BLM 1

YARILETKENLERN TANITILMASI
Konular:
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 Atomik Yap Yariletken, letken ve Yaltkan Yariletkenlerde letkenlik N Tipi ve P tipi Yariletkenler PN Bitiimi (eklemi) ve Diyot PN Bitiiminin nbeslemesi

Amalar:
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz. Maddenin temel atomik yaps Atom numaras ve arl, elektron kabuklar ve yrngeler, Valans elektronlar, iyonizasyon Yariletken, iletken ve yaltkan. Enerji bandlar, Silisylum ve germanyum Yariletkenlerde iletkenlik, elektronlar ve boluklarda iletkenlik, N tipi ve P tipi maddenin oluturulmas; Katk ilemi PN eklemi ve temel ilevleri PN ekleminin nbeslenmesi Diyot karakteristikleri

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ekil-1.1 eitli elektronik devre elemanlarnn genel grnm

Kullandmz pek ok cihazn retiminde bir veya birka elektronik devre eleman kullanlmaktadr. Elektronik devre elemanlar ise yariletken materyaller kullanlarak retilir. Diyot, transistr, tristr, FET, tmdevre (entegre) v.b adlarla tanmlanan elektronik devre elemanlarnn bir ou ekil-1.1de resimlenmitir.

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Elektronik devre elemanlarnn dolaysyla elektronik cihazlarn nasl altn anlamak iin yariletken materyallerinin yaps hakknda bilgiye gereksinim duyarz. Bu bilgiyi ulamann en etkin yolu maddenin temel atomik yapsn incelemekle balar. Bu kitap boyunca elektronik devre elemanlarn belirli bir sra ierisinde tanyacaz. Bu elemanlarn tm zelliklerini inceleyerek cihaz tasarmlarn gerekletireceiz.

1.1

ATOMK YAPI

Tm maddeler atomlardan oluur. Atomlar ise; elektronlar, protonlar ve ntronlardan meydana gelir. Elektrik enerjisinin oluturulmasn ve kontrol edilmesini maddenin atomik yaps belirler. Atomik yapya bal olarak tm elementler; iletken, yaltkan veya yariletken olarak snflandrlrlar. Elektronik endstrisinde temel devre elemanlarnn retiminde yariletken materyaller kullanlr. Gnmzde elektronik devre eleman retiminde kullanlan iki temel materyal vardr. Bu materyaller; silisyum ve germanyumdur. letken, yaltkan ve yariletken maddelerin ilevlerini ve zelliklerini incelemek iin temel atomik yapnn bilinmesi gerekir. Bu blmde temel atomik yapy inceleyeceiz. Blm sonunda aada belirtilen konular hakknda bilgi edineceksiniz. ekirdek, proton, ntron ve elektron Atom arl ve atom numaras Yrnge Valans elektronlar yonisazyon

Yeryznde bilinen 109 element vardr. Bir elementin zelliklerini belirleyen en kk yapta ise atomlardr. Bilinen btn elementlerin atomik yaplar birbirinden farkldr. Atomlarn birlemesi elementleri meydana getirir. Klasik bohr modeline gre atom, ekil-1.1de gsterildii gibi 3 temel paracktan oluur. Bunlar; elektron, proton ve ntrondur. Atomik yapda; ntron ve protonlar merkezdeki ekirdei oluturur. ekirdek art ykldr. Elektronlar ise ekirdek etrafnda sabit bir yrngede dolarlar ve negatif ykldrler.

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Elektron

Ntron

Proton

ekil-1.1 Bohr modeline gre atom. Elektronlar, negatif ykn temel nesneleridirler. Bilinen btn elementleri bir birinden ayran temel zellik, atomlarnda bulunan proton ve ntron saylardr. Her bir atomun, proton ve ntron saylar fakldr. rnein, en basit yapya sahip atom, hidrojen atomudur. Hidrojen atomu; ekil-1.2.ada gsterildii gibi bir proton ve bir elektrona sahiptir. ekil-1.2.bde gsterilen helyum atomunun yrngesinde iki elektron, ekirdeinde ise; iki proton ve iki ntron bulunmaktadr.

ekirdek yrngesinde 1 elekton

ekirdek yrngesinde 2 elekton

+
+

1 Protonlu ekirdek 2 Protonlu ve 2 Ntronlu ekirdek

a) Hidrojen Atomu

b) Helyum Atomu

ekil- 1.2 Hidrojen ve Helyum atomlar

Atom Numaras ve Arl

Btn elementler atom numaralarna uygun olarak periyodik tabloda belirli bir dzen iinde dizilmilerdir. Proton saylar ile elektron saylar eit olan atomlar, elektriksel adan kararl (ntral) atomlardr. Elementler, atom arlna gre de belirli bir dzen iindedirler. Atom arl yaklak olarak ekirdekteki proton saylar ile ntron saylarnn toplam kadardr. rnein hidrojenin atom numaras 1dir ve atom arl da 1dir. Helyumun atom numaras 2dir ve atom arl ise 4 tr. Normal veya tarafsz durumda verilen her hangi bir elementin btn atomlarndaki; elektron ve proton saylar eittir.

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Elektron Kabuklar ve Yrngeler

Bir atomun, elektron ieren yrngeleri ekirdekten belirli uzaklktadr. ekirdee yakn olan yrngedeki elektronlar, ekirdee uzak olan yrngedeki elektronlardan daha az enerjiye sahiptir. ekirdee farkl uzaklklarda bulunan yrngelerdeki elektronlar belirli enerji seviyelerine uyar. Atomda, enerji bantlar eklinde gruplam yrngeler kabuk (shell) olarak bilinirler. Verilen her bir atom, sabit kabuk saysna sahiptir. Kabuklarda barnan elektronlar ise belirli bir sistem dahilinde dizilirler. Her bir kabuk, izin verilen sayda maksimum elektron barndrr. Bu elektronlarn enerji seviyeleri deimez. Kabuk iindeki elektronlarn enerji seviyeleri bir birinden azda olsa kk farkllklar gsterir. Fakat; kabuklar arasndaki enerji seviyelerinin fark ok daha byktr. ekirdek etrafnda belirli bir yrngeyi oluturan kabuklar, k-l-m-n olarak gsterilirler. ekirdee en yakn olan kabuk k dr. k ve l kabuklar ekil-1.4 de gsterilmitir.
enerji seviyesi
W6 2. Kabuk W5 W4 W3 r3 1. Kabuk W2 W1 r1 r2 ekirdek W= Enerji r = ekirdekten uzaklk Bu elektron, en dk enerjiye sahiptir. r6 r5 r4 Bu elektron, en yksek enerjiye sahiptir.

ekil- 1.3 ekirdekten uzaklklarna gre enerji seviyeleri.

Valans Elektronlar
Elektronlar ekirdekten uzaktadr ve ekirdekten ayrlma eilimindedir. ekirdek elektronun bu ayrlma eilimini dengeleyecek gtedir. nk elektron negatif ykl, ekirdek pozitif ykldr. ekirdekten uzakta olan elektronun negatif yk daha fazladr. Bu durum merkezden kama kuvvetini dengelemektedir. Bir atomun en dtaki kabuu, en yksek enerji seviyeli elektronlara sahiptir. Bu durum onu atomdan ayrlmaya daha eilimli hale getirir. Valans (atomun deerini ayarlayan elektronlar) elektronlar kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapsna katk salar. Bir atomun en d kabuundaki elektronlar, ekirdek etrafnda simetrik olarak hareket ederler ve kendi aralarnda bir ba olutururlar. Bu baa kovelant ba denir. Atomun en d kabuundaki elektronlara ise valans elektron ad verilir. Komu atomlarn en d kabuklarndaki elektronlar (valans elektronlar) kendi aralarnda valans iftleri olutururlar.

