BLM 6

6
KK SNYAL YKSELTELER
Konular:
6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 Kk sinyal ykseltme ilemi Transistrn ac edeer devreleri Ortak emiterli ykselte Ortak beyzli ykselte Ortak kolektrl ykselte ok katl sistemler Onarm

Amalar:
Kk sinyal ykseltelerinin tantm ve zellikleri Transistrlerin ac parametreleri Ortak emiterli ykselte devresinin zellikleri, almas ve analizi Ortak beyzli ykselte devresinin zellikleri, almas ve analizi Ortak kollektrl ykselte devresinin zellikleri, almas ve analizi ok katl (kaskat bal) ykselte devrelerinin almalar ve analizi Ykseltelerde arza tipleri ve onarm

Bu blmde transistrn ykselte olarak nasl altrlacan reneceksiniz. Ykselte tasarmnda dikkat edilmesi gereken zellikleri belirleyip, kk iaretlerin nasl ykseltildiini greceksiniz.

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

6.1

KK SNYAL YKSELTME LEM

nceki blmde bir transistrn alabilmesi iin dc polarmaya gereksinim duyduunu belirtmitik. Polarma ilemi sonunda transistrn alma blgesini belirleyip iaret ilemeye hazr hale getirmitik. Tm hazrlklar transistr bir ykselte (amplifier) olarak altrmaya hazrlamakt. Bu blmde transistrn kk iaretleri nasl ykselttiini irdeleyeceiz. Transistrl ykselte devreleri genellikle kk sinyal ve g ykselteleri olmak zere iki temel blmde incelenir. rnein; mikrofon, anten v.b cihazlarn klarndan alnan iaretleri ykseltmek amac ile kullanlan ykselte devreleri kk sinyal ykselteleri olarak adlandrlr. Bu tr ykselteler girilerine uygulanan kk iaretlerin gerilimlerini ykselterek ka aktarrlar. Bu blmde sra ile; Ykselte devrelerinde ac ve dc iaretlerin nasl gsterildiini Kk sinyal ykseltelerinde ykseltme ileminin nasl gerekletirildiini Ac iaretler iin yk dorusunun analizini reneceksiniz.

Ykselte devrelerinin analizi iki temelde yaplmaktadr. Bunlar ksaca dc alma artlarnn analizi ve ac alma artlarnn analizi olarak tanmlayabiliriz. Ykselte devrelerinde dc iaretlerin tanmlanmasnda genellikle alfabenin byk harfler kullanlr. IE, VBE ve VCE v.b gibi. Oysaki ac iaretlerin eitli deerleri vardr. Etkin (rms) deer, tepe deer (peak), tepeden tepeye (peak-to-peak), etkin (rms) deer gibi. Genel bir kabul olarak ac iaretler tanmlanrken alfabedeki kk harfler italik formda kullanlr. rnein; ic, ib, vce, vbe v.b gibi. rnein bir transistrn ac iarete kar gsterdii emiter direnci Re, olarak dc iarete gsterdii emiter direnci ise RE olarak tanmlanr.

Kk Sinyal Ykselteci
Tipik bir kk sinyal ykselte devresi ekil-6.1de verilmitir. Ykseltilecek sinusoydal iaret transistrn beyz terminaline uygulanmtr. Ykseltilmi k ise transistr kollektr terminalinden RL yk zerine alnmtr. Rs direnci ac iaret kaynann i direncidir. Transistrn polarma gerilim ve akmlarn giriteki ac kaynaktan ve ktaki RL yknden yaltmak amac ile C1 ve C2 kondansatrleri kullanlmtr.

161

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+VCC

Ic Vb
RC R1 I CQ

C2 V ce

Rs

C1
R2

Ib
RE

VCE Q RL

Vs

ekil-6.1 Gerilim blc polarmal kk iaret ykselte devresi

Balangta ykselte devresine ac iaretin uygulanmadn, sadece dc kaynan var olduunu kabul edelim. Doal olarak dc kaynak, transistr polarmasn salayacak ve alma noktasn belirleyecektir. Transistrn aktif blgede altn kabul edelim. Bu durumda transistr iletimdedir. Belirli bir dc kollektr akm (IC) ve gerilimine (VCE) sahiptir. Transistr artk ykseltme ilemine hazrdr. nk aktif blgede alyor. imdi transistrn beyzinden kk genlikli bir sinsoydal iaretin uygulandn varsayalm. Sinsoydal iaretin pozitif saykl beyz akmnda artmaya neden olacaktr. Beyz akmnn artmas kollektr akmnda da artmaya neden olacaktr. Giri sinsoydal iaretinin sfra inmesi durumunda ise mevcut beyz akm deeri transistrn Q alma noktasndaki deere geri dnmesine neden olacaktr. Giri sinsoydal iaretinin negatif saykl ise beyz akmn azaltc ynde etki edecektir. Dolaysyla transistrn Q noktasndaki kollektr akm deerini de azaltacaktr. Bu durum giri sinsoydal iareti var olduu srece tekrarlanacaktr. Ykselte giriine uygulanan sinsoydal iaretin transistrn alma noktas (Q) deerlerinde oluturduu deiim (ykselme-azalma) ekil-6.2de grafiksel olarak gsterilmitir. Grafikten de grld gibi giri beyz akmndaki ok kk bir miktar deiim, transistrn k kollektr akmnda byk miktarlarda deiime neden olmaktadr. Ksaca giriten uygulanan iaret, kta ykseltilmitir. Grafikten grld gibi giri beyz akmndaki deiim A dzeyinde olurken, k kollektr akmndaki deiim ise mA dzeyindedir. ekil-6.2de verilen grafii analiz edelim. Transistr skunet halinde (girite ac iaret yok) Q alma noktasnda IB=30A, IC=3mA ve VCE=4V deerlerine sahiptir. Transistr (ykselte) giriine tepe deeri 10A olan bir sinsoydal iaret uygulandnda ise; Transistrn beyz akmndaki deiim 20A ile 30A arasnda olmutur. Buna karlk transistrn kollektr akm 2mA ile 4mA arasnda deimitir. Sonuta; transistr giriine uygulanan ve tepe deeri 20A olan sinsoydal iaret, ktan yine sinsoydal olarak fakat tepe deeri 4mA olarak alnmtr. Ayn ekilde VCE deerinde de bir deiim sz konusudur.

162

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

A
IC (mA)

D ze y in de

a rt

mA Dzeyinde ar tma ve azalma

ma v

ea z al

I b

ma

40A 30A

Ic

3 2

20A VCE (V)

10

Vce

ekil-6.2 Ykselte devresinde ykseltme ileminin grafiksel analizi

6.2

TRANSSTRN AC EDEER DEVRES

Transistrl ykseltelerin ac iaretlerde analizi olduka karmak yaplar ortaya karabilir. Analizi kolaylatrp pratik hale getirmek iin eitli yntemler gelitirilmitir. Kk sinyal analizinde en uygun ve pratik yntem; transistrn edeer devre modellerinden yararlanmaktr. Transistrn ac edeer devre modellemesinde kullanlan balca iki tip parametre vardr. Bunlar; h veya hibrit parametresi, dieri ise r parametresi olarak bilinir ve tanmlanrlar. Bu blmde; transistrn ac edeer devre modellemesinde kullanmak zere, hibrit- modeli tantlacaktr.

Transistr ac Edeeri
Kk sinyal ykseltelerinin ac analizinde kullanlmak zere, eitli devre modellemeleri gelitirilmitir. Bu blmde; transistrn ac edeer devresi iin Hibrid- (Hybrid) modeli tantlacaktr. Bu model, dierlerine gre basit yapdadr ve kullanm daha kolaydr. Dolaysyla transistrn ac analizde bu modelden yararlanlacaktr. Kk sinyal ykseltelerinde Bipolar Jonksiyon Transistr (BJT) ekil-6.3de verilen hiprid- devre modeli ile temsil edilebilir. Bu edeer devre modelinde; gm ve r olarak verilen parametreler transistrn kollektr akm IC deerine bamldr. Dolays ile hibrid- modeli transistrn belirli bir alma noktasnda kullanlabilir.

163

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

B r

+ v r0 gm v

ekil-6.3 Bipolar jonksiyon transistr iin hibrid- modeli

Edeer devre modelinde kullanlan parametreler srasyla; v, transistrn beyz-emiter (vbe) sinyal gerilimini gm, transkondktansn (iletkenliini) r, transistrn beyz-emiter aras giri direncini temsil etmektedir. Bu parametrele ile ilgili ayrntl bilgiler ileriki blmlerde verilecektir. Transistrn transkondktans (gm )ve giri direnci deerleri (r) aadaki gibi verilir.
IC IC = VT 26mV gm

gm =

r =

Grld gibi her iki parametrede kollektr akmnn deerine baldr. Bu sebeple yukarda da belirtildii gibi hibrid- modelini kullanmak iin transistrn alma noktasndaki IC deerinin bilinmesi zorunludur. Edeer devre modelinde transistrn k akm baml bir kaynak ile tanmlanmtr. Transistrn k akm IC;

i c = i b = g m v = g m r i b
eklinde yazlabilir. ekil-6.3de verilen edeer devre modelinde grld gibi transistrn sahip olduu bir k direnci vardr. Bu diren r0 ile sembolize edilmitir. Transistrn k direnci r0, ykseltecin kazanc hesaplanrken kimi durumlarda rnein RC<< r0 olduunda ihmal edilebilir. Bu konu ileride ilenecektir.

Kk Sinyal Edeer Devresinin Kullanm

Transistrl bir ykselte devresinin kk sinyal analizi iki aamada yaplr. Analiz de dc ve ac kaynaklarn neden olduu etkenler ayr ayr incelenmelidir. Bu yntem analizi kolaylatrr. Transistrn bir ykselte olarak alabilmesi iin ncelikli koul aktif blgede almasdr. Bu ise dc polarma ile salanr. Transistrl ykseltelerinin analizinde ilk aama dc polarma akm ve gerilimlerinin salanp alma noktasnn belirlenmesidir. Yaplan ykselte tasarm veya analizinde eer transistr aktif blgede almyorsa, ac analiz yapmann anlam olmayacaktr. Transistrl bir ykselte devresinde dc ve ac analiz iin yaplacak ilemler aada adm adm anlatlmtr. rnein ekil-6.4.ada verilen ykselte iin dc ve ac analizi ayr ayr gerekletirelim.

164

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+VCC RC RB Vs VBB RB

+VCC RC

VB B

a) Ykselte devresi

b) dc analiz iin edeer gsterim

ekil-6.4.a.b Transistrl ykselte devresi ve dc analiz iin edeer devre

Bir ykselte devresinde dc analiz yaplrken, ac kaynaklar ksa devre edilir. Eer ykselte devresinde kondansatrler varsa ak devre edilmelidir. nk kondansatrler dc sinyale ak devre gibi davranrlar. Kk sinyal ykselteci iin devrenin dc edeeri ekil-5.6.bde izilmitir. DC almada gerekli analizler yaplarak transistrn alma blgesi belirlenir. Transistr aktif blgede altrlyorsa ac analize geilebilir. Aktif blgede almayan bir transistr iin ac analiz yapmak gereksizdir. nk bir kazan veya ykseltme sz konusu deildir. Transistrl ykselte devresinin ac yaplrken doal olarak devrenin ac kaynaa tepkisi incelenecektir. Dolaysyla devrede bulunan dc kaynaklar yok edilmelidir. Bunun iin dc kaynaklar devreden kartlarak yerleri ksa devre edilir. Ayrca devrede kondansatrler varsa ksa devre edilmelidir. nk kapasitrlerin orta frekans blgesinde ksa devre davran gsterdii kabul edilir. ekil-6.4de verilen kk sinyal ykselte devresinin ac edeer gsterimi ve ac edeer devre modeli grlmektedir.
+VCC RC RB Vs VBB Vs VB B RB r Vs RC RB
Transistr Edeeri

+
v

+ v0
gmv Rc

a) Ykselte devresi

b) ac analiz iin edeer gsterim

c) ac analiz iin edeer devre modeli

ekil-6.4 Transistrl kk sinyal ykseltecinin ac edeeri ve devre modellemesi

ekil-6.4.cde verilen ac devre modellemesi kullanlarak ykselte devresi iin gerekli analizler yaplr. Kk iaret ykseltelerinin edeer devre modellemeleri ileri ki blmlerde ayrntlar ile verilecektir. Ac ve dc devre modellemeleri kullanlarak gerekli analizler ve zmler ayrntl olarak yaplacaktr. Konunun daha iyi anlalmas iin aada rnek bir devre analizi verilmitir. Dikkatlice inceleyiniz.

165

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 6.1

ekil-6.5.ada verilen ykselte devresinin kk sinyaller iin dc ve ac analizini yapnz. =150, VBE=0.7V
+VCC =12V RC 2.2K RB Vs VBB 220K VB B 5V RB 220K 5V +VCC =12V RC 2.2K

a) Ykselte devresi

b) dc analiz iin edeer gsterim

ekil-6.5.a ve b Transistrl ykselte devresi ve dc edeeri

zm

a. dc analiz Ykselteci dc alma artlarnn belirlenmesinde ilk adm devrenin dc edeerinin izilmesidir. Dc edeer izimi iin devredeki ac kaynak 0V, kapasitrler ise ak devre kabul edilir. Yaplan kabuller sonucunda ykselte devresinin dc edeeri ekil-6.5.bde verildii gibidir. kinci adm transistr skunet halinde iken (devrede ac iaret yokken) alma blgesi akm ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun iin devreden evre gerilimlerinden yararlanarak IB akmn bulalm.
IB =
I B ==

V BB V BE RB

5 0.7 4.3 = = 0.019mA = 19 A 220 K 220 K

I C = I B = (150) (19A) = 2850A = 2.85mA VCE = VCC I C RC = 12V (2.85mA 2.2 K) = 5.73V

elde edilen deerler bize transistrn aktif blgede alt belirtmektedir. Dolays ile transistr ykseltme (amplifikasyon) iin uygun blgede almaktadr. O halde verilen devrenin ac analizine geebiliriz. b. ac analiz ekil-6.5.ada verilen transistrl ykselte devresinin kk sinyal iin ac analizi yapalm. lk adm ac edeer devreyi izmektir. Bunun iin devredeki dc gerilim kayna ve kapasitrler ksa devre edilir. Yaplan bu ilemler sonucunda devremizin ac edeeri ve hibrid- devre modeli ekil-6.6da ykselte devresi ile birlikte verilmitir. Ykseltecin edeer devre modelinde, transistrn sahip olduu r0 k direnci ihmal edilerek gsterilmemitir. Transistrn k direnci, RC direncinden ok (RC<<r0) byktr. Dolays ile ihmal edilebilir.

166

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

RC 2.2K RB Vs 220K Vs

RB 220K

B
r

+
v

gmv

+ v0
Rc 2K2

a) ac analiz iin edeer gsterim

b) ac analiz iin edeer devre modeli

ekil-6.6.a ve b Transistrl ykselte devresi ve ac edeeri gsterimi

Ykselte giriine ykseltilmek amacyla uygulanan giri sinyali vs, ykselte knda v0 olarak alnmaktadr. k iareti kollektr noktasndaki gerilimdir. Dolaysyla RC direnci zerinde grlen ac deerdir. Devrenin zmnde ikinci adm ac edeer iin gereken parametrelerin bulunmasdr. nce transistrn trankondktans ve beyz-emiter sinyal gerilimi deerlerini bulalm. I 2.85mA gm = C = = 109.6mA / V 26mV VT
r =

gm

150 = 1.36 K 109.6mA

olarak bulunur. imdi ykseltecin k ac gerilim deerini bulalm. Edeer devreden RC direnci zerinden geen akmn gmv olduu grlmektedir. RC direnci zerindeki ac gerilim ohm kanunu kullanlarak bulunur. VRc;

v Rc = g m v RC
Bu gerilimin yn edeer devrede (ekil-6.6.b) gsterildii gibi akm ynyle balantl olacaktr. Akmn girdii yer (+), kt yer (-) olduuna gre bu iaretleme kollektr direnci zerindeki gerilimin ynyle terstir. Bu iaretlemeye gre k gerilimi v0, kollektr direnci RC zerindeki gerilime gre terstir ve 1800 faz farkl olacaktr. Bu nedenle ykseltecin ac k gerilim;

v0 = g m v RC
olacaktr. Bu eitlikte sadece v deeri bilinmemektedir. Bu deeri bulalm. ekil-5.7de verilen edeer devrenin giri evresini kullanarak;
v = vs vs r = 1.36 K = 0.006v s 220 K + 1.36 K R B + r

167

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Bulunan bu eitlik v0 = g m v RC denkleminde yerine yazlrsa ykseltecin k gerilimi belirlenir.

v0 = g m v RC
v 0 = (109.6 x10 3 ) (0.006v s ) (2.2 x10 3 ) v0 = (109.6 x10 3 ) (0.006v s ) (2.2 x10 3 ) = 1.43v s

Artk ykseltecin gerilim kazancn bulabiliriz. Ykseltelerde gerilim kazanc k gerilimin giri gerilimine orandr. v AV = 0 = 1.43 vs

6.3

YKSELTELERDE BALANTI TPLER

Transistrl ykselteler; devrede kullanlan bipolar jonksiyon transistrn balant ekline adlandrlrlar. Balca tip balant ekli vardr. Ortak emiterli, ortak beyzli ve ortak kolektrl. Her bir balant tipinin farkl zellikleri ve ilevleri vardr. Dolays ile farkl amalar iin farkl yerlerde kullanlabilirler. Bu blmde; ortak emiterli ykselte (commen-emiter amplifier), ortak kollektrl ykselte (common-collector amplifier) ve ortak beyzli ykselte (common-base amplifier) devresinin temel balant ekillerini analiz edip, temel zelliklerini vurgulayacaz. Her bir ykselte devresi iin gerekli dc ve ac analizleri ise ileri blmlerde gerekletireceiz.

