellikle bir tek bastrma hcresi olarak kabul edilir ve dizayn ilemi bir btn olarak yaplr.
19
5.4. Klasik Bastrma Hcrelerinin zellikleri Bastrma eleman olarak sadece bir L veya bir C kullanlmas mmkn deildir. Seri bastrma hcresiyle iletime girme ileminde ZCS ve paralel bastrma hcresiyle
ise kesime girme ileminde ZVS salanr. letim veya kesime girme ilemlerinde, anahtarlama enerji kayplar byk lde azalr. Anahtarlama enerji kayplar geri kazanlamaz ve direnlerde harcanr. Seri bastrma ileminde ilave bir gerilim stresi ve paralel bastrmada ise ilave bir akm stresi oluur. Bastrma elemanlarnn enerjilenme sreleri ile bu enerjilerin snme sreleri, hat gerilimi ve yk akmna byk lde baldr. Hafif yk artlarnda, yumuak anahtarlamann srdrlmesi ve PWM almann korunmas olduka zordur. Dk frekansl klasik devreler iin uygun olabilir. Basit yapl ve ucuzdur.
DEVLER
1 : rnek olarak verilen omik ykl bir DC kycnn transistrne bir seri bastrma endktans balandnda, iletime girme ileminde lineer ekilde artan akmn yine ykselme sresi sonunda nominal deere eritii ve ancak ayn esnada lineer ekilde sfra den gerilimi transistr ile endktansn eit olarak paylatklar kabul edildiinde, transistrn iletime girme ilemindeki anahtarlama enerji kaybn bulunuz. 2 : rnek olarak verilen omik ykl DC kycnn transistrne bir paralel bastrma kondansatr balandnda, kesime girme ileminde lineer ekilde artan gerilimin yine dme sresi sonunda kaynak gerilimine eritii ve ancak ayn esnada lineer ekilde sfra den akm transistr ile kondansatrn eit olarak paylatklar kabul edildiinde, transistrn kesime girme ilemindeki anahtarlama enerji kaybn bulunuz. 3 : (1) nolu soruyu rnek olarak verilen dk kl DC-DC dntrc iin dzenleyerek cevaplandrnz. 4 : (2) nolu soruyu rnek olarak verilen dk kl DC-DC dntrc iin dzenleyerek cevaplandrnz.
20
DEVLER
1. rnek olarak verilen omik ykl bir DC kycnn transistrne bir seri bastrma endktans balandnda, iletime girme ileminde lineer ekilde artan akmn yine ykselme sresi sonunda nominal deere eritii ve ancak ayn esnada lineer ekilde sfra den gerilimi transistr ile endktansn eit olarak paylatklar kabul edildiinde, transistrn iletime girme ilemindeki anahtarlama enerji kaybn bulunuz. 2. rnek olarak verilen omik ykl DC kycnn transistrne bir paralel bastrma kondansatr balandnda, kesime girme ileminde lineer ekilde artan gerilimin yine dme sresi sonunda kaynak gerilimine eritii ve ancak ayn esnada lineer ekilde sfra den akm transistr ile kondansatrn eit olarak paylatklar kabul edildiinde, transistrn kesime girme ilemindeki anahtarlama enerji kaybn bulunuz. 3. rnek olarak verilen dk kl DC-DC dntrcnn transistrne bir seri bastrma endktans balandnda, iletime girme ileminde lineer ekilde artan akmn yine ykselme sresi sonunda nominal deere eritii ve diyodun kesime girdii ve ancak ayn esnada sabit olan kaynak gerilimini transistr ile endktansn eit olarak paylatklar kabul edildiinde, transistrn iletime girme ilemindeki anahtarlama enerji kaybn bulunuz. 4. rnek olarak verilen dk kl DC-DC dntrcnn transistrne bir paralel bastrma kondansatr balandnda, kesime girme ileminde lineer ekilde artan gerilimin yine dme sresi sonunda kaynak gerilimine eritii ve ancak ayn esnada sabit olan yk akmn transistr ile kondansatrn eit olarak paylatklar kabul edildiinde, transistrn kesime girme ilemindeki anahtarlama enerji kaybn bulunuz. 5. rnek olarak verilen dk kl DC-DC dntrcnn transistrne bir seri bastrma endktans balandnda, iletime girme ileminde transistr geriliminin lineer ekilde derek ykselme sresi sonunda sfr olduu ve ancak transistrden geen akmn ayn sre sonunda halen yk akmna erimedii kabul edildiinde, transistrn iletime girme ilemindeki anahtarlama enerji kaybn bulunuz. 6. rnek olarak verilen dk kl DC-DC dntrcnn transistrne bir paralel bastrma kondansatr balandnda, kesime girme ileminde transistr akmnn lineer ekilde azalarak dme sresi sonunda sfr olduu ve ancak transistr ularndaki gerilimin ayn sre sonunda halen kaynak gerilimine erimedii kabul edildiinde, transistrn kesime girme ilemindeki anahtarlama enerji kaybn bulunuz.
21
DC DC DNTRCLER VE KONTROL TEKNKLER

1. GR
Gn getike daha ok uygulama alan bulan DC DC dntrcler, akademik ve pratik almalarda geni yer tutmaya devam etmektedir. Bu dntrclerden temel olarak geni bir aralkta ayarlanabilen, dzgn ve regleli bir DC k gerilimi ile yksek bir verim istenmektedir. DC transformatrler olarak da kabul edilen bu dntrcler, 1. Anahtarlamal DC DC dntrcler 2. Rezonansl DC DC dntrcler eklinde iki ana gruba ayrlr. Fakat, DC DC dntrcler denildiinde, daha ok anahtarlamal dntrcler anlalmaktadr. Bu durumda, rezonansl dntrcler bir zel tr olarak da kabul edilebilir.
2. ANAHTARLAMALI DC DC DNTRCLER
Anahtarlamal DC DC dntrcler, genellikle darbe genilik modlasyonu (PWM) teknii ile kontrol edilmektedir. Hzl gei cevab ve yksek g younluu nedeniyle, bu dntrcler endstride yaygn olarak kullanlmaktadr. Bu dntrcler, geni bir aralkta ayarlanabilen, dzgn ve regleli bir DC gerilim salayabilmektedir.
2.1. Anahtarlamal DC DC Dntrme Kavram

Anahtarlamal temel DC DC dntrcler, bir kontroll yar iletken g eleman, bir yar iletken g diyodu ve bir anahtarlama endktansndan oluan temel elemann farkl ekillerde balanmasyla elde edilmitir. Devrede ya tam iletimde ya da tam kesimde olarak altrlan kontroll g elemanna, g anahtar veya aktif eleman denilmektedir. Diyot ise yar iletken pasif g elemandr. Ayrca, alma frekansna gre endktans deerinin yeterince byk olduu ve bylece endktanstan geen akmn genellikle kesintisiz ve dzgn olduu kabul edilmektedir. Anahtarlamal DC DC dntrclerin alma prensibi, anahtarlanan endktansn enerji aktarmna dayaldr. Bu dntrclerde, bir anahtarlama peryodu ierisinde ya g anahtar ya da g diyodu iletimdedir. Genellikle, anahtar iletimde iken endktansa enjekte edilen enerji, diyot iletimde iken ka aktarlr.
2.2. Anahtarlamal DC DC Dntrclerin Snflandrlmas

Farkl ekillerde snflandrlan anahtarlamal DC DC dntrclerin ok kabul gren bir snflamas aada verildii gibidir. 1. zolasyonsuz temel DC DC dntrcler a) Drc (buck) dntrc b) Ykseltici (boost) dntrc c) Drc ykseltici ( buck boost ) dntrc d) Cuk dntrc 1
e) Sepic dntrc f) Zeta dntrc 2. zolasyonlu DC DC dntrcler a) leri ynl (forward) dntrc b) Geri dnl (flyback) dntrc c) Push pull dntrc d) Yarm kpr ( half bridge) dntrc e) Tam kpr (full bridge) dntrc Aslnda, izolasyonsuz olan ilk 3 dntrc temel dntrclerdir. Dier btn dntrcler, bu 3 dntrcden birisinin karakteristiine sahiptir. Ayrca, genellikle izolasyonlu olarak kullanlan yarm ve tam kpr dntrcler, izolasyonsuz olarak da gerekletirilebilmektedir. zolasyonsuz drc ve ykseltici ile izolasyonlu push pull dntrcler daha ok kullanlmaktadr.
2.3. Darbe Genilik Modlasyonu (PWM) Teknii

Anahtarlamal DC DC dntrclerde, bir anahtarlama peryodu ierisinde g anahtar iletim sresinin anahtarlama peryoduna oran, darbe/peryot oran veya bal iletim sresi olarak tanmlanr ve veya D ile gsterilir. Bylece, bal iletim sresi iin,
= T1 Tp
ve 0 < < 1
(1)
yazlabilir. Bal iletim sresi nn kontrol ile, DC k geriliminin ayarlanmas ve bu gerilimin kaynak gerilimi ile yk akmndaki deimelere kar regle edilmesi salanmaktadr. Bu dntrcler, genellikle darbe genilik modlasyonu (PWM) teknii ile kontrol edilmektedir. Bu teknikte, sabit alma frekans altnda g anahtarnn iletim sresi deitirilerek, bal iletim sresi ve bylece DC k gerilimi kontrol edilmektedir. Gerekletirilmesi de olduka kolay olan PWM tekniinde, g anahtar kontrol sinyalinin nasl elde edildii ve kontroln nasl saland, prensip olarak ekil 1de grlmektedir. PWM tekniinde, ekil 1den grld gibi, istenen bir referans gerilim Vr ile geribesleme gerilimi Vfnin bir amplifikatrden geirilmesiyle kontrol gerilimi Vc elde edilmekte ve bu gerilim ile istenen frekansta testere dii eklindeki bir gerilim Vstnin karlatrlmasyla g anahtarnn kontrol sinyali elde edilmektedir. Burada, referans giri gerilimi ile DC k geriliminin ayar ve geribesleme giri gerilimi ile DC k geriliminin reglasyonu salanmaktadr. Anahtarlamal dntrclerin DC k gerilimi, ayrca frekans modlasyonu (FM) teknii ile de kontrol edilebilmektedir. Bu teknikte ise, anahtarlama frekans veya peryot deitirilerek, bal iletim sresi ve bylece DC k gerilimi kontrol edilmektedir. Bu kontrol yntemi, ancak hafif yk veya geici rejim artlarnda alma gibi zorunlu hallerde ve geici olarak kullanlmaktadr.
Vr
+ Amp.
vc
+ Komparatr
Vf vst
Vst
Vstmax
vc
Karlatrma ilemi t
Con
Blo V c > Vst
Anahtar kontrol sinyali
Tp
ekil 1. Prensip olarak PWM teknii.
2.4. Anahtarlamal Temel DC DC Dntrcler

Bu blmde, bir g anahtar ve bir g diyodu ile bir anahtarlama endktasnn farkl ekillerde balanmasyla gerekletirilen, izolasyonsuz anahtarlamal 3 temel DC DC dntrcnn alma prensibi ve genel zellikleri incelenmitir. Bu incelemede, giri ve k gerilim kaynaklar, g anahtarlar ve g diyodu ile endktans ve kondansatr ideal kabul edilmitir. Analizde, ayrca endktanstan geen akmn kesintisiz olduu kabul edilmitir. Kararl rejimde alan temel dntrclerin hepsinde, ortalama olarak endktans akm daima g anahtar ve g diyodu akmlarnn toplamna eittir. Endktans gerilimi ve kondansatr akm ortalama olarak daima sfrdr. Endktans akm ile kondansatr gerilimindeki artma ve azalma miktarlar daima birbirine eittir. DC k gerilimi, ortalama endktans geriliminin sfr olmasndan veya endktans akmndaki artma ve azalma miktarlarnn birbirine eitliinden bulunabilir. Ayrca, endktans akmndaki dalgalanma miktar bu akmdaki artma ile azalma miktarlarnn birbirine eitliinden ve k gerilimindeki dalgalanma miktar kondansatr gerilimindeki artma ile azalma miktarlarnn birbirine eitliinden kolayca bulunabilir. 2.4.1. Drc DC DC Dntrc Drc (buck) dntrcnn devre emas ve bu devrenin kararl rejimdeki almas ile ilgili temel dalga ekilleri ekil 2de verilmitir. Bu dntrcde, temel olarak, g anahtar iletimde iken giri gerilim kayna hem k besler hem de endktansa ilave bir enerji enjekte eder ve g diyodu iletimde iken endktanstaki bu ilave enerji ka aktarlr. 3
>
T1
T2
t Vc Vst
ii
iB
iT
iD
iL iC
(a)
=2/3 ve kesintisiz bir endktans akm iin
Vi vCE t Vi vD t vL Vi-Vo t -Vo ILmax iL
IL
IL=Io IL min t
IL 2
iC
t
IL 2
VC max VC vC VC= Vo VC min T1 Tp T2 t
(b)
ekil 2. Drc dntrcnn (a) devre emas ve (b) bu devrenin kararl rejimdeki almas ile ilgili temel dalga ekilleri.
Kararl rejimde alan bu dntrcde, sfr ile giri gerilimi arasnda kontrol edilebilen bir DC k gerilimi elde edilir. G elemanlar giri gerilimine maruz kalr Endktans ka seri bal olduundan, ortalama olarak endktans akm k akmna eittir, k akmndaki dalgalanma ve gerekli kondansatr deeri ok dktr. Fakat, giri gerilim kaynandan ekilen akm ok dalgaldr. Drc dntrcde, T1 aral iin,
di L Vi Vo = dt L
(2)
T2 aral iin,
V di L = o dt L
(3)
k gerilimi iin, Vo = Vi Giri akm iin, Ii = Io bantlar mevcuttur. 2.4.2. Ykseltici DC DC Dntrc Ykseltici (boost) dntrcnn devre emas ve bu devrenin kararl rejimdeki almas ile ilgili temel dalga ekilleri ekil 3te verilmitir. Bu dntrcde, temel olarak, g anahtar iletimde iken giri gerilim kayna sadece endktansa ilave bir enerji enjekte eder ve ayn esnada yk kondansatr besler. G diyodu iletimde iken ise, hem giri gerilim kayna k besler hem de endktanstaki ilave enerji ka aktarlr. Kararl rejimde alan bu dntrcde, DC k gerilimi, giri gerilimi ve belirlenen bir maksimum gerilim arasnda kontrol edilir. G elemanlar k gerilimine maruz kalr. Endktans girie seri bal olduundan, endktans akm giri akmna eittir ve giri akmndaki dalgalanma ok dktr. Fakat, k akmndaki dalgalanma ve gerekli kondansatr deeri yksektir. Ayrca, bu dntrc bota altrlamaz. (5) (4)
ii
iL iT iB
iD iC
(a)
Vo vCE t Vo vD t vL Vi t -(Vo-Vi) ILmax iL
IL
IL=Ii ILmin t ILmax Io ILmin Io t -Io VC max
iC
vC
VC
VC=Vo VC min
T1 Tp
T2
(b)
ekil 3. Ykseltici dntrcnn (a) devre emas ve (b) bu devrenin kararl rejimdeki almas ile ilgili temel dalga ekilleri.
Ykseltici dntrcde, T1 aral iin,

di L Vi = dt L
(6)
T2 aral iin,
V Vi di L = o dt L
(7)
k gerilimi iin,
Vo =
1 Vi 1
(8)
Giri akm iin,
Ii =
1 Io 1
(9)
bantlar geerlidir.
2.4.3. Drc Ykseltici DC DC Dntrc
Drc ykseltici (buck boost) dntrcnn devre emas ve bu devrenin kararl rejimdeki almas ile ilgili temel dalga ekilleri ekil 4te verilmitir. Bu dntrcde temel olarak, g anahtar iletimde iken giri gerilim kayna sadece endktansa ilave bir enerji enjekte eder ve ayn esnada yk kondansatr besler. G diyodu iletimde iken ise, sadece endktanstaki ilave enerji ka aktarlr. Kararl rejimde alan bu dntrcde, sfr ve belirlenen bir maksimum gerilim arasnda kontrol edilebilen bir DC k gerilimi elde edilir. G elemanlar giri ve k gerilimlerinin toplamna maruz kalr. Endktans giri veya ka seri bal olmadndan, endktans akm giri ile k akmlarnn toplamna eittir ve giri ile k akmlarndaki dalgalanmalar byktr. Bu dntrc de bota altrlamaz. Ayrca, bu dntrcnn nemli ve farkl bir zellii, k geriliminin ters ynl olmasdr. Bu nedenle, bu dntrcye ters kl dntrc de denilmektedir. Bu durum, genellikle uygulamalarda istenmez.
ii
iB
iT
iL
iD
iC
(a)
V+Vo i vCE t V+Vo i vD t vL Vi t -Vo ILmax iL
IL
IL=Ii+Io IL min t ILmax Io ILmin Io t Io VCmax
iC
vC
VC
VC=Vo VC min
T1 Tp
T2
(b)
ekil 4. Drc ykseltici dntrcnn (a) devre emas ve (b) bu devrenin kararl rejimdeki almas ile ilgili temel dalga ekilleri.
Drc ykseltici dntrcde, T1 aral iin,

di L Vi = dt L
(10)
T2 aral iin, di L V = o dt L k gerilimi iin, Vo = Vi 1 (12) (11)
Giri akm iin, Ii = Io 1 (13)
bantlar mevcuttur.
2.5. Anahtarlamal Temel DC DC dntrclerin Karlatrlmas

