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UNIVERSIDADE TECNOLOGICA FEDERAL DO PARANA DEPARTAMENTO ACADEMICO DE INFORMATICA CURSO DE ENGENHARIA DE COMPUTACAO

FRANCISCO OTAVIO COELHO STURM ANTUNES ANDRE CRISTIANO CORDEIRO GUILHERME DOS SANTOS FUJIYOSHI

FONTE DE ALIMENTACAO PARA ELETROFORESE: ENSAIO COMETA.

TRABALHO ACADEMICO

CURITIBA 2011

FRANCISCO OTAVIO COELHO STURM ANTUNES ANDRE CRISTIANO CORDEIRO GUILHERME DOS SANTOS FUJIYOSHI

FONTE DE ALIMENTACAO PARA ELETROFORESE: ENSAIO COMETA.

` Trabalho Acad mico apresentado a Unidade Cure ricular de Ocina de Integracao II do Curso de Engenharia de Computacao da Universidade Tec nol gica Federal do Paran como requisito parcial o a para aprovacao. Orientador: Fernando C. Castaldo, Dr.

Co-orientadora: Lucia Regina Rocha Martins, Dra.

CURITIBA 2011

AGRADECIMENTOS

` Agradecemos as professoras Lucia e Wanessa do DAQBI, pelo apoio no projeto, cedendonos espaco no laborat rio de qumica e pelo preparo dos materias utilizados nos testes realiza o dos. Agradecemos tamb m ao professor Fernando Castaldo, nosso orientador, que soube nos e esclarecer, com clara boa vontade, algumas d vidas que vieram a surgir durante o projeto. u

RESUMO

ANTUNES, Francisco O. C. S.; FUJIYOSHI, Guilherme dos S.; CORDEIRO, Andr C.. Fonte e de Alimentacao para Eletroforese: Ensaio Cometa.. 33 f. Trabalho Acad mico Curso de e Engenharia de Computacao, Universidade Tecnol gica Federal do Paran . Curitiba, 2011. o a Este trabalho consiste no desenvolvimento de uma fonte de alimentacao com corrente ajust vel a e controlada para a realizacao de um procedimento eletroqumico denominado eletroforese. Baseia-se na an lise do processo da eletroforese e no estudo de fontes de alimentacao e de seus a circuitos el tricos, visando assim adquirir conhecimento suciente para entender o modo como e funcionam e poder, com isso, desenvolver uma fonte de alimentacao com as especicacoes o da eletroforese em gel, ou Ensaio Cometa. Nosso grupo pretendeu, necess rias para a realizaca a com este trabalho, desenvolver uma fonte de alimentacao cujo custo-benefcio fosse vi vel se a comparado ao alto custo das j existentes no mercado. a Palavras-chave: Fonte de Alimentacao. Corrente ajust vel. Ensaio Cometa. a

ABSTRACT

ANTUNES, Francisco O. C. S.; FUJIYOSHI, Guilherme dos S.; CORDEIRO, Andr C.. Power e Suppply for Electrophoresis: Comet Assay. 33 f. Trabalho Acad mico Curso de Engenharia e de Computacao, Universidade Tecnol gica Federal do Paran . Curitiba, 2011. o a This work consists in the development of a power supply with adjustable and controlled current for the realization of a electrochemistry procedure called electrophoresis. Its based on analyzing the electrophoresis process and the study of power supplies and their electrical circuits, and, with that, to acquire enough acknowledgement to understand how a power supply works and how to construct one with the required specications to perform the gel elctrophoresis, or Comet Assay. Our group intended, with this work, to develop a power supply whose cost-benet would be viable in comparison with the high cost of those available on the market. Keywords: Power supply. Ajustable current. Comet Assay.

LISTA DE FIGURAS

FIGURA 1 FIGURA 2 FIGURA 3 FIGURA 4 FIGURA 5 FIGURA 6 FIGURA 7 FIGURA 8 FIGURA 9 FIGURA 10 FIGURA 11 FIGURA 12 FIGURA 13 FIGURA 14 FIGURA 15 FIGURA 16 FIGURA 17 FIGURA 18

TRANSFOMACAO DE TENSAO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . DIODO IDEAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . JUNCAO DO DIODO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . POLARIZACAO DO DIODO ZENER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . REGIAO DE RUPTURA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . FILTRO CAPACITIVO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TRANSISTOR NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TRANSISTOR PNP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . AMPOP BASICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . AMPOP EM MALHA ABERTA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . AMPOP REALIMENTADO NEGATIVAMENTE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . DIAGRAMA EM BLOCOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MONTAGEM DO TRANSISTOR NO DISSIPADOR . . . . . . . . . . . . . . . . . TRANSISTOR FIXADO NO DISSIAPDOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ENCAPSULAMENTO TIPO T0220 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ESQUEMATICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ESQUEMATICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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LISTA DE SIGLAS

DNA DAQBI UTFPR SBG USP UFL DDP AmpOp ac dc FET TBJ JEB JCB datasheet

Acido Desoxirribonucleico Departamento Acad mico de Qumica e Biologia e Universidade Tecnol gica Federal do Paran o a Sociedade Brasileira de Gen tica e Universidade de S o Paulo a Universidade Federal de Lavras Diferenca de Potencial Amplicador Operacional alternating current ou corrente alternada direct current ou corrente contnua Transistor de Efeito de Campo Transistor Bipolar de Juncao Juncao Emissor-Base Juncao Coletor-Base Folha de dados do componente

