Revue des Energies Renouvelables Vol.

12 N2 (2009) 249 256

Etude de linfluence de la puissance de dpt sur les proprits lectriques de films minces doxyde de zinc non dop
M. Bouderbala*, S. Hamzaoui, M. Adnane, T. Sahraoui et M. Zerdali
Laboratoire de Microscopie Electronique et des Sciences des Matriaux, Dpartement de Physique, Universit des Sciences et de la Technologie Mohamed Boudiaf, B.P. 1505, El MNaouer, Oran, Algrie

(reu le 21 Avril 2009 accept le 21 Juin 2009)

Rsum - La ralisation de films doxyde de zinc par pulvrisation cathodique est largement rpandue en raison des multiples avantages quoffre cette technique. Nous avons labor, au laboratoire, des couches minces de ZnO par ce procd et nous en avons tudi lvolution des caractristiques en fonction de certains paramtres de dpt. Dans cet article, lattention a t focalise sur la puissance de dpt radiofrquence applique un plasma dargon qui sert de gaz pulvrisateur. Ltude a montr que linfluence de la puissance de dpt sest particulirement manifeste dans la vitesse de croissance et dans les proprits lectriques. Ainsi, pour des substrats disposs perpendiculairement la cible, la vitesse de croissance des couches est passe de ~ 140 390 nm/h, lorsque la puissance tudie passe de 50 200 W. Leffet de la puissance sest galement manifest dans les proprits lectriques. Pour des chantillons de faible paisseur (< 0.25 - 0.30) m la rsistivit lectrique des films dcrot avec la puissance, tandis que la mobilit des porteurs de charge et leur concentration n croissent. Les valeurs mesures de , et n, dans lintervalle de puissance 50 - 200 W et pour une paisseur des couches gale 100 nm, valent respectivement (147 - 6.19) 10-5 m, (2.7 - 6.8) cm2V-1s-1 et (4.06 - 14.8) 10 25 m-3. Pour des chantillons de plus grande paisseur (> 0.25-0.30) m, la rsistivit lectrique est plutt constante et, donc, indpendante de la puissance de dpt. Elle vaut (1.5 - 2) 10-5 m pour une couche dpaisseur gale 0,9 m. La mobilit et la concentration des porteurs de charge affichent galement, dans cette gamme dpaisseurs, un comportement indpendant de la puissance de dpt et sont plutt constantes. Les valeurs mesures de ces deux grandeurs valent respectivement (44 - 48) cm2V-1s-1 et 1026 m-3 dans une couche dpaisseur gale 0,9 m. Linterprtation de ces rsultats a t faite en termes de comportement de la microstructure et des joints de grain dans les chantillons. Abstract - We have prepared ZnO thin films by the radio frequency sputtering process and we have studied the variations of their characteristics as a function of some deposition parameters. In this paper, the attention was focused on the radio frequency power effect. The study has shown that the influence of this parameter particularly appeared in growth rate and electrical properties. Thus, for substrates kept perpendicular to ZnO target, the films growth rate varied from about 140 to 400 nm/h when the radio frequency power varied from 50 to 200 W. Concerning the electrical properties, the sputtering power effect was not the same for all thickness cases. Indeed, for samples whose thicknesses were small (< 0.25 - 0.30) m, electrical resistivity decreased while mobility and carrier concentration n increased when the sputtering power increased. The measured values of , and n, in the power range of 50 - 200 W and for a 0.1 mthick film, were respectively (147 - 6.19) 105 m, (2.7 - 6.8) cm2V1s1 and (4.06 - 14.8) 1025 m3. For larger thicknesses (> 0.25 - 0.30) m, electrical characteristics exhibited a more different behavior. Resistivity, mobility and carrier concentration were rather constant and no effect of deposition power was noticed. The
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boudermstf@yahoo.fr 249

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M. Bouderbala et al. measured values, in a 0, 9 mthick film, were respectively (1.5 - 2) 105 m, (44 - 48) cm2V1s1 and 1026 m3. The obtained results were explained in terms of microstructure behavior and grain boundary effect. Mots cls: Couches minces - Oxyde de zinc - Puissance de dpt - Proprits lectriques Joints de grain.