Temel bir ykselte devresinin blok diyagram ekil-6.7de verilmitir. Ykselte giriine uygulanan iaret, belirli ilemlerden geirilir ve ykseltilerek ka aktarlr. Bu durum, ykselte devresinin temel ilevidir.
Transistrl Ykselte

Giri

ekil-6.7 Temel bir ykseltecin blok diyagram

168

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Blok diyagramda grld gibi ykselte iin 2 giri ve 2 k terminali gereklidir. Transistrl ykselte devrelerinde kullanlan temel eleman ise transistrdr. Transistr 3 ulu bir devre elamandr. Dolaysyla ykselte tasarmnda transistrn bir terminali giri ve k iin ortak u olarak kullanlr. Bu nedenle ykselteler, transistrn balant ekillerine gre snflandrlrlar. rnein ortak emiterli bir ykselte devresinde; emiter terminali giri ve k iin ortak utur. Transistrl ykseltelerde kullanlan 3 temel balant tipi ekil-6.8de ayrntl olarak verilmitir. Bu balant tipleri sras ile; Ortak-emiterli ykselte Ortak-kollektrl ykselte Ortak-beyzli ykselte

olarak adlandrlr. Her bir balant tipinin kendine has bir takm zellikleri vardr. Dolays ile kullanm alanlar farkldr. lerleyen blmlerde sra ile her bir balant tipinin zelliklerini, dc ve ac analizlerini ayrntl olarak inceleyeceiz.
+VCC +VCC +VCC RC R1 C1 C1 R2 VS RE CE R2 RE C2 V0 VS C3 R2 RE C2 V0

R1

RC V0

R1 C2

C1 VS

a) Ortak emiterli ykselte devresi

a) Ortak kollektrl ykselte devresi

a) Ortak beyzli ykselte devresi

ekil-6.8 Transistrl ykseltelerde balant tipleri

6.4

ORTAK EMTERL YKSELTE

Transistrl ykseltelerde kullanlan balant tiplerinden en popleri ortak emiterli ykselte devresidir. Kimi kaynaklarda ismi ksaltlarak CE (Commen Emiter) olarak tanmlanr. Ortak emiterli ykseltelerin (OE) gerilim ve akm kazanlar olduka yksektir. Bu durum onu bir ok uygulamada popler klar. Bu blmde ortak emiterli ykselte devresini tm ynleri ile analiz edeceiz. Daha sonraki blmlerde srasyla dier balant tiplerini inceleyeceiz.

Tipik bir ortak emiterli ykselte devresi ekil-6.9da verilmitir. Bu ykselte devresi ortak emiterli devrenin alma prensibini anlayabilmeniz iin gelitirilmitir. Pratikte bir ykselte devresinde iki adet dc besleme kayna kullanlmaz.

169

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

RL Vin RB

Vout

VEE

VCC

ekil-6.9 Tipik bir ortak emiter balantl ykselte devresi

Ykseltilecek veya kuvvetlendirilecek giri iareti ykseltecin beyz-emiter terminalleri arasndan uygulanmtr. k iareti ise; ykseltecin kollektr-emiter terminalleri arasndan alnmtr. Dolays ile emiter terminali giri ve k iareti iin ortak utur. Bundan dolay bu ykselte ortak emiterli ykselte (OE) olarak adlandrlr. Ortak emiter balantl ykselte devresinin temel zellikleri aada sralanmtr. Gerilim Kazanc (Voltage Gain) Akm Kazanc (Current Gain) G Kazanc (Power Gain) Sinyal Faz evrimi Giri Empedans k Empedans : Var : Var : Var, yksek : Var, 1800 : Orta dzeyde (500-1k) : Orta dzeyde (10K-50K

Gerilim blcl dc polarmaya sahip ortak emiterli ykselte devreleri pratikte sk kullanr. Pek ok cihaz ve sistemin tasarmnda kullanlan byle bir ykselte devresi ekil-6.10da verilmitir.
VCC =+12V RC 2.2K

R1 27K Rs 4.7K VS C1 R2 5.6K

C2 RL 1K CE

V0

RE 470

ekil-6.10 Ortak emiter balantl gerilim blcl ykselte devresi

170

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Devrede Vs giri sinyal kaynadr. Rs direnci ise sinyal kaynann i direncidir. Ykseltilecek sinyal transistrn beyzine C1 kapasitr zerinden uygulanmaktadr. C1 deeri yeterince byk (1F-100F) seilmelidir. k sinyali ise kollektr zerinden C2 kapasitr ile RL yk direnci zerine alnmaktadr. C2 deeride C1 gibi uygun deerde seilmelidir. Transistrn emiterine bal RE direnci, ac almada transistrn kazancn azaltmaktadr. Orta frekans blgelerinde almada REnin bu etkisi paralel bal CE kapasitr tarafndan yok edilmitir. Bu nedenle CE kapasitrde yeterince byk (1F-100F) seilmelidir. CE kapasitr sadece dc almada transistrn kararlln salamaktadr. Bu nedenle bu kapasitre emiter bypass kapasitr denilmektedir. ekil-6.10!da verilen ortak enmiter balantl ykselte devresinin analizi iki aamada gerekletirilir. lk aama dc analizdir. Devrenin dc analizini yapalm.

DC Analiz
Devrenin dc analizi iin ilk adm, dc edeer devreyi izmektir. DC edeer iin devrede bulunan kapasitrler ak devre kabul edilir ve Vs sinyal kayna dikkate alnmaz. Bu koullar yerine getirildiinde oluan dc edeer devre ekil-6.11de verilmitir.
VCC =+12V RC 2.2K V CC=+12V RC 2.2K

R1 27K Rs 4.7K VS R2 5.6K

R1 27K V0 RL 1K

RE 470

R2 5.6K

RE 470

ekil-6.11 Ortak emiter balantl ykselte devresinin dc edeer devresinin karlmas

Devrenin dc analizini yapalm. DC analizde transistrn polarma akm ve gerilimleri hesaplanarak alma blgesi belirlenmekteydi. O halde, thevenin edeer devresinden yararlanarak;
VTH = VCC 12V R2 = 5.6 K = 2.06V R1 + R2 27 K + 5.6 K

RTH =

R1 R2 27 K 5.6 K = = 4.63K R1 + R2 27 K + 5.6 K

IE =

VTH V BE 1.36V 2.06V 0.7V = = = 2.64mA RTH 4.63K 515 + 470 + RE 101 ( + 1)

171

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

IB =

IE 2.64mA = = 26 A ( + 1) 101

I C = I B = 100 26 A = 2.6mA

VC = VCC I C RC = 12 2.6mA 2.2 K = 6.28V

V E = I E R E = 2.64mA 470 = 1.24V

VCE = VC V E = 6.28 1.24 = 5.03V

Bulunan sonularda transistrn aktif blgede alt grlmektedir. O halde ac analize geebiliriz.

AC Analiz
Devrenin ac analizi iin ilk adm, ac edeer devreyi izip daha sonra hibrid- modelini karmaktr. DC edeer iin devrede bulunan dc kaynaklar ve kapasitrler ksa devre kabul edilir. Bu koullar altnda oluan ac edeer devre ekil-6.12de verilmitir.
V CC=+12V RC 2.2K V0 C2 C1 R2 5.6K RE 470 CE RL 1K V0 Rs RC R1 R2 RL

R1 27K Rs 4.7K VS

VS

ekil-6.11 Ortak emiter balantl ykselte devresinin dc edeer devresinin karlmas

Ykselte devresinin kk sinyal edeer devresi iin ikinci aama ise transistrn edeer modelini yerletirmektir. Bu ilem sonucunda ortak emiterli ykselte devresinin kk sinyaller iin edeer devre modeli ekil-6.12de verilmitir.

172

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Rs 4.7K

B r

+
v

C _ gm v
RC 2K2 RL 1K

+ v0

VS

R1 27K

R2 5.6K

R in

ekil-6.11 Ortak emiterli ykselte devresinin kk sinyal edeer devre modeli

Gerekli parametreleri hesaplayarak ac analize geelim. nce transistrn iletkenlik katsaysn ve beyz-emiter aras sinyal gerilimi deerlerini bulalm.
I C 2.6mA = = 100mA / V VT 26mV

gm =

r =

gm

100 100 10 3

= 1K

Rin = R1 // R2 // r = 0.823K

Edeer devre modelinden yararlanarak vs, Rs ve Rin evresinden hareket ederek gz denklemini yazarak v deerini bulalm.
v = vs vs Rin = 0.823K = 0.149v s R s + Rin 4.7 K + 0.823K

buradan ykseltecin k sinyal gerilimini (v0) bulalm.

v 0 = g m v ( RC // R L ) = g m v RC R L = (100mA / V )(0.168v s )(0.68 K) = 11.4v s RC + R L

eitlii elde edilir. Buradan ortak emiterli kk iaret ykseltecinin gerilim kazanc bulunur.

173

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 6.2

ekil-6.12de verilen ykselte devresinin kk sinyaller iin dc ve ac analizini yapnz. =100, VBE=0.7V
V CC=15V RC 2K

RB 560K C1 10F

C2 10F RL 20K V0

VS

zm

ekil-6.12 Ortak emiter balantl transistrl ykselte devresi

c. dc analiz Ykselteci dc alma artlarnn analizi iin devredeki kapasitrler ak devre yaplr. kinci adm transistr skunet halinde iken (devrede ac iaret yokken) alma blgesi akm ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun iin devreden evre gerilimlerinden yararlanarak IB akmn bulalm.
VCC VBE 15V 0.7V 14.3V = = = 25.54 A RB 560K 560K

IB =

I C = I B = (100) ( 25.54 A) = 2554 A = 2.554mA VCE = VCC I C RC = 15V ( 2.554mA)( 2K) = 9.892V VCB = VCC I C RC VBE = 15V ( 2.554mA)( 2 K) 0.7V = 9.12V

deerleri bulunur. Devrede; VCB>0dr. Dolays ile transistr aktif blgede almaktadr. AC analize geebiliriz. d. ac analiz ekil-6.12de verilen transistrl ykselte devresinin kk sinyal iin ac analizi yapalm. lk adm ac edeer devreyi izmektir. Bunun iin devredeki dc gerilim kayna ve kapasitrler ksa devre edilir. Devremizin ac edeeri devre modeli ekil-6.13de verilmitir.

174

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 6.3

ekil-6.14de verilen ykselte devresinin kk sinyaller iin gerilim kazanc ifadesini bulunuz? =150, VBE=0.7V

VCC =12V RC 2K

RB 470K RS 1K C1 10F

C2 10F RL 20K V0

zm

ekil-6.14 Ortak emiter balantl transistrl ykselte devresi

a. dc analiz Ykseltecin dc alma artlarnn analizi iin devredeki kapasitrler ak devre yaplr. kinci adm transistr skunet halinde iken (devrede ac iaret yokken) alma blgesi akm ve gerilimlerinin (IC ve VCE) belirlenmesidir. Bunun iin devreden evre gerilimlerinden yararlanarak IB akmn bulalm .
IB = VCC VBE 12V 0.7V 11.3V = = = 24 A RB 470K 470K

I C = I B = (150) ( 24 A) = 3600 A = 3.6mA VCE = VCC I C RC = 12V ( 3.6mA)( 2K) = 4.8V VCB = VCC I C RC VBE = 12V ( 3.6mA)( 2 K) 0.7V = 4.1V

deerleri bulunur. Devrede; VCB>0dr. Dolays ile transistr aktif blgede almaktadr. AC analize geebiliriz. b. ac analiz Analizi istenilen devre rnek:6.2de verilen devre ile benzerlikler iermektedir. Sadece bu devrede giri iaret kaynann VS i direnci RS verilmitir. Edeer devre iziminde bu direnci dikkate almalyz. imdi ekil-6.14de verilen transistrl ykselte devresinin kk sinyal iin ac analizi yapalm. lk adm ac edeer devreyi izmektir. Bunun iin devredeki dc gerilim kayna ve kapasitrler ksa devre edilir. Devremizin ac edeeri devre modeli ekil-6.15de verilmitir.

175

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

RS 1K

B r

+
v

C _ g mv

+ v0
RC 2K RL 20K

VS

RB 470K

Rin

ekil-6.15 Ortak emiter balantl ykselte devresinin ac edeeri

Ykseltecin edeer devre modelinde, transistrn sahip olduu r0 k direnci ihmal edilerek gsterilmemitir. Transistrn k direnci, RC direncinden ok (RC<<r0) byktr. Dolays ile ihmal edilebilir.
IC 3.6mA = = 138mA /V VT 26mV 150 = = 1.086K g m 138x10 3

gm = r =

v 0 = g m v ( RC // R L ) RC // R L = R in = R B // r = v = RC R L 2 K 20K = = 1.82 K RC + R L 2 K + 20K R B r 470K 1.086K = = 1.083K R B + r 470K + 1.086K

vS vS R in = 1.083K = 0.5 v S R B + Rin 1K + 1.083K v 0 = g m v ( RC // R L ) v 0 = (138mA /V ) 0.5v S (1.82 K) AV = v0 = (138mA /V )(1.82K) = 125.58 vS

176

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

6.5

ORTAK KOLLEKTRL YKSELTE

Transistrl ykseltelerde kullanlan dier bir balant tipidir. Bu balant tipi emiter izleyici (emiter-follower) olarakta adlandrlmaktadr. Yksek giri direncine ve alak k direncine sahiptir. Bu nedenle tampon (buffer) olarak kullanlmaktadr. Bu blmde ortak kollektrl ykselte (common-collector amplifier) devresini tm ynleri ile analiz edeceiz. Bir sonraki blmde ise son olarak ortak beyzli balant tipini inceleyeceiz.

Tipik bir ortak kolektrl ykselte devresi ekil-6.16da verilmitir. Bu ykselte devresinde giri sinyali (iareti) transistrn beyz-emiter ular arasndan uygulanmtr. k iareti ise emiter-kollektr terminalleri arasndan alnmtr.
+VCC

R1 RS C1 C2 VS V0 RE RL

R2

ekil-6.16 Tipik bir ortak kollektr balantl ykselte devresi

Ortak kollektr devresi emiter izleyici devre olarak da adlandrlmaktadr. Giri direncinin yksek, k direncinin alak olmasndan dolay tampon (buffer) veya izolasyon amac ile yaygn olarak kullanlmaktadr. ekil-6.16da grld gibi giri iareti ykseltece beyz terminalinden uygulanmtr. k ise emiter terminalinden alnmtr. Devrede ilk bakta kollektr terminali giri ve k iareti iin ortak u olarak gzkmektedir. Fakat ac almada, dc kaynaklar ksa devre kabul edildiinden, kollektr terminali dorudan ase terminaline bal kabul edilmektedir. Dolaysyla ortak u kolektrdr. Ortak kollektr balantl ykselte devresinin temel zellikleri aada sralanmtr. Giri Empedans k Empedans Gerilim Kazanc : Yksek; yaklak 20K-300K : Alak; yaklak 300-500 : Yok; 1den az

177

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Akm Kazanc G Kazanc aret Faz evrimi Genel Kullanm Alan

: Var; IE/IB : Var. : Yok. : Tampon ykselteci ya da emiter izleyici

Devrede kullanlan RS direnci ykseltece uygulanan sinyal kaynann (VS) i direncidir. Ortak kolektrl ykseltecin gerilim kazanc yoktur. Dolays ile k sinyali giri sinyalinden dk olacaktr. Fakat akm kazanc vardr. ekil-6.16da verilen ortak kollektr balantl ykselte devresinin kk sinyaller iin ac edeer devresi ekil-6.17de grlmektedir.

RS 1K

B r

+
v

VS R1 //R2 RE Rin Rb

gm v

+
_

+
RL

v0

ekil-6.17 Ortak kollektr balantl ykselte devresinin ac edeeri

ekil-6.17de edeer devresi verilen ortak kolektrl ykselte iin k sinyal gerilimi ifadesini yazalm;
v 0 = g m v ( R E // R L )

Devrenin emiterinden bakldnda grlen diren etkisi, emiter direncinin (+1) katdr. Edeer devrede Rb ile tanmlanan diren deeri ise;
R b = r + ( + 1) ( R E // R L )

olarak belirlenir. Edeer devrede grlen Rin deeri ise;

R in = R 1 // R 2 // R b

olacaktr. Analize devam edelim. Edeer devrenin girii iin evre gerilimlerinden yararlanarak Rin zerindeki sinyal gerilimini ve v deerlerini yazalm.
v in = v = vS Rin Rin + RS

v in r r + ( + 1)( R E // R L )

Elde edilen bu deeri, k sinyal gerilimi ifadesindeki ilgili yere yerletirelim.

v 0 = g m v ( R E // R L ) v0 = gm v in r ( R E // R L ) r + ( + 1)( R E // R L )

178

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Yukardaki eitlikte gerekli sadeletirmeler yaplarak ortak kolektrl ykseltecin gerilim kazanc ifadesi aadaki gibi yazlabilir.
R in v0 v in = gm ( R E // R L ) vS R in + RS r + ( + 1)( R E // R L )

AV =

6.6

ORTAK BEYZL YKSELTE

Transistrl ykseltelerde kullanlan dier bir balant tipidir. Yksek gerilim ve akm kazancna sahiptir. Alak giri direncine ve yksek k direncine sahiptir. Bu blmde ortak beyzli ykselte (common-base amplifier) devresini tm ynleri ile analiz edeceiz.

