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Ingeniera en Electrnica




Electrnica Analgica I impartido por el
Ing. Cipriano Ponce Oliva.






Practica #10 Amplificadores con BJT


Integrantes Nmero de control
Flores Cortez Daniel Adrian
Zonta Montes Moiss
07210352
08211343












Tijuana BC a Diciembre 2010

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I.-Introduccin..........3
II.-Marco terico4
2.1 Transistor BJT....4
2.2 Estructura de un BJT....4
2.3 Polarizacin de un BJT.....5
2.4 El transistor NPN en modo activo...6
2.5 El Modelo de Ebers-Moll11
2.6. Curva caracterstica de entrada......13
2.7. Curva caracterstica de salida..14
2.8 Polarizacin por retroalimentacin del emisor15
2.9 Polarizacin por divisin de tensin.17
III.- Material y equipo.22
3.1 Material..22
3.2 Equipo22
IV.-Desarrollo......23
4.1Parmetros bsicos.....23
4.2 Anlisis de CA..24
V.-Resultados experimentales.28
VI.-Conclusiones........29
VII.-Referencia....30

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Resumen
La siguiente prctica tiene por objetivo la obtencin de
parmetros para poder graficar las curvas de potencia, tambin incluye
en el marco terico los datos relacionados a la prctica donde existen
de igual manera formulas que se utilizan en esta practica.
Tambin se analizara la estabilidad de los circuitos
proporcionados por el maestro asignado a la materia.
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I.- Introduccin
Existen varios tipos de transistores, de los cuales se analizaran
los transistores BJT y en especial analizaremos la parte de la regin
activa del transistor, pues es la que nos interesa dentro del la
electrnica analgica. Y adems veremos y analizaremos parmetros
bsicos que posee este dispositivo semiconductor. Adems veremos
algunas aplicaciones que tiene dicho dispositivo y su anlisis en
corriente directa.


























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II.- Marco Terico
En este apartado se darn a conocer los parmetros bsicos del
transistor BJT, y se analizaran las curvas de respuesta y sus
ecuaciones para el anlisis en corriente directa.

2.1 transistor BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction
Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico consistente
en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el
paso de la corriente a travs de sus terminales. Los transistores
bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o
BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones
PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
- Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente
dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a
que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
- Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
- Colector, de extensin mucho mayor.

2.2 Estructura de un BJT
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y
la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo
N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN.
Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda. Y
se logra apreciar en la figura 1 dichos parmetros.
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Figura 1: estructura interna del transistor
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector
y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de
alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi
imposible para los electrones inyectados en la regin de la base
escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se
acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un
gran .
El transistor bipolar de juntura, a diferencia de otros transistores,
no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que
intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de
funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso.
Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con
el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho
ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas
veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de
simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor
y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector
est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran
tensin de reversa en la juntura colector-base antes de que esta
colapse. La juntura colector-base est polarizada en reversa durante la
operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado
es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor.

2.3 polarizacin del transistor BJT
En la siguiente Figura 2 podemos apreciar la respuesta que tiene
el transistor polarizado en sus 4 etapas, donde la regin activa de
directa es la que nos interesa.
7


Figura 2: Estados de operacin del BJT

En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est
polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por
ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora
pasa al colector. Y como se aprecia en la figura 1, existen 4 estados de
operacin del transistor: estado de corte, estado de saturacin, estado
de activo inverso y estado activo directo. De la cual analizaremos el
estado activo directo.

2.4 El transistor NPN en modo activo
La polarizacin directa de la unin emisor-base establecida por
la fuente externa VBB hace que se establezca un flujo de corriente a
travs de ella, puesto que, como se observa en la figura 3, en estas
condiciones de polarizacin se reduce el ancho de la regin de
deplecin, y con ello el potencial de barrera de la unin emisor-base,
con lo que los electrones son continuamente inyectados desde el
emisor del transistor bipolar hacia la base tipo p, donde se convierten
en portadores minoritarios.