Tablo 1de anahtarlamal temel DC DC dntrclerin etrafl bir zeti ve karlatrmas verilmitir. Dntrcnn seiminde, ncelikle istenen k gerilimi aral etkilidir. Giri ve k akmlarndaki dalgalanma miktarlar da dikkate alnmaldr. Ayrca, ykseltici ve drc ykseltici dntrcler, zellikle belirli ve sabit ykler iin dnlmelidir. Bu dntrclerde, g elemanlarnn gerilim deerlerine gre bir maksimum DC k gerilimi belirlenmeli ve bu deer denetlenmelidir. k geriliminin ar deerler almas nedeniyle, bu dntrcler bota alma zelliine sahip deildir.
Tablo 1. Anahtarlamal temel DC DC dntrclerin karlatrlmas. ANAHTARLAMALI TEMEL DC DC DNTRCLERN KARILATIRILMASI Karlatrma Konusu T1 aralnda alma T2 aralnda alma Vo k gerilimi Ii giri akm Vo kontrol aral G elemanlarnn maruz kald gerilim IL endktans akm Iideki dalgalanma Iodaki dalgalanma Vodaki dalgalanma Von yn Bota alma zellii Drc Ykseltici Drc Ykseltici
Vi k besler. Vi , Lye ilave bir enerji enjekte eder. Ldeki ilave enerji ka aktarlr. Vi Io 0 ile Vi Vi Io Byk ok kk ok kk Pozitif Var
Vi , Lye ilave bir enerji enjekte eder. C yk besler. Vi k besler. Ldeki ilave enerji ka aktarlr. 1 Vi 1 1 Io 1 Vi ile Vomax Vo Ii ok kk Byk Byk Pozitif Yok
Vi , Lye ilave bir enerji enjekte eder. C yk besler. Ldeki ilave enerji ka aktarlr.
Vi
Io 1 - (0 ile Vomax) Vi + Vo Ii + Io Byk Byk Byk Negatif Yok
10
3. REZONANSLI DC DC DNTRCLER
Temel olarak, seri bal bir endktans ile bir kondansatrn bir gerilim kaynayla beslenmesine seri rezonans devresi ve paralel bal bir endktans ile bir kondansatrn bir akm kaynayla beslenmesine ise paralel rezonans devresi denilmektedir. Rezonansl dntrcler, rezonans devreleri kullanlarak gerekletirilen dntrc devreleridir. Bu ekilde elde edilen ok sayda ve trde dntrc mevcuttur. Burada rezonansl dntrcler etrafl olarak incelenmemitir. Anahtarlamal dntrcler ile bir karlatrma yaplabilmesi iin, temel olarak rezonansl dntrme kavram ve rezonans kontrol teknii ile rnek bir rezonansl dntrc ve temel rezonans bantlar ele alnmtr.
3.1. Rezonansl DC DC Dntrme Kavram

Rezonans devreleri, aada verilen iki temel ama ile dntrc uygulamalarnda kullanlmaktadr.
1. Trisrlerin komtasyonunu ve bylece tristrl devrelerin almasn salamak. 2. G elemanlarnn sfr akm veya sfr gerilimde anahtarlanmasn ( ZCS veya ZVS ) ve bylece anahtarlama kayplarnn bastrlmasn salamak.
Rezonansl DC DC dntrclerin alma prensibi, oluturulan rezonans devrelerinin enerji transferine dayaldr. Bu amala seri, paralel ve karmak olmak zere ok sayda ve trde rezonans devreleri gelitirilmitir. Rezonansl dntrcler ile nceleri tristrl devrelerin altrlabilmesi amalanrken, son yllarda daha ok yar iletken g elemanlarnda sfr akmda veya sfr gerilimde anahtarlama (ZCS veya ZVS) hedeflenmektedir.
3.2. Rezonans Kontrol Teknii

Rezonans kontrol tekniinde, sfr akm veya sfr gerilim dedektrleri kullanlarak, akm veya gerilimin sfr olduu esnada g elemanlarnn iletim veya kesime girmesi salanr. Burada, rezonans devresi tarafndan belirlenen alma frekans, genellikle k gcne bal olarak deimektedir. Bu teknikte, rezonanslar arasnda braklan boluun veya giri kaynann akm veya gerilim deerinin deitirilmesi ile k gc kontrol edilir.
3.3. Bir Rezonansl DC DC Dntrc rnei

Bir rnek olarak ZCS rezonansl DC DC dntrcnn devre emas ve bu devrenin kararl durumda almas ile ilgili temel dalga ekilleri ekil 5te verilmitir. Bu devrenin kararl durumdaki peryodik almas drt kademeden olumaktadr. Bu kademeler aada ksaca aklanmtr. Burada, Lr rezonans endktans ve Cr rezonans kondansatrdr.
Kademe 1 [t0 < t < t1] : t0 annda D iletimde iken Tye kontrol sinyali uygulanr. Lineer olarak artan iLr akmnn Io deerine erimesiyle, t2 annda D kesime girer ve bu kademe biter.
11
ii iB
iLr
iLF iCr
+
vCr
-
(a)
iB
IBS
t
ILrmax
iLr
Io
t
ICrmax
iCr
t
-Io
vCr vD vo
2Vi=VCrmax
Vi Vo
t
t0 t1
t2 t3
t4
t5=t0
(b)
ekil 5. ZCS rezonansl DC-DC dntrcnn (a) devre emas ve (b) bu devrenin kararl durumda almas ile ilgili temel dalga ekilleri.
12
Kademe 2 [t1< t < t3] : t1 annda sabit Io akm altnda Lr ve Cr arasna bir rezonans balar. Cr kondansatr sins fonksiyonu eklindeki iCr akmyla dolar. VCr gerilimi kosins fonksiyonu eklinde ykselir. t2 annda iCrnin sfr olmas ve VCrnin 2Vi deerine erimesiyle, ters salnm balar. Ters yndeki iCr akmnn Io deerine erimesiyle, t3 annda iLr akm sfr olur ve bu kademe sona erer. Tam bu anda g anahtarnn kontrol sinyali kesilmelidir. Kademe 3 [t3 < t < t4] : t3 anndan itibaren Cr kondanstr Io akm ile boalr. Lineer olarak azalan VCr geriliminin sfr olmasyla, t4 annda D iletime girer ve bu kademe biter. Kademe 4 [t4 < t < t5 = t0] : t4 anndan itibaren Io akmn D diyodu geirir. stenen bir sre beklendikten sonra, t5 = t0 annda yeniden g anahtarna kontrol sinyali uygulandnda, bu kademe ve bu alma peryodu tamamlanr ve yeni bir peryot balar.
Bu rezonansl dntrcnn en nemli avantaj, devredeki g anahtarnn iletim ve kesime girme ilemlerinin sfr akmda anahtarlama (ZCS) altnda gereklemesidir. Bu zellik dorudan dntrcnn ismine yansmtr. Kontrol sinyalinin elde edilebilmesi iin akm ve gerilim dedektrlerinin kullanlmas gerektiinden, kontroln zor olduu sylenebilir. Bu dntrcde k gerilimi 0 ile Vi aralnda kontrol edilebilir. Ancak, bu kontrol diyodun iletim aral deitirilerek salanabildiinden, alma frekans geni bir aralkla deimektedir. alma frekans veya k gerilimi, ayrca Io yk akmna ok baldr. Bu dntrcde t0 t1, t2 t3 ve t3 t4 aralklarnn sreleri dorudan Io akmna baldr. Ayrca, bu dntrcde akm ve gerilim deiimleri ok dalgaldr. G anahtar ile g diyodu ar akm veya ar gerilim stresine maruz kalmaktadr. Bylece, elemanlarn nominal deerleri ykselmekte ve devrenin g younluu dmektedir.
3.4. Temel Rezonans Devreleri

Rezonansl dntrclerde ok kullanlan birka temel rezonans devresi ve bu devreler ile ilgili temel bantlar Tablo 2de zetlenmitir.
13
Tablo 2. Temel rezonans devreleri ve bunlarla ilgili temel bantlar.
TEMEL REZONANS DEVRELER VE BUNLARLA LGL TEMEL BAINTILAR Devre Tr

Seri Rezonans Devresi
Temel Bantlar
i L = I L 0 cos t + Vi VC 0 sin t Z
iL
+ + -
v L = (Vi VC 0 ) cos t ZI L 0 sin t v C = (Vi VC0 ) cos t + ZI L 0 sin t + Vi = 1 LC

Z = L = 1 = C L C
vC
Paralel Rezonans Devresi 1
i L = (I L 0 I i ) cos t +
VC 0 sin t + I i Z VC 0 sin t Z
iL
iC
vC
-
i C = (I L 0 I i ) cos t
v C = VC 0 cos t Z(I L 0 I i )sin t = 1 LC

Z = L = 1 = C L C
i L = i C1 = (I L 0
Paralel Rezonans Devresi 2
CS V VC10 C I i ) cos t + C 20 sin t + S I i C2 C2 Z

CS V VC10 C I i ) cos t C 20 sin t S I i + I i C2 Z C2
i C = i C 2 = ( I L 0
iL
+ -
iC
vC2
-
v C1 =
I CS CS I i sin t (VC 20 VC10 ) + i t + VC10 (VC 20 VC10 ) cos t Z I L 0 C1 C2 Cp
vC1
v C2 =
I CS CS I i sin t (VC 20 VC10 ) + i t + VC 20 (VC 20 VC10 ) cos t Z I L0 C2 C2 Cp
CS =
=
C1C 2 C1 + C 2
1 LCS
Cp = C1 + C 2
Z = L = 1 L = CS C S
14
4. ANAHTARLAMALI VE REZONANSLI DC DC DNTRCLERN KARILATIRILMASI

Anahtarlamal ve rezonansl DC DC dntrclerin ayrntl bir karlatrmas Tablo 3te verilmitir. Bu tablodan aka grld gibi anahtarlamal dntrcler sert anahtarlama dnda byk bir stnlk salamaktadr.
Tablo 3. Anahtarlamal ve rezonansl DC DC dntrclerin karlatrlmas. ANAHTARLAMALI VE REZONANSLI DC DC DNTRCLERN KARILATIRILMASI Karlatrma Konusu Kontrol teknii Kontrol kolayl alma frekans Frekansn yke ball G elemanlarnn iletim ve kesime girme ilemleri G elemanlarnn akm ve gerilim stresleri G elemanlarnn nominal deerleri Akm ve gerilim deiimlerinde dalgalanma G younluu Cevap verme Anahtarlamal Rezonansl
PWM ok kolay Sabit Bal deil Sert Normal Normal Yok ok yksek ok hzl
Rezonans Zor Deiken Bal Yumuak Ar Yksek Fazla Dk Yava
5. SONU
Anahtarlamal PWM DC DC dntrcler mkemmel bir performans sergilemektedir. Bu dntrclerin tek dezavantaj g elemanlarnn iletim ve kesime girme ilemlerinin sert anahtarlama eklinde olumasdr. Rezonansl DC DC dntrcler ok fazla dezavantaja sahiptir. Bu dntrclerin en nemli avantaj g elemanlarnn iletim ve kesime girme ilemlerinin sfr akm veya sfr gerilimde anahtarlama (ZCS veya ZVS) altnda gereklemesidir. En iyi zm, PWM ve rezonans tekniklerinin istenen zelliklerinin birletirilmesi olarak grlmektedir. Bu amala, rezonans tekniinin sadece g anahtarnn iletim ve kesime girme ilemleri esnasnda kullanld, ksmi rezonansl veya yumuak anahtarlamal PWM DC DC dntrcler gelitirilmitir. 15
YEN BR PASF REZONANSLI BASTIRMA HCRES DZAYNI

1. GR
Bu almada, aktif bastrma hcrelerinin oundan daha byk bir toplam devre verimi ve daha geni bir yk alma aral salayan, yeni bir pasif rezonansl bastrma hcresi dizayn sunulmaktadr. Olduka basit yapl ve kolay kontroll olan bu bastrma hcresi, zellikle yksek g ve frekansl endstriyel uygulamalarda IGBT-PWM dntrcler iin uygundur. Sunulan bastrma hcreli bir dntrcde, aktif ve pasif btn yar iletken elemanlar yumuak anahtarlama ile alr. nerilen bastrma hcresi ile donatlan bir IGBT-PWM dk kl dntrcnn alma prensibi ve etrafl bir kararl durum analizi sunulmutur. Sunulan teorik analiz, giri gerilimi 500 V, darbe frekans 50 kHz ve gc 5 kW olan dk kl bir prototip ile dorulanmtr.
2. ALIMA PRENSB VE ANALZ 2.1. Tanm ve Kabuller

Sunulan yeni pasif rezonansl bastrma hcresi ile donatlan IGBT-PWM dk kl dntrcnn devre emas ekil 1de grlmektedir. Sunulan bastrma hcresi, bir bastrma endktans (LS) ve bir bastrma kondansatr (CS) ile bir tampon kondansatr (CB) ve yardmc diyottan (DS1 , DS2 ve DS3) olumaktadr.
ekil 1. Sunulan yeni pasif rezonansl bastrma hcreli IGBT-PWM dk kl dntrcnn devre emas. ekil 1de verilen devrenin bir anahtarlama peryodundaki kararl durum analizini kolaylatrmak iin aadaki kabuller yaplmtr. a) Giri gerilimi Vi sabittir. b) k gerilimi VO sabittir veya k kondansatr CF ok byktr. c) k akm I0 sabittir veya ana endktans LF ok byktr. d) Ana endktans LF bastrma endktans LSden ok byktr. e) Rezonans devreleri idealdir veya kaypszdr. f) Yar iletken elemanlar idealdir. g) Sadece ana diyot DFnin ters toparlanma sresi dikkate alnr. 1
2.2. alma Aralklar

Sunulan pasif bastrma hcreli IGBT-PWM DC-DC dntrcnn bir anahtarlama peryodundaki kararl durum almasnda dokuz aralk oluur. Bu aralklarn edeer devre emalar ekil 2de ve bu aralklarla ilgili temel dalga ekilleri ekil 3te grlmektedir. Aada btn alma aralklarnn srasyla detayl birer analizi sunulmutur. Aralk 1 [ ekil 2 (a); t0<t<t2] : Bu araln banda, iT=0, iDF=I0, iLS=0, v CS=0 ve vCB=0 eitlikleri mevcuttur. t=t0 annda T ana transistrnn kapsna kontrol sinyalinin uygulanmas ile balayan bu aralk iin, Vi iLS = iT = ii = (t t0 ) (1) Ls V (2) i DF = I 0 i LS = i ( t t 0 ) + I 0 Ls bantlar karlr. iLS akm LS bastrma endktans tarafndan snrland iin, T ana transistr yaklak ZCS altnda iletime girer. Bu aralkta, ezamanl ve lineer olarak, iLS akm artar ve iDF akm azalr. nce t=t1 annda, iLS akm I0 deerine eriir ve iDF akm sfra der. Sonra t=t2 annda, iDF akmnn negatif negatif olarak Irr deerine erimesi ve DF ana diyodunun yaklak olarak ZVS altnda kesime girmesiyle bu aralk biter. Bu durumda, L (3) t 01 = S I 0 Vi L (4) t12 = trr = S I rr Vi eitlikleri elde edilir. Burada, srasyla trr ve Irr, DF diyodunun ters toparlanma sresi ve ters toparlanma akm deerleridir. Bu deerler, DF diyodunun I0 iletim akm ve Vi / LS akm azalma hz parametreleri iin geerlidir. Aralk 2 [ ekil 2 (b); t2<t<t4] : t=t2 annda, iT =I0+Irr, iDF=0, iLS=I0+Irr, vCS=0 ve vCB=0 eitlikleri geerlidir. DF diyodunun kesime girmesiyle balayan bu aralkta, Vi-T-LS-CB-DS2-CS yolu ile sabit IO akm altnda bir rezonans oluur. Bu aralk iin, V (5) iLS = I rr cos (1 (t t2 ) ) + i sin (1 (t t2 ) ) + I 0 Z1 C (6) vCS = e [ Vi cos (1 (t t2 ) ) + Z1I rr sin (1 (t t2 ) ) + Vi ] CS C (7) vCB = e [ Vi cos (1 (t t2 ) ) + Z1I rr sin (1 (t t2 ) ) + Vi ] CB bantlar elde edilir. Bu bantlarda, (8) Ce = CS CB / (CS + CB )
1 = 1 / LS Ce
(9)
(10) Z1 = LS / C e eitlikleri mevcuttur. Bu aralkta, nce t=t3 annda, iLS akm maksimum deerine eriir. Sonra t=t4 annda, vCS geriliminin Vi deerine erimesi ve DS1 diyodunun ZVS altnda iletime girmesiyle bu aralk tamamlanr. Bu durum iin aadaki ifadeler bulunur:
2
ekil 2. Sunulan dntrcde alma aralklarnn edeer devre emalar.