ANALOG ELEKTRONK- I yonizasyon

Kaplan

Bir atom, s kaynandan veya ktan enerjilendii zaman elektronlarnn enerji seviyeleri ykselir. Elektronlar enerji kazandnda ekirdekten daha uzak bir yrngeye yerleir. Bylece Valans elektronlar daha fazla enerji kazanr ve atomdan uzaklama eilimleri artar. Bir valans elektronu yeterli miktarda bir enerji kazandnda ancak bir st kabua kabilir ve atomun etkisinden kurtulabilir. Bir atom, pozitif arjn ar artmas (protonlarn elektronlardan daha fazla olmas) durumunda ntr deere ulamaya alr. Bu amala atom, valans elektronlarn harekete geirir. Valans elektronunu kaybetme ilemi YONZASYON olarak bilinir ve atom pozitif arj ile yklenmi olur ve pozitif iyon olarak adlandrlr. rnein; hidrojenin kimyasal sembol Hdr. Hidrojenin valans elektronlar kaybedildiinde pozitif iyon adn alr ve H+ olarak gsterilir. Atomdan kaan valans elektronlar serbest elektron olarak adlandrlr. Serbest elektronlar, ntr hidrojen atomunun en d kabuuna doru akar. Atom negatif yk ile yklendiinde (elektronlarn prontonlardan fazla olmas) negatif iyon diye adlandrlrlar ve H- olarak gsterilirler.

1.2

YARILETKEN, LETKEN VE YALITKAN

Byn materyaller; elektrik enerjisine gsterdikleri tepkiye bal olarak balca 3 gruba ayrlrlar. Bu guruplar; iletken, yaltkan ve yariletken olarak tanmlanr. Bu blmde; zellikle yariletken maddelerin temel yapsn inceleyerek, iletken ve yaltkan maddelerle aralarndaki farklar ortaya koymaya alacaz. Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konularda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz. Atomik yapnn z Bakr, silisyum, germanyum ve karbon v.b maddelerin atomik yaplar letkenler Yariletkenler letken ve yariletken arasndaki farklar Silisyum ve germanyum yariletken malzemelerin farkllklar

Tm materyaller atomlardan oluur. Materyallerin atomik yaps, materyalin elektrik enerjisine kar gsterecekleri tepkiyi belirler. Genel bir atomik yap; merkezde bir ekirdek ve ekirdei evreleyen yrngelerden olumaktadr. Materyalin iletken veya yaltkan olmasnda atomik yrngede bulunan elektron says ok nemlidir.

letken
Elektrik akmnn iletilmesine kolaylk gsteren materyallere iletken denir. yi bir iletken zellii gsteren materyallere rnek olarak, bakr, gm, altn ve aliminyumu sayabiliriz. Bu materyallerin ortak zellii tek bir valans elektronuna sahip olmalardr. Dolays ile bu elektronlarn kolaylkla kaybedebilirler. Bu tr elementler; 1 veya birka valans elektrona sahiptirler. rnein bakr, altn, gm v.b .

ANALOG ELEKTRONK- I Yaltkan

Kaplan

Normal koullar altnda elektrik akmna zorluk gsterip, iletmeyen materyallere yaltkan denir. Yaltkan maddeler son yrngelerinde 6 ile 8 arasnda valans elektron barndrrlar. Serbest elektron bulundurmazlar. Yaltkan maddelere rnek olarak bakalit, ebonit v.b ametalleri sayabiliriz.

Yariletken
Yariletken maddeler; elektrik akmna kar, ne iyi bir iletken nede iyi bir yaltkan zellii gsterirler. Elektronik endstrisinin temelini oluturan yariletken maddelere rnek olarak; silisyum (si), germanyum (ge) ve karbon (ca) elementlerini verebiliriz. Bu elementler son yrngelerinde 4 adet valans elektron bulundururlar.

Enerji Band
Maddelerin iletken, yaltkan veya yariletken olarak snflandrlmasnda enerji bandlar olduka etkindir. Yaltkan, yariletken ve iletken maddelerin enerji bandlar ekil-1.4de verilmitir. Enerji band bir yaltkanda ok genitir ve ok az sayda serbest elektron ierir. Dolaysyla serbest elektronlar, iletkenlik bandna atlayamazlar. Bir iletkende ise; valans band ile iletkenlik band adeta birbirine girmitir. Dolaysyla harici bir enerji uygulanmakszn valans elektronlarn ou iletkenlik bandna atlayabilir. ekil-1.4 dikkatlice incelendiinde yariletken bir maddenin enerji aral; yaltkana gre daha dar, iletkene gre daha genitir.
Enerji letim Band letim Band
Enerji Aral Enerji Aral

Enerji

Enerji

letim Band Valans Band

0

Valans Band
0 0

Valans Band

a) Yaltkan

a) Yariletken

a) letken

ekil-1.4 farkl Materyal iin enerji diyagram

Silisyum ve Germanyum
Diyot, transistr, tmdevre v.b elektronik devre elemanlarnn retiminde iki tip yar iletken malzeme kullanr. Bunlar; SLSYUM ve GERMANYUM elementleridir. Bu elementlerin atomlarnn her ikisi de 4 Valans elektronuna sahiptir. Bunlarn birbirinden fark; Silisyumun ekirdeinde 14 proton, germanyumun ekirdeinde 32 proton vardr. ekil-1.5de her iki malzemenin atomik yaps grlmektedir. Silisyum bu iki malzemenin en ok kullanlandr.

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

En d yrngede 4 valans elektronu bulunur.

+32 +14

a) Silikon Atomu

b) Germanyum Atomu

ekil-1.4 Silisyum ve germanyum atomlar.

Kovelant Ba
Kat materyaller, kristal bir yap olutururlar. Slikon, kristallerden olumu bir materyaldir. Kristal yap ierisindeki atomlar ise birbirlerine kovalent ba denilen balarla balanrlar. Kovelant ba, bir atomun valans elektronlarnn birbirleri ile etkileim oluturmas sonucu meydana gelir. Her silisyum atomu, kendisine komu dier 4 atomun valans elektronlarn kullanarak bir yap oluturur. Bu yapda her atom, 8 valans elektronunun oluturduu etki sayesinde kimyasal kararll salar. Her bir silisyum atomunun valans elektronu, komu silisyum atomunun valans elektronu ile paylam sonucunda kovalent ba oluur. Bu durum; bir atomun dier atom tarafndan tutulmasn salar. Bylece paylalan her elektron birbirine ok yakn elektronlarn bir arada bulunmasn ve birbirlerini eit miktarda ekmesini salar. ekil-1.5 saf silisyum kristallerinin kovalent balarn gstermektedir. Germanyumun kovalent bada benzerdir. Onunda sadece drt valans elektronu vardr.
Si

Si

Si

Si

Valans Elektronlar

Si

Si

Si

Si

Kovelant Balar

Si

Si

Si

Si

ekil-1.5 Saf silisyum kristalin kovalent balar.

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

1.3 YARILETKENLERDE LETKENLK

Malzemenin elektrik akmn nasl ilettii, elektrik devrelerinin nasl altnn anlalmas bakmndan ok nemlidir. Gerekte temel akm mantn bilmeden diyot veya transistr gibi yariletken devre elemanlarnn almasn anlayamazsnz. Bu blmde iletkenliin nasl meydana geldiini ve baz malzemelerin dierlerinden niye daha iletken olduunu, yariletken malzemelerde iletkenliin nasl salandn reneceksiniz. Bu blmde enerji bantlar ierisinde elektronlarn nasl ynlendiini greceksiniz. ekirdein etrafndaki kabuklar enerji bantlar ile uyumludur. Enerji bantlar birbirlerine ok yakn kabuklarla ayrlmtr. Aralarnda ise elektron bulunmaz. Bu durum ekil1.6da silisyum kristalinde (dardan s enerjisi uygulanmakszn) gsterilmitir.
Enerji

letim Band

Enerji Aralklar

Valans Band

Enerji Aralklar

2. Band ( l kabuu)

Enerji Aralklar

1. Band ( k kabuu)

ekirdek 0

ekil-1.6 Durgun silisyum kristalinin enerji band diyagram.

Elektronlar ve Boluklarda iletkenlik

Saf bir silisyum kristali oda scaklnda baz tepkimelere maruz kalr. rnein; baz valans elektronlar enerji aralklarndan geerek, valans bandndan iletkenlik bandna atlarlar. Bunlara serbest elektron veya iletkenlik elektronlar denir. Bu durum ekil1.7.ada enerji diyagramnda, ekil-1.7.bde ise ba diyagramnda gsterilmitir. Bir elektron; valans bandndan iletkenlik bandna atladnda, valans bandnda boluklar kalacaktr. Bu boluklara delik=boluk veya hole denir. Is veya k enerjisi yardmyla iletkenlik bandna kan her elektron, valans bandnda bir delik oluturur. Bu durum, elektron boluk ifti diye adlandrlr. letkenlik bandndaki elektronlar enerjilerini kaybedip, valans bandndaki bolua geri dtklerinde her ey eski haline dner.

