ResumenEste trabajo presenta los resultados obtenidos al disear e implementar una prctica de laboratorio para el curso de teora del control automtico, enfocada a la linealizacin de curvas en el ejemplo de la caracterstica voltoampricade un diodo semiconductor de silicio 1-4007.
Palabras claves linealizacin de curvas, sistemas de control automtico. I. INTRODUCCIN
La mayora de los sistemas fsicos no son perfectamente lineales. Sin embargo bajo ciertas suposiciones, casi siempre puede obtenerse un modelo lineal, que es un compromiso entre la simplicidad del modelo matemtico y la precisin de los resultados que se obtienen con l [1].
Para resolver un problema, frecuentemente se construye primero, un modelo simplificadotan lineal como sea posible, lo que permite obtener una idea aproximada de la respuesta dinmica del sistema. En una segunda fase, se completa el modelo para un anlisis ms preciso y prximo al comportamiento real [1].
Un sistema o una ecuacin no lineal, se pueden linealizar suponiendo que las perturbaciones (cambios) de las variables dependientes, respecto a sus valores en una condicin de equilibrio permanente o estacionaria arbitraria, son lo suficientemente pequeos para que los productos y potencias de las variables perturbadas y sus derivadas puedan despreciarse [1].
Ya que, normalmente un sistema de control opera en las cercanas de un equilibrio, la linealizacin se realiza alrededor de este equilibrio. La linealizacin puede ser efectuada en forma grfica o analtica.En aquellos sistemas en los existen varias no linealidades, el modelo se vuelve complicado, y, es recomendable el desarrollo de series de Taylor alrededor del punto de equilibrio.
Este trabajo est orientado a la linealizacin de la caracterstica voltoamprica de un diodo de Si tipo 1N-4007, y, forma parte del conjunto de mdulos propuestos para el diseo e implementacin de un pull de prcticas de laboratorio para la asignatura de control automtico. El trabajo se realiz en cuatro etapas. En la primera, se obtuvo la caracterstica voltoamprica del diodo, aplicando los recursos del software Multisim [2]. En la segunda, se construy experimentalmente la caracterstica en la plataforma Ni-Elvis [3]. En la tercera, se compar los resultados obtenidos. En la cuarta, se aproxim la linealizacin grfica de la curva en estudio. II. GENERALIDADES DEL DIODO SEMICONDUCTOR
El diodo es uno de los elementos ms sencillos de los circuitos no lineales. Este elemento semiconductor posee dos terminales (nodo y ctodo), entre los cuales existe una zona de transicin o de deplexin P-N(Ver Fig.1) [4].
, Fig. 1.Unin PN en equilibrio. Tomado de[en lnea] <http://usuarios.multimania.es/macoxvp/archivos_telecom/diodo_semicondu ctor.pdf> [consulta 22 de Octubre 2011]
Los diodos se fabrican con materiales semiconductores, tales como el silicio (Si), Germanio (Ge), o, Arseniuro de Galio (GaAs).
A. Polarizacin directa
Ya que la tensin en la zona n es mayor que en la zona P, se requiere de una tensin externa (con el positivo en la zona P) para vencer la diferencia de potencial, y, permitir el flujo de corriente desde la zona P a la N. Esta polarizacin de denomina directa. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de deplexin [5].
B. Polarizacin inversa
La polarizacin inversa de un diodo PN aplica una tensin positiva a la zona N, y, una negativa a la zona P. En este caso, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin, los mismos que son atrados hacia los contactos, aumentando la anchura de la zona de deplexin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios, se reduzca y tienda a cero[5].
III. CONSTRUCCIN DE LA CARACTERSTICA VOLTOAMPRICA DEL DIODO 1N4007
Para el diodo de unin, la relacin entre tensin e intensidad, se puede obtener mediante la formulacin y anlisis de las ecuaciones que rigen el movimiento de las cargas en el interior del dispositivo.
Otra forma vlida, es el recurrir a procedimientosexperimentales[6].Existen instrumentos concebidos para obtener curvas caractersticas de distintos elementos, con gran precisin. Bsicamente, el principio de funcionamiento de estos instrumentos implica aplicar tensiones (o intensidades), y, medir las intensidades correspondientes (o tensiones) [6].
En el marco de este trabajo, la caracterstica voltoamprica se obtuvo a travs de dos mtodos: con la utilizacin del software Multisim [2],y, con el empleo de la plataforma NI-ELVIS.
A. Obtencin de la caracterstica voltoamprica del diodo 1'4007, utilizando software Multisim
Para este efecto, se propuso el circuito mostrado en la Fig. 2, conformado por una fuente regulable de tensin DC, una carga de 1 K., un diodo 1N-4007, un voltmetro, y, un ampermetro.