I LS max = Lrr 2 + (Vi / Z1 )2 + I 0
(11)
(12)
t 23 =
1
1
arctg
Vi Z1 I rr
t 34 =
arcsin
CS C 1Vi e Vi + Z1 I rr
2 2 2
(13)
Aralk 3 [ ekil 2 (c); t4<t<t5] : Kademe banda, iT =ILS4, iDF=0, iLS=ILS4, vCS=Vi ve vCB=VCB4 eitlikleri mevcuttur. t=t4 annda DS1 diyodunun iletime girmesiyle balayan bu aralkta LS-CB-DS2-DS1 yolu ile bir rezonans oluur. Bu rezonans iin, V (14) i LS = ( I LS 4 I 0 ) cos ( 2 (t t 4 ) ) + CB 4 sin ( 2 (t t 4 ) ) + I 0 Z2 (15) vCB = VCB 4 cos ( 2 (t t 4 ) ) + Z 2 ( I LS 4 I 0 ) sin ( 2 (t t 4 ) ) ifadeleri karlr. Bu ifadelerde, 2 = 1 / LS C B (16)
Z 2 = LS / C B
(17)
eitlikleri geerlidir. iLS akmnn tekrar I0 deerine dmesi ve vCB geriliminin maksimum deerine erimesiyle, t=t5 annda, DS1 ile DS2 diyotlar yaklak ZCS altnda kesime girer ve bu aralk tamamlanr. Bu araln sresi, aadaki gibi bulunur. Z (I I0 ) 1 (18) t 45 = arctg 2 LS 4 2 VCB 4
Aralk 4 [ ekil 2 (d); t5<t<t6] : Bu aralk boyunca, ana transistr T zerinden dc kaynak gerilimi Vi ile yk beslenir ve bastrma devresi etkili deildir. Bu aralk sresi, normal PWM dntrcnn iletim sresinin byk bir ksmdr ve PWM kontrolu tarafndan belirlenir. Bu aralkta, (19) ii = iT = i LS = I 0 bants geerlidir. Aralk 5 [ ekil 2 (e); t6<t<t7] : t=t6 annda, iT =I0, iDF=0, iLS=I0, vCS=Vi ve vCB=VCBmax bantlar mevcuttur. T ana transistrnn kap sinyalinin kesilmesiyle balayan bu aralkta, ZVS altnda iletime giren DS1 diyodu zerinden CS kondansatr yk beslemeye devam eder. Bu aralk iin, I (20) vCS = 0 (t t 6 ) + Vi CS ifadesi elde edilir. vCS geriliminin VCB5=VCBmax deerine dmesi ve DS3 diyodunun ZVS altnda iletime girmesiyle bu aralk tamamlanr. Bu araln sresi, C (21) t 67 = S (Vi VCB max ) I0 eklinde bulunur. Aralk 6 [ ekil 2 (f); t7<t<t8] : Bu aralk banda, iT =0, iDF=0, iLS=I0, vCS=VCBmax ve vCB=VCBmax eitlikleri mevcuttur. t=t7 annda DS3 diyodunun iletime girmesiyle balayan bu aralkta, LS-CB-DS3-CS-DS1 yolu ile bir paralel rezonans oluur. Bu rezonans iin, C C (22) i LS = 1 e I 0 cos (1 (t t 7 ) ) + e I 0 C CB B
vCS =
vCS
I0 I 0 sin (1 (t t 7 ) ) (t t 7 ) + VCB max CS + CB C C I0 = e Z1 1 e I 0 sin (1 (t t 7 ) ) (t t 7 ) + VCB max CB CB CS + CB

4
Ce Ce Z 1 1 C CS B
(23)
(24)
VGE
iT i DF
I rr IO
i LS
I LSmax
v CS
Vi
v CB
VCBmax
vT
v DF
Vi +VCBmax
v DS1
Vi
VCB9
v DS2
VCBmax
v DS3 t0 t1 t2 t3 t4
Vi
VCBmax
t5
t6 t7
t8 t9
t 10
t 11= t 0
ekil 3. Sunulan dntrcde alma aralklaryla ilgili temel dalga ekilleri.
bantlar karlr. vCS geriliminin sfra dmesi ve DS2 diyodunun ZVS altnda iletime girmesiyle bu aralk biter. CBnin de yardmyla CS kondansatr T ana transistrnn yaklak ZVS altnda kesime girmesini salar.
Aralk 7 [ ekil 2 (g); t8<t<t9] : t=t8 annda, iT =0, iDF=0, iLS=ILS8, vCS=0 ve vCB=VCB8 eitlikleri geerlidir. DS2 diyodunun iletime girmesiyle balayan bu aralkta LS-CB-DS2-DS1 yolu ile yeni bir paralel rezonans oluur. Bu rezonans iin, V i LS = ( I 0 I LS 8 ) cos ( 2 (t t 8 ) ) CB8 sin ( 2 (t t 8 ) ) + I 0 (25) Z2 (26) vCB = VCB8 cos ( 2 (t t 8 ) ) Z 2 ( I 0 I LS 8 ) sin ( 2 (t t 8 ) ) ifadeleri elde edilir. iLS akmnn sfr olmas ve yaklak ZCS altnda DS1 ile DS2 diyotlarnn kesime girmesiyle bu aralk tamamlanr. Bu araln sresi, Z ( I I LS 8 ) Z2I0 1 (27) arcsin arctg 2 0 t 89 = 2 2 2 2 VCB8 Z 2 ( I 0 I LS 8 ) + VCB8
olarak bulunur.
Aralk 8 [ ekil 2 (h); t9<t<t10] : Bu aralk banda, iT =0, iDF=0, iLS=0, vCS=0 ve vCB=VCB9 eitlikleri mevcuttur. t=t9 annda DS1 ve DS2 diyotlarnn kesime girmesiyle balayan bu aralkta, CB kondansatr sabit IO akm ile daarj olur. Bu durum, I (28) vCB = 0 (t t 9 ) + VCB 9 CB bants ile ifade edilebilir. vCB geriliminin sfra dmesi ve DF ana diyodunun ZVS altnda iletime girmesiyle, t=t10 annda bu aralk sona erer. Bu aralk sresi iin, C (29) t 910 = B VCB 9 I0 eitlii bulunur. Aralk 9 [ ekil 2 (i); t10<t<t11] : Bu aralk boyunca, sabit I0 yk akm serbest gei diyodu DF zerinden devresini tamamlar ve bastrma devresi aktif deildir. Bu araln sresi, normal PWM dntrcnn kesim sresinin byk bir ksmdr ve PWM kontrolu tarafndan belirlenir. Bu aralk, (30) i DF = I 0 bants ile ifade edilebilir.
t=t11=t0 annda, T ana transistrnn kapsna yeniden kontrol sinyalinin uygulanmasyla, bir anahtarlama peryodu tamamlanr ve yeni bir anahtarlama peryodu balar.
3. DZAYN LEM
Sunulan rezonansl pasif bastrma hcresi, yumuak anahtarlama sayesinde ana transistr ve ana diyodun ok dk anahtarlama kayb ile almasn salar, fakat ana ve yardmc devrelerde bir miktar ek kayplarn olumasna neden olur. Daha nceden sunulan dizayn ilemleri dikkate alnarak gelitirilen aadaki dizayn ilemi, temel olarak maksimum k akmnda bile ana transistr ve ana diyodun yumuak anahtarlanmasnn salanmas ile oluan ek kayplarn makul seviyelerde kalmasna dayaldr.
1. Bastrma endktans LS, ana transistrn iletime girmesi esnasnda ve onun akm ykselme sresi kadar bir zamanda, en fazla maksimum yk akm kadar bir akm artna msaade etmek zere seilir. Bu durum, Vi t r I 0 max (31) LS eklinde ifade edilebilir. Ayn zamanda, ana diyodun kesime girmesi esnasnda ve onun ters toparlanma sresinin kat kadar bir zamanda, en fazla maksimum yk akm kadar bir akm artna msaade etmelidir. Bu durumda ise, Vi 3t rr max I 0 max (32) LS bants yazlabilir. Burada, tr ana transistrn akm ykselme sresidir. trr ise, I0max iletim akm ve Vi / LS akm azalma hz deerlerine karlk gelen ana diyodun ters toparlanma sresidir.
2. Bastrma kondansatr CS, ana transistrn kesime girmesi esnasnda ve en az onun akm dme sresi kadar bir zamanda, maksimum yk akmnda bile kaynak gerilimine kadar dolmak zere seilir. Bu kondansatrn sabit yk akm ile dearj olduu kabul edilirse, CS (33) Vi t f I 0 max ifadesi elde edilir. Burada, tf ana transistrn akm dme sresidir. 3. Tampon kondansatr CB, maksimum yk akmnda en fazla nceden belirlenen bir maksimum deere kadar dolmak zere seilir. Bu kondansatr, prensip olarak ana diyodun yumuak kesime girmesi ve CS kondansatrnn arj olmas esnasnda LS endktansnda biriken enerjileri stlenir. Buna gre enerji dengesi yaklak olarak, 1 1 1 C S Vi 2 + LS I rr max 2 C BVCB max 2 (34) 2 2 2 eklinde ifade edilebilir. Burada, Irrmax ana diyodun I0max iletim akm ve Vi / LS akm azalma hz parametrelerine karlk gelen ters toparlanma akmdr. Ayrca, burada CBnin CSden yeterince byk olmas gerekir. unu da hemen belirtmek gerekir ki, VCBmax geriliminin byk olmas ana diyodun maruz kald gerilimi arttrr, kk olmas ise LS endktans enerjisinin yke aktarlma sresini arttrr. CBnin CSnin 5 kat civarnda seilmesinin iyi sonular verdii bilinmektedir.
4. DNTRCNN ZELLKLER
Bu blmde sunulan yeni dntrcnn zellikleri aadaki gibi zetlenebilir.
1. Devredeki btn aktif ve pasif yar iletken elemanlar, tam veya yaklak ZVS ve/veya ZCS altnda kapanr ve alr. T ana transistr, yaklak ZCS altnda iletime ve yaklak ZVS ile kesime girer. DF ana diyodu ZVS altnda iletime ve kesime girer. DS1, DS2 ve DS3 yardmc diyotlar da yumuak anahtarlama ile alr. 2. Dntrc olduka basit yapl ve kolay kontrolldr. Ek bir kontroll eleman yoktur. Yardmc devre, bir endktans, iki kondansatr ve kk boyutlu diyottan olumaktadr. 3. Bastrma devresi, alma peryodunun ok kk bir ksmnda etkilidir. Ana transistrn iletime ve kesime girme ilemleri esnasnda, bastrma devresinin en az srelerde ve en faydal bir ekilde almas salanr. Sirklasyon enerjisi olduka dktr ve dntrc peryodun byk bir ksmnda normal PWM dntrc olarak alr. 4. Dntrc olduka geni bir yk akm aralnda alr. 5. Sunulan pasif bastrma hcresi, kolay bir ekilde dier temel PWM DC-DC dntrclere uygulanabilir. 6. Sunulan rezonansl bastrma hcresi, daha nce nerilen daha pahal ve karmak aktif bastrma hcrelerinin oundan daha byk bir toplam devre verimi ve daha geni bir yk akm alma aral salar. 7. Ana transistr bir ek gerilim stresine ve ana diyot bir ek akm stresine maruz kalmaz. Ana transistrn ek akm stresi ok kktr, fakat maalesef ana diyot kaynak geriliminin iki katna yakn bir gerilim stresine maruz kalr.
Sonu olarak, bu blmde sunulan pasif bastrma hcresi, gerekten ok basit yapl, kolay kontroll ve olduka yararldr. Bu hcre, zellikle yksek g ve frekansl endstriyel uygulamalarda IGBTli PWM dntrcler iin uygundur.
7
5. DENEYSEL SONULAR 5.1. Uygulama Devresi

Sunulan pasif rezonansl bastrma hcreli dk kl PWM dntrcnn ngrlen alma prensibi ve teorik analizini dorulamak iin, ekil 4te grlen 5 kW ve 50 kHzlik IGBTli bir prototip gerekletirilmitir.
ekil 4. 5 kW ve 50 kHzlik IGBT-PWM dk kl bir dntrcnn deneysel devre emas.
Uygulama devresinde kullanlan yar iletken elemanlarn retici firma el kitaplarnda yer alan baz nominal deerleri izelge 1de zetlenmitir.
izelge 1. Uygulama devresinde kullanlan yar iletken elemanlarn baz nominal deerleri. ELEMAN SER NUMARASI V (V) 1200 1200 600 I (A) 35 12 8 tr (ns) 150 tf (ns) 700 trr (ns) 50 60
T DF DS1, DS2, DS3
IXSK35N120AU1 DSEI 12-12A MUR 860
5.2. Hesap rnei

Teorik analizde elde edilen bantlar kullanlarak, ekil 4te verilen ve laboratuvarda gerekletirilen devre iin yaplan etrafl bir hesap rnei aada sunulmutur. Vi=500 V LS=15 H V RL=50 CS=10 nF I0max=10 A CB=33nF Irr=10 A Z2=21,32 ....(17)
Ce=7,67 nF .....(8) 1=2,95.10+6 rd/s.....(9)
Z1=44,22 .....(10) 2=1,42.10+6 rd/s.....(16) 8
Aralk 1 (t0<t<t2) iLS=33,3 (t-t0) A....(1) iDF=-33,3 (t-t0)+10 A....(2) t01=300 ns....(3) t02=300 ns....(4)
Aralk 2 (t2<t<t4) iLS=10cos(1(t-t2))+ 11,3sin(1(t-t2))+10....(5) vCS=-383,5cos(1(t-t2))+ 339,16sin(1(t-t2))+383,5 ....(6) vCB=-116,21cos(1(t-t2))+ 102,77sin(1(t-t2))+116,21....(7) ILSmax=25,1 A....(11) t23=287 ns....(12) t34=78 ns....(13) t24=365 ns t24=365 nsde, ILS4=24,7 A, VCS4=500 V ve VCB4=151,6 V olur. Aralk 4 (t5<t<t6) Bu aralkta T ana transistr iletimdedir ve aralk boyunca ii=iT=iLS=I0=10 A olur. Aralk 5 (t6<t<t7) vCS=-1000.10+6(t-t6)+500....(20) t67=120 ns....(21) t67=120 nsde, VCS7=380,3 V olur.
Aralk 3 (t4<t<t5) iLS=4,7cos(2(t-t4))-7,11sin(2(t-t4))+10....(14) vCB=151,6cos(2(t-t4))+313,4sin(2(t-t4))....(15) t45=789 ns....(18) t45=789 nsde, ILS5=10 A ve VCB5=VCBmax=380,3 V olur.
Aralk 6 (t7<t<t8) iLS=-7,67cos(1(t-t7))+2,33....(22) vCS=-260sin(1(t-t7))-232.10+6(t-t7)+380,3....(23) vCB=78,83sin(1(t-t7))-232.10+6(t-t7)+380,3...(24) t78=520 nsde,ILS8=2 A, VCS8=0 V ve VCB8=338,4 V olur. Aralk 8 (t9<t<t10) vCB=-303.10+6(t-t9))+313,3....(28) t910=1033 ns....(29)
Aralk 7 (t8<t<t9) iLS=-8cos(2(t-t8))-15,87sin(2(t-t8))....(25) vCB=338,4cos(2(t-t8))-170,56sin(2(t-t8))...(26) t89=92 ns ....(27) t89=92 nsde, ILS9=0 A ve VCB9=313,3 V olur. Aralk 9 (t10<t<t11) Bu aralkta DF ana diyodu iletimdedir ve aralk boyunca iDF=I0=10 A olur.
5.3. Deneysel Sonular

Sert anahtarlamal ve sunulan yumuak anahtarlamal IGBT-PWM dk kl dntrclerde, baz k gerilimleri iin, deneysel olarak elde edilen yar iletken eleman kayplar ve toplam devre verimleri izelge 2de verilmitir. izelge 2de verilen deneysel sonular, yar iletken soutucularndaki scaklk artlar ile devrenin giri ve kndaki gerilim ve akm deerleri llerek belirlenmitir. Ancak, sert anahtarlamal dntrcye ait deneysel sonular, dk frekanslarda altrlan devreden llen deerlerden kyas yolu ile tespit edilmitir. Laboratuarda gerekletirilen sert ve sunulan yumuak anahtarlamal dntrclerden elde edilen baz osilogramlar ekil 5 ve karlatrlmal verim diyagramlar ekil 6da verilmitir. ekil 5(a) ve (b)den, sert anahtarlamal dntrcde ana transistr T ve ana diyot DFnin sert anahtarlama ile alt grlmektedir. Ezamanl olarak oluan Tnin kapama ve DFnin ama ilemi esnasnda, bu iki elemandan byk bir ksa devre akm gemekte ve bu akm byk bir enerji kaybna sebep olmaktadr. 9
izelge 2. Sert ve sunulan yumuak anahtarlamal dntrclerde yar iletken elemanlarn kayplar ve toplam devre verimleri. Vi=500 V, fp=50 kHz ve RL=50 G KAYIPLARI (W) DS1+ TOPLA DF EK DS2+ M DS3 6 33 188 6 6 17 46 7 39 231 5 6 17 49 7 48 276 7 6 18 57 8 56 321 7 6 19 62 9 65 367 6 6 19 66 10 75 414 5 6 19 69
VO (V) 200 250 300 350 400 450
SERT veya YUMUAK
Pi (W)
PO (W)
(%)
SERT YUMUAK SERT YUMUAK SERT YUMUAK SERT YUMUAK SERT YUMUAK SERT YUMUAK
149 17 185 21 221 26 257 30 293 35 329 39
988 846 1481 1299 2076 1857 2771 2512 3567 3266 4464 4119
800 800 1250 1250 1800 1800 2450 2450 3200 3200 4050 4050
81.0 94.6 84.4 96.2 86.7 96.9 88.4 97.5 89.9 98.0 90.7 98.3
ekil 5(c) ve (d)den, yumuak anahtarlamal dntrcde ana transistr Tnin yaklak ZCS ile iletime ve ZVS ile kesime girdii, ana diyot DFnin ZVS altnda iletime ve kesime girdii ve kaynak geriliminin 1.5 kat kadar bir gerilime maruz kald grlmektedir. Ancak, Tnin ilave bir akma ve DFnin ilave bir gerilime maruz kalmad grlmektedir. Ayrca, ekil 5(e) ve (f)den,DS1, DS2 ve DS3 yardmc diyotlarnn yumuak anahtarlama ile alt anlalmaktadr. izelge 2 ve ekil 6dan grld gibi, sunulan yumuak anahtarlamal dntrcnn verim deerleri, zellikle maksimum k gcne yaklaldka olduka yksek deerler almaktadr. Bastrma devresi maksimum yk akm iin dizayn edildiinden, k gc dtke verim deerlerinin de dt grlmektedir. Ancak, hemen unu da belirtmek gerekir ki, bir IGBT-PWM dntrc, bu g ve frekans deerlerinde ancak sunulan bastrma devresi yardmyla alabilir. Sonu olarak, elde edilen btn deneysel sonularn, sunulan dntrc iin ngrlen alma prensibi ve teorik analizi tam olarak dorulad aka grlmtr. Btn yar iletken elemanlarn tam veya yaklak ZVS ve/veya ZCS altnda iletime ve kesime girdii gzlenmitir. lave olarak, % 80lik bir k gc iin, sert anahtarlamal dntrcye gre sunulan yumuak anahtarlamal dntrcde, ana anahtar kaybnn %88 ve toplam devre kaybnn %83 civarnda dt ve bylece devre veriminin %91lik bir deerden %98 civarnda bir deere ykseldii tespit edilmitir.
10
ekil 5. Deneysel devrelerden elde edilen baz osilogramlar. Hepsinde 200 V/kare ve 2 s/kare geerlidir. (a) ve (b) 20 A/kare ve dierleri 10A/kare leklidir. a) HSde, T ana anahtarnn gerilim (st) ve akm (alt) deiimleri. b) HSde, D F ana diyodunun gerilim (st) ve akm (alt) deiimleri. c) SSde, T ana anahtarnn gerilim (st) ve akm (alt) deiimleri. d) SSde, D F ana diyodunun gerilim (st) ve akm (alt) deiimleri. e) SSde, D S1 diyodu (st) ve CS kondansatrnn(alt) gerilim deiimleri. f) SSde, CB kondansatr (st) ve D S3 diyodunun (alt) gerilim deiimleri.
11
100 98 96 94
Yumuak Anahtarlama
Verim (%)
92 90 88 86 84 82 80
Sert Anahtarlama
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
k Gc (%)
ekil 6. Sert ve sunulan yumuak anahtarlamal dntrclerde karlatrmal verim erileri.
6. SONU
Bu almada, aktif bastrma hcrelerinin oundan daha byk bir toplam devre verimi ve daha geni bir yk alma aral salayan, yeni bir pasif rezonansl bastrma hcresi dizayn sunulmutur. Olduka basit yapl ve kolay kontroll olan bu bastrma hcresi, zellikle yksek g ve frekansl endstriyel uygulamalarda IGBT-PWM DC-DC dntrcler iin uygundur. Sunulan bastrma hcresi ile donatlan IGBT-PWM dk kl bir dntrcnn etrafl bir analizi yaplmtr. Sunulan dntrcnn nerilen alma prensibi ve teorik analizi, 5 kW ve 50 kHzlik bir IGBTli prototip ile tam olarak dorulanmtr. Uygulama devresinde kullanlan btn yar iletken elemanlarn tam veya yaklak ZVS ve/veya ZCS altnda iletim ve kesime girdii ak bir ekilde grlmtr. Ayrca, %80lik bir k gc iin, sert anahtarlamal karl olan dntrcye gre sunulan yumuak anahtarlamal dntrcde, ana anahtar kaybnn %88 ve toplam devre kaybnn %83 civarnda azald ve bylece toplam verimin %91lik bir deerden %98 civarnda bir deere ykseldii grlmtr.
12
AKTF REZONANS BASTIRMALI PWM DC-DC DNTRC 1. GR

ekil 1de aktif rezonansl bastrma hcreli sfr gerilimde ve sfr akmda anahtarlamal (ZV-ZCS) PWM DC-DC yksek kl dntrcnn devre emas grlmektedir. Verilen devre, gelitirilen aktif bastrma hcresi sayesinde, pasif elemanlar iin yumuak anahtarlamay salad gibi, aktif anahtarlama elemanlar iin de akm ve gerilim streslerini arttrmadan sfr akmda iletime girme ve sfr gerilimde kesime girmeyi salamaktadr.
2. ALIMA PRENSB VE ANALZ 2.1. Tanm ve Kabuller