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

zetle; saf silisyumunun iletkenlik bandndaki elektronlarn bir ksm oda scaklnda hareketli hale geer. Bu hareket, malzemenin herhangi bir yerine doru rasgeledir. Bylece valans bandndaki boluk saysna eit miktarda elektron, iletkenlik bandna atlar.
Enerji
Serbest Elektron

letim Band

Serbest Elektron

Si
Is Enerjisi Delik

Enerji Aralklar

Si
Valans Band
Delik Is Enerjisi

a) Enerji Diyagram

b) Ba Diyagram

ekil-1.7.a ve b. Hareketli bir silisyum atomunda bir elektron boluunun oluturulmas.

Elektron ve Delik (hole) akm

Saf silisyumun bir ksmna gerilim uygulandnda neler olduu ekil-1.8 zerinde gsterilmitir. ekilde iletkenlik bandndaki serbest elektronlarn negatif utan pozitif uca doru gittikleri grlmektedir. Bu; serbest elektronlarn hareketinin olutuu akmn bir trdr. Buna elektron akm denir.
Si Si Si Si Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

V +

ekil-1.8 Serbest elektronlarn scaklk oluturmas ile meydana gelen hareket, silisyum iinde bir elektron akna neden olur. Akm oluturan bir dier tip ise valans devresindeki deiimlerdir. Bu ise; serbest elektronlar neticesinde boluklarn olumas ile meydana gelir. Valans bandnda kalan dier elektronlar ise hala dier atomlara bal olup serbest deillerdir. Kristal yap ierisinde rasgele hareket etmezler. Bununla birlikte bir valans elektronu komu bolua tanabilir. (enerji seviyesindeki ok kk bir deiimle). Bylece bir boluktan dierine hareket edebilir. Sonu olarak kristal yap ierisindeki boluklarda bir yerden dier yere hareket edecektir. Bu durum ekil-1-9da gsterilmitir. Boluklarn bu hareketi de akm diye adlandrlr.

10

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ekil-1.9 Serbest elektronlarn scaklk oluturmas ile meydana gelen hareket silisyum iinde bir elektron akna neden olur.

1.4

N-TP VE P-TP YARI LETKENLER

Yariletken malzemeler, akm iyi iletmezler. Aslnda ne iyi bir iletken, nede iyi bir yaltkandrlar. nk valans bandndaki boluklarn ve ilettim bandndaki serbest elektronlarn says snrldr. Saf silisyum veya germanyumun mutlaka serbest elektron veya boluk says artrlarak iletkenlii ayarlanmaldr. letkenlii ayarlanabilen silisyum veya germanyum, elektronik devre elemanlarnn yapmnda kullanlr. Germanyum veya silisyumun iletkenlii ise ancak saf malzemeye katk maddesi eklenmesi ile salanr. Katk maddesi eklenerek oluturulan iki temel yariletken materyal vardr. Bunlara; N-tipi madde ve P-tipi madde denir. Elektronik devre elemanlarnn retiminde bu iki madde kullanlr. Bu blm bitirdiinizde; Katk (doping) ilemini N-tipi yariletken maddenin yapsn P-tipi yariletken maddenin yapsn ounluk ve aznlk akm tayclarn Ayrntl olarak reneceksiniz.

Katk lemi (Doping)

Silisyum ve germanyumun iletkenlii kontroll olarak artrlabilir. letkenlii kontroll olarak artrmak iin saf yariletken malzemeye katk maddesi eklenir. Bu ileme doping denir. Akm tayclarnn (elektron veya boluk) saysnn artrlmas malzemenin iletkenliini, azaltlmas ise malzemenin direnci artrr. Her iki doping olaynn sonucunda N-tipi veya P-tipi madde oluur.

11

ANALOG ELEKTRONK- I N-Tipi Yariletken

Kaplan

Saf silisyumun iletkenlik bandndaki deliklerinin artrlmas atomlara katk maddesi ekleyerek yaplr. Bu atomlar, 5-deerli valans elektronlar olan arsenik (As), fosfor (P), bizmut (Bi) veya antimondur. Silisyuma katk maddesi olarak 5 valans elektrona sahip fosfor belli bir oranda eklendiinde, dier silisyum atomlar ile nasl bir kovelent ba oluturulduu ekil-1.10da gsterilmitir. Fosfor atomunun 4 valans elektronu, silisyumun 4 valans elektronu ile kovalent ba oluturur. Fosforun 1 valans elektronu akta kalr ve ayrlr. Bu akta kalan elektron iletkenlii artrr. nk herhangi bir atoma bal deildir. letkenlik, elektron saylar ile kontrol edilebilir. Bu ise silisyuma eklenen atomlarn says ile olur. Katk sonucu oluturulan bu iletkenlik elektronu, valans bandnda bir boluk oluturmaz.
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Fb Si

Si

Kovelant Ba

Si

Si

Fb atomunun serbest elektronu

Si

ekil-1.10 N tipi yariletken maddenin oluturulmas. Akm tayclarnn ounluu elektron olan, silisyum veya germanyum maddesine Ntipi yariletken malzeme denir. N-tipi malzemede elektronlar, ounluk akm tayclar diye adlandrlr. Bylece N-tipi malzemede akm tayclar elektronlardr. Buna ramen s ile oluturulan birka tane elektron boluk iftleri de vardr. Bu boluklar 5-deerli katk maddesi ile oluturulmamlardr. N-tipi malzemede boluklar aznlk tayclar olarak adlandrlr.

P-Tipi Yariletken
Saf silisyum atomu ierisine, 3 valans elektrona sahip (3-deerli) atomlarn belli bir oranda eklenmesi ile yeni bir kristal yap oluur. Bu yeni kristal yapda delik (boluk) says artrlm olur. 3 valans elektrona sahip atomlara rnek olarak; alminyum (Al), Bor (B) ve Galyum (Ga) elementlerini verebiliriz. rnein; saf silisyum ierisine belli bir oranda bor katlrsa; bor elementinin 3 valans elektronu, silisyumun 3 valans elektronu ile ortak kovalent ba oluturur. Fakat silisyumun 1 valans elektronu ortak valans ba oluturamaz. Bu durumda 1 elektron noksanl meydana gelir. Buna boluk veya delik=hole denir. Silisyuma eklenen katk miktar ile boluklarn says kontrol edilebilir. Bu yntemle elde edilen yeni malzemeye P tipi yariletken malzeme denir. nk boluklar pozitif ykldr. Dolays ile P-tipi malzemede ounluk akm taclar boluklardr. Elektronlar ise P tipi malzemede aznlk akm tayclardr. P-tipi malzemede bir ka adet serbest elektronda olumutur. Bunlar s ile oluan boluk ifti esnasnda meydana gelmitir. Bu serbest elektronlar, silisyuma yaplan katk esnasnda oluturulamazlar. Elektronlar P-tipi malzemede aznlk akm tayclardr.

12

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Kovelant Ba

B
-

Si

Si

Si B atomundan oluan delik (hole)

Si

ekil- 1.11 Silisyum kristaline 3 bal katk atomu. Bohr katk atomu merkezde gsterilmitir.

1.5 PN BRLEM
Silisyum veya Germanyum kristaline yeterli oranda katk maddeleri eklenerek, P-tipi ve N-tipi maddeler oluturulmutu. Bu maddeler yaln halde elektriksel ilevleri yerine getiremezler. P ve N tipi malzeme bir arada kullanlrsa, bu birleime PN birleimi (junction) veya PN eklemi denir. PN birleimi; elektronik endstrisinde kullanlan diyot, transistr v.b devre elemanlarnn yapmnda kullanlr. Bu blm bitirdiinizde; PN bitiiminin zelliklerini Deplasyon katman ve ilevini

ayrntl olarak reneceksiniz.

ekil-1.12.(a)da yars P-tipi, dier yars N tipi malzemeden oluan iki blml bir silisyum parasn gstermektedir. Bu temel yap biimine yar iletken diyot denir. N blgesinde daha ok serbest elektron bulunur. Bunlar akm tayccs olarak grev yaparlar ve ounluk akm taycs olarak adlandrlrlar. Bu blgede ayrca s etkisi ile oluturulan birka boluk (delik=hole) bulunur. Bunlara ise aznlk akm tayclar ad verilir.
pn bitiimi P TP MADDE N TP MADDE

P TP MADDE

N TP MADDE

Delik (hole)

Elektron

ekil-1.12.a ve b Basit bir PN yapsnn oluumu. ounluk ve aznlk tayclarnn ikisi de gsterilmitir.