Fig. 2. Circuito de experimentacin. Elaborado por los autores
Con el diodo en polarizacin directa e inversa, se varo la tensin de la fuente (V IN ), y, se registr las lecturas de corriente y tensin (I,V). Las Tablas I y II, muestran los resultados obtenidos.
Tabla I. Valores para polarizacin directa VI (V) V (V) I (mA) 0 0 0 0,1 0,1 0,000198 0,2 0,199 0,001473 0,3 0,291 0,008890 0,4 0,364 0,036 0,5 0,411 0,089 0,6 0,440 0,160 0,7 0,461 0,239 0,8 0,477 0,323 0,9 0,489 0,411 1 0,5 0,5 2 0,555 1,445 3 0,581 2,419
R2 1k Voltimetro 0 . 1 9 9 V + - Amperimetro 1.473u A + - D2 1N4007 Vin1 0.2 V Tabla II. Valores para polarizacin inversa VI(V) V (V) I (mA) 0 -0 -0 -0,1 -0,1 -0,000198 -0,2 -0,199 -0,001473 -0,3 -0,291 -0,008890 -0,4 -0,364 -0,036 -0,5 -0,411 -0,089 -0,6 -0,440 -0,160 -0,7 -0,461 -0,239 -0,8 -0,477 -0,323 -0,9 -0,489 -0,411 -1 -0,5 -0,5 -2 -0,555 -1,445 -3 -0,581 -2,419 -4 -0,599 -3,401
Con los valores obtenidos, se construy la caracterstica voltoamprica del diodo estudiado. Las figuras 3 y 4 muestran las curvas obtenidas.
Fig.3. Caracterstica voltoamprica del diodo en polarizacin directa. Realizado en el software Multisim por los autores
Fig.4. Caracterstica voltoamprica del diodo en polarizacin inversa. Realizado en el software Multisim por los autores
B. Obtencin de la caracterstica voltoamprica del diodo 1'4007, utilizando la plataforma 'I-Elvis
La figura 5, muestra el circuito propuesto, montado en la plataforma NI Elvis.
Fig. 5. Red resistor-diodo. Realizado en NI Elvis por los autores.
La caracterstica voltoamprica se construy en forma experimental con la ayuda de la fuente de alimentacin, y, delTwoWireCurrentVoltageAnalyzer,incluidos en la plataforma NI Elvis. Las Figuras 6 y 7, muestra los resultados obtenidos.
( m A ) V (Voltios) -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 I
( m A ) V (Voltios)
Fig. 6. Caracterstica voltoamprica experimental del diodo en polarizacin directa. Realizado en NI Elvis por los autores.
Fig. 7. Caracterstica voltoamprica experimental deldiodo en polarizacin inversa. Realizado en NI Elvis por los autores.
C. Anlisis de resultados obtenidos en lasimulacin yen la experimentacin
Los resultados obtenidos, tanto en la simulacin como en la experimentacin, concuerdan con lo esperado desde la perspectiva terica.
Entre las curvas obtenidas existe un margen de error, explicable debido a las prdidas en el stand modular, ya sea por temperatura, ruido, cables, etc.
IV. LINEALIZACIN DE LA CARACTERSTICA VOLTOAMPRICA DEL DIODO
La Fig. 8, muestra la caracterstica voltoamprica del diodo que se pretende linealizar. Si se aproxima la curva caracterstica del diodo a una recta, se tiene una representacin muy pobre del sistema, mientras que la linealizacin por tramos proporciona una representacin ms completa del comportamiento del diodo [7].
Fig.8. Linealizacin de la caracterstica voltoamprica del diodo por tramos. Elaborado por los autores
Tramo 1
La linealizacin de este tramo, consider la Ley de Ohm expresada como (1):
I = I R (1)
El valor de la resistencia se calcul a partir de la pendiente del tramo correspondiente (Ver Fig. 8), utilizando la expresin (2):
m = I 1 u I umbuI u (2)
Reemplazando los valores correspondientes, se obtuvo un valor para la pendiente de 2,16S4 1u -4 . A partir de la pendiente, la resistencia se obtuvo empleando la expresin (3):
R = 1 m (S)
La resistencia calculada para el primer tramo es de 4,18 K0. Con el valor de resistencia calculado, se aproxim valores para la caracterstica linealizada (ver tabla III).
Tabla III. Valores curva caracterstica linealizada para el tramo 1. V (Voltios) I (mA) 0 0 0,1 0,02165 0,2 0,04331 0,3 0,06496 0,4 0,08662 0,411 0,08899
Tramo 2
Para linealizar el tramo 2 de la caracterstica voltoamprica del diodo, se utiliz un modelo de linealizacin (ver Fig.9) en el que, el diodo fue reemplazado por una fuente real de tensin V IN (V umbral = 0,411V), conectada a una resistencia interna R 1 (resistencia del diodo en conduccin).