Figura 3: NPN en modo activo.
8

La mayora de estos electrones minoritarios inyectados desde el
emisor se difunden a travs de la base del transistor bipolar alcanzando
el lmite de la regin de deflexin de la unin colector-base. Como la
fuente de polarizacin VCC utilizada hace que la tensin en el colector
sea VCB voltios ms positiva que la tensin en la base, estos
electrones caern hacia el colector atravesando la regin de deflexin
de la unin colector-base debido a la gran variacin de potencial
establecida, siendo recolectados en l y constituyendo, junto con la
pequea corriente inversa de saturacin de la unin colector-base
inversamente polarizada ICB0, la corriente de colector del transistor
bipolar
C
I . Por tanto, la cada de tensin en la unin base-emisor
polarizada en directa VBE hace que a travs del terminal del colector
circule una corriente
C
I relacionada exponencialmente con ella, de
forma que:
CBO
V V
I e Is Ic
T BE
+ =
Ecuacin (1)

Donde VT es la tensin trmica, cuyo valor es aproximadamente
de 25mV a temperatura ambiente, mientras que el trmino IS es
proporcional a la corriente de saturacin inversa de la unin emisor
base, cuyo valor es inversamente proporcional al ancho de la regin de
base y directamente proporcional al rea de la unin emisor-base, por
lo que, los transistores bipolares de mayor rea sern capaces de
proporcionar corrientes de colector superiores para una misma tensin
VBE en la unin base-emisor, siendo este hecho muy empleado en el
diseo de circuitos integrados. Por lo general, y dependiendo del
tamao del dispositivo, el valor de IS est comprendido entre 10-12 y
10-15 A, siendo muy sensible a las variaciones de temperatura.
Un hecho importante que se deduce a partir de la expresin de
la corriente de colector es que, idealmente, el valor de
C
I en un
transistor bipolar funcionando en modo activo no depende de lo
inversamente que se polarice la unin colector-base, y por consiguiente
del valor de la tensin VCE establecida por la fuente externa VCC entre
el emisor y el colector del dispositivo, por lo que siempre que
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permanezca polarizada en inversa, los electrones que alcancen el
lmite de la regin de deflexin de esta unin caern hacia el colector,
formando parte de la corriente
C
I . En consecuencia, cuando el
transistor bipolar est funcionando en modo activo se comporta como
una fuente ideal de corriente constante, en la que el valor de la
corriente continua de colector
C
I est determinado por la cada de
tensin en la unin base-emisor polarizada en directa VBE.
En el proceso de difusin de los electrones desde el emisor a
travs de la regin de base, algunos de ellos se re combinan con
huecos, que son portadores mayoritarios en la base, y por tanto no
alcanzan el colector, de forma que

E C
I I = o Ecuacin (2)

Donde la constante es un parmetro caracterstico de cada
transistor bipolar que describe el porcentaje de electrones inyectados
desde el emisor que alcanzan la regin de colector del dispositivo,
contribuyendo as a la corriente de colector
C
I , y cuyo valor es inferior
pero muy cercano a la unidad. Por lo general, el valor de en
transistores bipolares utilizados para aplicaciones analgicas de
procesamiento de seal est comprendido entre 0.99 y 0.998.
Para minimizar esta recombinacin y hacer tan cercano a la
unidad como sea posible, la regin de base en el transistor bipolar se
hace muy estrecha, de forma que el porcentaje de electrones perdidos
a travs del proceso de recombinacin con los huecos de la regin de
base sea prcticamente despreciable.
El reducido potencial de barrera de la unin emisor-base
establecido por las fuentes externas de polarizacin hace que en esta
unin, adems de los electrones inyectados desde el emisor del
transistor bipolar hacia la base, se establezca simultneamente un flujo
de huecos desde la base hacia el emisor. Sin embargo, esta corriente
de huecos es indeseable en el transistor bipolar, puesto que se suma a
las corrientes de base y emisor sin contribuir a la comunicacin entre
10