Tipik bir ortak beyzli ykselte devresi ekil-6.18da verilmitir. Bu ykselte devresinde giri sinyali (iareti) transistrn emiter-beyz ular arasndan uygulanmtr. k iareti ise kollektr-beyz terminalleri arasndan alnmtr. Grld gibi beyz ucu, hem giri hem de k iareti iin ortak terminaldir. Bu nedenle bu devre ortak beyzli ykselte olarak adlandrlr.
+VCC RC R1 C2 RS C1 C3 RL V0

VS

R2

RE

ekil-6.18 Tipik bir ortak beyz balantl ykselte devresi

Ortak beyz balantl ykselte (common-base amplifier) devresinin temel zellikleri aada maddeler halinde sralanmtr. Giri Empedans k Empedans : Alak; yaklak 50 - 500 : Yksek; yaklak 300K - 1M

179

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Gerilim Kazanc Akm Kazanc G Kazanc aret Faz evrimi Genel Kullanm Alan

: Var; GV=VC / VE : Yok; =IC / IE : Var. : Yok. : Radyo frekans (RF) ykselte tasarm

ekil-6.18de verilen ortak beyzli ykselte devresinde RS direnci, giriten uygulanan ac kaynan (VS) i direncidir. DC analiz iin devredeki kapasitrler ak devre yapldnda ortak emiterli devre ile ayndr. Devrenin dc polarma bileenlerinin bulunmas ve alma noktasnn belirlenmesi ortak emiterli devre ile ayndr. Bu nedenle bu blmde dc analiz ile ilgilenilmeyecektir. AC analiz iin devredeki kapasitrleri ksa devre yapalm. Devreyi basitletirmek iin transistrn k direnci r0 ise ihmal edelim. Belirtilen koullar altnda ekil-6.18de verilen ortak beyz balantl ykselte devresinin ac edeeri ekil-6.19da verilmitir. Devrenin k sinyalini yazalm;
v 0 = g m v ( RC // R L )

Ykseltecin emiter noktasnda ortaya kan sinyal bileenini bulmak iin gerilim blc eitliini uygularz. Bu durumda emiter sinyali;

B r
R1 R2 RS

+
v

C _ gm v
RL RE

+ v0

ie

+ ve

VS Rin

RE

ekil-6.19 Ortak beyz balantl ykselte devresinin ac edeeri

ve =

vS R in R in + RS v = v0

olur. Ykselte devresinde beyz terminali direnler zerinden topraa bal olduu iin,

olacaktr. Emitere doru bakldnda REye paralel bir re direnci vardr. Bu direncin deeri ise;
re = r +1

180

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

olarak verilir. re<<RE olduundan Rin=re alabiliriz. Bu durumda ykseltecin k gerilimi v0 yeniden yazlrsa;
v 0 = g m v e ( RC // R L )

olur. Yukarda bulduumuz ve deerini k gerilimi eitliine yerletirelim.

v0 = gm vS R in ( RC // R L ) R in + RS

Bu denklemi kullanarak ykseltecin gerilim kazanc eitliini yazabiliriz.

AV = v0 R in = gm ( RC // R L ) vS R in + RS

181

BLM 7
G (POWER) YKSELTEC
KONU:
1.
Transistrl g ykseltecinin analizi ve alma karakteristiklerinin incelenmesi.

GEREKL DONANIM:
Osilaskop (ift Kanall) aret reteci (Signal Generator) DC G Kayna Multimetre (Saysal ve Analog) Transistr: BD135 veya 2N3055 veya Muadili Kondansatr: 1F (Elektrolitik) Diren: 47K Hoparlr: 8

N BLG:
Ykselteler; kullanm amalarna veya ilevlerine gre eitli snflara ayrlrlar. Kk sinyal, byk sinyal, alak frekans, yksek frekans v.b gibi. nceki blmlerde alak frekans alak gl ykseltelerin analizlerini yaptk. G ykselteleri; ilevsel olarak kk sinyal ykselteleri ile benzerlik gsterirler. Fakat ok daha yksek akm ve gerilim deerlerinde alrlar. Dolays ile g ykselteleri olarak tanmlanrlar. G ykselteleri ses frekans tekniinde kullanld gibi eitli endstriyel uygulamalar da sklkla kullanlmaktadr. Uygulama alanlarna rnek olarak; role ve motor kontrol v.b uygulamalar sayabiliriz. Bu blmde; bir g ykseltecini endstriyel bir uygulamadan ziyade ses frekans tekniinde kullanacaz. Bylece ykseltme ilemini iitsel olarak inceleyeceiz.

DENEYN YAPILII:
Ykseltecin temel ilevini renmek amac ile nce ykselte kullanmadan her hangi bir ses frekans iaretinin hoparlr zerindeki etkisini inceleyeceiz. 1.1 1.2 ekil-15.1'de balanty deney seti zerine kurunuz. Balangta devreye iaret retecini (Sinyal Genaratr) balamaynz. aret retecinin k genliini minimuma alnz. Frekansn ise 1KHz sinsoydal olacak ekilde ayarlaynz. aret retecinin DC offset deerinin 0V olmasna dikkat ediniz. Elde ettiiniz iareti, ekil-15.1deki gibi devrenin giriine uygulaynz. aret retecinin frekans sabit kalmak kouluyla genliini maksimum olacak ekilde artrnz. Bu esnada hoparlrden elde ettiiniz sesin iddetine tank olunuz.

1.3

182

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Vg + aret reteci

C1=1F 1Khz Sinsoydal

Hp1 HOPARLR 8

ekil-15.1 Bir hoparlrn dorudan srlmesi

G ykseltecin almasna ve ilevine tank olmak amac ile ekil-15.2de grlen ykselte devresinden yararlanacaz.

1.4

ekil-15.2deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Balangta iaret retecini devreye balamaynz.
Vcc=+12V

RB +

47K

Vg + aret reteci

1Khz ~ Sinsoydal

C1=1F

Hp1 HOPARLR 8

ekil-15.2 Bir hoparlrn g ykselteci ile srlmesi

1.5

aret reteci devreye bal deilken ykseltecin polarma gerilimlerini lerek elde ettiiniz deerleri tablo-15.1deki ilgili yerlere kaydediniz. VCC VCQ VE VBE

Tablo-15.2 G ykselteci devresinin Karakteristikleri

1.6

aret retecinin k genliini minimuma alnz. Frekansn ise 1KHz sinsoydal olacak ekilde ayarlaynz. aret retecinin DC offset deerinin 0V olmasna dikkat ediniz. Elde ettiiniz iareti, ekil-15.2deki gibi devrenin giriine uygulaynz. aret retecinin frekans sabit kalmak kouluyla genliini maksimum olacak ekilde artrnz. Bu esnada hoparlrden elde ettiiniz sesin iddetine tank olunuz. G ykseltecinin almasna tank oldunuz. Neler syleyebilirsiniz. Not ediniz.

1.7

183

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Pu-Pul Balantl Ykselteler

KONULAR:
1. Pu-pul balantl g ykseltecinin alma karakteristiklerini ve zelliklerini incelemek.

GEREKL DONANIM:
G Kayna: 12VDC Osilaskop (ift kanall) aret reteci (Sig.Gen) Transistr: 2xBC108C, 2xBC177 veya muadilleri Diyot: 2x1N4007 Diren: 2x22, 100, 2x220, 2x470, 2x22K Kondansatr: 10nF, 1F

N BLG:
Ykseltelerin balant tiplerine gre snflandrldklarn ve 3 temel balant tipi olduunu nceki blmlerde grdk. Ykselteler genel olarak ilevlerine gre; akm, gerilim ve g ykselteci olarak da adlandrlrlar. Kullanm amacna ve ilevine bal olarak ou uygulamada birka farkl ykselte devresi pepee balanarak birlikte kullanlabilir. Bu tr ykseltelere kaskad ykselteler denir. Ses frekans tekniinde kullanlan bir ykseltecin giriinin bir mikrofondan olaca, k yknn ise hoparlr olaca aktr. Dolaysyla byle bir ykselte devresinde giri empedansnn yksek, k empedansnn ise alak olmas istenir. Maksimum g transferi iin bu durum gereklidir. Endstriyel uygulamalarda kullanlan ykselte devrelerinden ise farkl zellikler beklenir. rnein, bir motorun srlmesinde kullanlan ykselte devresinin k; hem yksek gerilim hem de yksek akm besleyebilmelidir. G ykseltelerinin tasarmnda nemli bir faktr ise verimleridir. Ykselteler; verimleri baz alnarak alma snflarna ayrlrlar. Bunlar; A snf, B snf, AB snf ve C snf alma olarak adlandrlr. A snf almada ykseltme ilemi giri iaretinin tm periyodu boyunca yaplr. Dolays ile ykselte devresinde kullanlan transistrler aktif blgede alr. Bu durumda ykseltecin dc besleme (polarma) gerilimleri devrede her zaman etkindirler ve g harcamasn artrrlar. Bu tr ykseltelerde verim dktr. B snf almada ise; ykseltme ilemi giri iaretine bal olarak her bir alternans iin ayr ayr yaplr. Dolaysyla ykselte giriinde iaret yokken g harcamas minimumdur. nk transistrlerin aktiflemesinde giri ac iaretlerinden yararlanlr. Bu blmde zellikle ses frekans tekniinde ska kullanlan B snf pu-pul ykseltelerin almas analiz edilerek ykseltelerin tantmlarna yeni bir boyut getireceiz.

184

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ekil-17.1de B snf alan pu-pul balantl g ykselteci devresinin emas verilmitir. Devrede Q1 transistr giri iaretinin pozitif alternanslarn, Q2 transistr ise negatif alternanslarn ykselterek ka aktarr. kta RL yk zerinde giri iareti ykseltilmi olarak alnr.
V1 0 t Q1 V1 t Vg V2 Q2 V2 0 t IC2 t IC2 T2 IL RL IL t IC1 +Vcc t IC1

Vg

T1

ekil-17.1 Pu-pul ykselte devresi Ykselte giriine giri iareti uygulanmad srece her iki transistrde kesimdedir. Dolaysyla besleme kaynandan g sarfiyat olmaz. Bu nedenle ykselte devresinin verimi maksimumdur. Ykselte devresinde; giri ve k iaretlerinde empedans uygunluu salamak amacyla transformatr kullanlmtr. Transformatr kullanmak uygun ve ekonomik bir zm deildir. Ayrca yukardaki ykselte devresi kk genlikli giri iaretleri iin iyi sonu vermez. nk her bir transistrn iletime geebilmesi iin yaklak 0.7V beyz-emiter n gerilimine ihtiyac vardr. Dolaysyla giri iaretinin her iki alternansnn ilk 0.7Vluk dilimlerinde bir distorsiyon sz konusudur. k sinyalindeki bu bozulmaya gei distorsiyonu veya kros-over denir. Gei distorsiyonunu yok ederek transformatr kullanmn ortadan kaldran ekonomik bir zm ekil-17.2de verilen ykselte devresidir.

185

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Vcc=+12V R1 22K R5 470 Q3 BC177 Q1 BC108 R6 1N4007 22

R2 220 C1 1F D1 D2 R3 220

Vg

1N4007

R7 22

C2 10nF

RL 100

Q2 BC177 Q4 BC108

R4 22K

R8 470

Vee= --12V

ekil-17.2 Komplementer simetrik pu-pul g ykselteci Bu tr g ykselteleri, zellikle yksek g gerektiren ve kaliteli Hi-Fi ykseltelerin tasarmnda kullanlr. kta yksek gler elde etmek iin uygun transistrler seilmeli ve soutucu ile kullanlmaldr. ekil-17.2deki ykselte devresi A-B snf almaktadr. D1 ve D2 diyotlar gei distorsiyonlarn yok etmek amacyla kullanlmtr. k ta empedans uygunluunu salamak amac ile Q2 ve Q3 transistrleri emiter izleyici olarak kullanlmtr. Devrenin dc polarma gerilimleri aseye gre simetrik bir kaynaktan salanmtr. Bu durumda ase referans alnarak, giri iaretinin pozitif ve negatif alternanslarnn ykseltilebilmesini salamaktadr. Pu-pul balant olarak adlandrlan bu tr ykselteler, genellikle ses frekans ykseltelerinin k katlarnda sklkla kullanlrlar. Bu tr k katlar, dk distorsiyon ve yksek gler elde etmek iin idealdir. Pu-pul balant ayrca endstriyel sistemler de src ykselte olarakda kullanlmaktadr.

DENEYN YAPILII:
1.1 1.2 ekil-17.2'de verilen pu-pul ykselte devresini deney seti zerine kurunuz. Balangta ykselte giriine iaret reteci balamaynz. Ykselte devresinin tablo-17.1de belirtilen dc polarma gerilimlerini dc voltmetre ile lerek elde ettiiniz sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.

186

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VCE(Q1)

VCE(Q2)

VCE(Q3)

VCE(Q4)

VD1

VD2

VR1

VR4

Tablo-17.1 Pu-pul ykselte devresinde DC polarma gerilimleri 1.3 aret retecinin k genliini minimuma, frekansn ise 1KHz'e ayarlayarak ykselte giriine bir sins dalga uygulaynz. Ykselte devresinin giri ve k dalga biimlerini incelemek iin gerekli osilaskop balantlarn yapnz. Giri iaretinin frekans 1KHzde sabit kalmak kouluyla, genliini ykselte knda maksimum distorsiyonsuz bir k iareti elde edinceye kadar artrnz. Ykseltecin giri (Vg) ve k (V) iaretlerinin genliini osilaskop veya multimetre ile lerek sonularnz tablo-17.2'deki ilgili yerlere kaydediniz. Giri iareti ile k iareti arasnda faz fark () var m?. Gerekli lmleri yaparak sonucu tablo-17.2deki ilgili yere kaydediniz. Ykseltecin gerilim kazancn elde ettiiniz verilerden faydalanarak hesaplaynz. Sonucu tablodaki ilgili yerlere kaydediniz. Vg (t-t) V (t-t) GV GP

1.4 1.5 1.6 1.7

Tablo-17.2 Pu-Pul ykselte devresinin ac karakteristikleri

187

BLM 8
8
ALAN ETKL TRANSSTRLER (JFET)
Konular:
8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6
Alan Etkili Jonksiyon Transistr (JFET) JFET Karakteristikleri ve Parametreleri JFETin Polarmalandrlmas MOSFET MOSFETin Karakteristikleri ve Parametreleri MOSFETin Polarmalandrlmas

188

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

8.1

ALAN ETKL TRANSSTR (JFET)

Alan Etkili Transistr (Field-Effect Transistor); Bipolar Jonksiyon transistrn tm ilevlerini yerine getirebilen fakat farkl yap ve karakteristiklere sahip bir devre elemandr. ounlukla JFET veya FET olarak tanmlanr veya isimlendirilirler. JFETler gerilim kontroll devre elemanlardr. eitli alt gruplara da ayrlan alan etkili transistrler, kanal tiplerine gre n kanal ve p kanal olmak zere iki tipte retilirler. Bu Blmde; JFETin temel yapsn, semboln, zelliklerini ve temel alma prensiplerini inceleyeceiz. Alan Etkili Transistr (JFET), 3 ulu bir grup yariletken devre elemannn genel addr. Bu gruptaki transistrler kendi aralarnda bir takm kategorilere ayrlr ve isimlendirilirler. Alan etkili transistrlerin retim tipleri ve eitleri ekil-8.1'de tablo halinde verilmitir. lerleyen blmlerde her bir tip ayrntlar olarak incelenecektir.
ALAN ETKL TRANSSTRLER (JFETS) JFET N KANAL P KANAL OALTAN TP (DEMOSFET) N KANAL P KANAL MOSFET AZALTAN TP (E-MOSFET) N KANAL CMOS P KANAL

ekil-8.1 Alan ekili tansistrlerin (JFET) Tipleri

Alan etkili transistr; Jonksiyon FET (JFET) veya metal oksitli yar iletken JFET (MOSFET) olarak yaplr ve isimlendirilir. Her iki tip transistrn de n kanall ve p kanall olmak zere iki tipte retimi yaplr. N kanall JFET'lerde iletim elektronlarla, P kanall JFETlerde ise oyuklarla salanr. FET'lerin yapmlar basit ve ekonomik olduklarndan dolay olduka ok kullanm alan bulmulardr. JFETlerin bipolar transistrlere gre nemli farkllklar vardr.

JFET ile BJTlerin Karlatrlmalar

JFET'in giri ve k empedans ok yksektir. Bu empedansn deeri birka mega ohm'dan yzlerce mega ohmaa kadar kabilir. Fakat alma frekanslar ykseldike empedanslar azalr. MOSFET'in giri empedans JFET'e nazaran daha byktr. BJTnin giri ve k empedans JFET'ten kktr. Bu farkllk BJT yerine JFET'in; JFET yerine de BJT'nin kullanlamayacan gsterir. JFET'in almas sadece ounluk akm tayclarnn akna baldr. Tek tip taycl bu elemana unipolar transistr ad da verilir.