1. INTRODUCTION
Une forte concurrence sest tablie ces dernires annes entre les diffrents oxydes conducteurs et transparents tels que loxyde dtain SnO2, loxyde dindium In2O3 et loxyde de zinc ZnO qui sont largement utiliss en optolectronique et en cellules solaires. Jusqu lheure actuelle, ce sont les deux premiers matriaux -SnO2 et In2O3qui sont le plus abondamment utiliss pour, en particulier, leurs meilleures proprits lectriques lorsquils sont adquatement dops. Mais la chert de leurs lments constituants pousse les recherches vers dautres matriaux plus accessibles du point de vue prix et tout aussi comptitifs lectriquement et optiquement. Beaucoup de ces recherches sorientent actuellement vers loxyde de zinc. Les rsultats obtenus sont trs encourageants. De basses rsistivits lectriques comparables celles obtenues avec les autres oxydes concurrents et de fortes transmissions optiques ont t atteintes avec des couches minces doxyde de zinc [1-5]. Maintes tudes ont t effectues sur diffrents paramtres qui peuvent avoir des incidences sur le comportement structural [6-8], lectrique et optique [1-5, 9] de ces couches. Des mthodes diverses de prparation ont servi la ralisation de ces matriaux. Nous en citons le dpt chimique en phase vapeur (C.V.D.) et ses diffrentes variantes [5, 10-12], le spray [13, 14], lvaporation [15], la technique sol-gel [16, 17], lablation par laser [18, 19] et la pulvrisation cathodique [2-4, 6-9]. Dans des tudes prcdentes, nous avons report sur lvolution des proprits cristallographiques, lectriques et optiques de couches minces de ZnO en fonction de la position du substrat par rapport la cible [20] et en fonction de la temprature et de lenvironnement du recuit [21]. Dans le prsent article, nous prsentons les rsultats dune tude relative leffet de la puissance radiofrquence (R.f.) applique au plasma pulvrisant sur lvolution de la rsistivit lectrique, la mobilit des porteurs de charge et leur concentration dans des couches minces de ZnO prpares par pulvrisation cathodique R.f.

2. DISPOSITIF EXPERIMENTAL
Dans la prsente tude, un pulvrisateur cathodique en radiofrquence (R.f.) de frquence f = 13,56 MHz a t utilis pour laborer des couches minces doxyde de zinc non dop. La configuration substrat-cible est reporte sur la figure 1. La cible est un disque de 80 mm de diamtre. Elle a t prpare au laboratoire par frittage dune poudre doxyde de zinc. Les substrats sont en verre ordinaire et mesurent 10 25 mm2. Ils sont placs perpendiculairement la cible et une distance gale 50 mm de celle-ci.

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La pression du plasma dargon est de lordre de 3,5 Pa. La temprature du substrat est mesure laide dun thermocouple plac dans un trou pratiqu dans le portesubstrat. Les substrats ne sont pas dlibrment chauffs. La puissance R.f. applique la dcharge varie entre 1 4 W/cm2 afin den tudier leffet sur le comportement de la rsistivit lectrique, la mobilit des porteurs de charge et leur concentration. Dans ces conditions de travail, la temprature ambiante des substrats atteignait 120 180 C lorsque la puissance passait de 1 4 W/cm2. Dautres dtails sur les diffrentes conditions de travail peuvent tre trouvs dans une tude antrieure [20]. Lpaisseur des couches est estime partir de lobservation au microscope lectronique balayage dune tranche pratique dans la couche. La rsistivit lectrique est mesure par la mthode des quatre pointes carres des courants faibles compris entre 50 A et 1 mA.

Fig. 1: Schma dcrivant la position des substrats

Les substrats sont perpendiculaires et lgrement en retrait par rapport la cible. Cette position permet dobtenir des films conducteurs et texturs selon larrangement (002).

La constante de Hall R H est mesure par la mthode potentiomtrique. Le champ magntique utilis est compris entre 3000 et 7000 G. Le courant inject dans lchantillon est de lordre de quelques centaines de A. Nous avons pris soin dinverser le courant et le champ afin davoir pour chaque sens du courant deux mesures avec le champ magntique et pour chaque sens du champ magntique deux mesures avec le courant. La concentration n des porteurs de charge et leur mobilit sont dduites de la constante de Hall R H et de la rsistivit partir des relations suivantes:
1 (e RH ) 1 = ( e n ) n =

(1) (2)

o e est la charge de llectron.

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3. RESULTATS ET DISCUSSION
3.1 Vitesse de dpt La vitesse de dpt ou de croissance des couches est calcule en divisant lpaisseur de la couche par le temps mis pour atteindre cette paisseur. La figure 2 montre lvolution de la vitesse de dpt en fonction de la puissance R.f. applique au plasma. On doit sattendre ce que la vitesse augmente avec la puissance car lnergie cintique des ions du plasma pulvrisant crot quand cette puissance crot. Il sensuit une croissance du taux datomes pulvriss et par consquent une croissance du taux datomes dposs. La figure 2 montre queffectivement la vitesse de dpt crot proportionnellement avec la puissance R.f.

Fig. 2: Vitesse de croissance de couches minces de ZnO en fonction de la puissance de dpt R.f. 3.2 Proprits lectriques Lvolution de la rsistivit lectrique de couches de ZnO en fonction de la puissance de pulvrisation pour diffrentes paisseurs est reprsente sur la figure 3. Il faut noter que, pour chaque puissance, quatre chantillons de diffrentes paisseurs ont t tudis. Les paisseurs tudies sont: 50, 100, 200 et 900 nm. Le choix de ces paisseurs a t dict par le fait que le comportement des proprits lectriques est trs dpendant de lpaisseur des couches, en particulier, dans la rgion des petites paisseurs. Nous avons donc labor des chantillons dont les paisseurs sont telles que les principales variations des proprits lectriques seront compltement reprsentes. Nous remarquons que la rsistivit lectrique dcrot fortement avec la puissance R.f. dans le domaine des couches de faible paisseur (Fig. 3, a et b). A partir de lpaisseur 200 nm, devient presque indpendant de la puissance, lorsque cette puissance est suffisamment grande (Fig. 3, c et d).

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Un tel arrangement structural correspond au cas o laxe C (002) est parallle la surface du substrat. Il leur semble que, dans un tel arrangement, les joints de grain forment une barrire de potentiel au courant des porteurs et rduisent par consquent leur mobilit. Lexcs de zinc dans le grain semble tre pig aux joints de grain cause de laugmentation de la temprature du substrat avec la puissance R.f.. Le pigeage de lexcs de zinc conduirait des dpts plus stchiomtriques et donc plus rsistifs. H. Nanto et al. [4] ont rapport quils nont pas remarqu un effet net de la puissance de dpt R.f. sur les caractristiques lectriques de couches minces de ZnO. Analyses aux rayons X, toutes nos couches prsentent une texture oriente selon laxe C (002) de la structure wurtzite caractristique de loxyde de zinc. Le pic (002) est plus prononc et plus troit dans les couches les plus paisses (> ~ 200 - 300 nm). Leurs grains sont donc plus grands. Le pic C (002) tend devenir plus large et disparatre dfinitivement dans les couches les plus minces (paisseur infrieure ~ 50 nm). Aucun autre pic napparat dans nos couches, quelle que soit leur paisseur, du moins dans la gamme des paisseurs que nous avons tudies. La taille des grains, dduite des spectres de diffraction des rayons X, augmente quand lpaisseur des couches augmente. La densit des joints de grain diminue en consquence; ce qui contribue laugmentation de la mobilit des porteurs libres. Linverse a lieu quand lpaisseur des couches diminue. Ce comportement microstructural (taille des grains et texture) de nos couches permet daffirmer que les joints de grain ont un impact dterminant sur leurs proprits lectriques.

4. CONCLUSION
Nous avons tudi des couches minces doxyde de zinc, ZnO en fonction de la puissance radiofrquence applique une dcharge de gaz dargon. Ltude a montr que leffet de la puissance se manifeste plus dans les chantillons de plus faible paisseur. Cet effet se traduit par une dcroissance de la rsistivit lectrique en fonction de la puissance, lorsque lpaisseur des chantillons est petite (< 0.25 - 0.30 m), tandis quaux grandes paisseurs (> 0.25 - 0.30 m), elle en est pratiquement indpendante. Lvolution de la mobilit des porteurs de charge et de leur concentration n explique bien celle de la rsistivit . Lanalyse des couches aux rayons X permet daffirmer que la microstructure et, en particulier, les joints de grain ont un effet prpondrant sur le comportement de leurs proprits lectriques.

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