Devre zerinde kesikli izgi ile gsterilen aktif rezonansl bastrma hcresi, bir yardmc anahtar (Sa), bir bastrma endktans (Lr) ve bir bastrma kondansatr (Cr) ile iki yardmc diyottan (D1 ve D2) olumaktadr. Burada, bastrma endktans dorultucu diyot ile seri olarak yer almaktadr.
ILr Lr D
. . . . . .
Ii D1 + Cr D2 + Sa +
Vo
Vds -
ekil 1. Aktif rezonansl bastrma hcreli ZV-ZCS-PWM DC-DC yksek kl dntrcnn devre emas. ekil 1de verilen devrenin bir anahtarlama peryodundaki kararl durum analizini kolaylatrmak iin aadaki kabuller yaplmtr. a) Giri gerilimi Vi sabittir. b) k gerilimi Vo sabittir veya k kondansatr CF ok byktr. c) Giri akm Ii sabittir veya ana endktans LF ok byktr. d) Ana endktans LF bastrma endktans LSden ok byktr. e) Rezonans devreleri idealdir veya kaypszdr. f) Yar iletken elemanlar idealdir. g) Sadece ana anahtar Snin parazitik kondansatr dikkate alnr.
1
. .
2.2. alma Aralklar

Sunulan aktif rezonansl bastrma hcreli dntrcnn bir anahtarlama peryodundaki kararl durum almasnda yedi aralk oluur. Bu aralklarn edeer devre emalar ekil 2de ve bu aralklarla ilgili temel dalga ekilleri ekil 3te grlmektedir. Aada btn alma aralklarnn srasyla birer analizi sunulmutur. Aama 1 (t0-t1) : t0dan nce, S ve Sa kesimde ve D iletimdedir. Crnin gerilimi sfrdr ve ILr = Iidir. t0da Sa anahtarna kontrol sinyali uygulandnda, ezamanl ve lineer olarak, Sann akm artar ve Lrnin akm der. Sa sfr akm ile iletime girer. Lrnin akm sfra dtnde, D yumuak olarak kesime girer. Ayn anda, Sa zerinden geen akm Iiye ular ve bu aralk biter. Bu aralk iin aadaki eitlikler yazlabilir.
i Lr = Vo t Lr I L t1 = i r Vo
(1) (2)
Aama 2 (t1-t3) : ekil 1de gsterilmeyen S anahtarnn Cj jonksiyon kapasitr, Lr ve Sa zerinden dearj olur. Lr ile Cj arasndaki rezonansla t2de Vds gerilimi sfra der ve sonra Lrnin akm Snin ters paralel diyodu stlenir. t3 annda, Sann sinyali kesilir ve Sye kontrol sinyali uygulanr. Bylece, Sa sfr gerilim altnda kesime ve S sfr akm ile sfr gerilim altnda iletime girer. t2 rezonans sresi aadaki gibi bulunur.
t 2 =
Lr C j
(3)
Burada, Cjnin deeri 100pF mertebesinde olduundan bu zaman aral olduka kktr.
Aama 3 (t3-t4) : Sa kesime girdiinde, Cr bastrma kapasitr D1 ve S zerinden sabit Ii akm ile lineer olarak arj olur. Bylece, Sann sfra yakn bir gerilim ile kesime girmesi salanr. t4te, VCr geriliminin Voa erimesi ve D2 diyodunun iletime girmesi ile bu aralk biter. Aama 4 (t4-t5) : Bu aralkta, Iinin bir ksm Lr zerinden devresini tamamlar ve kalan ksm D1 ile D2 zerinden yke verilir. Lineer olarak Lr akm ykselir ve diyotlarn akm azalr. t5te, Lr akm Iiye eriir ve D1 ile D2den geen akm sfra der. Ayn anda, D1 ve D2 yumuak olarak kesime girer ve bu aralk biter. Aama 5 (t5-t6) : Bu aralk boyunca, S anahtar bilinen bir ykseltici dntrc olarak Iiyi iletir. Aama 6 (t6-t7) : t6da, Snin sinyali kesilir. Cr kondansatr D2 zerinden sabit Ii akm ile dearj olur ve Vds gerilimi lineer olarak ykselir. Bylece, S sfr gerilim ile kesime girer. t7de, Cr geriliminin sfr olmasyla, D sfr gerilim ile iletime girer ve bu aralk biter. Aama 7 (t7-t0) : Bu peryot sresince, Ii akm D zerinden ka aktarlr. alma ykseltici tr dntrc ile ayndr. t0da, Sann yeniden iletime girmesiyle, bu aralk ve bu peryot biter ve yeni bir anahtarlama peryodu balar.
2
.. . .. . . . . . . .. . ..
Lr ILr D
Ii
Ii
D1
Cr + S
D2
Sa
+ Vds
Asama 1
Ii
Lr
ILr
Ii
D1 Sa
+ Cr S
D2 +
.. . . . . . . . .. .
Vds
Asama 2
Ii
Lr
ILr
Ii
D1
Sa
+ Cr S
D2
+ Vds
Asama 3
.. . . . . . .. .
Ii
Lr
ILr
D1
D2
Sa
+ Cr S
+ Vds
Asama 7
ekil 2. Sunulan dntrcde alma aralklarnn edeer devre emalar.
Pratik bir dizaynda, uygulama kolayl asndan iki anahtarn kontrol iin aada verilen sabit gecikme metodu uygulanabilir. Ana anahtarn iletime girmesi, yardmc anahtarn iletime girmesine gre en az bir TONmin sresi kadar gecikmelidir. Yardmc anahtar, ana anahtarn iletime girmesi ile ayn anda kesime girmelidir. Ayrca, Sann yumuak bir ekilde iletime girmesini korumak iin, S iletime girdikten ksa bir sre sonra Sann kesime girmesi daha uygun olur. Sann yumuak bir ekilde kesime girmesini ve enerjinin geri kazanlmasn salamak iin, yardmc anahtarn kesime girmesi, ana anahtarn kesime girmesine gre minimum bir TOFFmin sresi kadar nce olmaldr.
3
.. . .. . .. . . . . . . . . . . . . . . . .. . ..
Lr ILr D D1 Sa + Cr S D2 + + Vds
Asama 4
Lr
ILr
D1
Sa
+ Cr S
D2
+ Vds
Asama 5
Lr
ILr
D1
Sa
+ Cr
D2
Vds
Asama 6
Vgsa Vgs
Isa
ID
Is
Vds
Vcr
ILr t0 t1t2t3t4 t5 t6 t7
ekil 3. Sunulan dntrcde alma aralklaryla ilgili temel dalga ekilleri.
Bu artlar altnda,
IL TD TON min = t1 + t 2 = i r + LrC j Vo 2 CV L TP TOFF min = r o + r i p ip Vo
(4) (5) (6)
ip = I +
2 i
Vo2
Lr Cj
bantlar elde edilir. Buradaki semboller aada aklanmtr.

TD : Snin iletime girmesinin Sann iletime girmesine gre geciktirilme sresi TP : Sann kesime girmesinin Snin kesime girmesine gre ne alnma sresi p : Lr endktansnn pik akm Cj : S anahtarnn ana ular arasndaki parazitik kapasitr
Yumuak anahtarlamay korumak zere, minimum i peryodu olarak (5) ifadesi aadaki gibi yazlabilir. CV L D min .Ts TOFF min = r o + r i p (7) ip Vo Pratik bir dizaynda, TONmin sresi normal olarak peryodun %10-15i kadar olmaldr. Bylece,
I i max L r %10 15.Ts Vo elde edilir. TON min =
(8)
(8) nolu denklemden Lr endktansnn deeri bulunabilir. Ana anahtarn kesime girmedeki kayplarn azaltmak iin, Cr yeterince byk belirlenebilir. Ayrca, Cr (7) eitliini de salamaldr. Lr endktansnn yardm ile ana diyodun ters toparlanma akm olduka minimize olur. Bu tr bir devre hafif ykte ve yksz almada snrlamalara sahiptir. nk, ana anahtarn i peryodu ykszken ve hafif ykte yardmc anahtarn i peryodundan daha ksa olabilir, yardmc anahtarn sabit i peryodu kontrol olmadan k kapasitesini arj eder. Byle durumlarda belirli akm ve gerilimdeki sfr karlamalar taramas yardmc anahtarn i peryodunu ayarlamak iin gereklidir. Burada sunulan aktif rezonansl bastrma hcresinin kullanlmas ile dntrc kk bir boyutta yaplabilmektedir. Bu yumuak anahtarlamal PWM dntrcde, soutucunun ana ykseltici devre iin 6.6Wlk ve yardmc devre iin 3Wlk olduu deneysel olarak tespit edilmitir. Buna karlk, dntrcnn sert anahtarlamal olarak gvenli bir ekilde alabilmesi iin 20Wlk bir soutucu gerekmektedir. Aktif rezonansl bastrma hcreli, sfr gerilim ve sfr akmda anahtarlamal bu PWM DC-DC dntrcnn zellikleri aadaki gibi sralanabilir.

Hafif ykten tam yke kadar, dntrcdeki btn anahtarlama elemanlar yumuak bir ekilde anahtarlanr. Daha dk anahtarlama kayplar sayesinde, soutucu byklnde nemli lde bir klme salanr. Yardmc devrede daha dk gerilim ve akm stresleri oluur. Bastrma devresi yapsnn esiz bir zellii, Lr ve Cr parametrelerinin dizaynn ayrmasdr. Bylece Lr ve Cr deerlerinin seilmesi daha kolay hale gelir. Bastrma devresi ok basittir ve kolayca dier PWM DC-DC dntrclere uygulanabilir.
Bu devrenin dezavantaj, ana g yolunda bir bastrma endktans, bir yardmc anahtar ve ortak bir srme devresi gerektirmesidir.
Yeni Sfr Akm Geili PWM Dntrcler

zet Sfr akm geili (ZCT) yeni bir PWM dntrc teklif edilmitir. Teklif edilen yeni dntrc ailesi, g transistrlerinin gerilim/akm streslerini arttrmadan sfr akmda kesime girmesini ve sabit bir frekansta almasn salar. Teklif edilen dntrclerin, g anahtar olarak IGBT, BJT ve MCT gibi elemanlarn kullanld yksek g uygulamalar iin ok uygun olduu dnlmektedir. Teorik analiz, 100 kHz ve 1 kWlk yksek kl bir IGBTli ZCT-PWM dntrc ile dorulanmtr. I. GR Son zamanlarda, klasik PWM ve rezonans tekniklerinin istenilen zelliklerini birletirmeyi amalayan yumuak anahtarlama teknikleri teklif edilmitir [1]-[5]. Bu teknikler arasnda sfr gerilim geili (ZVT) PWM teknii, akm ve gerilim streslerini arttrmadan btn anahtarlar iin sfr gerilimde anahtarlama (ZVS) gerekletirdiinden en ok istenilen tekniktir [4], [5]. Bu teknik, hem anahtarlama kayplarn hem de iletim kayplarn minimize eder ve zellikle g anahtarlar olarak g MOSFETlerinin kullanld yksek frekansl uygulamalarda ilgi ekicidir. Dk iletim kayplar ile anahtarlama karakteristikleri ve fiyatndaki srekli iyileme nedeniyle, IGBTler anahtarlamal g dntrclerde yaygn olarak kullanlmaktadr. IGBT aznlk tayc bir eleman olduundan, kesime girme esnasnda oluan kuyruk akm olduka yksek anahtarlama g kaybna neden olur. IGBTyi daha yksek frekanslarda altrabilmek iin, anahtarlama kayplarn azaltan ZVS veya ZCS teknii kullanlabilir. Temel olarak ZVS teknii, kapasitif iletime girme kayplarn yok eder ve iletimden kmada gerilim ykselme hzn azaltarak anahtarn akm ve gerilim akmasn yani kesime girme anahtarlama g kaybn azaltr. Bu teknik kuyruk akm dk olan hzl bir IGBTde kullanldnda etkilidir. Buna karlk, ZCS teknii, gerilim artmadan anahtar akmn zorla sfr yaparak, gerilim ve akm akmas ortadan kaldrlr. ZCS, zellikle yava elemanlarda IGBT anahtarlama kayplarnn azaltlmasnda, ZVSden daha etkilidir [6, [7]. Bugne kadar birok ZCS teknii yaynlanmtr [7]-[13]. Paralel rezonansl, seri rezonansl ve LCC tipindeki dntrcler gibi klasik rezonansl dntrcler, rezonans frekansnn altnda altrldnda, g transistrleri iin ZCS gerekletirebilir. Sabit frekansta alma ise, tam kpr devrelerinde faz kaydrma kontrolu kullanldnda gerekletirilebilir [10]. Bununla beraber bu tr devreler, genellikle yksek salnm enerjisi ile alr ve g elemanlar ile dier devre elemanlarnn PWM almaya gre yksek deerlerde seilmesine neden olur. ZCS rezonans ve PWM teknikleri arasnda bir uzlama salamak zere ksmi rezonansl (QRC) ZCS teknii teklif edilmitir [11]-[13]. ZCS-QRCnin g dntrme teknii PWM dntrclere benzer. Bu teknikte, anahtar akmn ekillendirmek iin bir rezonans devresi kullanlarak g transistr ZCS ile ve dorultucu diyot ise ZVS ile altrlr. ZRC-QRC klasik rezonans dntrclere gre daha az sirklasyon enerjisi ile alr. Bununla beraber, bu dntrclerin almas esnasnda g anahtarlarndan geen sinsoidal akmlar, g anahtar akmnn maksimum ve efektif deerleri ile dorultucu diyotlarn gerilim streslerini arttrr. Ayrca, hat gerilimi veya yk akmnn geni bir aralkta deimesi durumunda, ZCS QRClerin deiken bir anahtarlama frekans ile modle edilmesi devre tasarmn zorlatrr.
Bu makalede yeni bir ZCT PWM dntrc ailesi sunulmaktadr. Teklif edilen ZCT-PWM dntrcler, transistrlerin sfr akmda kesime girmesini anahtarlarn gerilim/akm streslerini nemli lde arttrmadan gerekletirir. Bu dntrcler, IGBT, BJT ve MCT gibi yar iletken elemanlarn kullanld yksek gl/gerilimli uygulamalar iin elverilidir. Takip eden blmde, yeni dntrcnn alma prensibini gstermek iin rnek olarak yksek kl bir ZCT-PWM dntrc kullanlmtr. II. ALIMA PRENSB Yksek kl ZCT-PWM dntrcnn devre emas ve temel dalga ekilleri ekil 1de gsterilmitir. Dntrc, yksek kl klasik PWM dntrcye bir rezonans kolu ilave edilerek gerekletirilir. Bu rezonans kolu, L r bobini, C r kondansatr, S1 yardmc anahtar ve D1 yardmc diyodundan oluur. Rezonans kolu, ana anahtarda ZCS oluturmak iin ok ksa olan anahtarlama gei sresi boyunca aktiftir. Analizde, L f bobini Ii akm kayna olarak kabul edilmitir. Kararl almada bir alma peryodu iinde be alma aral oluur (ekil 2). a) T0 T1 aral : T0 anndan nce, S ana anahtar iletimdedir ve C r kondansatr
peak Vcr negatif gerilimi ile doludur. T0 annda S1 yardmc anahtarnn iletime girmesiyle L r ile C r arasnda rezonans balar. Bu rezonans transistr akmn sinsoidal olarak azalmaya zorlar.
eyrek rezonans peryodu t d1 sonunda, C r gerilimi sfra der ve L r akm maksimum deeri I Lr max a ular.
t d1 = 1 Tr 4
peak VCr
(1)
I Lr max =
Zr
(2) ve rezonans tanknn empedans
Bu eitliklerde, rezonans peryodu Tr = 2 L r C r
Zr = L r / Cr olarak tanmlanr. Transistr iin sfr akmda kesime girmeyi salayabilmek
iin I peak deeri I i den byk olmaldr. Transistr akm sfra dtnde ona ters paralel Lr bal olan diyot akm geirmeye balar ve ana anahtar Snin srme sinyali t = t 0 + t d1 annda kesilir. b) T1 T2 : S kesime girdikten ksa bir sre sonra S1 de kesime sokulur. Kararl rejimde, T1 anndaki rezonans bobin akm daima I i ye eittir. Buradan iki srme sinyalinin kesime gitmeleri arasndaki t d 2 sresi kondansatr geriliminin tepe deerini belirler. Z r Ii peak VCr = (3) cos(2Td 2 / Tr )
peak VCr Vo
(4)
ekil 1. Yksek kl ZCT-PWM dntrcnn devre emas ve temel dalga ekilleri.
ekil 2. Edeer devreler a) T0 T1 , b) T1 T2 , c) T2 T3 , d) T3 T4 , d) T4 T0 .