13

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

P blgesi ise ok sayda boluklar (delik=hole) ierir. Bunlara ounluk akm tayclar denir. Bu blgede s etkisi ile oluan birka serbest elektronda bulunur. Bunlara ise aznlk akm tayclar denir. Bu durum ekil-1.12.(b)de gsterilmitir. PN birleimi elektronik endstrisinde kullanlan diyotlarn, transistrlerin ve dier katk hal devrelerinin temelini oluturur.

Deplasyon Katman ve levi

P maddesinde elektron noksanl (boluk), N maddesinde ise elektron fazlal meydana gelmiti. Elektron ve oyuklarn hareket ynleri birbirine zttr. Aslnda bu iki madde balangta elektriksel olarak ntr haldedir. P ve N maddesi ekil-1.13.ada grld gibi birletirildiini kabul edelim. Birleim olduu anda N maddesindeki serbest elektronlar, P maddesinde fazla olan oyuklarla (boluk=delik) birleirler. P maddesindeki fazla oyuklarn bir ksm ise, N maddesine gelip elektronlarla birleirler. Bu durumda P maddesi net bir (-) yk, N maddesi ise (+) yk kazanm olur. Bu olay olurken P maddesi (-) yke sahip olduundan N maddesindeki elektronlar iter. Ayn ekilde, N maddesi de (+) yke sahip olduundan P maddesindeki oyuklar iter. Bylece P ve N maddesi arasnda daha fazla elektron ve oyuk akmasn engellerler. Yk dalmn belirtildii ekilde olumas sonucunda PN birleiminin arasnda gerilim seddi denilen bir blge (katman) oluur. Bu durum ekil-1.13.bde resmedilmitir. letim dengesi salandnda deplesyon kat, PN birleiminde iletim elektronu bulunmad noktaya kadar geniler.
P TP MADDE pn bitiimi N TP MADDE P TP MADDE Engel Potansiyeli N TP MADDE

Delik (hole) Elektron

+ + + + + +

Deplasyon Blgesi

ekil-1.13.a ve b PN birleiminin denge iletimi. Elektron boluk iftinin oluturduu scaklkla, N blgesindeki birka boluun aznlk tayclarnn meydana getirilmesi. ekil-1.13.bde PN birleim blgesinde pozitif ve negatif iyonlarla oluturulan gerilim seddi grlmektedir. Oluan bu gerilim seddi; 250 Cde silisyum iin engel 0.7 volt, germanyum iin 0.3 volt civarndadr. Bu gerilime diyot ngerilimi denir. Diyot ngerilimi sdan etkilenir. rnein scaklk miktarndaki her 10Clik art, diyot ngeriliminin yaklak 2.3mV azalmasna neden olur. Diyot ngerilimi ok nemlidir. nk PN birleimine dardan uygulanan gerilimin oluturaca akm miktarnn kararl olmasn salar. lerideki blmlerde PN birleimini ayrntl olarak inceleyeceiz.

14

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

1.6 PN BRLEMNN POLARMALANMASI

PN bitiiminin nasl oluturulduunu grdk. PN elemanlarnn retiminde kullanlan en temel yapdr. bitiimi elektronik devre

PN birleimine elektronik biliminde diyot ad verilmektedir. Diyot veya dier bir elektronik devre elamannn DC gerilimler altnda altrlmasna veya almaya hazr hale getirilmesine elektronikte Polarma veya bias ad verilmektedir. PN birleimi veya diyot; DC gerilim altnda iki trde polarmalandrlr. Bunlardan birisi ileri ynde polarma dieri ise ters ynde polarma dr. leri veya ters ynde polarma, tamamen diyot ularna uygulanan gerilimin yn ile ilgilidir. Bu blm bitirdiinizde; leri ynde polarma (forward bias) Ters ynde polarma (reverse bias)

Kavramlarn reneceksiniz.

leri Ynde Polarma (Forward Bias)

leri ynde polarma; yariletken bir devre elemannn ularna uygulanan DC gerilimin yn ile ilgilidir. PN birleiminden akm akmasn salayacak ekilde yaplan polarmadr. ekil-1.14de bir diyoda ileri ynde polarma salayacak balant grlmektedir.

p
R Vpolarma +

ekil-1.14 leri ynde polarma balants. R, direnci akm snrlamak amacyla kullanlmtr.
leri ynde polarma yle alr. Bataryann negatif ucu N blgesine (Katot olarak adlandrlr), pozitif ucu ise P blgesine (Anot olarak adlandrlr) balanmtr. Bataryann negatif terminali, N blgesindeki iletkenlik elektronlarn birleim blgesine doru iter. Ayn anda pozitif terminal, P blgesindeki oyuklar birleim blgesine iter. Uygulanan polarma gerilimi yeterli seviyeye ulanca; N blgesindeki elektronlarn ve P blgesindeki oyuklarn engel blgesini amasn salar. N blgesinden ayrlan elektronlara karlk, bataryann negatif ucundan ok sayda elektron girmesini salar. Bylece N blgesinde iletkenlik elektronlarnn hareketi (ounluk akm tayclar) eklem blgesine dorudur. Karya geen iletkenlik elektronlar, P blgesinde boluklar ile birleirler. Valans elektronlar boluklara tanr ve boluklar ise pozitif anot blgesine tanr. Valans

15

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

elektronlarnn boluklarla birleme ilemi PN ularna voltaj uyguland srece devam eder ve devaml bir akm meydana gelir. Bu durum ekil-1.15de resmedilmitir. ekilde ileri ynde bayaslanan diyodtaki elektron ak grlmektedir.

P TP

N TP

boluk akm

Elektron akm

VD

Vpolarma

ekil-1.15: PN birleimli diyot ta elektron ak.

leri polarmada Gerilim seddinin etkisi

PN birleiminde meydana gelen gerilim seddi, Silisyumda 0.7V, germanyumda ise 0.3V civarndadr. Polarma geriliminin potansiyeli bu deere ulatnda, PN birleiminde iletim balar. PN ularna uygulanan gerilim, diyodu bir kez iletime geirdikten sonra gerilim seddi klr. Akm ak devam eder. Bu akma ileri yn akm If denir. If akm P ve N blgesinin direncine bal olarak ok az deiir. Bu blgenin direnci (ileri yndeki diren) genellikle kktr ve kk bir gerilim kaybna sebep olur.

Ters Polarma (Revrese Bias)

Ters kutuplamada bataryann negatif ucu P blgesine, pozitif ucu ise N blgesine balanmtr. Bu durum ekil-1.16da gsterilmitir. Ters polarmada PN birleiminden akm akmaz. Bataryann negatif ucu, PN blgesindeki boluklar kendine doru eker. Pozitif ucu ise PN blgesindeki elektronlar kendine doru eker ve bu arada (deplesyon blgesi) yaltkan katman geniler. N blgesinde daha ok pozitif iyonlar, P blgesinde ise daha ok negatif iyonlar oluturulur.

Vpolarma +

ekil-1.16 Ters Polarma balants.

16

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Yaltkan (deplesyon) katmandaki potansiyel fark harici bayas gerilimine eit oluncaya kadar geniler. Bu noktada boluklarn ve elektronlarn hareketi durur. Birleimden ounluk akm tayclarnn harekete balamas (transient ) akm diye adlandrlr. Bu ise ters kutuplama yapldnda ok ksa bir anda akan bir akmdr.

P TP -

N TP + + + + + + + + + + + +

Engel Katman

V polarma
ekil-1.17 Ters polarmada oluan engel katman Diyot ters kutuplandnda engel katmannn yaltkanl artacak ve her iki taraftaki iyonlar arj olacaktr. Bu durum kapasitif bir etki yaratr. Ters kutuplama gerilimi arttka engel katman geniler. Bu arada kapasitansda artacaktr. Bu durum, deplesyon katmannn kapasitans diye bilinir ve bu durum pratik kolaylklar salar.