SUMARIO

1 INTRODUCAO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1 OBJETIVOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 MOTIVACAO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 METODOLOGIA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 REVISAO BIBLIOGRAFICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 FUNDAMENTACAO TEORICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1 ELETROFORESE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Eletroforese em gel e sua aplicacao no Ensaio cometa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2 Procedimentos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 FONTES DE ALIMENTACAO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ponte Reticadora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.5 Amplicador Operacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 PROJETO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1 DIAGRAMA EM BLOCOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 MONTAGEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.1 Hardware . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.2 Componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 FUNCIONAMENTO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.1 Transformacao, reticacao e ltragem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.2 Ganho de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.3 Ajuste e Controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.4 Dissipacao de pot ncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 4.3.5 Demais funcoes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4 LEVANTAMENTO DE CUSTOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 PROJETOS FUTUROS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 CONCLUSOES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . REFERENCIAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ANEXO A -- ESQUEMATICO DA FONTE - PARTE 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ANEXO B -- ESQUEMATICO DA FONTE - PARTE 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

7 7 8 8 10 11 11 11 12 13 13 14 15 16 17 18 20 23 23 23 23 25 26 26 26 26 26 27 28 28 29 31 32 33

INTRODUCAO

Um processo de estudo da Gen tica muito utilizado na graduacao e p s-graduacao e o e o chamado Ensaio Cometa ou Eletroforese em gel. Esse processo e muito utilizado como uma metodologia de ensino-aprendizagem no campo de acidos nucleicos, pois a abstracao do con ceito de DNA e sua visualizacao se torna muito difcil somente com aspectos te ricos. Essa o complementacao visual faz com que a teoria sobre DNA seja melhor compreendida (MAR TINEZ; PAIVA, 2008). Em estudos mais avancados, o objetivo pode ser quanticar a degradacao do material gen tico de c lulas individualizadas ap s o ensaio. Com isso abre-se um um campo de ese e o tudos muito amplo a partir dos resultados obtidos no processo. Para se viabilizar a pr tica do a Ensaio Cometa, e necess rio submeter as c lulas a uma diferenca de potencial. Portanto, uma a e fonte de alimentacao se torna imprescindvel (SILVA, 2007). O modo como as grandezas fsicas, tens o e corrente el trica, geradas pela fonte, s o uti a e a lizadas pode variar muito, dependendo dos resultados a que se quer chegar. Em nosso trabalho nos concentramos em desenvolver uma fonte de corrente ajust vel e controlada, podendo a a tens o na carga chegar a 50Vcc. a 1.1 OBJETIVOS Com esse trabalho, buscamos desenvolver uma fonte de alimentacao que n o possua um a custo t o elevado quanto o das fontes de alimentacao para eletroforese disponveis no mercado, a que custam algo em torno de R$3.000,00. O projeto ser focado no desenvolvimento de uma a fonte de alimentacao com corrente ajust vel e controlada e a diferenca de potencial podendo a variar em at 50Vcc, sendo o ajuste feito de forma anal gica, possibilitando, deste modo, que e o seja possvel a realizacao do Ensaio Cometa.

1.2

MOTIVACAO A motivacao para a escolha desse projeto e de poder contribuir com o estudo feito pelo De

partamento Acad mico de Qumica e Biologia, DAQBI, da UTFPR na area de Gen tica. Como e e a Universidade n o possui uma fonte para Eletroforese, o Ensaio acaba sendo inviabilizado. a Os resultados obtidos podem retratar efeitos genot xicos de amostras ou condicoes ambientais o alteradas, e isso pode interferir diretamente no desenvolvimento de organismos, mostrando, portanto, a import ncia de tal estudo. Al m disso, a habilidade adquirida na an lise e montagem de a e a circuitos el tricos e de grande valia para disciplinas posteriores e mais ainda para a vida pr tica. e a Com essa integracao entre diversas areas do conhecimento conseguimos, tamb m, atingir um e dos objetivos da disciplina. 1.3 METODOLOGIA Para alcancar os objetivos pretendidos, nossa equipe adotou os seguintes passos a saber: Revis o da literatura: comecou logo ap s a escolha do tema e perdurou durante boa a o parte do trabalho. No incio precis vamos adquirir um conhecimento b sico sobre eletro a a forese e sua relacao com fontes de alimentacao, para que pud ssemos compreender com e razo vel precis o a necessidade dos professores do DAQBI. A seguir percebemos que a a nosso conhecimento t cnico a respeito do tema era bastante limitado, mesmo porque ene volvia assuntos at ent o n o vistos no curso, o que nos forcou a buscar em v rios livros e a a a ` respostas as nossas frequentes d vidas. u Testes prim rios: foram testes realizados no laborat rio com o objetivo de conhecer todo a o o procedimento necess rio para se efetuar o Ensaio Cometa. Neles pudemos tirar algumas a conclus es tais como: a resist ncia do meio quase n o varia durante o experimento, tempo o e a do experimento, leitura supercial dos resultados, ajuste da corrente, etc. Simulacao: foi um perodo longo, durante o qual, simul vamos circuitos em softwares a especcos. As d vidas a nvel t cnico comecavam a surgir frequentemente, com isso u e procur vamos consultar nosso orientador, para saber se est vamos caminhando na direcao a a correta. ` Montagem: concomitantemente as simulacoes, comecamos a montagem da fonte, ini cialmente pelo processo de transformacao da tens o da rede seguido pela reticacao de a onda. Posteriormente partimos para a parte do circuito que regula a corrente e a que faz o

ganho da mesma para distribuir para a carga. Por m, atribuimos o circuito respons vel a pelo controle da corrente.