3
peak Kararl rejimde, VCr deeri V0 gerilimini geemez. = 2(Td 2 / Tr ) olarak tanmlanrsa
(3) eitlii aadaki gibi olur.

peak VCr =
Z r Ii cos
(5)
(2)-(5) eitlikleri birletirilirse, I max = Lr Ii Ii cos (6)
elde edilir. (4) art saland srece, ZCS alma giri gerilimi ve yk akmndan bamszdr. Pratikte Td 2 , 0.07 Tr civarnda seilebilir. Bu durumda I peak deeri I i Lr akmndan % 10 fazla olur ve ZCS kesin olarak gerekleir. S1 anahtar T1 annda kesime sokulduunda, D ve D1 iletime balar. L r ile C r arasndaki rezonans, T2 annda I Lr akm sfr olana kadar devam eder. c) T2 T3 : T2 annda L r ile C r yar rezonans tamamlar ve D1 diyodu ters kutuplanr. Bu alma aral yksek kl PWM dntrcde transistrn kesim aralna edeerdir. d) T3 T4 : T3 annda S iletime girer ve ykseltici L f bobini giri gerilimi ile enerjilenir. Bu arada, S ve S1in ters paralel diyodu zerinden L r ve Cr bir yar rezonans oluturur ve C r nin polaritesi ters evrilir. e) T4 T0 : Devrenin bu aralktaki almas, yksek kl PWM dntrcde transistrn iletim aralna edeerdir. (e)den sonra (a)ya geri dnlr ve anahtarlama peryodu tekrarlanr. Kararl rejimde rezonans tanknda depo edilen enerji, btn anahtarlama aralnda sabittir. Devrenin her bir durumunda L r ile C r zerindeki toplam gerilim sfrdr veya geen akm sfrdr. Dolaysyla, rezonans elemanlar ve dier devre elemanlar arasnda enerji transferi olumaz. ekil 3 rezonans tanknn durum yrngesini gstermektedir. Rezonans tanknda depo edilen enerji, ebeke ve ykn durumuna gre kendiliinden ayarlanr ve aadaki gibi hesaplanr.
1 I E res = L r i 2 cos
2
(7)
Devredeki sirklasyon enerjisi, giri akm arttnda (giri gerilimi azaldnda veya yk akm arttnda) artar. Uygulamada, rezonans sresi anahtarlama peryoduna gre ok ksa olduundan, rezonans bobini ykseltici bobine gre kk seilir. Dolaysyla, ZCT-PWM dntrcnn sirklasyon enerjisi, klasik ZCS rezonans dntrcye gre olduka kktr. Bu konuda bir tasarm rnei Blm 4te verilmitir.
ekil 3. Rezonans tanknn durum yrngesi.
ekil 4. Denge noktas kaydnda oluan ek devre topolojisi a) I Lr > Ii ve b) T1 annda I Lr < Ii .
Kararl rejimde, T1 annda rezonans bobini akm yk veya ebekeden bamsz olarak daima I i ye eittir. Herhangi bir nedenle T1 annda I Lr akmnn I i den byk olmas durumunda, ekil 2de gsterilen (b) ve (c) kademeleri arasnda, ekil 4(a)da gsterilen devre topolojisi oluur. Bu alma durumu esnasnda, rezonans kolu enerjiyi yke aktarr. Dolaysyla rezonans kolunda depo edilen enerji artar. Bunun tersi olduunda yani I Lr akmnn I i den kk olmas durumunda, ekil 2de gsterilen (b) ve (c) kademeleri arasnda, ekil 4(b)de gsterilen devre topolojisi oluur. Bu aralkta ykseltici bobin rezonans koluna enerji aktarr. Dolaysyla rezonans kolunda depo edilen enerji, (7) eitlii ile verilen denge durumuna ulaana kadar artar. Kararl rejimdeki almadan, ZCT-PWM tekniinin g transistr ve diyotta ilave bir gerilim stresi oluturmadan g transistr iin sfr akmda kesime girmeyi salad grlmektedir. Ana anahtarn akmnda rezonans akm grlmekle birlikte, bu akmn ortalamas PWM alma ile ayn olduundan iletim kayplarn arttrmaz. Bir baka avantaj devredeki sirklasyon enerjisinin minimum olmasdr. ebeke ve yk deiimlerine bal olmakszn rezonans tanknda depo edilen enerjinin daima adaptif olarak ayarlanaca dolaysyla ZCS alma durumunu oluturmak iin gerekli olan deerinden biraz daha fazla olduu (7) eitliinden grlmektedir. Yksek gerilim uygulamalar iin (g faktr dzeltme (PFC) gibi), ykseltici diyotta ciddi bir ters toparlanma problemi oluur. Bu problemi zmek iin genellikle dorultucu diyot veya ana anahtara seri bir bobin (veya doyuma gidebilen bobin) kullanlr. Transistr kesime girerken, transistr iinden geen akmn di/dt deeri yksek olduundan, bobin ularnda gerilim darbesi oluur. Bu gerilim darbesini bastrmak iin ounlukla yksek kaypl bir bastrc kullanlr. Ayn ilave bobin bulunan ykseltici ZCT dntrcde, transistrn kesime girmesi esnasnda di/dtnin kontrollu olmas nedeniyle bu gerilim darbesi daha kktr. Dolaysyla bu salnm azaltmak iin daha kk bir bastrc kullanlabilir. ekil 5te her iki durum iin transistr gerilim deiimlerine ait simlasyon sonular verilmitir. ZCT teknii kullanlan izolasyonlu topolojilerde, kesime girme esnasnda transformatrn kaak endktans nedeniyle transistrde oluan gerilim darbesi de nemli lde azalr.
ekil 5. Yksek kl dntrcde dorultucu diyodun ters toparlanma sresini bastrmak iin bir bobin kullanldnda transistrn V/I deiimleri a)ZCT-PWM, b) PWM teknii.
III. ZCT TEKNNN DER TOPOLOJLERE GENLETLMES
Devrenin topolojik adan deerlendirilmesi asndan, her rezonansl dntrc (klasik rezonans, yar rezonans ve ok rezonansl dntrcler de dahil) PWM karlnn deiik bir eklidir. Belirli bir rezonans devresi kullanlarak, ZVS veya ZCS salamak iin bir rezonans oluturur. Deiik rezonansl dntrcler iin, kullanlan rezonans devresi farkldr. Rezonans topolojilerinde genel bir zellik, anahtarn gerilim/akmn ekillendirmek iin, g anahtar veya dorultucu diyoda seri bir rezonans bobini (bazen rezonans bobini ile rezonans kapasitesi birlikte) kullanmasdr. Yumuak anahtarlama, rezonans bobini ve genellikle yar iletken elemanlara paralel olan belirli rezonans kapasiteleri arasndaki rezonans kullanlarak gerekletirilir. Rezonans elemanlar ana akm yoluna yerletirildiinden, rezonansl dntrclerde kendilerine mahsus problemler oluur. ncelikle, rezonans bobini iki ynl gerilime maruz kalr ve kanlmaz olarak yar iletken elemanlar zerinde ilave gerilim stresi oluturur. kinci olarak, gcn tamam rezonans bobininden getii iin daima nemli miktarda sirklasyon enerjisi oluur ve iletim kayplar artar. Ayrca, rezonans bobininde depo edilen enerji, ebeke gerilimi ve yk akmna nemli lde baldr. Dolaysyla, yumuak anahtarlama durumu, ebeke gerilimi ve yk akm deiimlerine duyarldr. Birok rezonans dntrcnn geni bir yk ve ebeke aralnda yumuak anahtarlamay salayamamas bu nedenledir. Yukarda anlatlan kstlamalar gidermek iin rezonans elemanlarnn ana akm yolundan kaldrlmas gereklidir. Seri rezonans eleman kullanmak yerine, g elemanna paralel bir rezonans devresi kullanlr. Anahtarlama geiinde paralel bal olan rezonans devresi, ZVS veya ZCSyi gerekletirmek zere g eleman zerinde ksmi bir rezonans oluturmak iin aktif yaplr. Anahtarlama geii tamamlandnda, devre bilinen PWM almaya geri dner. Bylece, ZCT dntrc PWM dntrcnn avantajlarn muhafaza ederek yumuak anahtarlamay gerekletirir. Yukarda nerilen rezonans devresini paralel olarak kullanma kavram ZVT-PWM dntrclere uyarlanmtr [4]. ZCTye uygulanmas ise aka yukarda gsterilmitir. ZVT veya ZCT bir ok ekilde gerekletirilebilir. Tasarmda, sirklasyon enerjisi ve devre karmakln minimize etmek ve yardmc anahtar iin de yumuak anahtarlama gerekletirmek hedeflenir. ZCT kavram herhangi bir anahtarlamal dntrcye veya inverterlere geniletilebilir. ekil 6 alt temel ZCT-PWM topolojisini gstermektedir. ekil 7 fazl tek anahtarl yksek kl ZCT-PWM dntrcy gstermektedir. Bu devreyi kesintili iletim modunda altrarak, sabit frekans ve sabit bal iletim sresi kontrolu basit bir ekilde yaplabilir ve olduka iyi g faktr elde edilir. Paralel rezonansl devre kullanlmas, ok yksek anahtarlama frekanslarnda almaya imkan verir. ZCT-PWM dntrclerin zellikleri aadaki gibi zetlenebilir. G anahtar sfr akmda kesime girer. G anahtar ve dorultucu diyot zerindeki gerilim stresleri dktr. Sirklasyon enerjisi minimumdur. Geni yk ve ebeke aralnda allabilir. Sabit frekansta alabilir.
ekil 6. Alt temel ZCT-PWM topolojisi. a) Drc, b) Ykseltici, c) Drc-ykseltici, d) Cuk, e) Sepic, f) Zeta.
ekil 7. fazl temel ykseltici ZCT-PWM dntrc.
IV. DENEYSEL DORULAMA
100 kHz 1 kWlk ZCT-PWM yksek kl dntrc, yeni dntrclerin almasn gstermek amacyla gerekletirilmitir. Devre 400 V k ve 200-300 V giri gerilimi iin dzenlenmitir. Devre emas ekil 8de gsterilmitir. Ana g anahtar olarak hzl IGBT serisinden IRGPF40 (VCE=600 V, Ic=40 A, tr=37 ns, tf = 430 ns ve nominal alma frekans 8 kHz) kullanlmtr. lave eleman olarak, sadece kk bir rezonans gei enerjisini stlendiinden, kk bir MOSFET olan IRF830 kullanlmtr. S1e seri olan diyot yava olan temel g diyodunu bloke etmek iin kullanlmtr. Lr ve Cr srasyla 10 H ve 8.2 nF seilmitir. Bu tasarm ile devrenin maksimum sirklasyon enerjisi tam ykte ve minimum ebeke geriliminde oluur. Yaklak olarak 18 W olan bu enerji k gcnn %2sinden daha kktr. ZCSnin geni bir aralkta ebeke ve yk gerilimi deiimlerinden etkilenmedii gsterilmitir. ekil 9(a)da 750 W k gc ve 250 V giri gerilimi ile alan yksek kl ZCT-PWMe ait deiimler gsterilmitir. Ayn artlarda alan PWM devresi ile karlatrldnda, IGBTnin kesimde oluan kuyruk akm azalmtr. ekil 10, ZCT ve PWM yksek kl dntrclerdeki verimi gstermektedir. ZCT tekniinin verimi nemli lde iyiletirdii grlmektedir. IGBT elemannn kesime girmedeki yksek kayplarndan dolay, sert anahtarlamal devre 800 W k gcnn zerinde alamaz. Tablo Ide 250 V giri gerilimi ve 700 W k gcndeki her iki yksek kl dntrc iin kayplar gsterilmitir. PWM dntrc iin temel g kayb, IGBTnin kesime girmedeki kaybndan (yaklak 37 W) kaynaklanr. IGBT anahtarlama kayplarnn tahmin edilmesi, gerek anahtar gerilim/akm deiimlerine dayanarak ve IGBT kataloundaki [14] bilgiler kullanlarak yaplmtr. ZCT devresinde, paralel bal rezonans devresinin ek g kayplar 1.8 Wtr yani k gcnn % 0.3dr.
ekil 8. 100 kHz ve 1 kWlk yksek kl ZCT-PWM dntrcnn g devresi.
Tablo 1. Po=700 W ve Vi=250 V iin, PWM ve ZCT PWM dntrclerdeki kayplar.
ekil 10. PWM ve ZCT-PWM dntrclerin karlatrmal verim erileri.
V. SONU
Dk iletim kayplar ile anahtarlama karakteristikleri ve fiyatndaki srekli iyileme nedeniyle, IGBTler g devrelerinde zellikle yksek g uygulamalarnda geni kabul grmektedir. Pratikte, yksek anahtarlama kayplar (zellikle iletimden karken oluan kuyruk akm) nedeniyle sert anahtarlamal IGBTlerde frekans birka 10 kHz mertebesindedir. Bu dntrcler ZCS ile performans (verim, boyut, arlk ve EMI grlts, vb.) asndan nemli lde iyiletirilebilir. Bugne kadar anlatlan ZCS tekniklerinde, yksek sirklasyon enerjisi, deiken frekans kontrolu ve yk kademesindeki snrlamalar ile karmak tasarm gibi ciddi kstlamalar mevcuttur. Paralel rezonans devresi kavramna dayanarak, bu makale yeni bir ZCT teknii ve yeni bir ZCT-PWM ailesi sunmaktadr. Teklif edilen dntrcler, klasik PWM dntrclerin yar iletken elemanlardaki dk gerilim stresi ve sabit frekansta alma gibi avantajlarna sahip olmakla birlikte, g elemannn sfr akmda kesime girmesini salamaktadr. Paralel rezonans devresi sadece anahtarlama geiinde altndan, anahtarlama peryodunun byk bir ksmnda dntrc bir PWM devresi gibi alr. Sonu olarak, g elemanlarnn ve kontrolun tasarm PWM dntrcdeki tasarm ile ayndr. Bundan baka, ZCT almas ebeke ve yk artlarndan bamsz olup sirklasyon enerjisi daima minimumdur. Bu zellikler, ZCT-PWM tekniini IGBT ve MCT gibi elemanlarn kullanld yksek gl uygulamalarda ilgi ekici hale getirmektedir.
10
Yeni Sfr Gerilim Geili PWM Dntrcler