Aznlk Akm
imdiye kadar rendiimize gre; diyoda ters gerilim uygulandnda ounluk akm abucak sfr olur. Ancak ters kutuplama da bile ok az bir aznlk akm mevcut olacaktr. Bu ters akm germanyumda, silisyuma gre daha fazladr. Bu akm silisyum iin mikro amper veya nano amperler mertebesindedir. Dolays ile s ile oluan elektron boluk ifti ise minimum seviyesindedir. Harici ters gerilim; uygulanrken baz elektronlar PN birleimini geecektir. Ters akm ayn zamanda birleimin ssna ve ters kutlama geriliminin miktarna baldr dolays ile snn artmas ters akm da artracaktr.

Ters Ynde Krlma

Eer dardan uygulanan ters polarma gerilimi ar derecede artrlrsa krlmas meydana gelir. imdi bu ne demektir? Aznlk akm tayclar olan iletkenlik band elektronlar dardan uygulanan ters gerilim kaynann etkisi ile P blgesine itilirler. Bu esnada valans elektronlar iletkenlik bandna doru hareket ederler. Bu anda iki tane iletkenlik band elektronu mevcuttur. Her biri bir atomda bulunan bu elektronlar; valans bandndan, iletkenlik bandna hareket eder. letkenlik band elektronlarnn hzla oalmas olay, etkisi olarak bilinir. Sonu olarak byk bir ters akm akar. ou diyotlar genelde ters krlma blgesinde almazlar. nk hasar grebilirler. Bununla birlikte baz diyotlar srf ters ynde alacak ynde yaplmlardr. Bunlara Zener Diyot ad verilir.

17

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

1.7

DYOT
nceki blmlerde oluturulan PN birleimine elektronik endstrisinde diyot ad verilmektedir. Diyot, elektronik endstrisinin temelini oluturan en basit aktif devre elemandr. retici firmalar kullancnn gereksinimine bal olarak farkl akm ve gerilim deerlerinde alabilecek ekilde binlerce tip diyot retimi yapmlardr. Bu blmde diyodun nasl altn, akm-gerilim karakteristiklerini ayrntl olarak inceleyeceiz. Bu blmde sra ile; Diyot semboln deal diyot modelini Pratik diyot modelini Diyotun polarmalandrlmasn, Diyotun V-I karakteristiini Diyot direncini Diyotlarda yk dorusu ve alma karakteristiini Diyodun scaklkla ilikisini

reneceksiniz. Bu blmde reneceiniz temel alma prensipleri, ileriki blmlerde diyotlarla yapacanz uygulama ve tasarmlara sizleri hazrlayacaktr.

PN Bitiimi ve Diyot
Bir nceki blmde oluturulan P ve N maddesinin birletirilmesi, Diyot ad verilen yariletken devre elemann meydana getirir. P ve N maddesinin birletirilmesi ilemi, diyot reticileri tarafndan bir yzey boyunca veya belirli bir noktada yaplabilir. Bu nedenle diyotlara nokta temasl diyot veya yzey bitiimli diyot ad da verilebilir. Her iki tip diyodun zellikleri ve alma karakteristikleri ayndr. Dolays ile bu olay reticileri ilgilendirir. Bizim bu konuyla ilgilenmemize gerek yoktur. ekil-1.19da elektronik endstrisinde kullanlan diyotlarn klf tipleri ve terminal isimleri verilmitir.

ekil-1.19 Diyotlarda klf tipleri ve terminal isimleri

18

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Elektronik biliminde her devre eleman sembollerle ifade edilir. Sembol tespiti bir takm uluslararas kurallara gre yaplmaktadr. ekil-1.20de diyotun temel yaps ve ematik diyot sembolleri verilmitir.
Anot Anot Anot

P N
Katod Katod Katod

ekil-1.20 Diyotun yaps ve ematik diyot sembolleri ekil-1.20de grld gibi diyot 2 terminalli aktif bir devre elemandr. Terminallerine ilevlerinden dolay anot ve katod ismi verilmitir. Anot terminalini P tipi madde, katod terminalini ise N tipi madde oluturur. Bu blmde genel amal dorultma diyotlarn ayrntlar ile inceleyeceiz. Elektronik endstrisinde farkl amalar iin tasarlanm, ilevleri ve zellikleri farkllklar gsteren diyotlarda vardr. Bu diyotlar, zel tip diyotlardr. leriki blmlerde incelenecektir.

deal Diyot Modeli

deal diyodu tek ynl bir anahtar gibi dnebiliriz. Anot terminaline gre; katot terminaline negatif bir gerilim uygulanan diyot, doru (ileri) ynde polarmalandrlm olur. Diyot, doru ynde polarmalandnda kapal bir anahtar gibi davranr. zerinden akm akmasna izin verir. Direnci minimumdur. Bu durum ekil-1.21..ada grlmektedir. Anot terminaline gre; katot terminaline pozitif bir gerilim uygulanan diyot ters ynde polarmalandrlm olur. deal diyot ters ynde polarmalandrldnda, ak bir anahtar gibi davranr. zerinden akm akmasna izin vermez ve direnci sonsuzdur. Bu durum ekil-1.21.bde gsterilmitir. deal bir diyotun Akm-gerilim karakteristii ise ekil-1.21.cde verilmitir.
deal Diyot deal Diyot

If

+ VDD

VF=0V IF=VDD /R R + VDD Ir=0

Vr R Vr Ir Vf

a) Dogru Polarma

b) Ters Polarma

c) V-I Karakteristii

ekil-1.21 deal diyotun ileri ve ters polarmada davranlar

19

ANALOG ELEKTRONK- I Pratik Diyot Modeli

Kaplan

Pratik kullanmda diyot, ideal modelden farkl davranlar sergiler. rnein; doru polarma altnda kapal bir anahtar gibi ksa devre deildir. Bir miktar direnci vardr. Bu nedenle zerinde bir miktar gerilim dm oluur. Bu gerilime diyot ngerilimi denir ve VF veya VD sembolize edilir. Bu gerilim deeri; silisyumda 0.7V, germanyumda ise 0.3V civarndadr. Gerek bir diyotun doru polarma altnda modellemesi ekil-1.22..ada verilmitir. Ters ynde polarmada ise, ak bir anahtar gibi direnci sonsuz deildir. Bu nedenle zerinden ok kk bir miktar akm akar. Bu akma sznt akm denir ve IR ile sembolize edilir. Sznt akm ok kk olduundan pek ok uygulamada ihmal edilebilir. Gerek bir silisyum diyodun V-I karakteristii ise ekil-1.22.cde verilmitir. rnein; ekil1.22.ada grlen doru polarma devresinde diyot zerinden geen ileri yn akm deeri IF;
IF = VDD VD R

olarak belirlenir.
0.7 +

rd

rr
S S

If

+ If + VDD

Vf I R + VDD
r

Vr

+ Vr R Vf

a) Dogru Polarma

b) Ters Polarma

Ir c) V-I Karakteristii

ekil-1.22 Pratik bir diyotun ileri ve ters polarmada davranlar

1.8

DYOT KARAKTERSTKLER

Diyot karakteristii; diyoda uygulanan polarma gerilimi ve akmlarna bal olarak diyodun davrann verir. retici firmalar; rettikleri her bir farkl diyot iin, gerekli karakteristikleri kullancya sunarlar. Bu blmde; Diyotun V-I karakteristiini Diyot direncini Yk dorusu ve alma noktasn Diyot karakteristiinin scaklkla ilikisini ayrntl olarak inceleyeceiz.