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REVISAO BIBLIOGRAFICA

Como base para a fundamentacao te rica, utilizamos obras que direcionaram nossos estu o dos para a area da bioqumica e outros para a area da eletr nica. o No incio do trabalho, ap s a escolha do tema, procuramos fontes bibliogr cas que nos o a dessem ideias b sicas do conceito de eletroforese e mais especicamente do Ensaio Cometa. a Para isso, utilizamos um artigo disponvel na p gina da Sociedade Brasileira de Gen tica, a e SBG; Eletroforese de Acidos Nucleicos: uma pr tica para o ensino da gen tica (MARTINEZ; a e PAIVA, 2008). Uma vis o geral sobre conceitos te ricos e sobre modelos de eletroforese foi a o obtida a partir de um livro de bioqumica (VOET; VOET, 2006). Para descricoes dos procedimentos necess rios para a pr tica do Ensaio Cometa e dis a a cuss es dos seus resultados buscamos informacoes em uma dissertacao de mestrado da USP, o sobre efeitos no DNA de robalos submetidos ao Ensaio Cometa (PAOLO, 2006) e um relat rio o de aulas pr ticas de alunos do mestrado da UFL (MARTINAZZO et al., 2007). a Para o desenvolvimento da fonte buscamos refer ncias para eletr nica anal gica. Assuntos, e o o como: diodos para reticacao de onda encontramos em (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999), j transistores bipolares e amplicadores operacionais utilizados para sensoriamento de corrente a encontramos em (SEDRA; SMITH, 2000).

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FUNDAMENTACAO TEORICA

3.1

ELETROFORESE A eletroforese e um m todo de separacao de mol culas carregadas, dissolvidas ou suspene e

sas em um eletr lito, no qual e aplicado um Campo el trico. Esse processo tem sido extensio e vamente utilizado, principalmente no campo da Bioqumica, desde a d cada de 30 (SANTOS; e TAVARES; RUBIM, 2000). Inicialmente proposta por Arne Teselius (1937), o m todo era empregado para a visualizacao e de protenas, evidenciando o comportamento migrat rio das mesmas e correlacionando com as o diferencas de comprimento de fragmentos de amino cidos e suas cargas el tricas. Os resultados a e do m todo podem ter valiosos interesses em estudos taxon micos, logen ticos, siol gicos e e o e o gen ticos. Dentre outras aplicacoes, a eletroforese atualmente tem sido empregada por exeme plo, na identicacao e classicacao de fungos e bact rias, utilizando para isso, mol culas de e e acidos nucleicos (MARTINEZ; PAIVA, 2008). Existem in meras modalidades de eletroforese, entre as mais conhecidas destacam-se (VOET; u VOET, 2006): eletroforese em papel; eletroforese em gel; eletroforese de disco; eletroforese capilar; eletroforese bidimensional; 3.1.1 Eletroforese em gel e sua aplicacao no Ensaio cometa

O Ensaio Cometa e uma aplicacao da t cnica de eletroforese em gel de material nuclear, e com objetivo de avaliar danos ao DNA de c lulas individuais e possibilitar a quanticacao de e

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fragmentos do DNA nuclear. Dentre as abordagens experimentais aplicadas ao Ensaio Cometa, a avaliacao do potencial genot xico de contaminantes ambientais tem sido extensamente estu o dada. A separacao das mol culas e fundamentada na migracao do acido nucleico completa e mente ionizado atrav s do gel, sendo a mobilidade conferida pela passagem de corrente el trica e e na interface gel-solucao eletroltica tamponada (VOET; VOET, 2006). A eletroforese de DNA em gel possui custo experimental relativamente baixo, rapidez, precis o e reprodutibilidade para qualquer tipo celular. E necess rio para o Ensaio Cometa, a a uma pequena quantidade de c lulas eucari ticas intactas, que posteriormente ter o a membrana e o a nuclear degradada quimicamente, liberando o conte do nuclear para o suporte onde ocorrer a u a migracao diferencial (PAOLO, 2006). 3.1.2 Procedimentos

As c lulas submetidas ao Ensaio Cometa s o includas em gel de agarose e dispostas em e a na camada sobre l minas histol gicas. Atrav s de solucoes apropriadas, as membranas da a o e c lula, n cleo e organelas s o rompidas; os componentes citoplasm ticos e protenas nucleares e u a a s o liberados na matriz polim rica, permanecendo parcialmente a ela adsorvida; e o conte do a e u ` nuclear e submetido a eletroforese. Especicamente nesse tipo de eletroforese e utilizado um ` gel, geralmente de agarose, am de proporcionar a adsorcao do DNA a matriz de polmeros e tamb m para melhorar a visualizacao do processo. A partir do n cleo, fragmentos de DNA, e u por possurem carga negativa devido ao grupo fosfato, migram no sentido do anodo; quanto mais intensa for a inducao de quebras, menores ser o os fragmentos e maior extens o de a a migracao (PAOLO, 2006). Ap s coloracao, que pode ser feita com nitrato de prata ou corantes uorescentes com eleo vada anidade ao conte do gen tico, observam-se as l minas em microsc pio optico comum ou u e a o ` de epiuoresc ncia. A extens o do dano ao DNA celular e proporcional a area de migracao do e a conte do nuclear, apresentando aspecto microsc pico semelhante a uma cauda corresponde u o aos fragmentos que migraram com maior mobilidade do que as estruturas polim ricas intace tas. Atrav s da digitalizacao das imagens observadas no microsc pio eletr nico seguido pelo e o o tratamento dos dados atrav s de um software, e possvel classicar a extens o e magnitude e a do dano ao DNA de c lulas individualmente a partir do tamanho da cauda do cometa, pere mitindo, ent o, avaliar o potencial genot xico de amostras ou de condicoes ambientais altera o adas (PAOLO, 2006).