189

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

JFET'in grlt seviyesi bipolar transistrlere nazaran azdr. Bu nedenle FET, alak ve yksek frekanslarda kullanlabilir. JFET, iyi bir sinyal krpc olarak alr. JFET'in scaklk kararll daha iyidir. Scaklk deiimlerinden pek etkilenmez. JFET'in radyasyon etkisi yoktur ve radyasyondan az etkilenir. JFET'in BJTye gre sakncas; kazan-bant genilii arpmnn (gei frekans-kazancn bire dt frekans) bipolar transistrle elde edilebilene kyasla kk olmasdr.

JFET'in Yaps ve Sembol

JFET'ler; N kanall ve P kanall olmak zere iki tipte retilirler. JFET'in fiziksel yaps ve elektriksel sembol ekil-8.2de gsterilmitir. JFET uca sahiptir. Ularna ilevlerinden tr; Geyt (Gate), Srs (Source), Dreyn (Drain) isimleri verilmitir. JFET'in fiziksel yapsna bakldnda srs ve dreyn ularnn ayn olabilecei ve hatta ularnn deitirilerek srs yerine dreyn'in, dreyn yerine srs'n kullanlabilecei dnlebilir. Ancak JFET'in yaps, srs ve dreyn blgeleri iin bu eitlii salamaz. JFET sembolnde, geyt ucunda bulunan okun yn kanal tipini ifade eder. Ok yn ieri doru ise N kanal JFET, ok yn darya doru ise P kanal JFET olduu anlalr. Bu durum ekil-8.2.a ve bde gsterilmitir.

p
Dreyn

p
Srs Dreyn

n kanal p
Geyt

p kanal p
Geyt

Srs

Dreyn (Drain)

Srs (Source)

Dreyn (Drain)

Srs (Source)

Geyt (Gate)

Geyt (Gate)

ekil-8.2.a ve b N Kanall ve P Kanall JFET'in Yaps ve Sembol

JFET'in almas
JFET'in elektriksel karakteristiklerini anlayabilmek iin elemann almasn incelememiz gerekmektedir. JFET'e polarma gerilimleri uygulandnda meydana gelen akm ve gerilimler ekil-8.3 zerinde gsterilmitir. Dreyn-srs arasna uygulanan besleme gerilimi, dreyn ucu ile ase arasna balanr. Bu gerilim, dreyn devresindeki besleme gerilimi olarak tanmlanr ve VDD ile sembolize edilir. VDD gerilimi, n kanal ierisindeki elektronlarn hareket etmesini salar. Bu elektronlar, srs'den dreyn'e oradan da VDD kaynann pozitif kutbuna giderler. VDD kaynann iinden srse geri dnerler. Srs ve dreyn zerinden geen bu akma dreyn akm denir ve ID ile sembolize edilir.

190

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

RD ID

D n G

ID

p
ID

VDS

V DD

V GG

VGS

n S
ID

ID

ekil-8.3 JFET'in almas

JFETin geyt terminali kontrol ucudur. JFETin iletkenliini kontrol eder. nce geyt terminali kullanmadan JFETin almasn analiz edelim. Bu amala ekil-8.4den yararlanacaz. ekil-8.4de verilen devrede, VGG gerilimi 0V (ase) yaplrsa ve VDD besleme kayna da 0Vdan balayarak ykseltilirse kanal ierisinden geen akm miktar da artar. Ancak n tipi kanaln jonksiyon direnci maksimum akm deerini snrlar. VDD daha fazla artrldnda JFETde bir ters polarma blgesi oluur. Bu polarma blgesine, azalma blgesi (deplation) denir. Azalma blgesi, kanal akmnn n maddesinin dar bir kesidi iinden gemesini gerektirir. Bu durum kanal direncinin artmasna sebep olur. Dolays ile ID akmnda artk bir azalma sz konusudur.
RD ID ID RD

D n G

D
ID

ID

n G
VDD

p
ID

VDD

VGS =0V

n S
ID

VGS =0V

n ID S
ID

ekil-8.4.a ve b JFET'in almas

191

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VDD kaynann daha fazla artrlmas sonucu kanaln tamamen darald (kanal direncinin maksimuma ykseldii) bir duruma eriilir. Bu deerden sonra daha fazla akm ak meydana gelmez. Ksaca kanal akmnda art artk mmkn olmaz. nk kanal kapanma moduna girmi ve dreyn akm doyuma ulamtr. Bu durum ekil-8.4.bde resimlenmitir. Sonuta, kanal direncinden dolay dreyn-srs arasnda bir gerilim dm meydana gelir. Bu gerilim, VDS gerilimi olarak adlandrlr. Grld gibi, VDD artarken dreyn ve srs ularnda VDS gerilim dm meydana gelir. Bu gerilim dmne ise ID akm sebep olur. ekil-8.5'de grld gibi VP noktasnda, VDS artarken ID sabit bir deerde kalr. ID maksimum deerine ulamtr. IDmax deerine ise IDSS denir. IDSS kanaln doyum akmdr. Bu anda yani IDSS akm, VP deerine ulatnda geyt-srs aras gerilim de sfrdr (VGS=0V). IDSS deeri, elemann yapsna gre belli bir deerde bulunur. Bu deer imalatlar tarafndan verilir veya llebilir.
ID IDS S
N kanaldan ge en sabit ID akm N kanaldaki daralma noktas N kanaln direncinden dolay oluan eim

V GS=0V

VP

VDS

ekil-10.5 Kanal Akmnn Neden Olduu Daralmann Grafii

8.2

JFET KARAKTERSTKLER

Bu blmde; JFETin iletim ve kesim blgelerinde nasl altn reneceksiniz. JFETin; iletim, kesim veya aktif blgelerde altrlmas iin gerekli parametreleri ve karakteristikleri tanyacaksnz. Blm sonunda JFETin nemli iki parametresini tanyacaksnz. Bu parametreler; transfer karakteristii ve daralma gerilimi (pinch-off voltage) olarak adlandrlmaktadr.

JFET'lerde; geyt ucu, kanal blgesini (azalma blgesi) kontrol etmek iin kullanlr. rnein; n kanall bir JFET'te, geyt ile srs arasna uygulanan negatif polariteli bir gerilim, gerilim azalma blgesini byltr. Bu durum, kanal akmnn daha dk deerlerinde kanaln kapanmasna sebep olur. Eer; VGS gerilimi arttrlrsa (n kanal iin daha negatif yaplrsa) kanaln azalma blgesi daha da byr. Neticede dreyn akm ekil-8.6.a ve b'de gsterildii gibi daha dk akm seviyelerinde doyuma ular. ekil-8.6.a ve b'de p ve n kanal JFET'ler iin VDS-ID grafii izilmitir. Karakteristikte sabit VGS geriliminin eitli deerlerinde ID ve VDS deerleri gsterilmitir. rnek eriler; VGS=0v, -1v ve -2v iin izilmitir.

192

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

D G ID IDS S S VGS =0V VGS =-1V VGS =-2V 0 VP VDS 0 VP ID I DS S G

S VGS =0V VGS =+1V VGS =+2V V DS

ekil-8.6.a.b N ve P Kanall JFET'in Dreyn Karakteristikleri

Sonu olarak, n kanal bir JFETde geyt-srs arasna uygulanan ters polarma byrken, kanal akm azalr. Geyt-srs arasna uygulanan ters polarma gerilimi yeterli bykle ularsa kanal tamamen kapanabilir ve ID akm sfra debilir. Kanaln tamamen kapanp akm geirmemesine neden olan ters gerilim deerine geyt-srs daralma gerilimi (pinch-off) ad verilir: Bu deer VP ile ifade edilir. Yukardaki ekiller ve grafik iyi incelendiinde VDS'nin kk deeri iin, ID akmnn lineer olarak artt grlr (ekil-8.6). VDS gerilimi artarken, kanaln darald grlr. FET'in bir dier nemli karakteristii ise, Transfer Karakteristii olarak adlandrlr. Transfer karakteristii erisi; sabit bir dreyn-srs (VDS) geriliminde, geyt-srs (VGS) geriliminin fonksiyonu olarak elde edilen dreyn akmnn (ID) erisini gsterir. Transfer karakteristii ekil-8.7.a ve b'de gsterildii gibi elemann iki nemli parametresi olan VP ve IDSS deerlerini verir. Transfer karakteristii erisi matematiksel olarak;
V I D = I DSS 1 - GS VP
2

eitlii ile ifade edilir. Bu eitlik veya bu eitlikten izilen transfer karakteristii VP ve IDSS deerlerine baldr ve JFET'in almasn olduka iyi tanmlar. VP deeri, n kanall fetler iin negatif, p kanall fetler iin pozitif bir deerdir. Transfer karakteristii eitlii ile, ekil-8.7'deki transfer karakteristii karlatrlrsa; VGS=0 olduunda, eitliin ID=IDSS durumunu salad ve erinin dikey eksen ID'yi, IDSS deerinde kestii grlr. Dier taraftan ID=0 iin, eitlik VGS=VP durumunu salar. IDSS ve VP deerleri imalat kataloglarnda verilir. Bu deerlerden yararlanlarak transfer karakteristii izilebilir. Transfer karakteristii erisinden ve deerlerden faydalanarak ID deerleri de hesaplanabilir.

193

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

D G S IDS S
2

D ID (mA) ID (mA) IDS S G S

10

10

V I D = I DSS 1 - GS VP

-VGS

-4V

-2V

2V

4V

+VGS

ekil-8.7 N ve P Kanall JFET'in Transfer Karakteristikleri

JFET'in almas grafiksel olarak ekil-8.8deki dreyn k karakteristii yardm ile grlebilir. IDSS deeri, VGS=0 durumunda elde edilen akm seviyelerinin meydana getirdii eriden okunur. VP deeri ise ak bir ekilde grlmez. Ancak VP deeri en alttaki VGS erisinin deerinden biraz daha byktr. Karakteristikteki kesik izgi, doyum akmnn akt noktalardan gemektedir. Buna gre, kesik izgi VDS=VP-VGS durumunu gstermektedir. Bu izgi genellikle dreyn karakteristiinin bir paras deildir, ama erinin yatay eksene (VDS) dedii noktann deerini verir.
RD VGD ID ID (mA) IDS S VDD

Doyum Blgesi VGS =0V VGS =-1V VGS =-2V Aktif Blge

+ V GG V GS VDS

VP

BV GDS

ekil-8.8 JFET'in Dreyn Karakteristikleri

Karakteristikten grld gibi aktif blgede ID akm sabittir. Ancak belli bir VDS deerinden sonra JFET bozulur, dreyn akmnn art JFET tarafndan artk snrlanamaz. Ancak JFET devresine bir harici eleman balanarak, JFET korunur. JFET'in bozulma gerilimi deeri BVGDS olarak iaretlenmitir. BVGDS deeri, kk geyt-srs polarma gerilimleri iin daha byktr. retici firmalar tek bir VGS deeri iin genellikle 0V, BVGDS deerini kataloglarnda belirtirler. JFETin dreyn karakteristiinde kesik izgi ile belirtilen blge ile, bozulma erileri arasnda kalan blge JFET iin aktif alma blgesidir. JFET'ler sinyal ykseltmek amac ile kullanldklarnda aktif blgede altrlrlar. Aktif blgede alma ise byk lde dc polarma gerilimleri ile salanr. JFET'ler saysal devrelerde ve anahtarlama devrelerinde de ok sk kullanlrlar. Bu tip almada JFETlerin Kesim veya doyum blgelerinde almalarndan faydalanlr ve bu blgelerde altrlrlar.

194

Bozulma Blgesi
VDS

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

8.3

JFETN POLARMALANDIRILMASI

nceki blmlerden JFETin alma artlarn ve genel V-I karakteristiklerini inceledik. JFETin zelliklerini ve karakteristiklerini kullanarak devre tasarm yapabilmemiz iin gerekli dc polarma artlarn salamamz gerekmektedir. Bu blmde, JFET iin gerekli dc polarma arlarn analizini yapp dc polarma yntemlerini greceiz. JFETler iin uygulanan polarma yntemlerini sra ile; sabit polarma, self polarma ve gerilim blcl polarma olarak sralayabiliriz. Bu blm bitirdiinizde JFET iin gerekli dc polarma yntemlerini renip, JFETi kullanarak devre ve cihaz tasarlamaya hazr hale geleceksiniz.

Belli bir dreyn akm ve dreyn-srs gerilimi etrafnda JFET'in alabilmesi iin ounlukla polarmalandrlmas gerekir. Eleman bir ykselte olarak altrlacaksa aktif blgede alacak ekilde polarma gerilim ve akmlar seilir. JFET polarmalarnda bir ok polarma tipi kullanlabilir. Biz bu blmde ok kullanlan bir ka polarma tipini inceleyeceiz.

Sabit Polarma Devresi

Sabit polarmal bir JFET ykselte devresi ekil-8.9da verilmitir. Devreyi incelediimizde polarmann iki adet dc besleme kaynandan saland grlmektedir. Gerekte uygulamalarda tek bir dc besleme kayna kullanlr. Fakat konunun daha iyi anlalabilmesi iin bu devrede ift besleme kayna kullanlmtr. imdi ekildeki sabit polarmal ykselte devresini inceleyelim.
VERLER IDDS=10mA VP=-4V C1 RG 470K VGG=1.5V RD 1K + I DRD + VDS V0 ID C2 V DD 12V

VS

ekil-8.9 Sabit polarmal JFET'li ykselte devresi

Ykseltilecek iaret, geyt-srs arasna VS giri iareti olarak uygulanr. Uygulanan bu iaret ykseltilmi olarak Dreyn-srs arasndan alnr (V0). RG direnci AC iaret iin bir yol grevi grr. Fakat ters olarak polarmalandrlan geyt-srs blgesinden dc akm gemez. Dolaysyla RG zerinde dc gerilim dm olmaz. Bu nedenle geyt-srs arasndaki gerilim besleme gerilimine eittir. Yani VGG=VGS=-1.5 V'dur. Buradan dreyn akmn bulabiliriz.

195

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

V GS - 1.5v = 3.9mA I D = I DSS 1 = 10mA 1 -4 Vp

Yukardaki eitlikten grld gibi, geyt-srs gerilimi (VGS), dreyn akm ID'nin deerini ayarlar. Bu akm 12V'luk besleme kaynandan, RD direncinden dreyn-srs kanalndan aseye doru geer. JFET aktif blgede alt srece; ID akm VGS gerilimine baldr. Fakat RD direyn direnci deerine bal deildir. ekil-8.9 da grld gibi, dreyn akmndan dolay RD ularnda bir gerilim dm meydana gelir. Buna gre JFET'in alma blgesi yada VDS gerilimi bulunabilir. Devreden;
VDD = I D R D +VDS

olduu grlr. Buradan;

VDS = VDD I D R D VDS = 12 ( 3.9mA 1.8K) = 4.98V

bulunur. Bulunan bu deer yardm ile JFETin alma noktas belirlenmitir. JFET'li sabit polarma devresinde karlalan pratik baz snrlamalar vardr. Bu snrlamalar, ekil-8.10da JFETin V-I karakteristikleri zerinde ayrntl olarak gsterilmitir. rnein yksek kazan elde edebilmek iin VGS'nin sfr volta polarmalandrlmas, giri geriliminin deiim miktarn snrlar. Sz konusu polarma ile byk genlikli giri sinyali kullanlrsa VGS'nin pozitif alternansnda geyt pozitife kayar ve kanal akm kontrol edilemez. Bu nedenle ok kk giri sinyalleri iin sfr volta yakn polarma kullanmak mmkn olur. Byk giri sinyaliyle alrken alma geriliminin iyi seilmesi gerekir. Karakteristikte grld gibi sfr voltta farkl VGS deerleri daha kk gm deerleri verirler. Yine ok byk RD deerleri de eleman doyuma gtrebilecek gerilim deerlerini vereceinden aktif blgenin dnda bir alma noktas meydana getirirler. Sonu olarak; istenilen miktardaki herhangi bir kazan sadece byk RD deerleri seilerek gerekleemez.
I D(mA) DC YK DORUSU R =1K D I DS S V DD RD IDQ Q alma Noktas
Kk deerli R D VGS=0V

VGS=-1V

Byk deerli R D

V GS=-1.5V VGS=-2V V GS=-3V 0 2 4

V DS Q

10

V DD

12

VDS

ekil-8.10 JFET'in almas ve Polarmalandrlmas

196

ANALOG ELEKTRONK- I Self Polarma Devresi

Kaplan

Pratik uygulamada JFET'li ykselteler genellikle tek bir dc besleme kayna ile polarmalandrlr. Byle bir polarma devresi ekil-8.11' de gsterilmitir. Bu devrede geytsrs polarma gerilimi elde etmek iin bir self polarma direnci RS kullanlmtr. RS direnci ularnda IDxRS gerilim dm nedeniyle pozitif bir VS gerilimi meydana gelir. Geyt veya RG geyt direncinden dc akm hi gemediinden geyt gerilimi sfr volttur. Geyt gerilimi sfr volt olduundan, geyt (0V) ile srs (+VS) arasnda llen net gerilim negatif gerilimdir. (Bu gerilim, referans noktas srs alndnda negatif deerde llr.) llen bu negatif gerilim geyt-srs aras polarma gerilimi VGSdir. Geyt-srs aras polarma balants;
VGS = 0 I D R S = I D R S

olduu devreden grlmektedir. Bu bant transfer karakteristii zerinde gsterilir. Bunun iin iki ID deeri seilir. JFET kesimde iken,
ID = 0

olur. JFET iletimde iken ID;

ID =
VDD=+24V RD 6.2K + ID RD ID VD + VS RG 1M VDS ID VS RS 1.5K C2
-4

VDD RD + RS
VGS =-ID(1.5K )
ID(mA) V GS(V) 0 -4.5 8 Self polarma erisi RS=1.5K 6 4 0 3

ID (mA) IDS S 10

C2

C1

VG=0V

VDS V0

Q
-2

IDQ VGS (V)

ekil-8..12.a ve b Self polarmal JFET devresi ve transfer karakteristii

Bulunan bu deerler ile transfer karakteristii zerinde yk izgisi izilir. Bu deerlere karlk gelen VGS deerleri bulunur. Bu deerler ekil-8.12.bdeki tabloda verilmitir. Tablodaki ID ve VGS deerleri ilgili eksenlerde iaretlenir. aretlenen bu noktalardan bir dz izgi izilir. Bu dz izgiye self polarma izgisi denir. Dz izginin transfer karakteristii erisini kestii nokta, devrenin alma noktasdr (Q). Polarma noktasndan eksenlere dikler inerek bu noktann alma artlar;
I DQ = 1.6mA ve VGSQ = 2.4V

olarak bulunur. RS deeri artrlrsa, RS yk dorusu yatay eksene doru yaklar. alma blgesi kayar ID deeri klr. VGS deeri byr. RS deeri azaltlrsa bu kez alma noktasnda ID byr, VGS klr.