20

ANALOG ELEKTRONK- I Diyotun V-I karakteristii

Kaplan

Diyotun V-I karakteristii; diyot ularna uygulanan gerilimle, diyot zerinden geen akm arasndaki ilikiyi gsterir. Diyot; doru ve ters polarma altnda farkl davranlar sergiler. Genel kullanm amal silisyum diyodun doru ve ters polarmalar altndaki V-I karakteristii ekil-1.23de verilmitir. ekil-1.23 zerinde diyodun V-I karakteristiini karmak iin gerekli devre balantlar grlmektedir. Diyot, doru polarmada iletimdedir. Ancak iletime balama noktas VD olarak iaretlenmitir. Bu deerden sonra diyot zerinden akan ileri yn IF akm artarken, diyot zerine den gerilim yaklak olarak sabit kalmaktadr. Bu gerilim diyot ngerilimi olarak adlandrlr. Diyot ngerilimi silisyum bir diyotda yaklak olarak 0.7V civarndadr. Ters polarma altnda ise; diyot zerinden geen akm miktar ok kktr. Bu akma sznt akm denir. Sznt akm, silisyum bir diyotda birka nA seviyesinde, germanyum bir diyotda ise birka A seviyesindedir. Ters polarma altnda diyot, belirli bir gerilim deerinden sonra iletime geer. zerinden akan akm miktar ykselir. Ters polarma altnda diyotu krlp iletime gemesine neden olan bu gerilime krlma gerilimi denir. Bu durum ekil-1.23 zerinde gsterilmitir.

If (mA )

Vf

If
+ V DD Dogru Polarma R

Krlma noktas

Sznt akm

Vr ( V )
VF=0.7V

Vf ( V )

Vr

Ir
VDD Ters Polarma R +

Ir (A )

ekil-1.23 Silisyum diyotun V-I karakteristii Diyot; krlma geriliminde iletime gemekte ve zerinden akm akmasna izin vermektedir. ekil-1.23deki grafik dikkatlice incelenirse, diyot zerinden akan akm artt halde, gerilim sabit kald gzlenmektedir. Bu durum nemlidir. retici firmalar, bu durumu dikkate alarak farkl deerlerde krlma gerilimine sahip diyotlar gelitirip, tketime sunmulardr. Bu tr diyotlara zener diyot ad verilir. Zener diyotlar, ileri blmlerde ayrntl olarak incelenecektir.

21

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ekil-1.23de verilen diyot karakteristiinde; diyotun krlp akm aktmaya balamas, aada verilen eitlik ile aklanabilir. I = I0
qV kT (e

1)

Bu formlde; I : Diyot akmn I0 : Ters polarmada sznt akmn V : Diyot ularna uygulanan polarma gerilimini Q : Elektron arj miktarn (Coulomb olarak) T : pn birleim scakln (K cinsinden) K : Boltzman sabitini : Metale baml bir sabite (Ge:1, Si=2) Silisyum ve germanyum diyotlarn akm-gerilim karakteristik erileri ekil-1.24de birlikte verilmitir. Grld gibi germanyum diyotlarn sznt akm ok daha byktr. Bu nedenle gnmzde silisyum diyotlar zellikle tercih edilir. Germanyum diyotlar, ise ngerilimlerinin kk olmalar nedeniyle (0.2-0.3V) zellikle alak gl yksek frekans devrelerinde krpc olarak kullanlmaktadrlar.
If (mA )
30 25 20 15 10

Ge

Si

Ir(si)=10nA Vr ( V )

2A 4A 6A

0.3

0.5

0.7

Vf ( V )

Si

Ge

Ir (A )

ekil-1.24 Silisyum ve germanyum diyot karakteristiklerinin karlatrlmas

Diyot Direnci
Diyotun elektriksel olarak direnci; diyot ularndaki gerilimle diyot zerinden geen akmn oranna gre tayin edilir. Diyot direnci, karakteristiinde grld gibi dorusal deildir. Doru polarma altnda ve iletim halindeyken, direnci minimum 10 civarndadr. Ters polarma altnda ve kesimdeyken ise 10M-100M arasndadr. Diyodun doru akm altnda gsterdii diren deerine statik diren denir. Statik diren (rs) aadaki gibi formle edilir.

22

ANALOG ELEKTRONK- I
rS (statik ) = VD ID

Kaplan

Alternatif akm altnda gsterdii diren deerine dinamik diren denir. Dinamik diren (rD) aadaki gibi formle edilir.
rD ( dinamik ) = V I

Diyotlarda; dinamik veya statik diren deerlerinin hesaplanmasnda diyot karakteristii kullanlr. ekil-1.25de silisyum bir diyodun ileri yn karakteristii verilmitir.
IF(mA) Q3 Q2 Q1 V 1 V 2 V3 VF (v)

I3 I2 I1

ekil-1.25 Statik ve Dinamik diyot direnlerinin belirlenmesi Statik ve dinamik diyot direnlerinin belirlenip formle edilmesinde ekil-1.25de grlen diyot karakteristiinden yararlanlr. ekilde grlen karakteristikte deiim noktalar Q1, Q2 ve Q3 olarak iaretlenmitir. rnein Q1 ve Q2 noktalarnda diyotun statik direnci; rS (Q1 ) = rS (Q2 ) = V1 I1 V2 I2

olarak bulunur. Diyotun dinamik direnci ise, akm ve gerilimin deimesi ile oluan diren deeridir. rnein Q2 noktasndaki dinamik diren deerini bulmak istersek, Q2 noktasndaki deiimin (Q1 .. Q3 deiimi gibi) kk bir deiimini almamz gerekir. rD = V V3 V1 = I 3 I1 I

Elde edilen bu eitlik ters polarmada da kullanlabilir.

Yk Dorusu ve alma Noktas

Diyot, diren ve DC kaynaktan oluan basit bir devre ekil-1.26.da verilmitir. Devrede diyot doru ynde polarmalandrlmtr.
VD IF VDD I F(mA)

VDD R
Egim =
R
Q

1 R

VF

VDD

V(v)

23

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Diyot ideal kabul edilirse devreden akacak akm miktar; IF = V DD R

olaca aktr. Gerek bir diyot kullanldnda ise; devreden akacak I akm miktarna bal olarak diyot ularnda VD ile belirlenen bir diyot ngerilimi oluacaktr. Bu gerilim deeri lineer deildir. Bu gerilim deerinin; V F = V DD I F R olaca aktr. Ayrca devreden akan akacak olan ID akm deerinin VDD gerilimine bal olarak da eitli deerler alaca aktr. eitli VDD deerleri veya IF deerleri iin, diyot n gerilimi VDnin alabilecei deerler diyot karakteristii kullanlarak bulunabilir. VDD geriliminin eitli deerleri iin devreden akacak olan IF akm deerleri bulunup karakteristik zerinde iaretlenir ve kesiim noktalar birletirilirse ekil-1.26da grlen eri elde dilir. Bu eriye yk dorusu denilir. Yk dorusu izimi iin; IF=0 iin VF=0 iin VF=VDD IF=VDD/R (Diyot yaltkan) (Diyot iletken)

Bulunan bu deerler karakteristik zerindeki koordinatlara iaretlenir. aretlenen noktalar karakteristik zerinde birletirilirse yk dorusu izilmi olur. Bu durum ekil1.26 zerinde gsterilmitir. Diyot karakteristik erisinin yk izgisini kestii nokta Q alma noktas olarak bilinir. Yk izgisinin eimi ise -1/Rdir. ekil-1.26da verilen devreye bal olarak yk dorusu bir defa karldktan sonra VDDnin herhangi bir deeri iin akacak akm miktar ve buna bal olarak R direnci ularnda oluabilecek gerilim deeri kolaylkla bulunabilir. Yk dorusu ve alma noktasnn tayini; diyotu zellikle hassas kullanmlarda duyarl ve pratik alma salar.

Scaklk Etkisi
Diyot karakteristii ile ilgili bir dier faktr ise scaklktr. retici firmalar diyodun karakteristik deerlerini genellikle 250C oda scakl iin verirler. Diyotun alma ortam ss, oda scaklndan farkl deerlerde ise diyot ngeriliminde ve sznt akmnda bir miktar deiime neden olur. Diyot ngerilimi VF; her 10Clik s artnda yaklak 2.3mV civarnda azalr. Diyot sznt akm I0; her 100Clik s artnda yaklak iki kat olur.

Diyotun s deiimine kar gsterdii duyarllk olduka nemlidir. rnein bu duyarllktan yararlanlarak pek ok endstriyel s lmnde ve kontrolnde sensr olarak diyot kullanlr.