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3.2

FONTES DE ALIMENTACAO Para o funcionamento de todo circuito eletr nico e necess rio energia el trica; disponvel o a e

em uma tomada da rede ou mesmo em uma bateria. Por m, a forma como essa energia se e encontra muitas vezes n o condiz com a forma que o circuito necessita. A energia repassada ao a circuito acontece atrav s da DDP dada em volts (V). Alguns circuitos necessitam de tens es e o mais altas, outros mais baixas e alguns exigem tens o contnua, outros alternada (BRAGA, a 2005). Essa convers o da energia disponvel para a energia adequada envolve conguracoes esa peccas de componentes eletr nicos, que s o chamadas de fontes de alimentacao. As fontes o a de alimentacao podem operar segundo duas principais tecnologias, as lineares (anal gicas) ou o chaveadas. Para a alimentacao de aparelhos eletr nicos, o que se necessita, geralmente, e de o uma fonte com tens o xa, por m para trabalhos eletroqumicos, como e o caso do nosso proa e jeto, o importante e manter uma corrente xa. Para isso e necess rio utilizar uma fonte na qual a a intensidade da corrente n o varia mesmo que ocorram variacoes das condicoes de alimentacao a da carga (BRAGA, 2005). Os componentes eletr nicos contidos em uma fonte de alimentacao podem variar muito, o de acordo com a necessidade do circuito. Componentes como: resistor, transformador, capacitor, diodo, transistor, AmpOp s o utilizados em um grande n mero de fontes de alimentacao, a u inclusive na que desenvolvemos, por isso faremos uma breve descricao dos principais deles. 3.2.1 Transformador

O transformador, Figura 1, e um dispositivo que consiste de duas bobinas, com n meros u diferentes de espiras (n mero de voltas), enroladas em torno de um n cleo de ferro. A bobina u u de entrada e chamada de prim rio, enquanto a de sada e o secund rio. Dentre as muitas utila a idades, destacamos a caracterstica de aumentar ou diminuir a tens o da rede. Sua operacao est a a baseada nos princpios eletromagn ticos da Lei da Inducao de Faraday (HALLIDAY; WALKER, e 2009). A relacao entre a tens o de sada e a de entrada depende diretamente da raz o entre as a a espiras, pela equacao (1): V2 N2 = V1 N1 V1 = tens o no prim rio; a a

(1)

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Figura 1: Esquem tico para transformacao de tens o. a a Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999)

V2 = tens o no secund rio; a a N1 = n mero de espiras no prim rio; u a N2 = n mero de espiras no secund rio; u a Outra caracterstica importante dos transformadores e o isolamento que sua estrutura pro porciona entre a entrada e a sada de um circuito. Como as bobinas do prim rio e do secund rio a a est o isoladas, pois a transfer ncia de energia se faz por campo magn tico, podemos isolar o a e e circuito da rede el trica (BRAGA, 2009). e 3.2.2 Diodo

O diodo e um elemento semicondutor n o-linear, podendo ser composto por cristais de a silcio ou germ nio. Ele e composto por dois terminais, um positivo em relacao ao referencial a utilizado, que e chamado de anodo, e outro negativo, chamado de catodo, e a principal carac terstica que ele possui e a relacao n o-linear entre a corrente que circula no componente e a a tens o nele aplicada (SEDRA; SMITH, 2000). a Basicamente, a caracterstica el trica do diodo funciona da seguinte maneira: se uma tens o e a negativa em relacao ao referencial for aplicada nele, diz-se que o componente est inversamente a polarizado. Neste estado, o diodo passa a se comportar como um circuito aberto, pois n o h a a nenhuma corrente circulando por ele. Entretanto, se uma tens o positiva for aplicada no diodo, a diz-se que ele est diretamente polarizado. Neste estado, considerando um diodo ideal, n o h a a a queda de tens o no componente e existe uma corrente passando por ele. Logo, ele passa a ser a um curto-circuito. Para diodos reais, diretamente polarizados, a queda de tens o e de 0,7V para a diodos de silcio e 0,3V para os de germ nio. O esquema de polarizacao do diodo pode ser visto a na Figura 2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O diodo semicondutor e basicamente uma juncao pn, Figura 3, ou seja, uma juncao, de materiais tipo p e tipo n, construda em uma mesma base germ nio ou silcio. Fundamentos a

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Figura 2: (a) Smbolo do diodo no circuito; (b) Diodo reversamente polarizado; (c) Diodo direta mente polarizado. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000)

de fsica qu ntica s o necess rios para o estudo de materiais semicondutores, n o pretendemos a a a a detalh -los, por m cabe aqui um sucinto conceito de materiais tipo p e tipo n. Tanto o material a e tipo p quanto o tipo n s o formados pela adicao de um n mero predeterminado de atomos a u de impureza em uma base de germ nio ou silcio (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). A a diferenca dos atomos de impureza utilizados em cada material e determinada pela quantidade de el trons na sua camada de val ncia, deixando o material com excesso ou falta de el trons livres, e e e na falta de el trons livres surgem lacunas. Os materiais com falta de el trons livres, ou seja, e e com lacunas em excesso, s o materiais tipo p, onde as lacunas s o as portadoras majorit rias a a a e os el trons s o portadores minorit rios. Os materiais com excesso de el trons livres s o e a a e a materiais tipo n, onde os el trons s o os portadores majorit rios e as lacunas as portadoras e a a minorit rias (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). a

Figura 3: Juncao pn do diodo. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000)

Ponte Reticadora Entre as maneiras como o diodo pode ser utilizado, uma das aplicacoes mais importantes s o os circuitos reticadores. Estes circuitos permitem com que uma tens o alternada, ac, a a seja transformada em uma tens o contnua, dc, algo extremamente crucial em uma fonte de a alimentacao que vai ser utilizada para alimentar algum equipamento eletr nico. H v rios cir o a a

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cuitos reticadores, mas o escolhido neste projeto foi um em especial: o circuito reticador em ponte (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O circuito reticador em ponte, Figura 4, tem como objetivo inverter todo sinal negativo da onda senoidal de entrada em sinal positivo com a vantagem de n o exigir um transformador a com derivacao central. Ele e composto por uma associacao entre quatro diodos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999).