zet : Birka izoleli tr dnda PWM dntrclere imdiye kadar uygulanan yumuak anahtarlama teknikleri, g anahtarnda yksek gerilim ve/veya yksek akm stresi oluturmaktadr. Bu almada, transistr ve dorultucu diyodun her ikisinin de sfr gerilimde anahtarland ve minimum gerilim ve akm streslerine maruz kald yeni bir tr sfr gerilim geili PWM dntrc sunulmaktadr. Teklif edilen yeni dntrc ailesinin zellikleri deneysel olarak dorulanmtr. I. GR Hacim ve arln azaltlmas amacyla klasik PWM dntrclerin yksek frekansta altrlabilmesi iin anahtarlama kayplarnn nemli lde drlmesi gerekir. Son yllarda, bir ok sayda yumuak anahtarlama teknii teklif edilmitir. Maalesef, bu yeni devrelerde anahtarlama kayplarnn azaltlmas, anahtarlarn yksek gerilim ve/veya akm stresine maruz kalmas ve iletim kayplarnn nemli lde artmas karlnda salanabilmektedir. Ksmi rezonansl ZVS dntrcde (ZVS-QRC) aktif anahtar olduka dk akm stresine maruz kalr [1], [2]. Tek tarafl (single-ended) ZVS-QRC topolojilerinde aktif anahtar, yk ile orantl olarak artan ar gerilim stresine maruz kalr [2],[3]. Aktif anahtar ZVS ile ve dorultucu diyot ZCS ile alr. Dorultucu diyodu parazitik jonksiyon kapasitesi byk deerli rezonans bobini ile etkileerek, nemli anahtarlama grlts ortaya kar [4]. ZVSli okrezonansl dntrc (MRC) tekniinde, g katndaki btn temel parazitik konsansatrler kullanlr [3], [5], [6]. ZVS-MRCde btn anahtarlama elemanlar sfr gerilimde anahtarlama ile alr, dolaysyla anahtarlama kayplar ve anahtarlama grlts azalr. Bununla birlikte, ZVS-MRCdeki aktif ve pasif anahtarlar PWM edeerindeki elemanlara gre daha fazla gerilim ve akm stresine maruz kalr. Anahtarlama kayplar yok edilmekle birlikte iletim kayplar nemli lde artar. Ayrca, bobinlerin (g transformatr ve filtreler) yksek frekansta almalar nedeniyle kk boyutta olmalar avantaj, burada g transformatrne yakn boyutta bir rezonans bobini kullanlmas ile azalmtr. Bu rezonans bobini ayn zamanda ek bakr kayplar ve nve kayplar ortaya karr. ZVS ksmi kare dalga (QSC) dntrc teknii, aktif ve pasif anahtarlar iin gerilim streslerini arttrmadan sfr gerilimde anahtarlama teklif eder [7], [8]. Bu teknik, MOSFETlerin kullanld yksek frekans dnm iin ok uygundur. MOSFETler sfr gerilimde anahtarlama asndan elverilidir ve iletim karakteristikleri byk lde gerilime baldr. Bununla beraber, ZVS-QSC tekniinde g anahtar PWMe gre iki kat akm stresine maruz kalr ve iletim kayplar artar. Ayrca, ana anahtardan kesim esnasnda geen yksek akm kesime girme kayplarn arttrr. IGBT ve BJT gibi aznlk akm taycl g elemanlar kullanldnda buna dikkat edilmelidir. Bu makalede sfr gerilim geili (ZVT) PWM dntrclerin yeni bir snf sunulmaktadr. Anahtarlara paralel olarak bir rezonans devresi kullanldnda, teklif edilen dntrcler aktif ve pasif anahtarlar iin akm ve gerilim streslerini arttrmadan sfr gerilimde anahtarlama salar [9]. Bu almada, yeni dntrclerin almasn incelemek zere rnek olarak yksek kl ZVT-PWM dntrc kullanlmtr.
1
II. YKSEK IKILI ZVT-PWM DNTRC Yksek kl ZVT-PWM dntrcnn devre emas ve temel dalga ekilleri ekil 1de verilmitir. Bu devrenin normal yksek kl PWM dntrcden fark ek bir rezonans devresi iermesidir. Bu rezonans devresi bir rezonans bobini ( L r ), bir ek anahtar (S1) ve bir ek diyot (D1) iermektedir. C r rezonans kapasitesi, g anahtarnn k kapasitesidir. Analizi basitletirmek iin, giri filtre bobinin ideal bir I i dc akm kayna olarak kabul edilebilecek kadar byk olduu varsaylmtr. ktaki filtre kondansatrnn sabit bir Vo gerilim kayna olarak kabul edilebilecek kadar byk olduu kabul edilmitir. ekil 2de gsterildii gibi bir anahtarlama peryodunda 7 alma kademesi oluur. 1) T0 T1 : T0 dan nce ana anahtar (S) ve yardmc anahtar (S1) kesimdedir ve dorultucu diyotu (D) iletimdedir. T0 annda S1 iletime girer. L r akm lineer olarak ykselerek T1 annda I i deerine ular ve D yumuak anahtarlama ile kesime girer. Kesim esnasndaki kontrollu dv/dt ve di/dtden dolay, hzl bir diyot kullanldnda D diyodunun ters toparlanma akm ihmal edilebilir. t 01 sresi aadaki gibi verilebilir.
t 01 =
Ii V0 / L r
(1)
2) T1 T2 : L r ve C r arasnda oluan rezonans nedeniyle L r akm artmaya devam eder. C r kondansatrnn gerilimi rezonans ile azalarak T2 annda sfr olur ve Snin ters paralel diyodu iletime girer. Bu rezonans sresi t12 aadaki gibi hesaplanr.
t 12 =
LrCr 2
(2)
3) T2 T3 : Sye ters paralel bal olan diyot iletimdedir. ZVSnin gerekleilmesi iin Snin iletim sinyali diyot iletimde iken verilmelidir. Ayrca, S1 ve Snin kap sinyalleri arasndaki TD gecikme sresi aadaki art salamaldr.
TD t 01 + t12 = Ii LrCr + V0 / L r 2
(3)
4) T3 T4 : T3 annda S1 kesime girer ve D1in iletime girmesiyle S1in gerilimi Vo deerinde snrlanr. Bu esnada S iletime girer. Rezonans bobininde depo edilen enerji bu aralkta yke aktarlr. L r akm lineer olarak azalarak T4 annda sfr olur. 5) T4 T5 : D1 diyodu T4 annda kesime girer. Bu aralkta devrenin almas yksek kl PWM dntrc ile ayndr. 6) T5 T6 : T5 annda S kesime girer. Bu aralkta C r lineer olarak I i akm ile Vi gerilimine kadar arj olur.
7) T6 T0 : Bu aralk yksek kl PWM dntrcdeki enerjinin serbest dolam araldr. T0 annda S1 iletime girerek anahtarlama peryodu tekrar balar.
ekil 1. Yksek kl ZVT-PWM dntrcnn devre emas ve temel dalga ekilleri . [16]da tantlan yksek kl devre yukarda anlatlan devre ile ayn zelliklere sahiptir. Bununla beraber rezonans kolunun oluturulmas iin daha fazla eleman gereklidir. Ayrca, [15]te verilen ZVT-PWM dntrc ailesinin sadece birine aittir. Yukardaki aklamalara gre sunulan yksek kl ZVT-PWM dntrc aadaki gibi zetlenebilir.
3
A. Transistr ve Diyot iin Yumuak Anahtarlama
Bu yeni dntrcde dorultucu diyodun komtasyonu, g anahtarnda olduu gibi yumuak anahtarlama altnda gerekleir. ZVT-PWM tekniinin bu zellii, bilhassa dorultucu diyodunun nemli ters toparlanma problemleri ile kar karya kald yksek gerilim uygulamalar iin ilgi ekicidir. Mesela yksek kl bir PFC devresinde, g anahtar ve dorultucu diyot yksek gerilime maruz kalr. PWM, ZVS-QRC veya ZVS-PWM teknii kullanldnda, dorultucu diyodun ters toparlanmas nedeniyle, yksek anahtarlama kayb, yksek EMI grlts ve elemann bozulmas ile ska karlalr. Dolaysyla byle bir devrede hem transistr hem de dorultucu diyot iin yumuak anahtarlamann gereklemesi istenir.
B. Minimum Anahtar Gerilimi ve Akm Stresi
ekil 1den grld gibi yeni dntrcdeki elemanlarda, yumuak anahtarlamann gerekletii iletime girme ve iletimden kma aralklar dndaki gerilim ve akm deiimleri kare dalga eklindedir. Hem g anahtar hem de dorultucu diyot minimum gerilim ve akm stresine maruz kalr. Ayrca ZVT zaman aralklar olan T0 T3 ve T5 T6 aralklar anahtarlama peryoduna gre ok kktr. Dolaysyla ZVTnin gerekletirilmesi iin kullanlan sirklasyon enerjisi minimumdur. Rezonans gei enerjisinin ok kk bir ksmn kontrol etmesinden dolay yardmc anahtar ana anahtara gre ok kktr. Yumuak anahtarlama anahtar gerilim ve akmn arttrmadan gerekletii iin, iletim kayplarndaki art minimaldir.
C. Yumuak Anahtarlamann Geni bir Yk ve Hat Aralnda Salanmas
ZVS-QRC ve ZVS-PWM tekniklerinin dezavantajlarndan biri yk akm ve giri gerilimine nemli lde bal olmalardr. Dk ykte, aktif eleman iletime girmeden nce rezonans bobininde depo edilen enerji rezonans kapasitesini tamamen dearj etmeye yetmedii iin, sfr gerilimde anahtarlamann gerekletirilmesi zordur [10]. Yksek giri geriliminde, rezonans kapasitesinin dearj iin daha fazla enerji gerektiinden, sfr gerilimde anahtarlama kolaylkla kaybolabilir [10]. ZVT-PWM dntrcde bu durum tam tersinedir. Yksek kl ZVT-PWM dntrcde, yk akm azaldnda veya ebeke gerilimi arttnda I i azalr. I i azaldnda T01 in azald ve T12 nin deimedii (3) eitsizliinden grlmektedir. Dolaysyla, tam ykte ve dk ebeke geriliminde (3) eitsizlii saland srece, yumuak anahtarlama kesin olarak salanr. Bu zellik birok uygulama iin son derece nemlidir. G eleman ve yumuak anahtarlamal dntrc teknolojilerinin gelimesiyle, IGBT elemanlar yksek g, dk iletim kayb ve dk fiyatndan dolay g devrelerinde yaygn olarak kullanlmaktadr. IGBTnin kesime girmedeki kayplarn azaltmak ve yumuak anahtarlama ilemi iin, IGBT ularna olduka byk bir kapasite balanr. ounlukla, bu kapasite elemandan ar akm gemesine ve ZVS kaybolduunda kapasitif iletime girme kaybna neden olur. Dk ykte ZVSnin kaybolmas elemanda bir snmaya yol amaz, fakat anahtarlama esnasnda oluan EMI grlts nlenemeyebilir.
ekil 2. Yksek kl ZVT-PWM dntrcde alma kademelerine ait edeer devreler. a) T0 T1 , b) T1 T2 , c) T2 T3 , d) T3 T4 , e) T4 T5 , f) T5 T6 ve g) T6 T0 .

D. Sabit Frekansta alma
Sabit frekansta alan devrede, tasarmn optimize edilmesi kolaylkla salanabilir. Ayrca, teklif edilen dntrcnn almas ok ksa olan ZVT srelerinin dnda PWMye benzediinden, bu yeni dntrcde akm kontrolu uygulanabilir.
III. YEN ZVT-PWM DNTRC ALES
Yksek kl ZVT-PWM dntrcde anlatlan ZVT kavram, herhangi bir anahtarlamal dntrcye uygulanabilir. ekil 3te alt temel ZVT-PWM devresi grlmektedir. Zeta ZVT-PWM dntrcde, rezonans bobini olarak kullanlan kuplajl bobin, rezonans gei enerjisini giri kaynana aktarr. D1 ve L r yi k filtre kapasitesine yerletirerek, bu enerjiyi yke aktarmak da mmkndr. Bu durum, D1 kta darbeli bir akm oluturaca iin her zaman istenmez. Yeni dntrclerin almas yksek kl ZVT-PWM dntrcye benzer. ekil 4te izolasyonlu ZVT-PWM devreleri verilmitir. zolasyonlu ZVT-PWM dntrclerin kstlamas, ZVS-QSC tekniinde olduu gibi, g transformatrnn kaak endktansnn kullanlamamasdr. Dolaysyla transformatr minimum kaak ile tasarlanmaldr. Transformatrn kaak endktans ve AC sarg direnci interleaving teknii ile azaltlabilir, fakat bu durumda sarg kapasitesi artar. Normal PWM teknii kullanldnda, sarg kapasitelerinde depo edilen enerji anahtarlarda harcanr, dolaysyla kapasitif iletime girme kayb artar. ZVT-PWM dntrc kullanldnda, bu sarg kapasiteleri C r kapasitesinin bir paras olur ve ek anahtarlama kayb olumaz.
ekil 3. Alt temel ZVT-PWM dntrc. a) Drc, b) Ykseltici, c) DrcYkseltici, d) Cuk, e) Sepic, f) Zeta.
ekil 4. zolasyonlu ZVT-PWM topolojileri. a) Forward, b) Flyback, c) Cuk, d) Sepic. ekil 5te tam kpr (FB) ZVT-PWM dntrc ve yar iletken anahtarn kap sinyalleri verilmitir. Her iki yarm kprnn almas tamamen simetriktir. Diyagonal olan ana anahtarlar iletimde iken, nce alt anahtarlar (S2 veya S3) kesime girer. Dolaysyla ayn kolun
6
st anahtarnn sfr gerilimde anahtarlanmas, k filtre bobin akmnn yansmas ile rezonans kondansatr dearj edilerek salanr. Alt koldaki totem pole anahtarn sfr gerilimde anahtarlanmas, iletime girmeden nce rezonans kapasitesinde depo edilen enerjinin ek bir rezonans devresi ile giriteki kaynaa aktarlmas ile salanr. Sekonderdeki parazitik salnmlar azaltmak iin transformatrn kaak endktansnn azaltlmas istenir. Transformatrn kaak endktans yeteri kadar kkse, dorultucu diyotlarn jonksiyon kapasitesi primere yansyabilir ve rezonans kapasitesinin bir paras olur. FB-ZVS-PWM dntrc ile karlatrldnda [11]-[13], yeni dntrcnn birok avantaj mevcuttur. 1) 2) 3) 4) Ana g yolunda rezonans bobini kullanlmadndan ok az sirklasyon enerjisi oluur. Sekonderde ciddi bir parazitik salnm olumaz. Dorultucu diyodun yumuak anahtarlamas salanr. Yumuak anahtarlama btn yk ve ebeke kademelerinde salanr.
Bu zellikler bilhassa IGBT ve BJTlerin kullanld yksek g uygulamalarnda teklif edilen devreyi ilgi ekici yapar. Dier bir ilgin topoloji, akm beslemeli (yksek kl) FB-ZVT-PWM dntrcdr. Devre emas ve dalga ekilleri ekil 6da verilmitir. Bu dntrcnn alma prensibi ZVT-PWM dntrcye ok benzerdir. Ek bir devre kullanlarak tm g anahtarlar ve dorultucu diyotlar sfr gerilimde anahtarlanr. Akm beslemeli olduu iin bu dntrc PFC uygulamalar iin uygundur. Benzer ekilde, bu kavram iki anahtarl izolasyonlu yksek kl dntrcye (Clarke) uygulanabilir [14]. Teklif edilen ZVT teknii herhangi bir dc-dc, dc-ac, veya ac-ac g dnmnde uygulanabilir.
ekil 5.Tam kpr ZVT-PWM dntrc.
ekil 6.Akm beslemeli FB-ZVT-PWM dn.
IV. DENEYSEL DORULAMA
Deneysel olarak gerekletirilen 300 kHz ve 600 Wlk yksek kl ZVT-PWM dc-dc dntrc, 150-200 V giri ile beslenerek, 300 V kta regle edilmitir. Deneysel g devresi emas ekil 7de verilmitir. L s bobini doyuma gidebilen bir bobin olup, L r ve S1in k kapasitesi arasndaki salnm yok etmek iin kullanlmtr. 5 sarm ile Toshiba Spike Killer nvesi SA10 x 6 x 4.5 zerinde gerekletirilmitir. Ters toparlanma sresi hzl olan D2 diyodu, S1 diyodunun iletimde kalmasn nlemek iin kullanlmtr. D2 diyodu yoksa, S1in diyodu L r ve S1in k kapasitesi arasndaki rezonans nedeniyle ekil 1de gsterilen T4 anndan sonra bir miktar akm geirir. Sonu olarak S iletimden ktnda ters toparlanma problemi ile karlr. Ek anahtar olarak kullanlan eleman (IRF730, 400 V, 5.5 A) ana anahtardan (IRFP350, 400 V, 16 A) ok daha kktr. ekil 8de tam ykte ve 165 V giri geriliminde alan deney devresinden alnan deiimler verilmitir. Btn dalga ekillerinin dzgn ve teorik analiz ile uyumlu olduu grlmektedir. MOSFET ve dorultucu diyot, tm yk ve ebeke kademelerinde sfr gerilimde anahtarlanmaktadr. Deneysel devre tam ykte ve maksimum giri geriliminde % 97lik bir verim salamtr. Ayn giri ve k artlarnda alan PWM versiyonu ile karlatrldnda devre verimi % 2-3 artmtr. Bunun dnda ZVT-PWM dntrc ok daha az grltldr.
ekil 7. 300 kHz ve 600 Wlk deneysel yksek kl ZVT-PWM dc-dc dntrc.
ekil 8. Deney devresinden tam yk ve 175 V giri geriliminde alnan deiimler. 1. Vds (200 V/div), 2. Vgs (20 V/div), 3. Vgs1 (20 V/div), 4. VD (200 V/div), 5. I L , (5A/div).
8
ekil 9da 100 kHz ve 600 Wlk yksek kl ZVT-PWM PFC devresi gsterilmitir. Devrenin maliyetini azaltmak iin g eleman olarak T0-220 klfndaki IRGBC30U kullanlmtr. IGBTnin kesime girmedeki kayplarn ve EMI grltsn azaltmak amacyla, 4.4 nFlk bir rezonans kondansatr ( C e ) yumuak anahtarlama iin r kullanlmtr. Ek anahtarn ok dk rms akm olmakla birlikte, kesimde yksek akma maruz kaldndan MOSFET ile gerekletirilmesi gerekir. Deney devresi 90-260 VAC giri geriliminde 380 V k retecek ekilde almaktadr. PFC devresinin detayl tasarm [15]te tartlmtr. ZVT-PFCnin klasik PWM devresine gre performansn karlatrmak zere rezonans kolu kaldrlmtr. Scaklk kararll salamak zere, ZVT devresinde IGBT iin kullanlan 20 Wlk soutucu, 40 W ile deitirilmitir. ZVT tekniinin devre verimini nemli lde iyiletirdii grlmektedir. Yumuak alma nedeniyle, ZVT devresi anahtarlama grltsn azaltr. Yksek kl ZVT-PWM dntrcnn performansn pasif bastrma kullanan bir yksek kl PWM dntrc ile karlatrmak ilgintir. [15]te ZVT tekniinin verimi iyiletirmede ve anahtarlama grltsn azaltmada ok daha etkili olduu sonucuna varlmtr. Yksek kl ZVT-PWM dntrcde sadece ek anahtar iin ek cret denir. PFC devresinin verimi ebeke gerilimine nemli bir ekilde baldr. ekil 9da gsterilen 180-260 VAC giri gerilimi ile alan (Avrupada ebeke aral) 100 kHz ve 1 kWlk ZVT PFC devresi gsterilmitir. Devrenin toplam verimi % 97-98dir.
ekil 9. ZVT-PWM dntrc ve 100 kHz ve 600 Wlk IGBTli PFC devresi.
ekil 10. 100 kHzlik IGBTli yksek kl ZVT-PWM ve klasik PWM dntrclerde, karlatrmal verim erileri.
9
V. SONULAR
Bugne kadar PWM dntrclerde uygulanan yumuak anahtarlama tekniklerinde, birka izolasyonlu tr dnda, yksek akm ve/veya gerilim stresleri szkonusudur. Bu makalede, yeni bir yksek kl ZVT-PWM dntrc teknolojisi sunulmutur. Bu teknoloji, PWM ve yumuak anahtarlamal rezonans tekniklerinin avantajlarn birletirmektedir. Teklif edilen yumuak anahtarlamal dntrcnn avantajlar aada zetlenmitir. 1) 2) 3) 4) Aktif ve pasif anahtarlar sfr gerilimde anahtarlama ile alr. Her iki anahtar da PWMye gre minimum gerilim ve akm stresine maruz kalr. Yumuak anahtarlama btn yk ve hat kademelerinde salanr. Anahtarlama frekans sabittir.
Kk bir ek anahtar, ek bobin ve kk bir diyot iin bir ek cret denir. Ek rezonans devresi toplam k gcnn kk bir yzdesini (%10) stlenir. Teklif edilen devrenin almas yksek kl ZVT-PWM dntrc kullanlarak analiz edilmitir. Deneysel olarak gerekletirilen 300 kHz ve 600 Wlk IGBTli yksek kl ZVT-PWM dntrc, teklif edilen dntrclerin almasn gstermek iin kullanlmtr. Yeni devrenin dntrme performansn (verim, anahtarlama grlts ve devrenin gerekletirilme zorluu) arttrd gsterilmitir.
10
Yeni bir ZVT-PWM DC-DC Dntrc