24

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek:1.1

a) ekil-1.27.ada verilen devre iin diyot zerinden akan ileri yn akmn ideal ve pratik bir silisyum diyot iin bulunuz. b) ekil-1.27.bde verilen devre iin ters yn gerilim ve akm deerlerini ideal ve pratik bir silisyum diyot iin bulunuz. Diyot ters yn akm IR=1A
RA IF VDD 10V 1K VF VDD IR 10V RA 1K VR

(a)

(b)

ekil-1.27.a ve b Diyot devreleri

zm:1.1 a) deal Diyot Modeli;

10V V = 10mA I F = DD = 1K RA VA = I F RA = ( 10mA) ( 1K ) = 10V

VF=0V

Pratik Diyot Modeli;

V VF 10V 0.7V = = 9.3mA I F = DD 1K RA VA = I F RA = (9.3mA) (1K ) = 9.3V

VF=0.7V

b) deal Diyot Modeli;

VR = VDD = 10V VRA = 0V

IR=0A

Pratik Diyot Modeli;

VRA = I R RA = (1A) (1K ) = 1mV VR = VDD VRA = 10V 1mV = 9.999V

IR=1A

c)

d)

25

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 1.2

a) ekil-1.28de verilen devrede germanyum diyot kullanlmtr. Diyotun dayanabilecei maksimum akm deeri 100mA olduuna gre R direncinin minimum deeri ne olmaldr? Diyot ve diren zerinde harcanan gleri bulunuz? b) Ayn devrede verilen diyot karakteristiini kullanarak diyotun ac dinamik direncini bulunuz?
ID VDD 10V V F=0.3V I F(mA) 50

R
10 0.72 0.9 VF (v)

ekil-1.28 Diyot devresi ve V-I karakteristii

zm:

a) R=

V DD = I D R + V D V DD V D 10V 0.3V = = 97 ID 100mA

Diren ve diyot zerinde harcanan gleri hesaplayalm. PR = ( I F ) 2 R = (100mA) 2 (97) = 0.97W

PD = ( I F ) (V D ) = (100mA) 2 (0.3V ) = 0.03W = 30mW

b) leri yn karakteristii verilen diyodtun ac dinamik diren deeri; V 0.9V 0.72V 0.18V rD = = = rD = 4.5 I 50mA 10mA 40mA

Diyot Testi
Diyot, saysal veya analog bir multimetre yardmyla basite test edilebilir. Analog bir multimetre ile lme ilemi konumunda yaplr. Salam bir diyotun ileri yn direnci minumum, ters yn direnci ise sonsuz bir deerdir. Test ilemi sonucunda diyotun anotkatod terminalleri de belirlenebilir. ekil-1.29da diyotun saysal bir multimetre yardmyla nasl test edilecei gsterilmitir. Test ilemi saysal multimetrenin Diyot konumunda yaplr. Multimetrenin gsterdii deer diyot zerindeki ngerilimidir. Bu gerilim; doru polarmada silisyum diyotlarda 0.7V civarndadr. Germanyum diyotlarda ise 0.3V civarndadr. Ters polarmada her iki diyot tipinde multimetrenin pil gerilimi (1.2V) grlr.

26

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

0. 70
V Off 10A mA COM mA A 10A V

120 .
V Off 10A mA COM mA A 10A V

120 .
V Off 10A mA COM mA A 10A V

0. 00
V Off 10A mA COM mA A 10A V

Katod

Anot

Anot

Katod

Katod

Anot

Katod

Anot

a) Ileri Ynde polarma Diyot Saglam

b) Ters Ynde polarma Diyot Saglam

c) Ileri Ynde polarma Diyot Bozuk (aik devre)

d) Ileri Ynde polarma Diyot Bozuk (kisa devre)

ekil-1.25 Saysal multimetre ile diyot testi

1.9

BLM ZETi

Doadaki tm maddeler atomlardan oluur. Klasik bohr modeline gre atom 3 temel paracktan oluur. Proton, ntron ve elektron. Atomik yapda ntron ve protonlar merkezdeki ekirdei oluturur. Elektronlar ise ekirdek etrafnda sabit bir yrngede dolarlar. Protonlar pozitif ykldr. Ntronlar ise ykszdr. Elektronlar, ekirdekten uzakta belirli yrngelerde bulunurlar ve negatif ykldrler.
Yrngedeki elektronlar atom arl ve numarasna bal olarak belirli saylardadrlar.

Atomun yrngeleri K-L-M-N olarak adlandrlrlar. yrngesindeki elektron miktar 8den fazla olamaz.

Bir

atomun

son

Atomun son yrngesindeki elektronlar valans elektron olarak adlandrlrlar. Valans elektronlar maddenin iletken, yaltkan veya yariletken olarak tanmlanmasnda etkindirler. Yariletken materyaller 4 adet valans elektrona sahiptir. Elektronik endstrisinde yariletken devre elemanlarnn retiminde silisyum ve germanyum elementleri kullanlr. Silisyum veya germanyum elementlerine katk maddeleri eklenerek P ve N tipi maddeler oluturulur. P ve N tipi maddeler ise elektronik devre elemanlarnn retiminde kullanlrlar. P ve N tipi maddelerin birleimi diyotu oluturur. Birleim ilemi bir noktada yaplabildii gibi yzey boyunca da yaplabilir. Bu nedenle diyotlar genellikle yzey birleimli veya nokta temasl olarak imal edilirler. Her iki tip diyotunda temel zellikleri ayndr.

27

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Diyot elektronik endstrisinin en temel devre elemanlarndan biridir. ki adet terminale sahiptir. N tipi maddeden oluan terminale Katot, P tipi maddeden oluan terminale Anot ismi verilir. Diyot iki temel alma biimine sahiptir. Bunlar letim ve kesim modunda almadr. Diyotun anoduna; kataduna nazaran daha pozitif bir gerilim uygulanrsa diyot iletim blgesinde alr ve iletkendir. Diyotun anoduna; kataduna nazaran daha negatif bir gerilim uygulanrsa diyot kesim blgesinde alr yaltkandr. letim blgesinde alan bir diyot zerinde bir miktar gerilim dm oluur. Bu gerilime diyot ngerilimi denir. Diyot ngerilimi silisyum bir diyot zerinde yaklak 0.7V, Germanyum bir diyot zerinde ise yaklak 0.3V civarndadr. Diyot ngerilimi bir miktar diyotun alma ortam ssna bamldr. Diyot ngerilimi 10C scaklk artmasna karn yaklak 2.3mV azalr. Kesim blgesinde alan bir diyot, pratik olarak ak devre (direnci sonsuz) deildir. zerinden ok kk bir bir miktar akm akar. Bu akma sznt akm denir. Bu deer nA ile Aler mertebesindedir. Sznt akm deeri germanyum diyotlarda silisyum diyotlardan bir miktar daha fazladr.Sznt akm diyotun alma ssndan etkilenir. rnein her 100C scaklk artnda sznt akm yaklak iki kat olur. Analog veya saysal bir ohmmetre kullanlarak diyotlarn salamlk testi yaplabilir. Test ilemi sonucunda ayrca diyotun anot ve katot terminalleri belirlenebilir.

28

BLM 2
Diyot Uygulamalar
Konular:
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 Yarm-Dalga Dorultma Tam-Dalga Dorultma Filtre Devreleri Krpc ve Snrlayc Devreler Gerilim Kenetleyici ve Gerilim oklayclar Diyot Veri Sayfalar

Amalar:
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz. Yarm dalga dorultma devresinin almas ve analizi Tam dalga dorultma devresinin almas ve analizi Dorultmalarda filtreleme ve filtre devreleri Diyotlarla gerekletirilen krpc ve snrlayc devrelerin analizi Diyot veri sayfalarnn incelenmesi ve eitli karakteristikler Diyot devrelerinin ksa analizleri ve yorumlar

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

2.1

YARIM DALGA DORULTMA

Tm elektronik cihazlar almak iin bir DC g kaynana (DC power supply) gereksinim duyarlar. Bu gerilimi elde etmenin en pratik ve ekonomik yolu ehir ebekesinde bulunan AC gerilimi, DC gerilime dntrmektir. Dntrme ilemi Dorultma (redresr) olarak adlandrlan cihazlarla gerekletirilir. Dorultma veya DC G kayna (DC power supply) denilen cihazlar, basitten karmaa doru birka farkl yntemle tasarlanabilir. Bu blmde en temel dorultma ilemi olan yarm dalga dorultma (Half wave rectifier) devresinin yapsn ve almasn inceleyeceiz. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz. Temel bir g kayna sistemi Transformatrler ve ilevleri Yarm dalga dorultma devresi Rpl faktr

Temel DC G Kayna (Power Supply)