Figura 4: Reticador em ponte Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999)

Este circuito funciona da seguinte maneira: quando a tens o e positiva, ela faz com que a a corrente circule pelo diodo D2, pela carga R e pelo diodo D3. Neste intervalo, deve-se observar que os diodos D1 e D4 est o inversamente polarizados. Em contrapartida, quando a tens o a a e negativa, a corrente circular no diodo D4, na carga R e no diodo D1, enquanto os diodos a D2 e D3 est o inversamente polarizados. Um estudo mais atento destes fatos nos leva a ver a que independentemente da tens o de entrada ser positiva ou negativa, a corrente que circula na a carga sempre estar no mesmo sentido, da direita para a esquerda, portanto a tens o ser sempre a a a positiva, logo, tens o contnua (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). a Diodo Zener O diodo zener e um tipo especial de diodo semicondutor, por m ele opera na regi o de e a ruptura, sendo por isso tamb m chamado de diodo de ruptura. Para operar na regi o de ruptura e a e necess rio que o zener seja reversamente polarizado. Nessa regi o n o h variacao da DDP a a a a sobre o zener, por mais que haja uma variacao na corrente que passa por ele. Devido a essa caracterstica ele e utilizado em paralelo com a carga, a m de manter a DDP sobre a carga constante. As guras 5 e 6 representam a polarizacao do zener no circuito e a regi o de ruptura a consecutivamente (SEDRA; SMITH, 2000).

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Figura 5: Polarizacao do diodo zener. Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999)

Figura 6: Regi o de ruptura no diodo zener. a Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000)

3.2.3

Capacitor

Um capacitor e um componente formado por duas superfcies condutoras separadas por um material n o-condutor. Existem v rios modelos de capacitor, sendo eles classicados a partir a a do material n o-condutor utilizado (IRWIN, 2000). a O capacitor funciona do seguinte modo: quando uma tens o for aplicada nele, cargas positia vas car o em uma das placas condutoras enquanto as cargas negativas car o na outra. Consea a quentemente, este diferencial de carga entre as placas ir criar um campo el trico e armazenar a e a energia e, devido ao material n o-condutor que existe entre as placas, a corrente que ui nos a condutores n o pode uir entre elas. Ap s o capacitor estar carregado, ele fornecer toda a ena o a ergia que estava armazenada para qualquer componente dissipador de energia que for associado a ele (IRWIN, 2000). A sada de um reticador em ponte e uma onda pulsante com valor m dio diferente de e zero, entretanto ela ainda n o e adequada para alimentar uma carga. Para que a onda seja a

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adequada para o uso no circuito e necess rio que a mesma passe por uma etapa chamada de a ltro capacitivo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O ltro capacitivo e uma operacao baseada no carregamento e descarregamento do capaci tor, o qual e polarizado para se carregar no primeiro semiciclo da onda completa e se descarregar no outro semiciclo, formando o que e mostrado na Figura 7. Como resultado dessa etapa a sada corresponde a uma tens o contnua que varia de um fator de ondulacao ou tens o de ripple. Essa a a ondulacao da onda ltrada e a amplitude da tens o de sada do ltro. a

Figura 7: Fator de ondulacao em um ltro capacitivo Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999)

A equacao (2) descreve a relacao da tens o de ripple (Vr) com a capacit ncia C, frequ ncia a a e f da onda antes de passar pelo reticador em ponte, e da corrente ICC que sai para o restante do circuito. ICC 2 fC

Vr =

(2)

3.2.4

Transistor

Ap s descrever os dispositivos semicondutores de dois terminais (diodos), vamos agora o descrever dispositivos semicondutores de tr s terminais, os transistores. Existem dois tipos e principais de transistores, o de efeito de campo, FET, e o transistor bipolar de juncao, TBJ. Focaremos no TBJ, pois foi o utilizado em nosso projeto. O princpio b sico envolvido nesses a dispositivos e o uso de uma tens o entre dois terminais para controlar o uxo de corrente no a terceiro terminal. Com isso um dispositivo de tr s terminais pode ser empregado para realizar e uma fonte controlada. Para os FET os tr s terminais s o denominados: porta, fonte e dreno, e a j para os TBJ: base, coletor e emissor. Nas guras 8 e 9, respectivamente, podemos ver a a

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estrutura simplicada de dois tipos de transistores TBJ, os npn e os pnp (SEDRA; SMITH, 2000).

Figura 8: Polarizacao de um transistor npn. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000)

Figura 9: Polarizacao de um transistor pnp. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000)

O TBJ e composto por duas juncoes pn, a juncao emissor-base, JEB, e a juncao coletor-base, JCB. Dependendo da condicao de polarizacao (direta ou reversa) de cada uma das juncoes, s o obtidos diferentes modos de operacao do TBJ. Os modos de operacao s o: ativo, corte, a a saturacao. O ativo e utilizado para o transistor operar como amplicador, operacao em corte

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e em saturacao s o utilizados para chaveamento, por exemplo em circuitos l gicos (SEDRA; a o SMITH, 2000). Em nosso projeto utilizamos tanto transistores do tipo pnp quanto do tipo npn. Utilizamos ambos no modo ativo, por m tanto o modo saturado quanto o de corte tiveram vital import ncia e a em nosso projeto. Uma descricao mais detalhada do porqu de se utilizar os dois tipos de e transistores e o modo de operacao escolhido, ser feita junto com a descricao do projeto. a 3.2.5 Amplicador Operacional

O Amplicador Operacional AmpOp, e um circuito b sico de import ncia universal, isso a a devido a sua versatilidade (SEDRA; SMITH, 2000). A Figura 10 ilustra um AmpOp b sico, a onde a entrada 1 denominados de entrada n o-inversora e a entrada 2 de entrada inversora. a