uniones. Por tanto, para que los electrones sean mayoritarios en los
portadores inyectados a travs de la unin emisor-base, el dispositivo
se fabrica haciendo que el emisor est fuertemente dopado con
respecto a la base, es decir, haciendo que la densidad de electrones en
el emisor del transistor bipolar sea muy elevada y la densidad de
huecos en la regin de base sea muy pequea. De esta forma, como el
nmero de electrones inyectados desde el emisor hacia la base del
transistor es mucho mayor que el de huecos inyectados desde la base
hacia el emisor, podremos considerar que la corriente de emisor
E
I est
determinada nicamente por la corriente de electrones difundidos a
travs de la unin emisor-base. Por convenio, el sentido de las
corrientes en el transistor bipolar ser contrario al flujo de electrones en
el proceso de conduccin, de forma que la corriente de colector
C
I
entrar a travs del terminal de colector, al igual que la corriente de
base
B
I , que entrar a travs del terminal de base, mientras que el
sentido de la corriente de emisor
E
I ser hacia fuera del terminal de
emisor, como se observa en la figura 4 , en la que se representa el flujo
interno de portadores en un transistor bipolar polarizado para su
funcionamiento en modo activo y su relacin con las corrientes
externas.



La fuente de tensin externa VBB, adems de polarizar en
directa la unin emisor-base, proporciona continuamente nuevos
huecos a la regin de base con el fin de reemplazar aquellos que se
Figura 4: Flujo interno del NPN en modo activo
11

pierden en el proceso de recombinacin con los electrones inyectados
desde el emisor, mientras que la fuente detencin VCC elimina
electrones de la regin de colector con el fin de hacer sitio a los que ha
recolectado. Adems, ambas fuentes de polarizacin proporcionan
continuamente electrones al emisor del transistor bipolar con el fin de
reemplazar aquellos que son difundidos hacia el colector del dispositivo
a travs de la base.
As, en la estructura de un transistor bipolar funcionando en
modo activo la unin emisor-base acta como un diodo polarizado en
directa con una corriente
B C
I I + , mientras que la unin colector-base
est polarizada en inversa y presenta una pequea corriente de
saturacin inversa ICB0, y una corriente
E
I debida a la interaccin
entre las uniones p-n que constituyen el dispositivo.
Por tanto, a partir de la figura 2.5 se deduce que la corriente de
emisor
E
I en un transistor bipolar ser igual en todo momento a la
suma de la corriente de colector
C
I y la corriente de base
E
I , de forma
que

B C E
I I I + = Ecuacin (3)

Donde, como
E C
I I ~ o , puesto que generalmente la corriente
inversa de saturacin ICB0 es despreciable, tendremos que:


B C
C
I I
I
+ =
o
Ecuacin (4)


Deducindose que la corriente de colector
C
I puede expresarse
en funcin de la corriente de base
B
I de forma que:

Ecuacin (5)

Ecuacin (6)

12

En consecuencia, cuando el transistor bipolar est funcionando
en modo activo se comporta como una fuente ideal de corriente
constante en la que controlando la corriente de base
B
I podemos
determinar la corriente de colector
C
I , siendo la constante un
parmetro particular de cada transistor bipolar, denominado ganancia
de corriente en emisor comn y cuyo valor, en contraste con el de ,
que es cercano a la unidad y difcil de medir, est comprendido
tpicamente en un rango que va de 100 a 600, aunque puede ser tan
elevado como 1000 en determinados dispositivos activos muy
especficos. Adems, pequeos cambios en el valor de se
corresponden con grandes variaciones en el valor de . Por todo ello, el
parmetro es el ms utilizado en el anlisis y diseo de circuitos
basados en transistores bipolares. De esta forma, el valor de la
corriente de emisor
E
I en un transistor bipolar funcionando en modo
activo puede expresarse como:
( ) 1 + = |
B E
I I Ecuacin (7)


En la siguiente figura 5 podemos apreciar las reas de
saturacin, corte y lineal de nuestro transistor.