Hac Bodur, IEEE yesi, A.Faruk Bakan
zet : Bu makalede, yeni bir Sfr Gerilim Geili Darbe Genilik Modlasyonlu (ZVTPWM) dntrc ailesi ortaya koymak zere, normal ZVT-PWM dntrcdeki problemlerin ounu zen yeni bir aktif bastrma hcresi sunulmutur. Sunulan bastrma hcresi ile oluturulan bir dntrc, hafif yk artlarnda da alabilir. Bu dntrcdeki btn yar iletken elemanlar, tam veya yaklak olarak sfr gerilimde anahtarlama (ZVS) ve/veya sfr akmda anahtarlama (ZCS) altnda iletim ve kesime girer. Ana anahtar ve ana diyot zerinde hi bir ilave gerilim ve akm stresi olumaz. Ayrca, yardmc anahtar ve yardmc diyotlar makul seviyelerde gerilim ve akm streslerine maruz kalr. lave olarak, dntrc, basit yapl, dk fiyatl ve kolay kontrolldr. Sunulan bastrma hcresi ile donatlan bir ZVT-PWM ykseltici dntrc, etrafl olarak analiz edilmitir. Sunulan dntrcnn ngrlen alma prensibi ve teorik analizi, 2 kW ve 50 kHzlik izole kapl bipolar transistrl (IGBT) bir ykseltici dntrc prototipi ile dorulanmtr. Bu almada, nerilen aktif bastrma hcresinin bir dizayn ilemi de sunulmutur. Ayrca, tam k gc iin, sunulan yumuak anahtarlamal dntrcde ana anahtar kayb ve toplam devre kayb, sert anahtarlamal karlnn srasyla yaklak olarak %27si ve %36sdr. Bylece, sert anahtarlama durumunda %91 olan toplam verim %97ye ykselir. Anahtar Terimler : Aktif bastrma hcreleri, yumuak anahtarlama, sfr akmda anahtarlama, sfr akmda gei, sfr gerilimde anahtarlama, sfr gerilimde gei. I. GR Yksek g younluu, hzl gei cevab ve kontrol kolayl nedeniyle, darbe genilik modlasyonlu (PWM) DC-DC dntrcler, endstride yaygn olarak kullanlmaktadr. Daha yksek g younluu ve daha hzl gei cevab, anahtarlama frekans artrlarak elde edilebilir. Ancak, anahtarlama frekans arttka, anahtarlama kayplar ve elektromanyetik giriim (EMI) grlts de artar. Bu nedenle, bastrma hcreleri denilen devreler vastasyla anahtarlama kayplar azaltlarak, anahtarlama frekans ykseltilebilir [1]-[12]. RC/RCD, kutuplu/kutupsuz, rezonansl/rezonanssz ve aktif/pasif hcreler gibi, literatrde sunulan ok sayda bastrma hcresi vardr [1]. Komtasyonlarn sfr gerilimde anahtarlama (ZVS) veya sfr akmda anahtarlama (ZCS) ile gerekletirilmesi sayesinde, rezonansl dntrclerde anahtarlama kayplar nemli lde azalr. Fakat, bu tr dntrclerde, ar gerilim ve akm stresleri oluur, normal PWM dntrclere gre g younluu daha dk ve kontrol daha zordur [3], [4], [6][8]. Son yllarda, rezonansl ve normal PWM tekniklerinin istenen zelliklerini birletirmek iin, normal PWM dntrclere rezonansl aktif bastrclar eklenerek, ok sayda sfr gerilim geili (ZVT) ve sfr akm geili (ZCT) PWM dntrc sunulmutur [3]-[5], [7]. Bu dntrclerde, ama ve kapama ilemleri, bir rezonans tarafndan salanan ok ksa bir ZVT veya ZCT sresinde ZVS ve/veya ZCS altnda gerekleir. Bylece, rezonanslar ok ksa zaman aralklarnda olutuu iin, dntrc zamann ounda normal bir PWM
dntrc olarak davranr. Ancak, bastrma elemanlarnn alma zellikleri sebebiyle, PWM almann iletim ve kesim durumlar bir minimum sreye sahiptir [2], [8]. Normal ZVT-PWM dntrcde [2], ana anahtar, bir paralel rezonansl ZVT yardmyla ZVS ve yaklak ZCS altnda mkemmel olarak iletime girer. Ana diyot ZVS ile iletim ve kesime girer. Yk akm, ana diyodun ters toparlanma akm ve ana anahtarn parasitik kapasitansn kapsayan rezonans kapasitansnn enerjisi, bir yardmc anahtar vastasyla rezonans endktansna aktarlr. Buna karlk, ana anahtar sadece yaklak ZVS altnda alr ve yardmc anahtar yaklak ZCS ile kapanr. Ayrca, devrenin almas hat ve yk artlarna ok baldr. Yardmc anahtarn yumuak anahtarlama ile almas ve endktansta biriken enerjinin aktarlmas, ok zordur ve ilave dzenler gerektirir. Bu problemlerin zm iin bu alanda yaplan ok alma mevcuttur [2], [3], [5], [7], [9], [12]. Temel ZCT-PWM dntrcde [3], ana anahtar, bir seri rezonansl ZCT yardmyla ZCS ve ZVS altnda mkemmel olarak kesime girer. Yardmc anahtar yaklak ZCS ile iletime girer. Devrenin almas hat ve yk artlarna ok az baldr. Buna karlk, ezamanl ve sert anahtarlama ile ana anahtar kapanr ve ana diyot alr, bylece ayn zamanda bir ksa devre oluur. Byk deerlerde kayplara ve EMI grltye neden olan bu ksa devrenin nlenmesi, olduka zordur. Ayrca, yardmc anahtar sert anahtarlama ile alr ve anahtarlarn parasitik kapasitanslar anahtarlar zerinden boalr [3], [5]. lave olarak, aktif bastrma hcrelerinin ou, devre karmakl ve bylece yksek fiyat ve kontrol zorluu, byk sirklasyon enerjisi ve bylece ar gerilim ve akm stresleri ve hat ve yk aralklarnn darl gibi nedenlerle ciddi olarak eletirilmektedir [3], [10]. Son zamanlarda, izole kapl bipolar transistr (IGBT), yksek gl endstriyel uygulamalarda bir anahtarlama eleman olarak yaygn bir ekilde kullanlmaktadr. IGBTnin yksek anahtarlama gc, dk iletim kayb ve dk fiyata sahip olmasna karlk, IGBTde anahtarlama kayplar olduka yksektir [2], [3]. Bu almada, yeni bir ZVT-PWM dntrc ailesi ortaya koymak zere, normal ZVTPWM dntrcdeki [2] problemlerin ounu zen yeni bir aktif bastrma hcresi sunulmutur. lave olarak, bu hcre basit yapl, dk fiyatl ve kolay kontrolludur. Bu bastrma hcresi, temel olarak bir endktans, bir kapasitans, bir yardmc transistr ve iki yardmc diyottan oluur. Sunulan bastrma hcreli bir ZVT-PWM dntrc, hafif yk artlarnda da alabilir. Bu dntrcdeki btn yar iletken elemanlar, tam veya yaklak ZVS ve/veya ZCS altnda alr ve kapanr. Ana anahtar ve ana diyot zerinde hi bir ilave gerilim ve akm stresi olumaz. Ayrca, yardmc elemanlar zerindeki gerilim ve akm stresleri, makul seviyelerde kalr. Sunulan bastrma hcresi ile donatlan bir ZVT-PWM ykseltici dntrc detayl olarak analiz edilmitir. Sunulan dntrcnn ngrlen alma prensibi ve teorik analizi, 2 kW ve 50 kHzlik bir IGBT-PWM ykseltici dntrc prototipi ile dorulanmtr. II. ALIMA PRENSB VE ANALZ A) Tanm ve Kabuller Sunulan yeni ZVT-PWM dntrcnn devre emas ek.1de grlmektedir. Sunulan bastrma hcresi, temel olarak, bir bastrma endktans ( L r ), bir bastrma kapasitans ( C B ), bir yardmc transistr ( T2 ) ve iki yardmc diyot ( D1 and D 2 ) elemanlarndan oluur. Doal
olarak, yardmc transistr T2 , ana transistr T1 e gre daha dk gl ve daha hzldr. Sunulan dntrcde, T1 ile paralel olan C r kapasitrne gerek yoktur ve T1 ile ters paralel olan D T1 diyodu kullanlmayabilir. L r ile seri olan D r diyodu, normal ZVT-PWM dntrcdekiyle ayn amala kullanlabilir. C r kapasitans, T1 in parasitik kapasitans ve ona katlan dier kapasitanslarn toplam olarak kabul edilebilir.
ek.1. Sunulan yeni ZVT-PWM dntrcnn devre emas.
ek.1de verilen devrenin bir anahtarlama peryodu esnasndaki kararl durum analizini kolaylatrmak iin, aadaki kabuller yaplmtr. a) Giri gerilimi Vi sabittir. b) k gerilimi Vo sabittir veya k kapasitans C F yeterince byktr. c) Giri akm I i sabittir veya ana endktans L F yeterince byktr. d) Rezonans devreleri idealdir. e) Ana endktans L F bastrma endktans L r den ok byktr. f) Yar iletken elemanlarn gerilim dmleri ve parazitik kapasitanslar ihmal edilir. g) Ana diyot D F dndaki btn diyotlarn ters toparlanma sreleri ihmal edilir. B) alma Kademeleri Sunulan dntrcnn bir anahtarlama peryodu ierisindeki kararl durum almasnda yedi kademe oluur. Bu alma kademelerinin edeer devre emalar srayla ek.2(a)-(g)de verilmitir. alma kademeleriyle ilgili anahtar dalga ekilleri ek.3te grlmektedir. Kademe 1 [ t 0 < t < t 2 : ek.2(a) ] Bu kademe banda, ana transistr T1 and yardmc transistr T2 kesimdedir. Ana diyot D F iletimdedir ve ana endktans L F in akm I i yi geirmektedir. t = t 0 da i T1 = 0, i T2 = 0, i DF = I i , v Cr = Vo ve v CB = 0 eitlikleri geerlidir. annda, yardmc transistr T2 nin kapsna kapama sinyali uygulanr. D r ve T2 elemanlar yaklak ZCS altnda kapanr. D r ve T2 ierisinden geen akmn ykselme hz bastrma endktans L r tarafndan snrlanr. Bu aralk esnasnda, ezamanl ve lineer olarak, T2 akm artar ve D F akm azalr. Bu aralk iin, genel olarak aadaki bantlar yazlabilir.
t = t0 i Lr = i T 2 = Vo (t t 0 ) Lr
(1) (2)
V i DF = I i i Lr = I i o ( t t 0 ) . Lr
ek.2. Sunulan yumuak anahtarlamal dntrcde alma kademelerinin edeer devre emalar.
Bu aralkta, nce t = t1 annda, T2 akm I i ye eriir ve D F akm sfra der. Sonra, T2 akm ykselmeye ve D F akm dmeye devam eder. Sonu olarak, t = t 2 de, D F nin ters toparlanma akm I rr ye der, bylece ana diyot D F ZVS altnda kesime girer ve bu kademe biter. Bu kademe iin,
t 01 = Lr Ii Vo
(3) (4) (5)
V i Lr = i T 2 = I i + o ( t t1 ) Lr V i DF = o ( t t1 ) Lr
i Lr 2 = i Lr ( t 2 ) = i T 2 ( t 2 ) = I i + I rr i DF2 = i DF ( t 2 ) = I rr L t12 = t rr = r I rr Vo
(6) (7) (8)
eitlikleri de yazlabilir. Burada, I rr ve t rr , I F = I i ve di / dt = Vo / L r deerlerine karlk ana diyot D F nin srasyla ters toparlanma akm ve ters toparlanma sresidir. Bylece, bu aralk sonunda, D F ana diyodu ZVS ile kesime girer ve giri akm I i ile ana diyodun ters toparlanma akm I rr bastrma endktans L r ve yardmc transistr T2 ye aktarlr. Kademe 2 [ t 2 < t < t 3 : ek.2(b) ] ana transistr T1 ve ana diyot D F kesimdedir. Yardmc transistr T2 iletimdedir ve I i + I rr akmn geirmektedir. t = t 2 annda, i T1 = 0, i T 2 = I i + I rr , i DF = 0, v Cr = Vo ve v CB = 0 eitlikleri mevcuttur. annda, giri akm I i ve L r endktansnn ilk akm I Lr 2 altnda, L r ve C r arasnda C r D r L r T2 yolu ile paralel bir rezonans salnmaya balar. Bu salnm iin aadaki eitlikler elde edilir.
t = t2 t = t 2 de,
i Lr = i T 2 = I i + I rr cos 1 ( t t 2 ) +
Vo sin 1 ( t t 2 ) Z1
(9) (10)
v Cr = v T1 = Vo cos 1 ( t t 2 ) Z1I rr sin 1 ( t t 2 ) .

t = t 3 de, C r kapasitansnda
depolanan enerjinin L r endktansna transferi tamamlanr ve VCr gerilimi 0 olur. Ayn zamanda, L r endktansnn akm ve enerji deerleri maksimum seviyelerine eriir. (9) ve (10) bantlarndan,
2 2 I Lr max = I i + Vo + Z1 I 2 / Z1 rr
(11) (12) (13)
WLr max =
1 1 1 2 L r I 2 max = L r (Ii + I rr ) 2 + C r Vo Lr 2 2 2
t 23 = L r C r arctg
Vo Z1I rr
karlr. Bu eitliklerde,
1 = 1/ L r C r
Z1 = L r / C r
(14) (15)
bantlar geerlidir. unun belirtilmesi gerekir ki, bu kademede C r kapasitans ana transistr T1 ve ana diyot D F ile yardmc diyotlar D1 ve D 2 nin parazitik kapasitanslarn kapsar. T1 ve D1 in parazitik kapasitanslar Vo dan 0a boalr, dierleri ise 0dan Vo a dolar. Ayrca, sunulan dntrcde, ilave bir C r kapasitansna gerek yoktur veya C r kapasitans bu parazitik kapasitanslarn toplam olarak kabul edilebilir.
ek.3. Sunulan yumuak anahtarlamal dntrcde alma kademeleriyle ilgili temel dalga ekilleri.
Kademe 3 [ t 3 < t < t 4 : ek.2(c) ] Bu kademe ncesi, sadece yardmc transistr T2 iletimdedir ve L r endktansnn maksimum akmn geirmektedir. t = t3 annda, iT 1 = 0, iT 2 = I Lr max , iDF = 0, vCr = 0 ve v CB = 0 bantlar geerlidir.
t = t 3 annda v Cr gerilimi 0 olduunda, ana transistr T1 in ters paralel diyodu D T1 iletime girer. D T1 bu kademe boyunca L r endktans akmnn giri akm I i den fazla olan ksmn
geirir. Bu kademe iin,