Figura 10: AmpOp b sico. a Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999)

O AmpOp e um amplicador diferencial de ganho muito alto com imped ncia de entrada a muita alta e baixa imped ncia de sada, por m essas caractersticas s o observadas quando o a e a AmpOp est operando em malha aberta, ou seja, sem que haja qualquer tipo de realimentacao a entre as entradas e a sada do amplicador. Quando de alguma forma e feita uma realimentacao no AmpOp passamos a controlar o ganho do mesmo e assim podemos empreg -lo em v rios a a circuitos como na construcao de osciladores, ltros e alguns circuitos de instrumentacao. A Figura 11 ilustra um AmpOp em malha aberta (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O AmpOp em malha aberta opera como um comparador. Devido ao alto ganho, que idealmente seria innito, mas na pr tica est ordem de milhares de vezes, e cando limitado pela sua a a alimentacao, quando o sinal da entrada n o inversora e superior ao sinal da entrada inversora a a sada tende ao valor de tens o da alimentacao positiva do AmpOp, por m quando o sinal da a e entrada inversora for superior ao sinal da entrada n o-inversora a sada tende ao valor de tens o a a da alimentacao negativa do AmpOp. Em malha aberta o AmpOp possui determinados modos de operacao, a saber: Entrada com

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Figura 11: AmpOp em malha aberta. Fonte: (SEDRA; SMITH, 2000)

` Terminacao-Unica, onde uma das entradas est ligada a terra, ou seja, 0 V; Entrada (diferencial) a com Terminacao-Dupla, aqui cada uma das entradas estar o ligadas a sinais diferentes; Sada a com Terminacao-Dupla, nesta conguracao a sada e diferencial; Operacao Modo-Comum, quando e ligado nas entradas o mesmo sinal resultando na sada um sinal nulo, mas em ca sos pr ticos teremos um pequeno sinal na sada; e nalmente Rejeicao de Modo-Comum, nesse a modo de operacao a conex o diferencial entre as entradas tende a atenuar sinais indesejados, a rudos nos sinais de entrada (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999). O AmpOp opera em malha fechada quando h uma realimentacao negativa no amplicador, a ou seja, quando h uma realimentacao entre o sinal de sada e o sinal da entrada inversora. A a Figura 12 mostra uma conguracao b sica do AmpOp realimentado negativamente. a

Figura 12: AmpOp realimentado negativamente. Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 1999)

A realimentacao negativa permite um controle sobre o ganho do amplicador atrav s da e relacao entre as resist ncias do circuito de realimentacao. Com o controle do ganho dos Am e pOps podemos pensar em uma s rie de circuitos funcionais e importantes para dispositivos e eletr nicos. Circuitos que realizam alguma operacao matem tica em um determinado sinal, por o a

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exemplo, soma, multiplicacao, diferenciacao e integracao s o alguns exemplos de circuitos que a utilizam AmpOp com realimentacao negativa (SEDRA; SMITH, 2000).

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PROJETO

A seguir ser explicado mais detalhadamente o projeto em si, desde a montagem, descricao a dos componentes utilizados at o funcionamento da fonte. Para essas etapas se torna ime precindvel a consulta ao esquem tico, que se encontra em anexo. a 4.1 DIAGRAMA EM BLOCOS

Figura 13: Diagrama em blocos da fonte. Fonte: Autoria pr pria o

O esquem tico da fonte se encontra em anexo. a 4.2 4.2.1 MONTAGEM Hardware

O hardware da fonte e simples. O transformador, a ponte reticadora e o capacitor C1 foram montados atrav s da ligacao de seus terminais, sem qualquer anteparo para a xacao dos e mesmos. Em uma placa universal de Fenolite que permite v rias conex es, montamos os a o demais componentes. A dissipacao de pot ncia dos transistores e um fator determinante na montagem do hard e ` ware. Devido a alta dissipacao de calor nos transistores e necess ria a montagem dos mesmos a

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em dissipadores de calor, deixando-os montados fora da placa. As Figuras 14 e 15 mostram a montagem dos transistores nos dissipadores, orientando a colocacao de um isolador el trico ou e mica. A utilizacao desse isolador e devido aos transistores utilizados possurem o terminal cole tor ligado ao encapsulamento. E utilizado tamb m pasta t rmica para favorecer a transfer ncia e e e de calor. Os transistores s o encapsulados no padr o Caixa TO220, que s o encapsulamentos esa a a peccos para transistores com considerada dissipacao de pot ncia. A Figura 16 mostra esse e tipo de encapsulamento.

Figura 14: Montagem do transistor no dissipador. Fonte: (MARTINS, 2006)

Figura 15: Dissipador e transistor depois de montado. Fonte: (MARTINS, 2006)

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Figura 16: Encapsulamento do tipo T0220. Fonte: (MARTINS, 2006)

4.2.2

Componentes

O transformador e para tens o de 127 a 200Vca no prim rio e 24+24Vrms no secund rio. a a a Nesse caso temos no secund rio at 48Vrms, ou seja, 67,88Vp. a e O capacitor C1 1000F / 100V, foi escolhido com o objeto claro de suportar a tens o do a secund rio do transformador. A alta capacit ncia e necess ria para reduzir o efeito de ripple. a a a Existe um dispositivo eletr nico denominado de ponte reticadora, o qual possui em seu o interior quatro diodos congurados em ponte. Utilizamos para a reticacao do sinal uma ponte reticadora que suporta uma tens o de at 100V e corrente at 3A. a e e O diodo zener D1 - 25V / 5W, e para a alimentacao do amplicador operacional LM 324. Os resistores s o todos dimensionados de acordo com a sua funcao. Para o resistor da a amostra de corrente 1 / 1W, e importante a conabilidade na estabilidade no seu valor nominal com a variacao de temperatura, seja pela temperatura ambiente ou pela dissipacao de calor. Os transistores foram escolhidos com base na alta dissipacao de pot ncia e na diferenca de e potencial na juncao coletor-emissor (Vce). A tabela abaixo mostra os par metros nominais dos a transistores. Componente BD242C BD243C Vce 100V 100V Pot ncia m xima e a 40W 65W ic 3A 6A ganho regi o ativa a 10-25 15-30