197

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 8.1 zm

ekil-8.12.ada verilen self polarmal ykselte devresinde alma noktasn RS=1K kabul ederek bulunuz? ekil-8.12.b'deki karakteristik eri zerine sfrdan yani VGS=0, ID=0 noktasndan balayan ve seilen ID deeri rnein 4 mA ile buna karlk bulunan VGS gerilimi;
VGS = I D RS = ( 4mA) (1K) = 4V

olarak bulunur. Bu deerlerin belirledikleri kesime noktasndan geen self-polarma izgisi izilir. Bu izgi ile elemann transfer karakteristiinin kesitii nokta alma noktas olarak bulunur. alma noktas skunet annda (girite AC iaret yokken), dreyn akm IDQ ve geyt-srs gerilimi VGSQ deerini verir. alma noktas iin izim yaplarak ;
I DQ = 2.2mA ve VGSQ = 2.2V

deerleri tespit edilir. Tespit edilen bu deerlerden yararlanarak ayn noktadaki dreyn-srs gerilimi;
VDSQ = VDD I DQ R S = 24V ( 2.2 mA 6.2 K) = 24V 15.8V = 8.2V

olarak hesaplanr.

rnek: 8.2

JFET
V P=-6V IDSS =5mA

VDD=+16V RD 4.1K ID C1 VG=0V VDS ID VD + VDS V0 C2

C2

ekil-8.13de verilen self polarmal ykselte devresinin alma noktasn bulunuz ve transfer karakteristiini iziniz? VP=-6V, IDSS=5mA

VS

RG 1.8M

VS RS 2.2K

zm

ekil-8.13 n kanall JFETli self polarmal ykselte devresi

Belirlenmesi istenen polarma noktasn bulmak iin gerekli transfer karakteristii izilmemi ancak VP ve IDSS deerleri verilmitir. Karakteristik erinin izimi de istenmitir. O zaman transfer erisi forml ;
I D = I DSS V 1 - GS Vp
2

198

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ile verilen VP ve IDSS deerlerini kullanarak transfer karakteristii erisini izmek olduka kolay olur. Seilen birka VGS noktas ve bunlara karlk hesaplanan ID deerlerine gre grafik kadna taslak eri izilebilir. rnein; ekil-8.13'deki JFET x ekseninde VP=-6 volttan balayp;
VGS = 4V iin I D ; I D = I DSS
2 V 4V 1 - GS = 5mA 1 = 0.55mA 6mA VP 2

V 2V VGS = 2V iin I D ; I D = I DSS 1 - GS = 5mA 1 = 2.2 mA 6mA VP

noktalarn iine alan y ekseninde ID=IDSS=5mA noktasna kadar uzanan taslak transfer erisi oluturulur. Bu transfer erisi zerine (ekil-8.14), RS=2.2 iin self polarma izgisi izilir. rnein; ID=2mAlik bir dreyn akm seilerek geyt-srs gerilimi;
VGS =-ID(2.2K )
ID (mA) 0 2 VGS(V) 0 -4.4 6

ID (mA)

VGS=-ID.RS=-(2mA)(2.2K)= - 4.4V volt bulunur. Self polarma izgisi transfer erisini yaklak; VGSQ=-2.95V IDQ=1.35mA noktalarn birletii yerde keser. Skunet anndaki bu deerlerden yine ayn andaki dreynsrs gerilimi; VGSQ=VDD-IDQ (RS+RD) VGSQ=16V-1.35mA(2.2K+4.1K) VGSQ=7.5 volt. olarak bulunur.

IDS S
4 Self polarma e risi RS=1.5K 2

Q
-6 -4 -2 0

IDQ VGS(V)

ekil-8.14 Transfer erisi

Gerilim Blcl Polarma

JFET iin kullanlan dier bir dc polarma devresi ve transfer karakteristii ekil-8.15de verilmitir. Bu polarma ekli, gerilim blcl geyt polarma olarak bilinir. Bu polarma tipinde, polarma gerilimi ve akmnn belirlenmesi dier polarma devrelerindeki gibidir. Sadece geyt geriliminin 0 volttan farkl bir deerde tutulmasnda durum deiir.

199

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VDD =+16V JFET

V P=-5V IDSS =8mA

ID (mA) VGS =2-ID(2.2K )

ID(mA) V GS(V) +2 0 -1

R1 2M C1

RD 2.5K ID + VDS

IDS S

C2

0 1.33 2 RS=1.5K

6 4

VS

R2 280K ID

V0 RS 1.5K Q C2
-4 -2 2

IDQ
+2

VGS(V)

ekil-8.15 Gerilim blcl geyt polarmas ve transfer karakteristii

Gerilim blcl polarma devresinde, dier polarma tiplerine nazaran daha iyi bir kararllk sz konusudur. Gerilim blc devreden elde edilen VG geriliminin deeri;
VG = VGG = R2 VDD R1 + R2

olarak bulunur. Bu durumda skunetteki geyt-srs polarma gerilimi;

VGSQ = VGG ( I D R D )

olur.

rnek: 8.3 zm

ekil-8.15'de grlen gerilim blcl polarma devresinde JFET'in DC polarma gerilimlerini bulunuz ? JFETin geyt gerilimi;
R2 280K VG = VGG = 16V = 2V VDD = R1 + R2 2 M + 280K

olur. ID.RS gerilim dmnn sonucunda geyt-srs gerilimi ; VGS=VG-VS VGS=2-(ID.RS) olur. Burada belli bir RS deeri iin, ID'ye bir ka deiik deer verilerek bunun karl olan VGS deerleri bulunur. Transfer karakteristii erisi nceden olduu gibi;
I D = I DSS

V 1 - GS VP

formlnden belirlenir. O zaman VP=-4volt ve IDS=8mA deerlerine sahip olur. JFET iin transfer karakteristii yukardaki gibi izilir. Self polarma izgisi ile transfer karakteristiinin kesitii nokta, dc polarma (alma) noktasn verir.

200

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Bu noktadan alma artlar da; IDQ=2.5mA, olarak saptanr. Buradan;

VGSQ=-1.75 Volt

VDQ=VDD-IDQ.RD=16V-2.5mA(2.5K)=9.75 volt VSQ=IDQ.RD =2.5mA (1.5K)= 3.75 volt Dreyn-srs gerilimi ise; VDSQ=VDQ-VSQ = 9.75 - 3.75 = 6 volt Olarak hesaplanr. Hesaplanan deerlerden yararlanarak polarma noktasndaki geyt-srs gerilimi kontrol edilirse, sonu; VGSQ=VGQ-VSQ VGSQ=2V - 3.75V VGSQ=-1.75 volt bulunur. Sonucun grafiksel metot kullanlarak elde edilen deerle ayn olduu grlr.

8.4

MOSFETLERN TANITIMI VE KARAKTERSTKLER

MOSFET (MetalOksit Semiconductor FET), Alan etkili transistrlerden gelitirilmi bir grup transistrn genel addr. MOSFETlerde geyt terminali, kanaldan izole edilmitir. Bu tr alan etkili transistrlere, Metal oksitli yariletken FET veya ksaca MOSFET denilmektedir. Ayrca kimi kaynaklarda zole edilmi geytli FET veya IGFET ad da verilmektedir. Mosfetler, Azaltan tip (Depletion) ve oaltan tip (Enhancement) olmak zere iki tip de retilirler. Bu tr mosfetler; ksaca D-MOSFET ve E-MOSFET olarak adlandrlr. Bu blmde mosfet tiplerini, temel yaplarn, ematik sembollerini ve temel alma prensiplerini greceksiniz.

MOSFET'in Temel Yaps

Alan etkili transistrlerin baz tiplerinde geyt terminali kanaldan izole edilmi (yaltlm) biimde yaplr. Bu tr alan etkili transistrlere, metal oksitli yar iletken FET (Metal-Oxide Semiconductor FET) veya ksaca MOSFET denir. Mosfetler, izole edilmi geytli FET veya ksaca IGFET olarak da adlandrlmaktadrlar.

201

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

MOSFET'ler; ya azaltan tip MOSFET (Deplation-MOSFET) yada oaltan tip MOSFET (Enhancment MOSFET) olarak imal edilirler. Azaltan tip Mosfetlere ksaca D-MOSFET, oaltan tip Mosfetlere ise E-MOSFET denilmektedir. Her iki tip MOSFETinde; P kanal ve N kanal olmak iki tipi vardr. N kanall D ve E-MOSFET'in temel yaplar ekil-8.16'da verilmitir. MOSFETlerde tpk JFETler gibi 3 ulu aktif devre elamanlar grubundandr. Ularna ilevlerinden tr; Geyt (Gate), Dreyn (Drain) ve Srs (Source) isimleri verilmektedir. ekil-8.16da verilen temel yapda Sabstreyt (Subsrate) terminali, drdnc u gibi grnse de genellikle srse balanr veya ase potansiyelinde tutulur. D-MOSFET'in yapsnda kanal fiziksel olarak yaplm haldedir. D-MOSFETin, dreyn-srs ularna bir dc gerilim kayna balandnda dreyn ile srs arasnda bir akm meydana gelir. E-MOSFET' in yapsnda ise, imalat srasnda ekillendirilmi veya oluturulmu bir kanal yoktur. E-MOSFET'in; dreyn-srs ularna gerilim uygulandnda akm meydana gelebilmesi iin, arj tayclarnn kanal oluturmas gerekir. Bunun iinde geyt ucuna gerilim uygulanmas gereklidir.
Dreyn (Drain) Dreyn (Drain)

n
SiO2 Geyt (Gate) Substrate (Sabreyt) Kanal Yok Srs (Source) SiO 2 Geyt (Gate)

n
Kanal

Substrate (Sabreyt)

Srs (Source)

ekil-8.16 Azaltan ve oaltan Tip N Kanal MOSFET'lerin Yaplar

Azaltan Tip MOSFET (D-MOSFET)

D-MOSFETlerin, n-kanal ve p-kanal olmak zere balca iki tipde retimi yaplr. ekil8.17.a'da n-kanal D-MOSFET'in yaps ve ematik sembol grlmektedir. ekil-8.17.bde ise p-kanal D-MOSFETin yaps ve ematik sembol grlmektedir. N kanall D-MOSFET, p tipi gvde (substrate-sabstreyt) zerine yerletirilmitir. N tipi yar iletken maddeden yaplan srs ve dreyn blgelerine, srs ve dreyn terminalleri bir metalle (alimnyum) balanmlardr. Ayrca srs ve dreyn blgeleri iten N tipi kanal blgesiyle birbirine balanrlar. N kanaln stnde bulunan ve kanal ile geyt arasndaki izolasyonu salayan ince silikon dioksit (SiO2) tabakasnn zerine ince bir metal tabaka konur. Bu bileimi DMOSFET'i oluturur. ematik sembolde elemann geyt, srs ve dreyn ular gsterilir. Sabsreyt ucu ise ounlukla srse bal olarak gsterilir. ematik gsterimde elemann kanal tipi sabstreyt ucundaki okun yn ile belirtilir. ekil-8.17de grld gibi ok yn elemann iine doru ise n-kanal D-MOSFET, ok yn dar doru ise p-kanal D-MOSFET tanmlanr.

202

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

D D SiO2

n
SiO2 G Kanal
Sabsreyt

p n

G G Kanal

Sabsreyt

G S

n
S

p
S

ekil-8.17.a ve b N Kanal ve P Kanal DE-MOSFET'in Yaps ve Sembol

N-kanall D-MOSFET'in geyt-srs arasna negatif bir gerilim (VGG) uygulanrsa elektronlar kanal blgesinin ortasna doru itilirler ve kanalda daralma olur. Yeterli byklkte geytsrs gerilimi kanal tamamen daraltarak kapatr. Dier taraftan; pozitif geyt-srs geriliminin uygulanmas halinde, p tipi tayclar itildiklerinden kanal byklnde bir art olur. Bu durum daha ok arj taycsnn oluumuna izin verdiinden daha byk bir kanal akm meydana gelir. N kanall D-MOSFET'in transfer ve dreyn karakteristikleri ise ekil-8.18'de grlmektedir. Karakteristik eriler; elemann gerek pozitif, gerekse negatif geyt-srs geriliminde almasn gstermektedir. Negatif VGS deerleri, daraltma gerilimine (pinch-off) kadar dreyn akmn azaltrlar. Bu gerilimden sonra dreyn akm hi akmaz. N kanall D-NOSFET'in transfer karakteristii, negatif geyt-srs gerilimleri iin JFET karakteristii ile ayndr ve pozitif VGS deerleri iin de bu zellik korunur. Negatif ve pozitif her iki VGS deerinde de geyt kanaldan izole edildiinden MOSFET, VGS'nin her iki polarite durumunda altrlabilir. Sz konusu iki polarite durumun da da geyt akm meydana gelmektedir.
ID (mA) ID (mA) D I DS S IDS S G -VGS S VP 0 0
V GS=+1V VGS=0V VGS=-1V VGS=-2V

V I D = I DSS 1 - GS VP

V DS

ekil-8.18.a ve b N Kanal DE-MOSFET'in Transfer ve V-I karakteristikleri

P kanall D-MOSFET'in yaps ve ematik sembol ekil-8.18.b'de verilmitir. Bu tip MOSFET'in kanal P tipi, sabsreyti ise N tipi yariletkenden yaplr. P ve N kanall DMOSFET'ler alma esas bakmndan birbirinin benzeridir. Ancak P kanall D-MOSFETte polarma kaynaklarnn yn terstir. Akm tayclar oyuklardr. Geyt-srs gerilimi negatif olduunda dreyn akm artarken, pozitif olduunda azalr. Bu nedenle daralma gerilimi VP pozitif deerlidir. ekil-8.19da P kanal D-MOSFET'in transfer ve dreyn V-I (Akm-Gerilim) karakteristikleri grlmektedir.

203

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ID (mA) IDS S

I D(mA)

V I D = I DSS 1 - GS VP

D I DS S G

VGS=-1V VGS=0V V GS=+1V

VP

+VGS

S 0

V GS=+2V

VDS

ekil-8.19 P Kanall DE-MOSFET'in Transfer ve V-I Karakteristikleri

oaltan Tip MOSFET (E-MOSFET)

oaltan tip MOSFETin (E-MOSFET) temel yaps ve ematik sembol ekil-8.20'de verilmitir. E-MOSFETler, n-kanall ve p-kanall olmak zere iki tip de retilirler. ekildeki yapdan da grld gibi E-MOSFETin temel yapsnda fiziksel olarak oluturulmu bir kanal yoktur. Ksaca E-MOSFET, dreyn ile srs arasnda fiziksel bir kanala sahip deildir. E-MOSFET'in ematik sembolnde dreyn ile srs aras kesik izgilerle gsterilir. Bu durum balangta E-MOSFETde kanal olmadn belirtmek iindir. ematik sembolde sabsreyt ucundaki okun yn E-MOSFETin kanal tipini belirtir. Ok yn ieri doru ise, N tipi kanal gsterir. Ok yn dar doru ise P tipi kanal gsterir. E-MOSFETlerde kanal tipi ile sabsreytte kullanlan yariletken malzemelerin tipleri terstir.
D D D SiO2
Sabsreyt

n
SiO2

p n

Sabsreyt

n
S

p
S

ekil-8.20.a ve b N Kanall ve P kanall E-MOSFET'in Yaps ve Sembol

E-MOSFETlerde kanal, geyt terminaline uygulanan harici bir besleme ile oluturulur. Geyt-srs ular arasna pozitif bir geriliminin uygulanmas, geyt altnda sabstreyt blgesinde bulunan oyuklar (boluklar) iter ve orada bir azalma (deplasyon) blgesi yaratr. Geyt gerilimi yeterince pozitif deere karldnda; elektronlar, pozitif gerilim tarafndan bu azalma blgesine ekilirler. Bylece, dreyn ile srs arasndaki bu blge N kanal gibi hareket eder. Pozitif geyt gerilimiyle oluturulan ve ekillendirilen N kanall E-MOSFET'in transfer ve VI Karakteristii ekil-8.21'de gsterilmitir.

