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Vimos en la entrega anterior que existen diferentes tipos de transistores. Comenzaremos ahora con el anlisis particular de los Bipolares o como comnmente se los llaman TBJ (transistor bipolar junction). Para pequea seal.

TO-92

Antes de seguir y para aunar criterios daremos la definicin de las leyes ms importantes y utilizadas en la teora de circuitos:

LEY DE OHM:

V=RxI

Qu nos dice? Que para que circule una corriente I, a travs de una resistencia R, se debe aplicar en sus extremos una tensin V. Las unidades son: I = Corriente: Amper (A) V = Tensin: Volt (V) R = Resistencia: Ohm ( ) La corriente (I) circular por el circuito slo si el mismo se encuentra cerrado. Cuando decimos circuito cerrado estamos haciendo referencia a que si me paro en un punto del circuito debe existir un camino que me regrese al mismo punto del que part. Y adems tiene que haber algn elemento que genere una tensin (V), normalmente una batera, una fuente de alimentacin o un generador. (Prrafo obtenido del Curso de Nociones bsicas de Electrnica 1). Una prctica fcil, para verificarla, es colocar una batera y una resistencia de valor conocido en un protoboard. Medir la tensin sobre los bornes de la manera mostrada a la derecha. Luego la corriente (teniendo en cuenta que se debe abrir el circuito). Y chequear que la corriente dada por la ley de Ohms es I = V/R. Otras leyes que se requieren saber son:

LEYES DE KIRCHOFF:
Resumidamente diremos que:
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La suma de tensiones al recorrer un camino cerrado dentro de un circuito es cero: Vi = 0 .Donde se toman como positivas las tensiones que suben y negativas las cadas. La suma de corrientes en un nodo es cero: Ii = 0 . Donde las corrientes que entran al nodo se suman las que salen se restan.

De estas leyes surge que si tomamos dos resistencias (R1 y R2), y las unimos por sus puntas (resistencias en paralelo), esto equivale a colocar slo una resistencia de valor R1.R 2 igual a . R1 + R 2 Para el ejemplo de la foto R1=150K y R2=1.2K. Entonces
R1.R 2 150 K .1.2 K = 1190 . R1 + R 2 150 K + 1.2 K

Nota: Recordemos que los valores reales de resistencia pueden variar un pequeo porcentaje con respecto al que nos indica el fabricante.

En cambio si las colocamos en serie, equivale a usar una de valor igual a R1 + R 2 . Para el ejemplo de la foto R1+R2= 150K + 1.2 K = 152K

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Funcionamiento y polarizacin de un TBJ. Parte1 Volviendo ahora al tema del captulo, los transistores, recordemos que se los pueden pensar como dos diodos colocados de la siguiente manera:

Sin entrar mucho en el detalle fsico interno, diremos que estn diseados con un material semiconductor (generalmente Silicio o Germanio) del tipo N o del tipo P, dispuestos segn sea PNP o NPN como lo muestra la primer columna de la imagen anterior. Los transistores poseen diferentes modos de funcionar y dicho modos dependen de cmo los alimentemos (polarizacin). Viendo que estn formados por diodos, automticamente llegamos a la conclusin de que los modos van depender de si estos diodos estn en directa o en inversa. La siguiente imagen muestra una conexin tpica: Vcc y VBB son alimentacin continua. fuentes de

RL es la resistencia de carga y RB la resistencia en la base. La corriente que circula por la base del transistor (a travs de RB) es normalmente muy pequea. Y la corriente del colector se calcula multiplicando la corriente de la base por un factor o hfe (dado por el fabricante segn el modelo de transistor). Es decir Ic = x IB

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MODOS: Para observar los diferentes modos de funcionamiento se puede realizar la siguiente prueba terica: Supongamos colocar una resistencia variable en la base, es decir, un potencimetro, de tal manera que la corriente vare de acuerdo al movimiento del eje del potencimetro. Entonces, giramos el potencimetro y lo dejamos fijo a un valor de corriente de base, y la anotamos (por ejemplo IB1=5 A * ) Ahora, para esta corriente fija IB variamos la tensin entre colector emisor, y vamos anotando los diferentes valores de IC que se obtienen. Repetimos los pasos anteriores, previa modificacin de la posicin del potencimetro. El esquema que se obtiene es el siguiente:

En el eje vertical se dibuja la corriente por el colector en mA ( * ) y en el horizontal la tensin VCE (tensin entre colector y emisor). Se puede observar que existe un rango dentro del cual la corriente por el colector es constante (indicado en azul), sin importar la tensin VCE. Nota : A = micro Amper = 0,00000 A
mA = mili Amper = 0,001 A www.plaquetodo.com

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Por ejemplo, para una corriente IB de 40 A, la corriente IC es de 4mA (indicada en el grfico anterior con un crculo rojo), sin importar qu tensin VCE se tenga. La zona donde la corriente de colector no es proporcional a la corriente de la base, es llamada zona de saturacin, y VCE es pequea. En la zona llamada MAD (modo activo directo) la corriente en el colector se mantiene constante. Y es en esta zona donde la expresin vista Ic = x IB es vlida

La zona donde la corriente de colector es aproximadamente cero, es llamada zona de corte y VCE puede tomar cualquier valor.

La zona de MAD se utiliza principalmente para amplificacin. Las zonas de saturacin y corte, se utilizan conjuntamente para darle al transistor la utilidad de llave. MAD (modo activo directo) VCE > (o igual) 0.7 V VCE > (o igual) 0.7 V VBE = 0.7 V MC (modo corte) Ic < Ic mn (aproximadamente cero) MS (modo saturacin) VCE < 0.7 V VCB < 0 VBE = 0.7 V

En la prxima entrega veremos el transistor utilizado como llave, y circuitos ejemplos de aplicacin prctica.
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