O AmpOp LM324, e utilizado devido a faixa de tens o suportada nas entradas at 30V a e e a sua alimentacao at 32Vcc. e

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4.3 4.3.1

FUNCIONAMENTO Transformacao, reticacao e ltragem

O transformador reduz a tens o da rede (127 Vrms) para 48 Vrms, na reticacao utilizamos a uma ponte reticadora equivalente a quatro diodos na conguracao reticacao em ponte que inverte os semiciclos negativos deixando a tens o com semiciclos positivos apenas, para, a na ltragem, atrav s do capacitor C1, deixar o sinal com o menor ripple possvel. e 4.3.2 Ganho de corrente

O transistor Q1 e do tipo pnp, pois assim, utilizamos o ganho de corrente no coletor em funcao da corrente da base para fornecer a corrente necess ria a carga, no caso de 0 400mA. a 4.3.3 Ajuste e Controle

O ajuste da corrente de sada e feito atrav s do potenci metro POT1. O potenci metro e o o e o resistor R1 formam um divisor de tens o que, conforme o ajuste do potenci metro e a a o comparacao com a amostra da corrente da carga atrav s do AmpOp, regula a corrente na base e do transistor Q2, que e do tipo npn, assim controlamos a corrente de coletor do mesmo, consequentemente, estamos controlando a corrente de base do transistor Q1 e assim ajustando a corrente na carga. O AmpOp foi congurado como um comparador com realimentacao negativa, ou seja, con trolamos o ganho do amplicador atrav s da malha entre a juncao base-coletor do Q2, a juncao e base-coletor do Q1 e a carga. Como o AmpOp compara as tens es de entrada, pegamos uma o amostra da corrente que circula pela carga e transformamos o seu valor em uma diferenca de potencial no resistor Ramostra (shunt de corrente), que tem resist ncia de 1, e ligamos em e uma das entradas do AmpOp e na outra conectamos a tens o ajustada pelo potenci metro no a o divisor de tens o. A amplicacao da diferenca, gerada pela comparacao desses dois sinais, cora rige a corrente de base do transistor Q2, consequentemente, corrige a corrente de coletor do Q2 que a mesma na base do transistor Q1, assim, atuamos na correcao da corrente da carga. 4.3.4 Dissipacao de pot ncia e

Diante de uma tens o relativamente alta com que trabalhamos e uma corrente que varia at a e 400mA, o transistor BD242C tem uma dissipacao de juncao coletor-emissor bastante alta, que,

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se n o controlada, pode causar um mau funcionamento do transistor e consequentemente da a fonte. A pot ncia m dia m xima que um transistor pode dissipar depende de sua construcao e ela e e a e limitada pela temperatura que a juncao coletor-base pode alcancar. Para o BD242C, essa tem peratura e de 150C (SOLUTIONS, 2011). O aumento da temperatura da juncao pode ocorrer de dois modos: aumento na temperatura ambiente e/ou auto-aquecimento. No datasheet dos transistores, a m xima dissipacao e especicada em relacao a temperatura ambiente (25C). a ` Esse auto-aquecimento causa a dissipacao de pot ncia na juncao do coletor, que faz a temper e atura da juncao subir, e isto por sua vez faz aumentar a corrente de coletor, com correspondente aumento de dissipacao de pot ncia. Esse fen meno cclico denominado Thermal Runaway, ou e o disparo t rmico, se n o controlado danicar permanentemente o transistor. A equacao (3) relae a a ciona o aumento da temperatura na juncao (Tj) em relacao a temperatura ambiente (Ta), com a ` dissipacao de pot ncia na juncao e a resist ncia t rmica (MILLMAN; HALKIAS, 1981). e e e

T j Ta = .Pd Para o BD242C, = 3,13C/W;

(3)

Para que houvesse uma condicao de estabilidade t rmica devamos garantir que a taxa de e calor liberado pela juncao fosse menor que o calor dissipado sob condicao de regime. Para isso utilizamos um dissipador (alta resist ncia t rmica) e um cooler. O correto seria calcular a e e mnima resist ncia t rmica que o dissipador deveria ter, e em seguida, procurar um com essa e e especicacao no mercado. Por m os vendedores n o souberam especicar esse valor, por isso e a nos restou decidir, a partir de m todos empricos, o dissipador mais adequado. e 4.3.5 Demais funcoes

O diodo zener D1 regula a tens o do ltro para a alimentacao do AmpOp LM324. a

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4.4

LEVANTAMENTO DE CUSTOS Componentes Transformador 127V / 24+24 Capacitor 1000uF / 100V Ponte reticadora resistor 1K / 1W resistor 1K / 10W resistor 820K / 1W resistor 27 / 5W resistor 1 / 5W diodo zener transistor BD242C transistor BD243C AmpOp LM324 dissipador DM 1448 dissipador DM 1448A placa universal de fenolite parafuso pasta t rmica e Total Preco (R$) 18,50 7,50 2,60 0,10 2,90 0,13 0,97 2,02 0,35 1,50 1,40 1,00 7,80 3,75 10,00 1,00 2,21 63,73

4.5

PROJETOS FUTUROS Em projetos futuros envolvendo a fonte de alimentacao desenvolvida neste trabalho, exis

tem alguns aprimoramentos que podem vir a ser de grande valia. Algumas ideias que tivemos, mas, devido ao curto tempo de prazo, n o puderam ser implea mentadas, foram: o interfaceamento digital entre a fonte e o usu rio e o aumento da diferenca a ` de potencial m xima que a fonte poderia fornecer a carga. Embora existam mais funcoes que a possam ser implementadas, as duas citadas anteriormente s o requisitos interessantes em uma a fonte de alimentacao para experimentos de eletroforese, embora n o sejam cruciais para o seu a funcionamento.