204

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ID (mA)

I D = K [VGS - VT ]2

I D(mA) D
VGS=6V VGS=5V

G
0 VT

V GS=4V

VGS

S 0

VGS=3V

VDS

ekil-8.21 N Kanall E-MOSFET'in V-I Karakteristikleri

Elemann transfer karakteristiinden de grld gibi, geyt-srs gerilimi eik (thresholdbalang) deeri VT'yi ancaya kadar dreyn akm hi akmaz. Bu eik gerilimi deerinin zerindeki pozitif gerilimlerde, artan deerli bir dreyn akm meydana gelir. Bu akmn Transfer karakteristii de,
I D = K (VGS VT ) 2

Eitlii yardmyla tanmlanabilir. Eitlik yukardaki formlde yalnz VGS>VT art iin geerlidir. Eitlikte K sabitesi tipik olarak 0.3 mA/V2 deerinde olup elemann yapsna bal olan bir zelliktir. VGS=0 volt durumunda dreyn akm akmad iin E- MOSFET'lerde IDS deerinden sz edilebilir. E-MOSFET'lerin alma sahas; D-MOSFET'lerden daha snrl olmasna ramen, E-MOSFETler, byk-lekli entegre devreler iin ok kullanldr. nk E-MOSFETler basit yapl ve kk boyutlu elemanlardr. E-MOSFET'in ematik sembolnde dreyn ile srs aras kesik izgilerle gsterilir. Bu oaltan tip elemanda balangta kanaln olmayn belirtmek iindir. Bundan baka sabstreyt ucundaki ok P tipi sabstreyti ve N kanal gsterir. P kanall E-MOSFET'ler ekil-8.20.b'de gsterilen yapda imal edilir. ematik sembol ise ayn ekilde gsterilmitir. E-MOSFETin sabstreyti, N tipi yar iletkenden yaplr. P-kanall E-MOSFET'in alma prensibi N kanall gibidir. Ancak, P kanall da polarma kaynaklarnn yn terstir. Akm tayclar oyuklardr. Negatif deerli eik gerilimi alncaya kadar dreyn akm yoktur. Daha byk deerli negatif geyt gerilimlerinde artan bir dreyn akm vardr. P Kanall E-MOSFET (Enhancment-MOSFET)'in transfer ve V-I Karakteristii ekil-8.22'de gsterilmitir. Karakteristikleri inceleyerek bu elemann almas kolayca irdelenebilir. Karakteristikte grld gibi P kanall E-MOSFETde polarma akm ve gerilimlerinin yn N kanal E-MOSFET'e gre terstir.

205

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ID (mA) D

ID (mA)
VGS=-6V VGS=-5V

G
0

VGS=-4V

-VT

VGS

S 0

VGS=-3V

VDS

ekil-8.22. a ve b P Kanall E-MOSFET'in Transfer ve V-I Karakteristikleri

8.5

MOSFETLERN POLARMALANDIRILMASI

Bu blmde MOSFETlerin nasl polarmalandrlacan greceksiniz. zellikle MOSFETlerle gerekletirilen ykselte devrelerinde dc polarmann nemi byktr. Bu blmde; sras ile D-MOSFET ve E-MOSFET iin polarma yntemlerini ve dc analizlerini greceksiniz.

D-MOSFET'in Polarmalandrlmas
Tipik bir n-kanall D-MOSFETli ykselte devresi ekil-8.23.ada ve D-MOSFETin transfer karakteristii ise ekil-8.23.bde verilmitir. Bu ykselte devresi, ok byk deerli geyt direnci RG hari, JFET'li ykseltele benzerdir. Bu devrede geyt-srs gerilimi pozitife gidebildiinden, elaman kk negatif geyt-srs geriliminde polarmalandrmak mmkndr.
VERLER IDDS=12mA VP=-4V VDD =+20V RD 1.5K C2 47nF V0 RS 150 CS 47F -VGS
RS 150

ID (mA)

V I D = I DSS 1 - GS VP

IDS S

12mA

C1 47nF VS RG 10M

VDS

6.7mA VGSQ=-1V

IDQ

V P=-4V

ekil-8.23.a ve b N-kanall D-MOSFETli ykselte ve transfer karakteristii

206

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Devrenin DC polarma deerleri aada gsterilen ilemler takip edilerek bulunur. JFETde olduu gibi, D-MOSFET'inde transfer karakteristii; transfer karakteristii eitlii yardmyla bulunur ve self polarma yk izgisi ekil-8.23.bde verilen transfer karakteristii zerine izilir.
2 V 1V I D = I DSS 1 GS = 12 mA 1 = 6.75mA VP 4V 2

VGS = 0 ( I D R S ) = 6.75mA (150) = 1V

IDSS=12 mA ve VP=4 volta gre izilen transfer karakteristii ile RS=150 ohm iin izilen selfpolarma yk izgisinin kesitii yer skunetteki polarma noktasn verir. ekil-8.23.bde izim yaplarak polarma noktasnn artlar;
VGSQ = 1V ve I DQ = 6.75mA

olarak belirlenir. Bu durumda dreyn gerilimi,

VDQ = VDD ( I DQ R D ) = 20V (6.75mA 1.5K) = 9.88V

ve dreyn-srs gerilimi ise;

VDSQ = VDQ VSQ = 9.88V 1 = 8.88V

olarak bulunur.

E-MOSFET'in Polarmalandrlmas
E-MOSFET'in dc polarmalandrlmas iin ok kullanlan bir devre dzeni ekil-8.24'de grlmektedir. Devrede dreyn-srs gerilimi (VDD), geyt-srs polarma gerilimi olarak kullanlmtr. Bu ilem, dreyn-srs arasna RG=10Mluk bir diren balamak suretiyle gerekletirilmitir. Geyt akm olmadndan RG direnci ularnda bir gerilim dm olmaz. Dolaysyla dreyn gerilimi aynen geytte grlr. Dolaysyla VDS=VGS olur. Dier bir deyimle dreyn-srs arasndaki VDS gerilimi, geyt-srs arasndaki VGS gerilimine eittir. Belli bir RD deeri iin uygun polarma noktas elemann transfer karakteristii kullanlarak bulunabilir. ekil-8.24.b'de RD=2K ve VDD=20V deerleri iin polarma noktasnn, elamann transfer karakteristiinden faydalanlarak nasl bulunduu grlmektedir. Elemann transfer karakteristii,
I D = K (VGS VT ) 2

eitlii kullanlarak grafik kadna izilebilir. rnek olarak verilen n-kanall E-MOSFET'in eleman yapsna bal sabitesi K=0.3mA/V2 ve eik gerilimi VT=3 V olduuna gre transfer karakteristii eitlii,

207

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VERLER VT =3V

V DD=+20V RD 2K

ID (mA)
VDD 20V = = 10mA RD 2K

C2 47nF
10

I D = 0.3 (VGS - 3)2

C1 47nF VS

RG 10M

IDQ V0 150 0

6.2

DC yk izgisi RD =2K

VGS =VDS
V T=3V V DSQ=V DSQ=7.6V V DD=20V

ekil-8.24.a ve b N Kanal E-MOSFET Polarma devresi ve Transfer Karakteristii

I D = K (VGS VT ) 2 I D = 0.3 (VGS 3) 2

eklinde yazlabilir. Bu eitlikte VGS'ye birka deer (3V ve daha byk) verilerek bunlara karlk olan ID deerleri hesaplanr. Elde edilen sonulardan yararlanarak transfer karakteristii erisi izilir. Ayn grafik zerine devrenin DC yk izgisi de izilebilir. DC yk izgisi eitlii, VGS = VDS = VDD I D R D olur. Verilen rnekte RD=2K ve VDD=20 Volt'dur. Bu taktirde DC yk izgisi eitlii,
VGS = VDS = VDD I D R D = 20V ( I D ) ( 2K)

olur. Bu izginin VDS=VGS=0V ve ID=0 mA artlar iin srasyla dikey ve yatay eksendeki iki noktas belirlenir. Dikey ve yatay eksende belirlenen iki nokta bir doru vastasyla birletirildiinde RD=2K iin DC yk izgisi izilmi olur. Yk izgisiyle elemann transfer karakteristii erisinin kesitii yer alma noktasn gsterir. ekil-8.24.b'de grlen alma noktasnn artlar izim yardmyla, VGQ=VDSQ=7.6 V olarak bulunur. IDQ=6.2 mA

208

BLM 9
ALAN ETKL TRANSSTRL YKSELTELER
9.1 JFETL YKSELTELER
JFET'in en nemli uygulama alanlarndan biri ykselte (amplifikatr) devreleridir. Dier taraftan son yllarda saysal devrelerde de ok sk kullanlmaya balanlmtr. JFET'li amplifikatrlerin analizi ve tasarm edeer devreler yardm ile yaplr. Devre analizinde kullanlan iki tip edeer devre modeli vardr. Bunlar; Lineer veya kk sinyal edeer devresi, byk sinyal veya lineer olmayan devrelerdir. Elemann maksimum alma frekanslarnn altnda almas alak frekans devre modeline uygundur. Alak frekans devre modelleri genellikle frekansa bal olmayan devre elemanlarndan oluur. Yksek frekanslarda ise elemann frekansla ilgili etkilerini gsterebilmek iin, devreye kapasitans ve endktanslar eklenebilir. Bu tip devre modellerine de yksek frekans edeer devre modeli denir.

Alak Frekans-Byk Sinyal in JFET Devre Modeli

Alak frekans-byk sinyal iin tasarlanlan devre modeline edeer devre ismi de verilmektedir. JFET karakteristikleri, bipolar transistr karakteristiklerine biraz benzerlik gstermesine karn, bu karakteristikler arasnda nemli fark vardr. Birinci fark, JFET'in kontrol parametresi akmdan ziyade gerilim esasna bal oluudur. kinci fark, JFET'te giri gerilimi sfr iken k akmnn akmasdr. nc fark ise; JFET karakteristik eimlerinin belli bir eime sahip olduklardr. Normal alma artlar altnda JFET'te geytden srs'e doru sinyal akm hi akmaz. Bu nedenle, geyt-srs direnci kullanlan elemana bal olarak mega ohm'lar mertebesindedir. VGS'nin ID akm zerindeki etkisi ise trandktans eitlii;
gm = I DS V GS

ile gsterilmiti. VGS gerilimindeki deiimler nedeni ile ID'de meydana gelen deiimler, dreyn-srs devresinde gerilime Baml akm kayna sembol (gm.VGS) ile ekil-9.1de verilen edeer devrede gsterilmitir. Devrede VDS gerilimi artarken ID akm da belli bir eimle ykselir. VDS gerilimi ile ID akm arasndaki bu etkileim edeer devrede dreyn-srs arasna konulan rd i direnci ile gsterilebilir. rd nin deeri JFET ve MOSFET iin 10K ile 100K arasndadr. Edeer devrenin knda grlen r direnci, dreyn u (terminal) direncidir.

209

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rg

r ID VD D3 rd

VDS D1 D2 gmVGS IDSS

ekil-11.1 N Kanall JFET'in Sembol ve piecewise-lineer modeli (Edeeri)

Edeer devrede girii temsil eden geyt-srs aras ise PN bitiimli diyoda benzer. Diyodun ileri yn ofset gerilimini VD kayna, omik direncini ise rg direnci temsil eder. Geyt srs'e gre negatif olduundan ok az bir geyt akm akar. VGS gerilimi ok byk negatif deer alsa bile, D2 diyodu k devresinden akmas beklenen ters ynl akmn akn nler. Edeer devre yardm ile daha iyi anlalan bu zellik, JFET'in daraltma olayndaki gvenirliini aklamaya yeterlidir. k devresi daha basitletirilerek incelenebilir. Bu amala ekil-9.2.ada verilen edeer devre ve karakteristik zerinde duralm. ID akm IDSS akmndan daha kk olduunda, D3 diyodu ileri ynde polarmalanr. Akm kayna ularnda gerilim dmne izin vermez Uygulanan VDS gerilimi, erinin eimini belirleyen r dreyn direnci ularnda der. U gerilimi, IDSSxr deerine eit veya bu deerden fazla olduunda, r direncinden geen ID akm IDSS'ye eit duruma gelir. Bylece D3 diyodu ters ynde polarmalanr. Bundan dolay eri aadan sfr eimli ksma bklrken, ID akm da ekil-9.2.b'de grld gibi IDSS deerine eriir. ayet rd deerli bir diren akm kaynana paralel balanrsa, bklme noktasnda erinin deeri Re eitlii ile bulunabilir. Burada;

Re=Edeer diren=r+rd
r ID D3 I DS S

+
VDS I DSS

ID

V=IDS S . r

VDS

ekil-9.2.a ve b JFET k Devresinin basit edeeri ve V-I karakteristii

Bu takdirde meydana gelen sfr eimli ksm yerine, ID akm IDSS deerine eritiinde erinin eimi;

1 r + rd
210

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

eitlii ile bulunabilecektir. Sabit akm kayna IDSS'ye akm kayna gm*VGS'nin eklenmesi btn erilerin retilmesini salar. Bunun iin ekil-9.1 deki edeer devre modeli JFET karakteristiklerinin retebilecei uygun bir devre modelidir. Ters polarmalandrlan diyod yksek bir empedans gstereceinden giri devresi ounlukla ak devre eklinde dnlebilir. Bu zellik MOSFET iin her zaman dorudur. Devrenin almas srasnda ve geyt-srs aras ters polarmal olan JFET'e de bu zellik uygulanabilir.

rnek: 9.1

VDD =+20V RD 4K

ekil-9.3de verilen JFETli ykselte devresinde; IDSS=6mA, gm=2mho,

VS
0 -1

t VS

V0

V0=0.6 volt r=500 ohm ve rd=40K ohm olduuna gre ykseltecin k dalga eklini bulunuz.

-4

ekil-9.3 JFETli ykselte devresi

zm

Edeer devre modelinden yararlanarak ekil-9.4de grlen edeer devreyi izebiliriz. Devre giriinde VS=0 iken, D3 diyodundan geen akm 6mA'lik IDSS akmndan daha azdr. nk dreyn yk direnci bu akm 6mA'den daha kk bir deerde snrlar. Bylece D3 diyodu ileri ynde polarmalanr.
G r rg VD D3 rd
40K 500

ID RD
4K

D1 D2

gmVGS

I DSS

ekil-9.4 JFETli ykselte devresinin edeeri

Bu durum ekil-9.5.ada basitletirilmi edeer devrede gsterilmitir. Bu giri geriliminde JFET doyumdadr ve VGS=0 iin dreyn akm;
ID = VDD 20V = = 4.44mA r + R D 500 + 4K

k gerilimi VDS;
VDS = VDD ( I D R D ) = 20V ( 4.44mA 4K) = 2.22V

211

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VDS = VDD ( I D R D ) = 20V ( 4.44mA 4K) = 2.22V

olur. ekil-9.5.bdeki edeer devre VGS=-1 volt durumundaki karakteristik eriyi gstermektedir. Bu durumda iki akm kayna tarafndan retilen net akm,
I = I DSS + ( gm VGS ) = 6mA + 2 ( 1V ) = 4mA

olur. D3 diyodu ters ynde polarmalanr ve ak devre zellii gsterir. Devrede geriye 4mAlik akm reten iki kayna ile bunlara paralel bal 40Kluk diren kalr. Akm kayna gerilim kaynana dntrlrse Thevenin edeer gerilimi;
VTH = 4mA 40K = 160V

deerinde gerilim kayna ve buna seri bal 40Kluk edeer devre haline gelir. Buna gre dreyn akm;
D r
4K V DD 20V a) V GS=0V iin kn edeeri 40.5K V TH 160V b) V GS=-1V iin kn edeeri

RD

Rd+r

RD
4K V DD 20V

ekil-9.5 a)VGS=0v, b)VGS=-1V durumu iin k Devresinin Edeeri

ID = VTH + VDD 160 + 20V = = 4.045mA r + rd + R D 40K + 500 + 4K

olur. k gerilimi ise;

VDS = VDD ( I D R D ) = 20V ( 4.045mA 4K) = 3.8V

deerini alr. Giri sinyali VS=-4 v deerine geldiinde, iki akm kaynann rettii net akm,
I DSS + ( gm VGS ) = 6mA ( 2 4V ) = 2mA

olur. Bu durumda, D2 diyodu, ters ynde polarmalanr ve dreyn devresinden ters ynde akm akmasna izin vermez. JFET kesime gittiinden k sinyali 20v'luk bir deere ular. Yine, VS giri sinyali 0v'a doru deitiinde k da 2.22V'a iner ve olaylar ayn biimde devam eder. ekil-9.6da ykselte giri ve k iaretleri verilmitir.
V0 VS
0 -1 20

t
3.8 2.2 0

-4

ekil-9.6 JFET'li Katn Giri ve k Sinyallerinin Dalga ekilleri

212

ANALOG ELEKTRONK- I Alak Frekans-Kk Sinyal JFET Modeli

Kaplan

Alak frekans-kk sinyal iin tasarlanm, tek besleme kaynana sahip bir JFET'li ykselte ve edeer devresi ekil-9.7.a'da verilmitir. Kk sinyal modelini kullanabilmek iin, gm ve rds deerlerinin verilmesi veya bu deerlerin karakteristik erilerden bulunmas gerekir. Eriler kullanlrsa, bu deerler skunetteki alma noktasna yakn ID, VDS, VGS miktarna gre tespit edilir. Daha sonra trandktans;
gm = ID | = sabit V GS V DS

ve dreyn-srs aras (dreyn i ve k) direnci;

rds = V DS | =Sabit I DS V GS

eitliklerinden bulunur. Kk sinyal edeer devresi dc seviyeleri iine almaz. Bu nedenle VGG, VDD gibi btn dc kaynaklar ksa devre edilir. JFET'lerde dc ve ac hesaplarn birbirlerine olan etkisini gsterebilmek iin ekil-9.7.a'da grlen ykselte ile karakteristiklerinin kullanldn, VGG=-1V, RD=2K, ve VDD=20V olduunu kabul edelim.
+VDD RD
Transistr Edeeri

D + VS V0 VS VGS V0 rds gmVGS S RD

VGG

ekil-9.7.a ve b. JFET'li Ykseltecin Gerek ve edeer Devresi (self Polarma Devresi)

DC alma artlar, daha nce akland gibi, dreyn karakteristikleri zerine yk izgisi izilerek ve skunet noktas iaretlenerek belirlenir. nceki blmde karakteristiklerde; VGSQ=-1v durumu iin, VDSQ=9v ve IDQ=5.5mA deerleri bulunmutu. Bu noktadaki transdktansn gm=3.5 mmho ve dreyn i direncinin rds=10K olabilecei hesaplanr. ekil-9.7.bdeki kk sinyal edeer devresinden giri gerilimi; VS=VGS k gerilimi ise;
V 0 = [-gm V GS ] rds RD rds RD = [-gm V S ] rds + RD rds + RD

yazlabilir. Bu durumda gerilim kazanc;

213

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

AV =

V0 rds RD = - gm VS rds + RD

olur. Gerekli hesaplamalar yaplrsa;

AV = V0 20K 2K = 6.4 = -3.5 20K + 2 K VS

olaca bulunur. Eer giri gerilimi Vi=0.5 Coswt ise k bu durumda k sinyali;
V0 = AV VS = 6.4 (0.5 cos t ) = 3.2 cos t

dir. Bu durumda giriteki AC ve DC sinyallerin toplam girite; VGS=VGG+VS VGS=-1+0.5 coswt ve k sinyali ise; VDS=VDSQ+V0=9-3.2 coswt olur. Burada bir edeer devrenin kullanlmas ile ortaya kan sonularn grafiksel analizle olduka iyi uyutuu grlebilir. Edeer devrenin kullanm konusunda bir sorun olduunda, grafik metotla ilgili kata ok kolay biimde uygulanabilir. Edeer devre zmnde analitik metod kullanmann bir ok stnl vardr. Analitik metotla dizayn, DC seviyeler kritik deilse V-I karakteristikleri kullanlmadan da yaplabilir. Tipik gm, rds ve VP deerleri, pek ok tasarmda devrenin yeterli dorulukta uygulanabilmesine imkan salarlar. Ayrca ok katl tasarmlarda analitik metodular sayesinde hzl bir ekilde yaplabilir. Dier bir stnlk, self polarma direnci baypaslanmad zaman grlebilmektedir. Halbuki, ayn devre iin grafiksel metot kullanarak gerilim kazancn hesaplamak ok zordur. Bundan dolay, self polarma direnci baypaslanmad zaman gerilim kazancn bulmak iin analitik bir ifade gelitireceiz. ekil-9.8'de bu duruma uygun bir ykselte grlmektedir. Bu ykselte devresinin alak frekans kk sinyal edeeri ise ekil-9.9.ada verilmitir. Bu devrede, gm.VGS akm kayna ve rds dreyn i direncinin theve'nin edeer devresi ekil-9.9.bde grlmektedir.
+VDD RD

+ VS V0 RS

ekil-9.8 RS direnci baypaslanm JFET'li Ykselte

214

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VGS gmVGS S

D V0 rds RD RS VS

G rds VGS + RD RS V0

ekil-9.9.a ve b Rs direnci baypaslanm JFET'li ykseltecin edeer devreleri

Theve'nin edeer devresinde k gerilimi;
V0 = RD gm.VGS rds + rds + RS RD

veya;
V0 = - RD V GS RD + rds + RS = gm rds

dir. Burada; =gm.rds eitliinin karldr. Yine, bu devrede geyt-srs aras gerilim, giri sinyaline eit deildir. Geyt-srs gerilimi;
VGS = VS Rs VGS R D + rds + R S

yazlabilir. VGS iin zm yaplrsa;

VGS = VS R D + rds + R S R D + rds + ( + 1) R S

eitlii elde edilir. VGS'nin bu deeri V0 eitliinde yerine konursa, k gerilimi;

- RD V S V GS = RD + rds + R S - RD V S RD + rds ( + 1) RS = R D + rds + RS R D + rds + ( + 1)R S

olur. Gerilim kazanc iin de;

V0 = VS RD .V S + rds + ( + 1) RS RD VS - RD RD + rds + ( + 1) RS

AV =

eitlii bulunur. RS deeri sfra doru azaltlrken, (11.2) eitlii self polarma direnci olmayan JFET'li ykselte iin kullanlan (11.1) eitii ile bulunacak deere yaklar. Miktar, ykseltme (amplifikasyon) faktr diye isimlendirilir,
= -

V DS | =Sabit V GS I D

215

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

forml ile deerlendirilebilir. Miktarnn deerlendirilmesin de ok doru olan dier bir forml de aada verilmitir. =gm.rds Gerilim kazanc hesaplamalarnda devrenin karakteristik erilerinin lineer ksmnda altnn kabul edildiini belirtmek gerekir. Belli bir k sinyalinde aktif blgenin dna klmaz ise, kk sinyal edeer devresi iin lineer ksmdan sz etmek gerekmez. rnein, gerilim kazanc -12 olan bir JFET'e tepe deeri 2V'a sahip giri sinyali uygulanrsa, bu giriin kta, tepe deeri 24V olacak k sinyali yaratabilecei nceden tahmin edilebilir. Ancak VDD=20v ise, phesiz bu k elde edilemez. JFET'li ykseltecin k empedans birok uygulama iin nemli bir deerdir. ekil-11.5'deki self-polarma direnci kullanlmayan JFET'li ykseltecin k empedans,
RD = RD - rds = RD .rds RD + rds

eklinde yazilabilir. Srs'e bal self polarma direnci (RS) baypaslanm ekil-11.6'daki JFET'li ykselte devresi iin k empedans;
RD = RD - [rds + ( + 1) RS ] RD = RD [rds + ( + 1) RS ] RD + rds + ( + 1) RS

ifadesiyle gsterilebilir.

216

10A
Multivibratrler
KONULAR:
1.

BLM 10

Dengesiz (astable) multivibratrn almas ve zelliklerini incelemek. if dengeli (bistable) multivibratrn almasn ve zelliklerini incelemek.

2.

GEREKL DONANIM:
G Kayna: 12VDC Transistr: 2xBC108C LED: 5mm standart led Diren: 2x100, 2x470, 2x1K, 2x2.2K, 2x4.7K, 2x10K Kondansatr: 2x22nF, 2X100nF, 2x100F, 2x2200F

N BLG:
Multivibratrler; Dengeli (stable) ve dengesiz (astable) olmak zere iki gruba ayrlrlar. Dengesiz multivibratrler, iki transistrle oluturulmu kare dalga osilatrleridir. ekil24.1'de grlen dengesiz multivibratr devresi incelendiinde transistrlerin giri ve klarnn birer kondansatrle birbirlerine baland grlmektedir. Her bir transistrn karakteristiklerindeki farkllklarndan dolay transistrlerden biri iletimde iken dieri kesimdedir. Balangta Q1 transistrnn iletimde olduunu kabul edelim. Bu durumda VCE1=0V olur. VCE1 gerilimi C2 kapasitr zerinden Q2 transistrnn beyzine kuple edilir. Q2 transistrnn beyzi emiterine nazaran daha negatif olur ve kesime gider. Bu anda C2 kapasitr, R2 direnci zerinden dearj olarak zt ynde dolmaya balar. zerindeki gerilim 0.7V'a ulatnda Q2 transistrnn beyzini tetikleyerek iletime geirir. Bu anda Q2 'nin k gerilimi VCE2=0V'a dmtr. Bu gerilim negatif bir pals olarak C1 kondansatr ile Q1'in beyzine kuple edilir ve Q1 kesime gider. C1 kondansatr R1 zerinden dearj olarak zt ynde dolmaya balar. Bu gerilim 0.7V'a ulanca Q1 transistrn iletime geirir. Bu olaylar bylece tekrarlanr. Sonuta transistr klarndan (VCE1 ve VCE2) bir kare dalga iaret elde edilir. Bu iaretin frekans C1, C2 kondansatrlerine ve R1, R2 diren deerlerine baldr. Elde edilen iaretin periyodu yaklak olarak;

T = 0.7( R 2 C 1 ) + ( R 3C 2 ) formlnden bulunur. klarda dzgn bir kare dalga elde etmek iin R1=R2 ve C1=C2 seilmelidir.

217

ANALOG ELEKTRONK- I
+Vcc=12V

Kaplan

R1

100

R2

2.2K

R3

2.2K

C1 VCE1 0.1F Q1 VBE1

C2 0.1F

R4

100

Q2 V V VBE2

VCE2

ekil-24.1 Dengesiz (astable) Multivibratr Devresi

DENEY 1: DENGESZ MULTVBRATR:

1.1

ekil-24.1'deki dengesiz multivibratr devresini deney seti zerine kurunuz. Osilaskop kullanarak dengesiz multivibratr devresinde VCE1, VBE1 gerilimlerinin dalga biimlerini ekil-24.2.ada grlen diyagrama iziniz. VCE2, VBE2 gerilimlerinin dalga biimlerini ise ekil-24.2.bdeki diyagramlara orantl olarak iziniz. Q2 veya Q1 transistrnn k dalga biimlerini inceleyiniz. Q1 ve Q2 Transistrlerinin kesim (T1) ve doyum anndaki (T2) periyotlarn lerek tablo24.1'deki ilgili yerlere kaydediniz. ekil-24.1'deki dengesiz multivibratr devresinde R1, R2 direnlerini ve C1, C2 kondansatrlerini tablo-24.2'de belirtilen deerlerle sra ile deitiriniz.

1.2 1.3

1.4

V/DIV=

T/DIV=

V/DIV=

T/DIV=

ekil-24.2 a ve b Kararsz multivibratrn dalga biimleri

218

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transistr

T1

T2

T1+T2

Q1 Q2
Tablo-24.1 Multivibratr Dalga ekilleri

1.5

Deitirdiiniz Her deer iin k iaretlerinin T1, T2 deerlerini ve toplam periyot deerini (T=T1+T2) lerek tablo-24.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
C1 (nF) 100 100 100 22 22 100 100 C2 (nF) 100 100 100 22 22 100 100 R2 () 2K2 4K7 1K 1K 2K2 2K2 4K7 R3 () 2K2 4K7 1K 1K 2K2 4K7 2K2 T1 (s) T2 (s) T=T1+T2 F=1/T

Tablo-24.2 Dengesiz Multivibratr devresinin eitli deerler altnda Karakteristikleri

DENEY: 2 UYGULAMA DEVRES (FLAR):

Bu deneyde dengesiz multivibratr kullanarak bir flar devresi tasarlayacaz. Bylece multivibratrn almasn grsel olarak daha iyi anlayacaz. Uygulamas yaplacak olan flar devresi ekil-24.3de verilmitir.

219

ANALOG ELEKTRONK- I
+Vcc=12V LED1 R1 470 R2 2.2K R3 2.2K LED2 R4

Kaplan

470

C1 2200F

C2 2200F

VCE1

Q1 V VBE1 VBE2

VCE2 Q2

ekil-24.3 Dengesiz multivibratr ile yaplan flar devresi

DENEYN YAPILII:
2.1 2.2

ekil-24.3'deki devreyi deney seti zerine kurunuz. Devreye enerji vererek almasn LED'lerin yanp snmesine bakarak irdeleyiniz. Devredeki C1 ve C2 kondansatrlerini 100F yapnz. Devrenin almasn gzlemleyiniz. Devrenin almasnda ne gibi deiiklikler olmutur. Neden? Aklaynz?

DENEY: 3 FT DENGEL MULTVBRATR:

Bu blmde ift Dengeli Multivibratr devresinin almasn ve zelliklerini inceleyeceiz. Deneyde kullanacamz ift dengeli multivibratr devresi ekil-24.4de verilmitir.
+Vcc=12V

R1

1K R2

R3

2.2K R5 4.7K

R4

1K

VQ1

4.7K

Q1
R3

Q2
100

VQ2

R6

100

SET

RESET

ekil-24.4 ift dengeli (Bistable) multivibratr devresi

220

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

N BLG:
Multivibratrlerin Dengeli ve Dengesiz olmak zere ikiye ayrldklarn belirtmitik. Dengeli alan multivibratrler tek dengeli (monostable) ve ift dengeli (bistable) olmak zere ikiye ayrlrlar. ift dengeli multivibratrler, zellikle saysal elektronik uygulamalarnda yaygn olarak kullanlrlar. Bellek oluturulmasnda kullanlan flip-flop'lar gerekte birer bistable multivibratrdr. ekil-24.4'de bir bistable multivibratr devresi verilmitir. Devrenin almasn ksaca zetleyelim. Bistable multivibratr devresine enerji verildiin de; transistrlerden biri iletime dieri kesime gidecektir. Kullanlan farkl materyaller nedeniyle hangi transistrn nce iletime geecei konusunda bir ey sylenemez. Q2'nin iletimde Q1'in ise kesimde olduunu kabul edelim. Bu durumda; VQ2=0V, VQ1=VCC deerine ular. Bir an iin Q2 transistrnn RESET ucu (beyz) ase potansiyeline alndnda Q2 transistr kesime gidecek ve VQ2 gerilimi besleme gerilimine ulaacaktr. Bu durum; Q1 transistrne R5 zerinden pozitif bir beyz gerilimi uygulanmasn salar. Bu pozitif gerilim, Q1 transistrn iletime srer. VQ1=0V olur. Q1 transistrnn kollektr gerilimi azalmtr. Bu gerilim R2 zerinden Q2 transistrn kesime srer. Bu durum da; Q1 transistr iletimde, Q2 transistr ise kesimdedir. Bu durum; kararl durum olarak adlandrlr. Dier bir kararl duruma geme; yani Q2 iletimde, Q1'in kesimde olmas ise SET giriinin ksa bir sre ase potansiyeline balanmas ile salanr. Sonu olarak bu tip multivibratrde transistrlerin durumlar R ve S ularndan uygulanan polariteye baldr. Transistrler; R ve S ularndan en son uygulanan polariteye bal olarak durumlarn devaml korurlar. Bu durum saysal elektronik de bilgi depolamada nemlidir.

Multivibratr girilerinden R reset (sil) anlamna, S ise; set (kur) anlamna gelmektedir. Bu deneyde bu ularn ilevlerini greceksiniz.

DENEYN YAPILII:
3.1 3.2

ekil-24.4'deki ift dengeli multivibratr devresi grlmektedir. Bu devreyi deney seti zerine kurunuz. Tablo-24.4'de belirtilen saysal deerleri ksa bir sre iin devrenin RESET ve SET girilerine uygulaynz. R ve S girilerinden uygulayabileceiniz iaretin ve transistr klarndan alacanz analog deerlerin saysal karlklar da tablo24.3de verilmitir.
SAYISAL DEER GR IKI 0 V=0V V<2 volt 1 V=12V V>9 volt

Tablo-24.3 Saysal verilerin analog karlklar

221

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

3.3

Bu almada ve tablo-24.4'de belirtilen deerler analog olarak tablo-24.3'de verilen deerlere karlk gelmektedir. Elde ettiiniz sonularn saysal deerlerini tablo24.4'deki ilgili yerlere kaydediniz.
RESET 0 0 1 1 SET 0 1 0 1 VQ1 VQ2

Tablo-24.4 Bistable Multivibratrn almas

ZET:

ift kararl multivibratrler bistable multivibrators olarakda bilinirler. ift kararl multivibratr, saysal elektronikten anmsayacanz temel RS flip flop devresini oluturmaktadr. ki transistrden meydana gelen bu devre bilgi saklanmasnda kullanlr.

222

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

10B
KONULAR:
1.

FAZ KAYMALI RC OSLATR

Osilatrler ve temel alma prensipleri Faz Kaymal RC osilatrn temel alma prensipleri ve zellikleri

2.

GEREKL DONANIM:
G Kayna: 12VDC Transistr: BC108C veya Muadili Diren: 1K, 2x2.2, 3.3, 5.6K, 4x10K, 22K, 33K Kondansatr: 3x10n, 10F, 47F

N BLG:
DC gerilimi istenilen frekansta iaretlere dntren devrelere osilatr denir. Osilatrler DC gerilim kaynaklar ile beslenirler. Bir osilatr devresi; osilasyonu balatan rezonans devresi, ykselte ve geribesleme katlarndan olumaktadr. Temel osilatr devrelerinden sinsoydal k alnr. Fakat klarnda kare, gen v.b dalga biimleri elde edilebilen osilatr tasarm da yaplabilir. Osilatrler; kullanm amalar ve zelliklerine bal olarak eitli ekillerde tasarlanabilirler. Osilasyonun balamasn salayan rezonans devreleri genellikle; R-C veya R-L pasif devre elemanlarnda oluur. Aada popler ve yaygn kullanm alanlar bulunan baz osilatr tipleri sralanmtr. Bu osilatr devreleri srayla incelenecektir.