Fig.9. Equivalentes de un diodo con tensin de corte y pendiente finita. Elaborado por los autores
El valor de la resistencia R 1 se obtuvo a partir de la pendiente finita del tramo correspondiente de la caracterstica. Considerando que el tramo 2 se extiende entre los pares de coordenadas (V umbral , I 1 ) y (V 2 ,I 2 ), la pendiente m puede ser calculada a travs de la expresin (4):
m = I 2 I 1 I 2 I umbuI (4)
El valor de la pendiente en el tramo se obtiene de 0,0137. Por lo tanto, la resistencia interna R 1, se determin en 72,99 .
Se construy un circuito en el software Multisim (ver Fig. 10), con el que se obtuvieron valores para la caracterstica voltoamprica como los mostrados en la tabla IV.
Fig.10.Circuito equivalente a la linealizacin del tramo 2. Realizado en Multisim por los autores
Tabla IV. Valores curva caracterstica linealizada para el tramo 2 VI V (Voltios) I (mA) 0,5 0,417 0,083 0,8 0,437 0,363 1 0,451 0,549 1,4 0,478 0,922 1,8 0,505 1,295 2 0,519 1,481 2,5 0,553 1,947 3 0,587 2,413
Con los valores obtenidos en las Tablas III y IV, se construy la caracterstica voltoamprica linealizada del diodo en polarizacin directa, tal como se muestra en la Fig. 11.
Fig.11. Caracterstica voltoamprica linealizada del diodo en polarizacin directa. Realizado por los autores
Tramo 3
El tramo 3 se linealiz de forma semejante a la del tramo 1. La pendiente se calcul a travs de la expresin (5):
m = I 3 u I uptuu u (S)
La pendiente se determin en 2,16S4 1u -4 , mientras que la resistencia se calcul en 4,6 K0 . Con estos datos se construy la caracterstica linealizada que se muestra en la tabla V.
Tabla V. Valores curva caracterstica linealizada para el tramo 3. V (Voltios) I (mA) 0 0 -0,1 -0,02165 -0,2 -0,04331 -0,3 -0,06496 -0,4 -0,08662
Tramo 4
En este tramo, la presencia del voltaje de ruptura [6], permite definir la linealizacin requerida como V =v ruptura
, para a I I ruptura . La tabla VI, muestra los resultados obtenidos para este tramo.
Tabla VI. Valores curva caracterstica linealizada para el tramo 4. V (Voltios) I (mA) -0,411 -0,089 -0,411 -0,160 -0,411 -0,239 -0,411 -0,323 -0,411 -0,411 -0,411 -0,5 -0,411 -1,445 -0,411 -2,419 -0,411 -3,401
Con los valores obtenidos, en las tablas V y VI, se construy la caracterstica voltoamprica linealizada del diodo estudiado en polarizacin inversa (ver Fig. 12).
Fig.12. Caracterstica voltoamprica linealizada del diodo en polarizacin inversa. Realizado por los autores
V. CONCLUSIONES
La linealizacin permite describir razonablemente los sistemas no lineales con modelos lineales al menos dentro de ciertos rangos de operacin, obteniendo como resultado un modelo lineal, mucho ms simple, pero adecuado para el diseo de control a desarrollar. La caracterstica voltoamprica del diodo muestra tres regiones de trabajo: zona directa, zona Inversa, y, zona de ruptura La obtencin de la caracterstica voltoamprica del diodo, tanto va software como va experimental en la 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 0.2 0.4 0.6 0.8 I (mA) V (Voltios) -4 -3 -2 -1 0 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 I
( m A ) V (Voltios) plataforma NI-Elvis, permiti demostrar que la correspondencia con lo esperado analticamente. La linealizacin de la caracterstica voltoamprica del diodo, reduce la complejidad de clculos con un margen de error mnimo.
VI. REFERENCIAS
[1]Jos Antonio Cancelas Caso, Reyes Poo Arguelles, Modelamiento matemtico de Sistemas fsicos, accedido Sep. 20 [Online]. Disponible en:http://isa.uniovi.es/docencia/ra_marina/UCLM_TEMA3.PDF
[10] Antonio Flores, Linealizacin de Funciones no Lineales, accedido Nov. 21 [Online]. Disponible en: http://200.13.98.241/~antonio/cursos/control/notas/dynamics/lineal.pdf
[12]Rubn Oscar Fernndez, Flix Maciel, Andrs Etchepareborda, Juan Pablo Pierini, Modelado y Linealizacin de Sistemas No Lineales usando MATLAB y SIMULINK, accedido Oct. 28 [Online]. Disponible en: http://www.ib.cnea.gov.ar/~instyctl/clases09/clase2/modeladoTrimLinm od.pdf
[13] Anlisis y Diseo de Circuitos con Diodos, accedido Oct. 20 [Online]. Disponible en: http://referencias111.wikispaces.com/file/view/Capitulo1_ce1.pdf