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CONCLUSOES

Duas ponderacoes s o cruciais para a conclus o deste trabalho. A primeira s o os desaos a a a encontrados durante o trabalho que nos incentivaram a todo o momento no ultimo semestre. J a segunda s o os resultados obtidos, considerando as condicoes as quais enfrentamos para a a realizar testes com o prot tipo da fonte. o Durante a simulacao via software, tudo ocorreu bem, mas quando montamos o prot tipo o nos deparamos com uma s rie de detalhes que nos levaram a estudos e ensaios mais detalhados, e como no caso dos dissipadores de calor xados nos transistores, a estabilidade do valor do resistor, para a amostra de corrente, em funcao da variacao de temperatura e nos circuitos de protecao para evitar sobrecarga na fonte. Os resultados dos testes realizados mereceriam um captulo a parte nessa monograa caso os teste n o fossem simples e consequentemente merecem grandes discuss es. O resultado a o obvio que poderamos esperar da fonte, que prop nhamos nesse trabalho, seria fornecer corrente u est vel a uma cuba para o processo da Eletroforese, por m alguns fatores externos foram detera e minantes para, ainda, n o determinarmos se o prot tipo atender as expectativas. A cuba que a o a realizamos os ensaios iniciais e da UFPR e assim a sua disponibilidade para nossos testes n o e a a ideal. A UTFPR estava em meio ao processo de aquisicao de uma cuba para o DAQBI, sendo assim, realizamos nossos testes em uma cuba improvisada o que descaracterizou as condicoes ideais de uso. Os testes realizados com a cuba da UFPR e com a cuba improvisada mostraram que o prot tipo manteve est vel a corrente de sada e que ele atendeu a as caractersticas proo a postas desde o inicio, ou seja, uma faixa de corrente entre 0 e 400mA e uma faixa de tens o a entre 0 e 50Vcc. Por m ainda, n o podemos armar que o prot tipo atender as expectativas e a o a devido a um detalhe a presenca de um sinal de rudo junto ao nvel DC da fonte. Poderemos ` solucionar essa d vida quando tivermos a disposicao a cuba adquirida pela UTFPR. u Temos consci ncia que a fonte proposta neste trabalho est aqu m de atender a todas as e a e exig ncias de um laborat rio para experimentos de Eletroforese, por m, para o caso do Ensaio e o e Cometa, ela atende funcionalmente as expectativas. Vemos que as propostas citadas como

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projetos futuros s o de import ncia para melhor atender os experimentos a serem realizados a a pelos docentes e discentes do DAQBI.

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REFERENCIAS

BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletr nicos e Teoria de Circuitos. [S.l.]: o LTC, 1999. ISBN ISBN 85-216-1195-1. BRAGA, N. C. Fonte de Alimentacao. [S.l.]: Saber, 2005. ISBN 8571160309. BRAGA, N. C. Transformadores e fator de pot ncia. Eletr nica Total, 2009. e o HALLIDAY, D.; WALKER, J. Fundamentos de Fsica 3 - eletromagnetismo. 8. ed. [S.l.]: LTC, 2009. IRWIN, J. D. An lise de Circuitos em Engenharia. [S.l.]: Makron Books, 2000. a MARTINAZZO, E. G. et al. Eletroforese. [S.l.], 2007. Relat rio de aulas pr ticas, do curso de o a Fisiologia Vegetal/Agronomia, nvel de Mestrado. MARTINEZ, E. R. M.; PAIVA, L. R. de S. Eletroforese de acidos nucl icos: Uma pr tica para e a o ensino de gen tica. Sociedade Brasileira de Gen tica, 2008. e e MARTINS, P. Montagem em transistores de dissipadores. Abril 2006. Disponvel em: <http://audiopt.pm-si.com/>. MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Eletr nica: Dispositivos e Circuitos. [S.l.]: Makron Books, o 1981. PAOLO, C. D. Aplicacao do Ensaio Cometa a estudo de danos ao DNA de robalos, Cen ` tropomus parallelus(Poey, 1860), expostos a B-naftoavona. Dissertacao (Mestrado) Uni versidade de S o Paulo, 2006. a SANTOS, M. R.; TAVARES, M. F. M.; RUBIM, J. C. Implementacao de um sistema de eletro forese capilar com deteccao de uoresc ncia induzida por laser. Qumica Nova (online), v. 23, e 2000. ISSN 0100-4042. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletr nica. 4. ed. [S.l.]: Pearson Makron Books, 2000. o ISBN ISBN 85-346-1044-4. SILVA, J. da. O uso do ensaio cometa para ensino de gen tica toxicol gica. Sociedade e o Brasileira de Gen tica, 2007. e SOLUTIONS, M. Datasheet <http://www.datasheetcatalog.com/>. BD242C. 2011. Disponvel em:

VOET, D.; VOET, J. G. Bioqumica. [S.l.]: Artmed, 2006.

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ANEXO A -- ESQUEMATICO DA FONTE - PARTE 1

Figura 17: Esquem tico da fonte - parte 1 a Fonte: Autoria pr pria o

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ANEXO B -- ESQUEMATICO DA FONTE - PARTE 2

Figura 18: Esquem tico da fonte - parte 2 a Fonte: Autoria pr pria o

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