Bilindii gibi btn elektronik cihazlar (radyo, teyp, tv, bilgisayar v.b gibi) almak iin bir DC enerjiye gereksinim duyarlar. DC enerji, pratik olarak pil veya aklerden elde edilir. Bu olduka pahal bir zmdr. DC enerji elde etmenin dier bir alternatifi ise ehir ebekesinden alnan AC gerilimi kullanmaktr. ebekeden alnan AC formdaki sinsoydal gerilim, DC gerilime dntrlr. Dntrme ilemi iin DC g kaynaklar kullanlr. Temel bir DC g kaynann blok emas ekil-2.1de grlmektedir. Sistem; dorultucu (rectifier), Filtre (filter) ve reglatr (regulator) devrelerinden olumaktadr. Sistem giriine uygulanan ac gerilim; sistem knda dorultulmu dc gerilim olarak alnmaktadr.
Dorultma Devresi Filtre Devresi Reglatr Devresi

Transformatr Vgiri AC

RL

ekil-2.1 AC Gerilimin DC Gerilime Dntrlmesi Sistem giriine uygulanan AC gerilim (genellikle ehir ebeke gerilimi), nce bir transformatr yardmyla istenilen gerilim deerine dntrlr. Transformatr, dntrme ilemiyle birlikte kullancy ehir ebekesinden yaltr. Transformatr yardmyla istenilen bir deere dntrlen AC gerilim, dorultma devreleri kullanlarak dorultulur.

30

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Dorultma ilemi iin yarm ve tam dalga dorultma (redresr) devrelerinden yararlanlr. Dorultulan gerilim, ideal bir DC gerilimden uzaktr ve az da olsa AC bileenler (rpl) ierir. Filtre devreleri tam bir DC gerilim elde etmek ve rpl faktrn minimuma indirmek iin kullanlr. deal bir DC gerilim elde etmek iin kullanlan son kat ise reglatr dzenekleri ierir. Sistemi oluturan bloklar sra ile inceleyelim.

Transformatrler
Transformatrler, kayplar en az elektrik makineleridir. Transformatr; silisyumlu zel satan yaplm gvde (karkas) zerine sarlan iletken sarglardan oluur. Transformatr karkas zerine genellikle iki ayr sarg sarlr. Bu sarglara primer ve sekonder ad verilir. Primer giri, sekonder k sargs olarak kullanlr. Sarglarn sarm says spir olarak adlandrlr. Transformatrn primer sarglarndan uygulanan AC gerilim, sekonder sargsndan alnr. ehir ebeke gerilimi genellikle 220Vrms/50Hzdir. Bu gerilim deerini belirlenen veya istenilen bir AC gerilim deerine dntrlmesinde transformatrler kullanlr. Transformatrlerin sekonder ve primer sarglar arasnda fiziksel bir balant olmadndan, kullancy ehir ebekesinden yaltrlar. Bu durum, gvenlik iin nemli bir avantajdr. Sekonder sargsndan alnan AC iaretin, gc ve gerilim deeri tamamen kullanlan transformatrn sarm saylarna ve karkas apna badr. reticiler ihtiyaca uygun olarak ok farkl tip ve modelde transformatr retimi yaparlar. ekil-2.2de rnek olarak baz alak gl transformatrler grlmektedir.

ekil-2.2 Farkl model ve tipte transformatrler Transformatrlerin primer ve sekonder gerilimleri ve gleri zerlerinde etkin deer (rms) olarak belirtilir. Primer sarglar genellikle 220Vrms/50Hz, sekonderler sarglar ise farkl gerilim deerlerinde retilerek kullancya sunulurlar. ekil-2.3'de farkl sarglara sahip transformatrlerin sembolleri ve gerilim deerleri gsterilmitir.

31

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

36V Sekonder 24V Primer Primer Sargs 220Vrms 50Hz Sekonder Sargs 12Vrms 50Hz 12V 220Vrms 50Hz 12V 0V a) Transformatr b) Orta ulu Transformatr c) ok ulu Transformatr 24V 220Vrms 50Hz 12V

ekil-2.3 Farkl tip ve modelde Transformatr sembolleri ve u balantlar ulu transformatrler dorultucu tasarmnda tasarruf salarlar. Transformatr seiminde; primer ve sekonder gerilimleri ile birlikte transfomatrn gcne de dikkat edilmelidir. G kaynanda kullanlacak transformatrn toplam gc; trafo zerinde ve dier devre elemanlarnda harcanan g ile ykte harcanan gcn toplam kadardr. Transformatr her durumda istenen akm vermelidir. Fakat bir transformatrden uzun sre yksek akm ekilirse, ekirdein doyma blgesine girme tehlikesi vardr. Bu nedenle transformatr hem harcanacak gce, hem de k akmna gre tleransl seilmelidir.

Yarm Dalga Dorultma

ehir ebekesinden alnan ve bir transformatr yardmyla deeri istenilen seviyeye ayarlanan AC gerilimi, DC gerilime dntrmek iin en basit yntem yarm dalga dorultma devresi kullanmaktr. Tipik bir yarm dalga dorultma devresi ekil-2.4de verilmitir. ehir ebekesinden alnan 220Vrms deere sahip AC gerilim bir transformatr yardmyla 12Vrms deerine drlmtr.

220Vrms 50Hz

12Vrms 50Hz

Diyot RL

ekil-2.4 Yarm Dalga Dorultma Devresi Devrenin almasn ayrntl olarak incelemek zere ekil-2.5den yararlanlacaktr. Yarm dalga dorultma devresine uygulanan giri iareti sinsoydaldr ve zamana bal olarak yn deitirmektedir. Devrede kullanlan diyodu ideal bir diyot olarak dnelim. Giri iaretinin pozitif alternansnda; diyot doru polarmalanmtr. Dolaysyla iletkendir. zerinden akm akmasna izin verir. pozitif alternans yk zerinde oluur. Bu durum ekil-2.5.a zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
V Giri + 0 t 12Vrms 50Hz RL 0 t Diyot letimde + V k

ekil-2.5.a Giri iaretinin pozitif alternansnda devrenin almas

32

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Giri iaretinin frekansna bal olarak bir sre sonra diyodun anoduna negatif alternans uygulanacaktr. Dolaysyla giri iaretinin negatif alternansnda diyot yaltmdadr. nk diyot ters ynde polarmalanmtr. zerinden akm akmasna izin vermez. Ak devredir. RL direnci zerinden alnan k iareti 0V olur. Bu durum ekil-2.5.b zerinde gsterilmitir.
V Giri 0 t + 12Vrms 50Hz I=0A RL 0 t Diyot kesimde +

V k

ekil-2.5.b Giri iaretinin negatif alternansnda devrenin almas Yarm dalga dorultma devresinin knda elde edilen iaretin dalga biimi ekil2.6da ayrntl olarak verilmitir. Yarm dalga dorultma devresinin kndan alnan iaret artk AC bir iaret deildir. nk k iareti, negatif alternanslar iermez. Dorultma kndan sadece pozitif saykllar alnmaktadr. k iareti bu nedenle DC iarete de benzememektedir dalgaldr. Bu durum istenmez. Gerekte dorultma kndan tam bir DC veya DC gerilime yakn bir iaret alnmaldr.
V VTepe

ekil-2.6 Yarm dalga dorultma devresinin k dalga biimleri Yarm dalga dorultma devresinin kndan alnan iaretin DC deeri nemlidir. Bu deeri lmek iin k ykne (RL) paralel bir DC voltmetre baladmzda ekil2.6daki iaretin ortalama deerini leriz. Yarm dalga dorultma devresinin giriine uyguladmz iaret 12Vrms deerine sahipti. Bu iaretin tepe deeri ise;

VTepe = 2 12V 17V

civarndadr. O halde k iaretinin alaca dalga biimi ve ortalama deeri ekil-2.7 zerinde gsterelim.
V VTepe Vort =VDC 0 T t

ekil-2.7 Yarm dalga dorultma devresinde k iaretinin ortalama deeri

33

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Tam bir periyot iin k iaretinin ortalama deeri; VOrt = V DC = Vt 17V = = 5.4 volt 3.14

olarak bulunur. Yukarda belirtilen deerler gerekte ideal bir diyot iindir. Pratikte 1N4007 tip kodlu silisyum bir diyot kullandmz dnelim. