UNIVERSITETI I PRISHTINS FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE

ZGJIDHJET E DETYRAVE T PROVIMIT ME SHKRIM NGA ELEKTRONIKA, Janari 2012 gr. A 1. Pr qarkun kufizues dioda t konsiderohet reale me tension pragu 0.7[V] a) paraqitni formn e sakt valore t tensionit n dalje Vo(t), nse n hyrje vepron tensioni si n fig. ` [12p] b) llogaritni vlern mesatare t tensionit n dalje [18p]

Zgjidhja: Dioda pron nse vi 3 + 0.7 < 0 vi < 2.3V , me ket rast tensioni sht v o = vi 2.3 = 10 sin wt 2.3 Dioda nuk do t pron vetm kur vi > 2.3V , n ket rast tensioni n dalje sht vo = 0 V . Kjo sht paraqitur grafikisht si n Fig. 1 ne dalje

Kndi 1 gjendet si pikprerje ndrmjet vi = 10 sin wt dhe 2.3, pra nga Fig. 1 vrejm q: 2.3 1 = 180 0 arcsin = 180 0 13.29 0 = 166.7 0 , ndrsa 2 = 360 0 + 13.29 0 = 373.29 0 10 Prandaj s fundmi, vlera mesatare e tensionit n dalje gjendet nga shprehja matematikore:

U mes

syprina e siperfaqs nn lakore vo = = perioda

(10 sin wt 2.3)d (wt )

2

2. Silici sht pasuruar fillimisht me 1.5x1014 atome pes - valente n cm3. Gjeni tipin (donor apo akceptor) si dhe koncentrimin e atomeve t papastrtis s dyt ashtu q n T=300K prueshmria e silicit t jet pr 35% m e madhe se pas pasurimit t par. sht e njohur: n (300K) = 1400 cm2/Vs, p(300K) = 460 cm2/Vs, ni=1,381010 cm-3). [20p] Zgjidhje: Gjysmpruesi i Si pas pasurimit t par sht i tipit donor, pra 1 = e N D 1 p , ku ND1 = 1.5 x 1014cm-3 Tipi i dyt i papastrtis duhet t jet i llojit t njjt me papastrtin e par pasi q prueshmria e Si rritet pr 35 % , pra 2 = 1 + 35% 1 = 1.35 1
Pas pasurimit t dyt koncentrimi i prgjithshm(total) sht:

N tot = N D1 + N D 2 e N tot n = 1.35 e N D1 n N tot = 1.35 N D1 N D1 + N D 2 = 1.35 N D1 , prandaj koncentrimi i papastrtis s dyt do t jet: N D 2 = 0.35 N D1 N D 2 0.35 1.5 1014 cm 3 = 0.525 1014 cm 3
' 3. N qarkun prforcues me MOSFET sht e njohur VTN = 1 V dhe knW / L = 2mA / V 2 . a) Gjeni VGS, ID dhe VD b) Gjeni gm dhe ro nse VA = 100 V.

[15p] [3p]

Zgjidhje: a) Skema DC e qarkut t msiprm sht:

R R R2 5 U DD = 15 = 5V , RG = 1 2 = 3.33 M R1 + R2 5 + 10 R1 + R2 Aplikojm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr qarkun e Gejtit

U GG =

Meq I G = 0

5 U GS 3 I D = 0 I D =

5 U GS 3

Pasi n kondita t ngopjes vlen I D =

1 'W k n (U GS VTN ) 2 , ather 2 L

5 U GS 1 2 2 2 = 2 (U GS VTN ) 2 5 U GS = 3 (U GS 2 U GS VTN + VTN ) 5 U GS = 3U GS 6U GS + 3 3 2 2 3U GS 5U GS 2 = 0 , pas zgjidhjes s ekuacionit t fundit kuadratik fitojm: U GS1 = 2V dhe U GS 2 = 1 / 3 V
Pranohet vetm zgjidhja e par, sepse sht supozuar se transistori punon n ngopje. Zgjidhja e dyt nuk merret n konsiderat sepse me ket vler t tensionit Gejt-Sours transistori hyn n bllokim Pra, U GS = 2V ,

ID =
V DD

5 U GS 5 2 = = 1 mA 3 3 RD I D = VD

15 7.5 1 = VD Prfudimisht: VD = 7.5 V, ID = 1 mA, UGS = 2 V b) g m =

2 ID 2 1 mA ' W = k n (U GS VTN ) = =2 VOV L U GS VTN V

ro =

V A 100 = = 100 k I D 10 3

4. Pr amplifikatorin me BJT: a) Gjeni IEQ, ICQ, IBQ, UCEQ, r dhe gm b) Paraqitni skemn zvendsuese pr analizn dinamike c) Llogaritni rezistencn hyrse Ri d) Llogaritni prforcimin Av dhe Avg Jan t njohura: UCC = 20V, UEE = 10V, RC = RE = RP = 1k, RB = RG = 10k, hfe = 200.

[10p] [3p] [5p] [14p]

Zgjidhje
a) N modin DC qarku duket si n vijim.

Ligji i Dyt I Kirkofit pr qarkune Bazs sht:

RB I B U BE RE ( + 1) I B + U E = 0 U E U BE I BQ = = 44 A RB + RE ( + 1)
I EQ = ( + 1) I B Q = 201 44 = 8.86 mA
I CQ = I BQ = 8.815 mA U CC RC I CQ U CEQ R E I E + U E = 0 U CEQ = 12.325 V

r =

UT 25 mV = = 568.18 I BQ 0.044 mA I CQ UT = 8.815 mA mA = 352.6 25 mV V

gm =

b) Skema ekuivalente pr sinjale t vogla do jet si m posht:

c) Rezistenca hyrse sht:

Ri =

u i R B II r ii R r = = B = 537.6 ii ii RB + r

d) u o = RC II RP g m U be u i = U be prandaj

Au = g m

RC RP = 176.3 RC + RP

e) Pasi vi = Ri ii mund t shkruajm:

v g ( R g + R i ) i i = 0 , v i = Ri

vg R g + Ri

, pasi vi = U be

Shprehja e msiprme pr vo mund t shkruhet:

u o = RC II RP g m U be = u o = RC II RP g m Ri

vg Rg + Ri

Avg =

vo Ri 537.6 = RC II RP g m = 176.3 = 8.99 vg R g + Ri 10537.6

UNIVERSITETI I PRISHTINS FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE

ZGJIDHJET E DETYRAVE T PROVIMIT ME SHKRIM NGA ELEKTRONIKA, Janari 2012 gr. B

1. Pr qarkun kufizues dioda t konsiderohet reale me tension pragu 0.7[V] a) paraqitni formn e sakt valore t tensionit n dalje Vo(t), nse n hyrje vepron tensioni si n fig. [12p] b) llogaritni vlern mesatare t tensionit n dalje [18p]

Zgjidhja: Dioda pron nse vi + 3 0.7 > 0 vi > 2.3V , me ket rast tensioni ne vo = vi + 2.3 = 10 sin wt + 2.3 Dioda nuk do t pron vetm kur vi < 2.3V , n ket rast tensioni n dalje sht vo = 0 V . Kjo sht paraqitur grafikisht si n Fig. 1 dalje sht:

Kndi 1 gjendet si pikprerje ndrmjet vi = 10 sin wt dhe 2.3, pra nga Fig. 1 vrejm q: 2.3 1 = arcsin = 13.29 0 , ndrsa 2 = 180 0 + 13.29 0 = 193.29 0 10 Prandaj s fundmi, vlera mesatare e tensionit n dalje gjendet nga shprehja matematikore:

U mes

syprina e siperfaqs nn lakore vo = = perioda

(10 sin wt + 2.3)d (wt )

2

2. Silici sht pasuruar fillimisht me 1.5x1014 atome tre - valente n cm3. Gjeni tipin (donor apo akceptor) si dhe koncentrimin e atomeve t papastrtis s dyt ashtu q n T=300K prueshmria e silicit t jet pr 35% m e vogl se pas pasurimit t par. sht e njohur: n (300K) = 1400 cm2/Vs, p(300K) = 460 cm2/Vs, ni=1,381010 cm-3). [20p] Zgjidhje: Gjysmpruesi i Si pas pasurimit t par sht i tipit akceptor, pra 1 = e N A p , ku NA = 1.5 x 1014cm-3 Tipi i dyt i papastrtis duhet t jet i ndryshm me papastrtin e par pasi q prueshmria e Si zvoglohet pr 35 % , pra 2 = 1 35% 1 = 0.65 1
Pas pasurimit t dyt koncentrimi i prgjithshm(total) sht:

N tot = N A N D
e N tot p = 0.65 e N A p N tot = 0.65 N A

N tot = 0.65 N A

N A N D = 0.65 N A , prandaj koncentrimi i papastrtis s dyt do t jet: N D = 0.35 N A

N D 0.35 1.5 1014 cm 3 = 0.525 1014 cm 3 3. Pr prforcuesin me NMOS n Fig. 3, zvendsoni transistorin me modelin ekuivalent pr sinjale t vogla, e pastaj gjeni shprehjet pr vs/vi , vd/vi dhe vd/vs. [18p]

Zgjidhje: Skema ekuivalente pr frekuenca t ulta sht si m posht:

Ligji i Dyt i Kirkofit pr Konturn hyrse sht:

vi v gs Rs g m v gs = 0 vi = (1 + Rs g m ) v gs

Tensioni n dalje sht v d = R D g m v gs , ndrsa tensioni n Sours sht v s = Rs g m v gs Prandaj, a)

vs R g = s m vi 1 + Rs g m vd R g = D m vi 1 + Rs g m
vd R = D vs RS

b) c)

4. Pr qarkun e treguar n Fig 4. jan dhn: = 100,UBE = 0,6V, RE = 2.7k, RC = RT = 3.3k, RG = 1k, UDD = 12V, UEE = 6 V, UT = 25 mV. a) Gjeni IEQ, ICQ, IBQ, UCEQ, r dhe gm [10p] b) Paraqitni skemn zvendsuese pr analizn dinamike [3p] [5p] c) Llogaritni rezistencn hyrse Ri d) Llogaritni prforcimin Av dhe Avg [14p]

Zgjidhje: a) N modin DC qarku duket si m posht:

Shkruajm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr qarkun e bazs: U BE RE I EQ + U EE = 0 IEQ = U EE U BE = 2 mA RE = ( + 1) I BQ

I EQ

I BQ =
I CQ

2 = 0.0198 mA + 1 101 = I BQ = 1.98 mA =

I EQ

Shkruajm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr konturn Kolektore q ta gjejm rrymn e Kolektorit.

U DD RC I CQ U CEQ R E I EQ + 6 = 0 U CEQ = 6.07 V

r =

UT 25 mV = = 1.262 k I BQ 0.0198mA I CQ UT = 79.2 mA V

gm =

b) Skema ekuivalente pr sinjale t vogla do jet si m posht:

c)

ui ii u i = r ib u r ii = i ib ib = ( + + 1) ib RE RE u r ib 1.262 Ri = i = = = 12.44 1.262 r ii + 101 ( + + 1) ib 2.7 RE Ri =

d) Au =

u o ( RC II RT ) ib 1.65 100 = = 130.74 = ui r ib 1.262 Nga skema ekuivalente pr sinjale t vogla mund t shkruajm:
u g R g ii Ri ii = 0 u i = Ri ii = Ri ug R g + Ri

ui Ri 12.44 12.44 = = = u g R g + Ri 1000 + 12.44 1012.44 Avg = uo uo ui u 12.44 = = Au i = 130.74 = 1.6 u g ui u g ug 1012.44