RC Faz kaymal osilatr Wien Kpr osilatr Kolpits osilatr Hartley osilatr, kristal osilatr v.b

Bir osilatr devresinin oluturulabilmesi iin nce tank devresi (rezonans devresi) ve ykselte devresine gereksinim vardr. Ayrca osilasyonun srekliliini salamak iin ykselte devresinde pozitif geribesleme yaplmaldr. ekil-25.1de ortak emiterli bir ykselte devresi grlmektedir. Bu ykselte devresini gelitirerek bir osilatr devresine dntrebiliriz. Ortak emiterli ykselte devresinde; ykselte giriine uygulanan iaret ile kndan alnan iaret arasnda 1800 faz fark olduunu biliyoruz. Ortak emiterli ykselte devresini bir osilatr haline dntrmek iin; ykselte kndan alnacak iaretin bir ksm, pozitif geribesleme ile ykselte giriine uygulanmaldr. Bu osilasyonun sreklilii iin gereklidir. Osilasyonun balamas ile R-C devreleri ile gerekletirilir. Osilasyon ilemi iin bir kondansatrn arj ve dearj sresinden faydalanlr.

223

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+VCC=12V

R3

RC

CC

T1 BC108 Vg C3

R4

RE

CE

ekil-25.1 Ortak emiterli ykselte devresi

Ykselte k gerilimini; girie geri besleyerek osilasyon elde edebilmek iin, k iaretini 1800 faz kaydrmak gerekmektedir. RC faz kaydrmal osilatr devresinin temel prensibi bu koula dayanmaktadr. ekil-25.2de RC faz kaydrmal osilatr devresi verilmitir. Devre dikkatlice incelendiinde k iaretinin bir ksm RC geri besleme elemanlar ile girie geribeslenmitir. Her bir RC hcresi; k iaretinin bir ksmn 600 faz kaydrmaktadr. k ile giri arasnda 3 adet faz kaydrma devresi kullanlmtr. Dolaysyla k iaretinin faz 1800 kaydrlarak girie pozitif geribesleme yaplmtr.
+VCC=12V

R3
C1

RC

CC

T1 BC108 C2 C3

R1

R2

R4

RE

CE

Faz Kaydrc

Ortak Emiterli Ykselte

ekil-25.2 RC faz kaydrmal osilatr devresi

Her bir RC devresinin 600 faz kaydrmas istenirse R1=R2=Rg ve C1=C2=C3 olarak seilmelidir. Rg, ortak emiterli ykseltecin giri empedansdr. Giri empedansnn R1 ve R2'ye eit olmas gerekmektedir. Bu koullar saland zaman, k iaretinin frekans aadaki forml yardm ile bulunur.

224

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

f=

1 2 C
2 6 R1 + 4 R1 RC

Osilasyonlarn genlii, geribesleme oranna ve ykseltecin kazancna baldr. Geribesleme oran seri RC devrelerinin toplam empedansna baldr. Bu empedans arttka geribesleme oran decek ve k iaretinin (osilasyonun) genlii azalacaktr.
+VCC=12V

R3 10K
C1 C2

RC

5.6K CC 10F
V

10nF

C3

T1 BC108

10nF

10nF

R1

10K

R2

10K

10K

R4

RE 5.6K

CE 47F

Faz Kaydrc

Ortak Emiterli Ykselte

ekil-25.3 RC Faz Kaydrmal Osilatr Devresi

DENEYN YAPILII:
1.1 1.2

ekil-25.3'deki faz kaymal osilatr devresini deney seti zerine kurunuz. Osilatrn k iaretini gzlemlemek iin gerekli osilaskop balantsn yapnz. Osilatr k iaretinin (V) ve Q1 transistrnn beyzindeki iaretin dalga biimlerini ekil-25.4'deki diyagrama orantl olarak iziniz.

V/DIV=

T/DIV=

V/DIV=

T/DIV=

ekil-20.4 RC osilatrn k ve beyz iaretlerinin dalga biimleri

225

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

1.3

aretin tepeden tepeye deerini ve frekansn lerek elde ettiiniz sonucu ilgili yere kaydediniz.

f= V =
1.4

Herz volt

Osilatr k iareti ile, transistrn beyzindeki iareti ayn anda osilaskop ta gzleyiniz. Bu iki iaret arasnda faz fark var m? Varsa ilgili yere not ediniz?

=______________
1.5

ekil-25.3'deki deney devresinde RE diren deerini tablo-25.1'de verilen deerlere sra ile deitiriniz. Her deer iin k iaretinin tepeden tepeye deerini ve frekansn lerek tablo-25.1'deki ilgili yerlere kaydediniz. Osilatr devresini ekil-25.3'deki ilk haline getiriniz. Devredeki R1 direnci yerine 22K' luk bir diren balaynz. Bu durumda k iaretinin genlii ve frekansndaki deiimi gzleyerek sonucu ilgili yere not ediniz.
RE () V t-t (volt) F (Herz)

1.6

6.6K 5.6K 3.2K

Tablo-25.1 Osilatr Kazancnn Etkileri

V = f=

volt Herz

SORULAR:
1. 2.

Osilatr devresinin osilasyona balamas iin k ve geribeslenen giri iaretleri arasndaki faz fark nasl salanmtr? Aklaynz? Osilatrn almasna RE direncinin etkisini belirtiniz? RE direncinin deiimi osilatr k iaretinde ne gibi deiimler salar? Aklaynz?

226

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

KOLPTS OSLATR
KONULAR:
3.

Kolpits osilatr (Colpitts Oscillator) devresinin almas ve ilevlerinin incelenmesi

GEREKL DONANIM:
G kayna: 12VDC Transistr: BC108C veya muadili Diren: 2x2K, 10K Kondansatr: 2n2, 4n7, 10n, 22n, 47n, 0.1, 0.22, 0.47, 1F Bobin (indktans): 3mH, 10mH, 30mH

N BLG:
Kolpits osilatrler bir ok uygulamada yaygn olarak kullanlmaktadr. Bu osilatrlerin rezonans devresi (tank devresi) L ve C elemanlarndan olumaktadr. ekil-26.1'de devre emas ayrntl olarak verilmitir.
+VCC=12V

C2 R1 10K L1 3mH C3

4.7nF

2.2nF V2 V1

T1 BC108

C1

2.2F

R2

2.2K

R3

2.2K

ekil-26.1 Kolpits osilatr devresi

Devrenin almasn ksaca anlatalm; Osilatr devresinde Q1 transistr ortak beyzli bir ykselte olarak alr. L, C2 ve C3 rezonans devresi yk empedansdr. Osilatr devresinin; empedans ve amplifikasyonu rezonans frekansnda yksektir. Ykselte k iaretinin bir ksm, emitere geri beslendiinde; devre osilasyon yapmaya balar. Geribeslemenin miktar (oran), C2 ve C3 kondansatrlerinin arasndaki oranla belirlenir. Geri besleme kkse, emiter gerilimi gibi kollektr akm da sinsoydal formda olacaktr.

227

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

DENEYN YAPILII:
1.1 1.2 1.3

ekil-26.1'deki kolpits osilatr devresi verilmitir. Bu devreyi deney seti zerine kurunuz. Devreye g uygulaynz. Devre kndaki iaretleri (V1 ve V2) incelemek iin gerekli osilaskop balantlarn yapnz. Doru bir lme iin, osilaskop ta gerekli kalibrasyon ayarlarn yapnz. Osilatr kndaki V1 geriliminin dalga biimini osilaskopla inceleyiniz ve elde ettiiniz iareti ekil-26.2'deki diyagrama orantl olarak iziniz.

V/DIV=

T/DIV=

V/DIV=

T/DIV=

ekil-26.2 V1 ve V2 gerilimlerinin Dalga Biimleri

1.4

V1 iaretinin frekansn aadaki forml kullanarak hesaplaynz. Sonucu kaydediniz. C; rezonans devresinin toplam kapasite deeridir. Toplam kapasite;forml yardmyla bulunur.

f=

1 2 LC

C=

C 2 xC 3 C2 + C3 Hz Hz

f (hesaplanan)= f (len)=
1.5 1.6

Ayn ilemleri V2 iareti iinde tekrarlayarak sonular ilgili yerlere kaydediniz. V2 iaretinin frekansn aadaki forml kullanarak hesaplaynz. Sonucu kaydediniz. V2 iaretinin dalga biimini ekil-26.2deki diyagrama orantl olarak iziniz.
f= 1 2 LC Hz

f (hesaplanan)=

228

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

f (len)=
1.7

Hz

Osilatr devresinde kullanlan L1, C2 ve C3 elemanlarn tablo-26.1'de belirtilen deerlerle sra ile deitiriniz. Her deer iin k iaretinin frekansn lerek, sonular tablodaki ilgili yerlere kaydediniz.
L1 (mH) 3 3 3 10 10 10 30 30 C2 (nF) 4.7 4.7 10 22 47 100 470 470 C3 (nF) 10 22 22 100 220 47 220 1000
Tablo-26.1 Kolpits Osilatr Karakteristikleri

C (toplam)

F (KHz) llen

F (KHz) Hesaplanan

1.8

ekil-26.1'deki osilatr devresinde; L=3mH, C2=10nF ve C3=4n7 deerleri iin, V1 ve V2 gerilimlerinin dalga biimleri zamann bir fonksiyonu olarak ekil-26.3'deki diyagrama orantl olarak iziniz. ekil-26.1'deki osilatr devresinde; L=3mH, C2=10nF ve C3=47nF deerleri iin, V1 ve V2 gerilimlerinin dalga biimleri zamann bir fonksiyonu olarak ekil-26.3'deki diyagrama orantl olarak iziniz.

1.9

V/DIV=

T/DIV=

V/DIV=

T/DIV=

ekil-26.3 V1ve V2 Gerilimlerinin Dalga Biimleri

229

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

10D
WEN KPRL OSLATR
KONULAR:
1. 2.

Wien Kpr devresinin zelliklerini ve karakteristiklerini incelemek Wien Kprl osilatrn almasn ve karakteristiklerini incelemek.

GEREKL DONANIM:
Osilaskop: ift Kanall G Kayna :12VDC aret reteci (Signal Generator) Transistr: 2xBC108C veya muadili Diren: 2x1K, 2x1.5K, 2x2.2K, 2x4.7K, 2x10K, 3x33K, 68K, 2x100K, 220K Potansiyometre: 470 Kondansatr: 2x4.7nF, 22nF, 47nF, 2.2F, 47F Elko

DENEY: 1 WIEN KPR DEVRESI

Bu deney de; bir wien kpr devresinin zellikleri ve alma karakteristikleri ayrntl olarak incelenecektir.

N BLG:
Wien kprs, endstriyel elektronik devre uygulamalarnda ve eitli endstriyel cihazlar da sklkla kullanlmaktadr. En popler ve yaygn kullanm alan ise osilatr devrelerindedir. ekil-27.1'de bir Wien kpr devresi grlmektedir.

C R1 68K R Vg V1 R2 33K V C 4.7nF

4.7nF 10K

10K

V2

ekil-27.1 Wien kpr devresi

230

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

DENEYN YAPILII:
1.1

ekil-27.1'de Wien kpr devresi grlmektedir. Bu devreyi deney seti zerine kurunuz. Devre giriine (Vg); genlii 10Vt-t olan 200Hz'lik bir sinsoydal iaret uygulaynz. k iaretinin tepeden tepeye deerini lerek sonucu tablo-27.1'deki ilgili yere kaydediniz. Giri iaretinin (Vg) frekansn tablo-27.1'deki deerlere gre sra ile deitiriniz. Her deer iin k iaretinin (V) tepeden tepeye deerini lerek tablo-27.1'deki ilgili yerlere kaydediniz. Devrede; V(t-t)=V1(t-t)-V2(t-t) gerilimleri arasndaki zaman ilikisini (t) gsteriniz. Aadaki forml kullanarak V1 ve V2 iaretleri arasndaki faz asn hesaplaynz ve elde ettiiniz sonular kullanmak zere not ediniz. = 360 0.f. t ltnz ve hesapladnz deerleri tablo-27.1'e kaydediniz.
R=10K, C=4.7 nF F (Hz) 200 400 600 800 1000 2000 4000 6000 10000 15000 V (t-t) R=33K, C=4.7 nF F (Hz) 200 400 600 800 1000 2000 4000 6000 10000 15000 V (t-t) R=100K, C=4.7 nF F (Hz) 200 400 600 800 1000 2000 4000 6000 10000 15000 V (t-t)

1.2

1.3

Tablo-27.1 Wien kpr devresinin karakteristikleri

231

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

1.4

ekil-27.1'deki wien kpr devresinde R direnlerini 33K, ve C kondansatrlerini 4.7nF yaparak devreyi yeniden dzenleyiniz. Bir nceki admdaki deneyi tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo-27.1'deki ilgili yerlere kaydediniz. ekil-27.1'deki wien kpr devresindeki R direnlerini 100K ve C kondansatrlerini 4.7nF yapnz. Deneyi tekrarlaynz. Elde ettiiniz sonular tablo27.1'deki ilgili yerlere yaznz.

1.5

DENEY: 2 WEN KPRL OSLATR

Bu deneyde Wien Kpr ile gerekletirilmi bir osilatr devresini inceleyeceiz. Osilatrler hakknda baz temel kavramlara sahip olacaz.

N BLG:
Bir elektronik devre giriine bir AC iaret uygulanmadan, knda periyodik bir AC iaret retiyorsa bu tr devrelere Osilatr denir. Osilatrler DC g kaynaklarndan beslenirler. Bunun sonucu olarak DC gerilimi istenilen frekansa sahip iaretlere dntrlrler. Temel osilatr devrelerinden sinsoydal k alnr. Ayrca, kare dalga ve testere dii gibi eitli dalga formlarna sahip osilatrler vardr. Osilatrler kullanm amalarna ve uygulama alanlarna bal olarak eitli tip ve modelde retilirler. Osilatrlerde kullanlan temel devreler; osilasyonu balatan rezonans devresi, ykselte ve geribeslemedir. Rezonans devreleri; L ve C elemanlarndan yada R ve C elemanlarndan oluur ve bu isimle anlrlar. Aada yaygn olarak kullanlan baz osilatr tipleri verilmitir. Kolpits Osilatr (Colpitts Oscillator) Hartley Osilatr Wien Kpr Osilatr Faz Kaymal Osilatr. Bu uygulamada ekil-27.2'de grlen wien kpr osilatr devresini inceleyeceiz. Devrenin almasn ksaca zetleyelim.

232

ANALOG ELEKTRONK- I
Vcc=+12V

Kaplan

C R1 R 220K C1 2.2F C R R2 100K

R3 10K

P 470

Q2 BC108 Q1 BC108 R4 10K R5 10K C2 47F

+

ekil-27.2 Wien kprl osilatr devresi

Q1 ve Q2 transistrleri ile oluturulan her iki ykselte kat bir evirmeyen ykselte olarak grev yapar. P potansiyometresi osilatr k gerilimi V'n bir ksmnn girie geri beslenmesinde kullanlr. Wien kpr osilatrnn zayflatma katsays ykselte ile kompanze edilir. Osilatr devresindeki P direnci ayarlanarak, devrenin balang osilasyonu kontrol edilir. Geribesleme tek bir frekansta oluur. Balang osilasyonunun ayarlanmas ile, osilatr knda sinsoydal bir iaret elde edilir. Elde edilen bu iaretin frekans ise devrede kullanlan R ve C elemanlarna baldr.

DENEYN YAPILII:
2.1 2.2

ekil-27.2'de verilen wien kpr osilatr devresini deney seti zerine kurunuz. R=1K ve C=22nF kullannz. Devre kna osilaskop balayarak k iaretini inceleyiniz. Osilatr knda distorsiyonsuz bir sinsoydal iaret elde etmek iin P potansiyometresini ayarlaynz. k iaretindeki deiimi osilaskop ta gzleyiniz. Elde ettiiniz iaretin dalga biimini ekil-27.3deki diyagrama orantl olarak iziniz.

V/DIV=_____________ T/DIV=_____________

ekil-22.3 Wienkpr osilatrnn k dalga biimi

233

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

2.3

ekil-27.2'deki wien kpr osilatr devresindeki R ve C elemanlarn tablo-27.1'de belirtilen deerlerle deitiriniz. Osilatr devresinde;

f=

1 2 RC

olduunda, yani osilatr devresinin k maksimuma ulatnda, giri ve k gerilimi arasnda faz kaymas; =0'dr. Kullandnz her deer iin k gerilimini ve frekans lnz. Sonular tablo-27.2'deki ilgili yerlere kaydediniz.
R () 1K 1K 2.2K 2.2K 4.7K 4.7K C (F) 22n 47n 22n 100n 22n 47n V (t-t) KHz

Tablo-27.2 Osilatr devresinin Karakteristikleri

ZET:
1. 2. 3.

Osilatrler; salnm reten elektronik dzenlerdir.

Osilatrler, bir ykselte kat ile birlikte kullanlan R ve C elemanlarndan oluurlar.

Bu tip osilatr devrelerinde osilasyonun sreklilii geribesleme ile salanr.

234