Figura 5: regiones de operacin del transistor.

2.5 El Modelo de Ebers-Moll.
Aparentemente, el BJT no es ms que dos uniones p-n
enfrentadas que comparten el nodo (la base del transistor). Por ello
13

una primera aproximacin al modelado podra consistir en la propuesta
de la Figura 6; en ella aparecen dos diodos p-n enfrentados y
dispuestos de tal forma que los nodos de ambos coinciden en el
terminal de base del transistor. El diodo de la izquierda representa a la
unin de emisor y el de la derecha a la de colector.





Llamemos IF a la corriente que atraviesa la unin de emisor e IR
a la que fluye por la de colector. Utilizando el modelo exponencial del
diodo podemos escribir:
Ecuacin (10)
Donde el factor de idealidad se asume igual a la unidad y las
corrientes inversas de saturacin de las uniones de emisor y colector
son
ES
I e
CS
I , respectivamente. Con la ayuda de la Figura 2.7
podemos escribir.
Ecuacin (11)
Sin embargo, este modelo ignora algo esencial en el dispositivo:
la base es muy estrecha y, por ende, las uniones p-n estn muy
prximas; tan prximas que la corriente que fluye por una, afecta a la
corriente que atraviesa la otra. Este fenmeno se llama inyeccin de
Figura 6: El BJT visto como dos diodos enfrentados.
14

portadores y lo podemos modelar mediante sendas fuentes
dependientes conectadas segn indicamos en la Figura 2.7.


Las fuentes son fuentes de corriente controladas por la corriente
que atraviesa la otra unin. Los parmetros de control se llaman
ganancia en corriente directa en base comn (F) y ganancia en
corriente inversa en base comn (R).
Dependiendo de la situacin de la polarizacin de cada unin, se
suprimirn los correspondientes generadores dependientes de
corriente, resultado de los modelos equivalentes para activa directa,
activa inversa o corte. El caso general del modelo de Ebers-Moll
coincide con el modelo en saturacin.
2.6. Curva caracterstica de entrada.
La caracterstica de entrada del transistor bipolar en emisor
comn puede describirse mediante la curva mostrada en la figura 8, en
la que se representa la relacin entre la corriente de base
B
I y la
tensin
BE
V entre la base y el emisor del dispositivo, determinada por la
expresin:
Ecuacin (12)
Obviamente, la curva caracterstica
BE B
V I en un transistor
bipolar es similar a la de un diodo rectificador normal, puesto que en
modo activo la unin emisor-base del dispositivo acta como un diodo
polarizado en directa.

Figura 7: Modelo de Ebers-Moll del BJT NPN
15




Para tensiones entre la base y el emisor del transistor bipolar de
Silicio inferiores a 0.5V, la corriente que circula a travs de la unin
emisor-base es prcticamente despreciable, mientras que para la
mayora de los valores de corriente utilizados en la prctica, el valor de
BE
V suele estar comprendido entre 0.6V y 0.8V. En el anlisis de
circuitos de polarizacin en continua consideraremos generalmente que
en los transistores bipolares de Silicio ~
BE
V 0.7V, mientras que en los
dispositivos de Germanio ~
BE
V 0.2V.
2.7. Curva caracterstica de salida.
La caracterstica de salida del transistor bipolar en emisor comn
puede escribirse mediante la curva mostrada en la figura 9 , en la que
se representa la relacin entre la corriente de colector Ic y la tensin
CE
V entre el colector y el emisor del dispositivo, manteniendo constante
el valor de la corriente de base
B
I .