i Lr = i T 2 = I Lr max i DT1 = I Lr max I i
(16) (17)
yazlabilir. D T1 diyodunun iletimde olduu bu aralk, temel olarak ana transistr T1 iin sfr gerilimde gei (ZVT) salar. Normal ZVT-PWM dntrcde D T1 diyodunun gerekli olmasna karlk, sunulan dntrcde bu diyot gerekli deildir ve t 3 annda dorudan 4. kademeye geilebilir. Kademe 4 [ t 4 < t < t 5 : ek.2(d) ] Bu kademe banda, i T1 = 0, i T 2 = I Lr max , i DF = 0, v Cr = 0 and v CB = 0 dr.
t = t 4 annda, ezamanl olarak, ana transistr T1 kapsna iletim sinyali uygulanr ve yardmc
transistr T2 nin kap sinyali kesilir. Ayn zamanda, C B sayesinde hem T1 transistr ZVS
6
ile iletime girer ve I i akmn geirmeye balar hem de T2 yaklak olarak ZVS ile kesime girer. L r endktansnn maksimum akm I Lr max altnda, L r ve C B arasnda L r D1 C B D r yolu ile bir seri rezonans salnmaya balar. Burada, t 4 annda D1 yardmc diyodu ZVS ile iletime girer. Bu rezonans iin, aadaki eitlikler karlr.
i Lr = i D1 = I Lr max cos 2 ( t t 4 ) v CB = v T 2 = Z 2 I Lr max sin 2 ( t t 4 ) .
(18) (19)
Bu kademe boyunca, L r endktansnda biriken enerji C B kapasitansna aktarlr. L r endktansndaki btn enerjinin tranferi ile C B kapasitansnn tam olarak 0dan Vo a kadar dolduu kabu edilirse, yukardaki eitliklerden,
VCB5 = v CB ( t 5 ) = VCB max = Z 2 I Lr max = Vo t 45 = LrCB 2 1 1 1 2 2 L r I 2 max = C B VCB max = C B Vo Lr 2 2 2
(20) (21) (22)
elde edilir. C B nin deeri yukardaki deerden daha kk ise, C B yine Vo a kadar dolar ve fazla enerji yke aktarlr. C B nin deeri yukardaki deerden daha byk ise, C B nin gerilimi Vo a eriemez. Yukardaki bantlarda,
2 = 1 / L r C B
Z2 = Lr / CB
(23) (24)
eitlikleri geerlidir. Bu kademede C B kapasitans T2 geriliminin ykselme hzn snrlar. Bylece, T2 yaklak ZVS altnda kesime girer. Ayrca, bu kademede T2 ve D 2 elemanlarnn parazitik kapasitanslar C B kapasitansna katlr. annda, endktans akm i Lr sfra dtnde, D r ve D1 yardmc diyotlar L r sayesinde yaklak ZVS altnda kesime girer ve bu kademe biter.
t = t5
Kademe 5 [ t 5 < t < t 6 : ek.2(e) ] Bu kademe boyunca, ana transistr T1 giri akm I i yi iletmeye devam eder ve bastrma devresi aktif deildir. Bu kademe sresi, normal PWM dntrcnn iletim durumunun byk bir ksmdr ve PWM kontrolu tarafndan belirlenir. Bu kademe iin,
i T1 = I i
(25)
yazlabilir. Kademe 6 [ t 6 < t < t 7 : ek.2(f) ] Bu kademe ncesi, i T1 = Ii , i T 2 = 0, i DF = 0, v Cr = 0 ve v CB = Vo dir. t = t 6 annda, ana transistr T1 in sinyali kesildiinde, Vo gerilimi ile dolu olan C B kapasitans sayesinde, ana transistr
7
yaklak ZVS altnda kesime ve D 2 yardmc diyodu ZVS ile iletime girer. Bu kademe boyunca, C r arj ve C B dearj olur. t 7 annda, ezamanl olarak C r geriliminin Vo a erimesi ve C B geriliminin sfra dmesiyle, D F ana diyodu ZVS altnda iletime ve D 2 yardmc diyodu ZVS ile kesime girer, ve bu kademe biter. Bu durum iin,
T1 Ii (t t 6 ) Cr + CB C + CB C + CB Vo VCB max = r t 67 = r Ii Ii v Cr = v T1 = Vo v CB =
(26) (27)
eitlikleri elde edilir. Bu kademede, C B kapasitans T1 geriliminin ykselme hzn snrlar. Bylece, T1 yaklak ZVS altnda kesime girer. Ayrca, bu kademede D F nin parazitik kapasitans C r ve C B kapasitanslarna katlr. Burada unu belirtmek gerekir ki, yk akm derse ( t 4 t 5 ) aralnda C B gerilimi Vo a eriemez. Bylece, ( t 6 t 7 ) aralnda C B nin bastrma etkisi ayn oranda der, fakat bu kademenin sresi t 67 deimez. Bu zellik sunulan dntrcnn hafif yk artlarnda almasn salar. Kademe 7 [ t 7 < t < t 8 : ek.2(g) ] Bu kademe boyunca, ana diyot D F giri akm I i yi iletmeye devam eder ve bastrma devresi aktif deildir. Bu kademe sresi, normal PWM dntrcnn kesim durumunun byk bir ksmdr ve PWM kontrolu tarafndan belirlenir. Bu kademe iin,
i DF = I i
(28)
yazlabilir. Bylece, t = t 8 annda, bir anahtarlama peryodu tamamlanr ve baka bir anahtarlama peryodu balar. III. DZAYN LEM Daha nce sunulan dizayn ilemleri [5], [7] dikkate alnarak gelitirilen aadaki dizayn ilemi, ana transistr T1 ve ana diyot D F ile yardmc transistr T2 nin yumuak anahtarlama ihtiyalar ve bastrma enerjisinin yke transferine dayaldr. 1. Bastrma endktans L r , ana diyodun nominal ters toparlanma sresinin kat kadar bir srede, en fazla maksimum giri akm kadar bir akm artna msade etmek zere seilir. Bu durum aadaki gibi tanmlanabilir.
Vo 3t rrn I i max . Lr
(29)
2. Bastrma kapasitans C B , bastrma endktansnda biriken enerji tamamen kendisine aktarldnda, yaklak olarak k gerilimine kadar dolmak zere seilir. Bu durumda, (12) ve (22) bantlarndan,
1 1 1 2 2 L r (I i max + I rr max ) 2 + C r Vo C B Vo 2 2 2
(30)
elde edilebilir. Burada, I rr max ana diyodun I F = Ii max and di / dt = Vo / L r deerlerine karlk gelen ters toparlanma akmdr. 3. Ayrca, bastrma endktans L r ve bastrma kapasitans C B , ana ve yardmc transistrlerin gerilim ykselme sreleri, en az bu transistrlerin ama sreleri kadar olmak zere seilir. Bu durumda, srasyla (21) ve (27) bantlarndan,
t 45 = Lr CB t f 2 2 C + CB t 67 = r Vo t f 1 I i max
(31) (32)
elde edilir. Bu bantlarda, t f 1 ve t f 2 srasyla ana ve yardmc transistrlerin ama sreleridir. IV. DNTRCNN ZELLIKLER Sunulan yeni ZVT-PWM dntrcnn zellikleri aadaki gibi zetlenebilir. 1. Btn yar iletken elemanlar, tam veya yaklak olarak ZVS ve/veya ZCS altnda iletim ve kesime girer. T1 ana transistr ZVT ile salanan ZVS altnda mkemmel olarak iletime girer. D F ana diyodu ZVS ile iletim ve kesime girer. Yardmc transistr T2 yaklak ZCS ile iletime ve yaklak ZVS ile kesime girer. Ayrca, D r , D1 ve D 2 yardmc diyotlar yumuak anahtarlama ile alr. 2. Dntrc basit yapl ve ucuzdur. Sunulan dntrc, normal ZVT-PWM dntrc [2] kadar basit ve ucuz olmasna karlk, normal ZVT-PWM dntrcdeki problemlerin ounu zer. 3. Sunulan dntrcnn kontrolu kolaydr. Bu dntrcnn kontrolu iin, normal bir PWM kontrol sinyali, T1 gerilimi sfra dene kadar T2 yardmc transistrnn kapsna ve daha sonra T1 ana transistrnn kapsna uygulanr. Ayrca, T1 ve T2 nin emiter ular ayn noktaya baldr ve bu da kontrolu kolaylatrr. 4. Sirklasyon enerjisi minimumdur. Daha nce sunulan ZVT-PWM dntrclerde [2], [7]-[9], [12], ana anahtar ile paralel bir C r bastrma kapasitans vardr ve bu kapasitans sirklasyon enerjisini byk lde artrr. Sunulan dntrcde, C r nin olmamasna karlk, farkl bir yere yerletirilen ve C r den daha byk C B kapasitans mevcuttur. Bu C B kapasitans, C r nin grevlerini daha mkemmel olarak yapmasna karlk, sirklasyon enerjisini artrmaz. Ayrca, C B , yardmc anahtarn yumuak anahtarlama ile kesime girmesini
ve bastrma enerjisinin yke aktarlmasn salar. Sonu olarak, sunulan dntrcde sirklasyon enerjisi ve ilave kayplar minimumdur. 5. Ana transistr T1 ve ana diyot D F zerinde hi bir ilave gerilim ve akm stresi olumaz. Ayn zamanda, yardmc transistor T2 ile yardmc diyotlar D r , D1 ve D 2 zerindeki gerilim ve akm stresleri makul seviyelerde kalr. 6. Sunulan dntrc zamann ounda normal PWM dntrc olarak alr, nk bastrma hcresinin etkili olduu zaman aralklar ok ksadr. 7. Dntrc geni hat ve yk aralklarnda alabilir. ZVT-PWM dntrclerin almas genellikle yk akm deerlerine ok baldr ve bylece hat ve yk aralklar geni deildir. Ancak, sunulan yeni dntrcde, yk akm dtnde, t 01 ve t12 zaman peryotlar orantl olarak der, t 23 aral ok az ykselir, t 34 , t 45 ve t 67 peryotlar deimez. Bylece, aktif bastrma hcresi maksimum yk artlar iin dizayn edildii srece, sunulan yeni dntrc geni hat ve yk aralklarnda alabilir. 8. Sunulan dntrc hi bir ilave pasif bastrma hcresi gerektirmez. 9. Sunulan aktif bastrma hcresi, dier temel PWM DC-DC dntrclere ve btn anahtarlamal dntrclere kolayca uygulanabilir. 10. Sunulan yeni dntrc dier ZVT-PWM dntrclerden ok daha fazla avantaja sahiptir. Bu dntrcde, normal ZVT-PWM dntrcdeki [2] problemlerin ou mkkemmel ve kolay bir ekilde zlr. V. DENEYSEL SONULAR Sunulan yeni ZVT-PWM dntrcnn ngrlen alma prensibi ve teorik analizini dorulamak iin, ek.4te verilen 2 kW ve 50 kHzlik bir IGBT-PWM ykseltici dntrc prototibi gerekletirilmitir retici firmalarn el kitaplar referans alnarak, uygulama devresinde kullanlan yar iletken elemanlarn baz nominal deerleri Tablo Ide verilmitir. Sert anahtarlamal ve sunulan yumuak anahtarlamal IGBT-PWM ykseltici dntrclerde, muhtelif yk akm deerleri iin, yar iletken elemanlarn kayplar ve toplam devre verimleri Tablo IIde zetlenmitir.
ek.4. 2 kW ve 50 kHzlik bir IGBT-PWM ykseltici dntrcnn deneysel devre emas.
10
Tablo I. Uygulama devresinde kullanlan yar iletken elemanlarn baz nominal deerleri.
Tablo II. Sert anahtarlamal ve sunulan yumuak anahtarlamal dntrclerde, yar iletken elemanlarn kayplar ve toplam devre verimleri.
Deneysel sonular, anahtar ve diyot soutucularnn scaklk art miktarlar ile devre giri ve kndaki gerilim ve akm deerleri okunarak belirlenmitir. Ayrca, sert anahtarlamal dntrcde, deneysel sonular dk frekanslarda alan devrede yaplan lmlerden tahmin edilerek belirlenmitir. Ana transistr T1 , yardmc transistr T2 , ana diyot D F , yardmc diyotlar D r , D1 ve D 2 elemanlarnn osilogramlar, srayla ek.5(a)-(f)de verilmitir. Sert anahtarlamal ve sunulan yumuak anahtarlamal dntrclerin karlatrmal verim erileri ek.6da grlmektedir. Sert anahtarlamal dntrc ile ilgili osilogramlar bu almada verilmemitir, nk bunlar daha nce sunulan benzer almalarn ounda verilmitir. ek.5te verilen osilogramlardan grlr ki, T1 transistr ZVS ile mkemmel olarak iletime ve yaklak ZVS altnda kesime girer. T2 yaklak ZCS altnda iletime ve yaklak ZVS altnda kesime girer. Ayrca, D F , D r , D1 ve D 2 elemanlar yumuak anahtarlama ile alr. lave olarak, T1 ve D F ana elemanlar zerinde ilave gerilim ve akm stresleri olumaz ve T2 , D r , D1 ve D 2 yardmc elemanlar makul gerilim ve akm deerlerine maruz kalr. Sunulan yeni dntrcnn hafif yk artlarnda da problemsiz olarak alt gzlenmitir. Tablo 2 ve ek.6dan grlmektedir ki, sunulan yeni dntrcnn verimi zellikle yksek k glerinde sert anahtarlamal olana gre daha byktr. Tam k gc iin, sunulan yumuak anahtarlamal dntrcde ana anahtar kayb ve toplam devre kayb, sert anahtarlamal karlnn srasyla yaklak olarak %27si ve %36sdr. Bylece, sert anahtarlama durumunda %91 olan toplam verim %97ye ykselir.
11
ek.5. Yumuak anahtarlama uygulama devresinde, (a) ana transistr T1 , (b) yardmc transistr T2 , (c) ana diyot D F , (d) yardmc diyot D r , (e) yardmc diyot D1 ve (f) yardmc diyot D 2 elemanlarnn osilogramlar. Bu osilogramlar, 100 V/kare, 10 A/kare ve 2 s/kare leklidir.
12
ek.6. Sert anahtarlamal ve sunulan yumuak anahtarlamal dntrclerin karlatrmal verim erileri.
Sonu olarak, sunulan dntrcnn ngrlen alma prensibi ve teorik analizinin btn deneysel sonularla doruland kolayca grlr. Sunulan dntrcde, normal ZVTPWM dntrcnn problemlerinin ou mkemmel ve kolay olarak zlr. Bu dntrcdeki btn yar iletken elemanlar, tam veya yaklak olarak ZVS ve/veya ZCS altnda iletim ve kesime girer. Ana elemanlar zerinde hi bir ilave gerilim ve akm stresi olumaz ve yardmc elemanlar makul gerilim ve akm deerlerine maruz kalr. VI. ZET Bu almada, yeni bir ZVT-PWM dntrc ailesi elde etmek iin yeni bir aktif bastrma hcresi sunulmutur. Sunulan aktif bastrma hcreli dntrcde normal ZVT-PWM dntrcnn problemleri zlmtr. Sunulan yeni dntrc hafif yk artlarnda problemsiz olarak alr. Bu dntrcdeki btn yar iletken elemanlar, tam veya yaklak olarak ZVS ve/veya ZCS altnda iletim ve kesime girer. Ana elemanlar zerinde hi bir ilave gerilim ve akm stresi olumaz ve yardmc elemanlar makul gerilim ve akm deerlerine maruz kalr. Ayrca, dntrc basit yapl dk fiyatl ve kolay kontrolludur. Sunulan bastrma hcresi ile donatlan bir ZVT-PWM ykseltici dntrc detayl olarak analiz edilmitir. Sunulan dntrcnn ngrlen alma prensibi ve teorik analizi, 2 kW ve 50 kHzlik bir IGBT-PWM ykseltici dntrc prototipi ile dorulanmtr. Sunulan yeni dntrcnn hafif yk artlarnda da problemsiz olarak alt ve btn yar iletken elemanlarn yumuak anahtarlama ile anahtarland gzlemlenmitir. Ayrca, tam k gc iin, sunulan yumuak anahtarlamal dntrcde ana anahtar kayb ve toplam devre kayb, sert anahtarlamal karlnn srasyla yaklak olarak %27si ve %36sdr. Bylece, sert anahtarlama durumunda %91 olan toplam verim %97ye ykselir.
13
REFERANSLAR
1. 2. 3. 4. 5.
A. Ferraro, An Overview of Low-Loss Snubber Technology for Transistor Converters, IEEE Power Electron. Spec. Conf., 1982, pp.466-477. G. Hua, C. S. Leu, Y. Jiang, F. C. Lee, Y., Novel Zero-Voltage-Transition PWM Converters, IEEE Trans. on Power Electron., vol.9, no.2, pp.213-219, March 1994. G. Hua, E. X. Yang, Y. Jiang, F. C. Lee, Novel Zero-Current-Transition PWM Converters, IEEE Trans. on Power Electron. vol.9, no.6, pp.601-606. November 1994. A. Elasser, D. A. Torrey, Soft Switching Active Snubbers for DC/DC Converters, IEEE Trans. on Power Electron., vol.11, no.5, pp.710-722, September 1996. H. Mao, F. C. Lee, X. Zhou, H. Dai, M. Cosan, D. Boroyevich, Improved Zero-Current-Transition Converters for High-Power Applications, IEEE Trans. on Ind. Applicat., vol.33, no.5, pp.1220-1232, September/October 1997. C. J. Tseng, C. L. Chen, A Passive Snubber Cell for Non-isolated PWM DC/DC Converters, IEEE Trans. on Ind. Electron., vol.45, no.4, pp.593-601, August 1998. C. J. Tseng, C. L. Chen, Novel ZVT-PWM Converters with Active Snubbers, IEEE Trans. on Power Electron., vol.13, no.5, pp.861-869, September 1998. V. Grigore, J. Kyyra, A New Zero-Voltage-Transition PWM Buck Converter, Mediterranean Electrotechnical Conf.,, MELECON 98, 9 th, vol.2, pp.1241-1245, 1998. J. M. P. Menegaz, M. A. Co., D. S. L. Simonetti, L. F. Vieira, Improving the operation of ZVT DC-Dc Converters, Power Electron. Spec. Conf., PESC 99, 30 th, vol. 1, 1999, pp. 293-297.
6. 7. 8. 9.
10. K. M. Smith, K. M., Smedley, Properties and Synthesis of Passive Lossless Soft-Switching PWM Converters, IEEE Trans. on Power Electron., vol.14, no.5, September 1999, pp.890-899. 11. H. Bodur, M.H. Sarul, A.F.Bakan, A Passive Lossless Snubber Cell Design for an Ohmic Loaded PWM IGBT Chopper Fed by a Diode Bridge from AC Mains, ELECO99 Int. Conf. on Elec. and Electron. Eng., Bursa (Turkey), December 1-5, 1999, pp. 440-444. 12. T.W. Kim, H.S. Kim, H. W. Ahn, An Improved ZVT PWM Boost Converter, Power Electron. Spec. Conf., PESC00, 31 st, vol. 2, 2000, pp.615-619.
14

Soft Switching

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Soft Switching

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

DC- DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

SOFT SWITCHING TECHNIQUES IN DC-DC CONVERTERS

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

1.1. Omik Ykl bir DC Kyc

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

eklinde tanmlanr. Baz durumlarda,

t t ON letime Girme lemi

eklinde tanmlanr. Burada, tON anahtarn iletime girme sresidir.

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

1.2. Dk kl bir DC-DC Dntrc

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

t t OFF Kesime Girme lemi

W CON = V CEsat I 0 T P Vi I 0 W ON = tr BJT Enerji Kayplar 2 Vi I 0 W OFF = tf 2 eklinde zetlenebilir.

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

1.3. Anahtarlama ve Dntrme zellikleri

1.4. Yumuak Anahtarlama ve Bastrma Hcresi Kavram

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

2. YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

2.1. Sfr Akmda Anahtarlama

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

Kontrol Sinyali (a) HS HS

2.2. Sfr Gerilimde Anahtarlama

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

2.3. Sfr Akmda Gei

2.4. Sfr Gerilimde Gei

3. BASTIRMA HCRELERNN SINIFLANDIRILMASI

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

GENEL OLARAK BASTIRMA HCRELER

ekil 4. Bastrma hcrelerinin genel olarak snflandrlmas.

GELMLK AISINDAN BASTIRMA HCRELER

Klasik / Kaypl Rezonansz

Modern / Kaypsz Rezonansl

letime Girme ZCS

Kesime Girme ZVS

ZCS RLD RCD RC

ekil 5. Bastrma hcrelerinin gelimilik asndan snflandrlmas.

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

4. BASTIRMA HCRELERNN KARILATIRILMASI

DC-DC DNTRCLERDE YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

PROF. DR. HACI BODUR

Bastrma Hcrelerini Karlatrma Kriterleri