Figura 8: Curvas caractersticas de entrada de un transistor bipolar NPN
Figura 9: Curvas caractersticas de salida de un transistor bipolar.
16

Como se observa en la figura 9, la curva caracterstica
CE c
V I
de un transistor bipolar funcionando en modo activo es prcticamente
horizontal, poniendo de manifiesto el hecho de que la corriente de
colector
C
I de es prcticamente independiente de la tensin entre el
colector y el emisor
CE
V siempre que la unin colector-base
permanezca polarizada en inversa, comportndose como una fuente
ideal de corriente constante, en la que el valor de la corriente continua
de colector
C
I es directamente proporcional a la corriente de base
B
I .
Por lo que el funcionamiento del transistor bipolar en modo
activo puede representarse mediante el modelo equivalente mostrado
en la f figura 2.9, en el que la fuente de tensin situada entre la base y
el emisor representa la cada de tensin en la unin base-emisor del
transistor polarizada en directa, que hemos considerado que
generalmente ser de 0.7V, mientras que la fuente de corriente
controlada representa la relacin de la corriente de colector con la
corriente de base en modo activo.
Sin embargo, para pequeos valores de
CE
V , la tensin en el
colector del dispositivo puede llegar a ser inferior a la tensin de base
lo suficiente como para que la unin colector-base deje de estar
polarizada en inversa. En esta situacin el transistor bipolar deja de
funcionar en modo activo, entrando en saturacin, en la que la corriente
de colector
C
I alcanza su mximo valor dejando de ser proporcional a
la corriente de base, puesto que
B C
I I | s . Por tanto, el dispositivo
dejar de comportarse como una fuente de corriente y no tendr
utilidad en la amplificacin de seales.


2.8 Polarizacin por retroalimentacin del emisor.
Este tipo de polarizacin proporciona mayor estabilidad del
punto de operacin que otra polarizacin; el proceso de la
retroalimentacin radica en el hecho de que si por alguna razn
(incremento en por ejemplo) Ic incrementa, entonces el voltaje en la
17

Rb disminuye entonces Ib disminuye lo cual obliga a que Ic se d
cemente. Se concluye que le incremento original de Ic queda parcial
mente balanceada.


Anlisis de la malla del colector:

Ecuaciones (13)
Anlisis de la malla de base:

Ecuacin (14)


Ecuacin (15)

Figura 10: retroalimentacin del emisor
18


Ecuacin (16)



Ecuacin (17)









2.9 Polarizacin por divisin de tensin.

Este tipo de polarizacin es la ms ampliamente utilizada en
circuitos lineales, por este motivo algunas veces se le conoce como
polarizacin universal.
Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de tencin de voltaje
Vcc, la funcin de esta red es polarizacin necesaria para que la unin
base-emisor este en la regin apropiada. Este tipo de polarizacin es
mejor que la anterior, pues proporciona mayor estabilidad del punto de
operacin con respecto de cambio de .
19




Anlisis de la malla de base:
En la terminal de base existen dos mallas por lo que se
empleara el teorema de Thevenin para simplificar a una sola malla,
como se observa.

Ecuacin (18)

Figura 11: Polarizacin por divisin de tensin
Figura 12: Anlisis de la malla de base
20


El precio que se paga por tener esta estabilidad es tener valores
de Rb demasiado bajos ya que . Valores bajos de Rb
son inconvenientes cuando el circuito de polarizacin forma parte del
amplificador.
Por lo menos bastara con que haciendo con esto
que la corriente del colector sea . Esto asegura que el
transistor queda bien polarizado, con una corriente de emisor constante
y que el punto de operacin no cambiara de manera significativa si se
sustituye el transistor por otro con una distinta.


Anlisis de la malla del colector:


21


Formula para la curva de potencia.

Ecuacin (25)





























22

III.- Material y Equipo
3.1 Material
- 1 Resistencia de 249.33k
- 1 Resistencia de 62.54K
- 1 resistencia de 2k
- 1 Resistencia de 0.5K
- 1 Resistencia de 100K
- 1 transistor 2N3904

3.2 Equipo
- Fuente de Voltaje de 12 V
- Multimetro
- Protoboard
- Osiloscopio



















23

IV.- Desarrollo
En el siguiente apartado realizaremos la metodolgica
experimental para desarrollar la presente prctica tomando como
referencia las formulas vistas en el marco terico.

4.1 Parmetros bsicos
El circuito presente (figura 13) se realizara una anlisis para
dejarlo en su punto de operacin optimo utilizando las formulas
mencionadas en el marco terico.


Figura 13
Como primer paso utilizando los valores ya conocidos de nuestro
transistor y los cuales analizaremos nuestro circuito en su punto medio
de operacin.

Como sabemos para que nuestro transistor este trabajando en
su punto medio se utilizan que Vcc e Icmax estn justo a la mitad.

Al conocer mi corriente de colector podemos buscar mis dems
corrientes faltantes, despus buscar el valor de mis resistencias
apoyndonos con el mtodo de thevenin, criterio de estabilidad y
tambin propuestas.

24

Resistencias propuestas

Criterio de estabilidad

Malla thevenin

Ya conociendo lo que vale nuestro voltaje thevenin podemos
encontrar R1 y R2 despejndolas de las ecuaciones de thevenin.

Con esto ya podemos armar el circuito, al hacer las mediciones
obtuvimos Vce = 6.21 V e Ic = 2.95mA, un valor muy aproximado al
propuesto al principio del anlisis, su variacin puede influir que los
valores de las resistencias no fueron exactos a los calculados y que la
fuente de alimentacin daba 15 V aproximados entre otras cosas.


Figura 14. Punto de operacin

4.2 Anlisis de corriente alterna
Ya al haber dejado nuestro circuito en su punto de operacin lo
analizaremos en ca que est en emisor comn como se muestra en la
figura 15.
25


Figura 15. Emisor comn

El siguiente paso es calcular los valores de hie, hfe, ro, Zi y Zo,
utilizando las formulas vistas en clase y despus realizar su modelo
elctrico en anlisis ca.

( )

( )

Teniendo estos valores asemos nuestro modelo para analizarlo
para medir nuestro circuito en Av, Zi y Zo utilizando el osciloscopio.

Figura 16 circuito anlisis CA emisor comn
Q1
2N3904
R1
2k
R2
500
R3
62.54k
R4
249.33k
VCC
15V
Vi
Vo
26

En este punto mediremos con el osciloscopio colocaremos un
canal en la entrada y la otra en la salida del circuito, lo que se obtuvo
fueron los siguientes resultados.

Despus se midi la impedancia de entrada como se muestra en
la figura 17.

Figura 17. Medicin impedancia de entrada

Se midi con el potencimetro en 0, se varia el potencimetro
asta encontrar la condicin que a continuacin se van a mostrar,
despus de encontrar esa condicin se mide la resistencia con el
multimetro.

Despus se realiza una condicin parecida para la medicin de
la impedancia de salida como se muestra en la figura 18.

Figura 18
27

As se obtuvo un aproximado a lo calculado, se tiene un error a
lo medido pero eso influye que las resistencias no son iguales a las
calculadas.




























28

V. Discusin de resultados experimentales
Es importante determinar correctamente los parmetros de la
del transistor, pues si no es el valor correcto, los datos medidos no
correspondern a los medidos, creando un gran margen de error.






























29

VI.- Conclusin
Logramos obtener los parmetros del transistor gracias a las
ecuaciones vistas en el marco terico y las vistas en clases, y
comprobamos su efectividad. Nos dimos cuenta adems, de que entre
mas complejo, el arreglo de la polarizacin de nuestro transistor, es
ms preciso y ms estable.

Se logro encontrar los parmetros en AC en el circuito utilizando
las formulas mencionadas a lo largo del desarrollo.

























30

VII Referencias
http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp
Descargado el 17 de Junio de 2009

es.geocities.com/loslocosproyectos/pdfs/pol_transistores_bjt_9.pdf
Descargado el 17 de Junio de 2009

Apuntes de analgica del presente ciclo escolar.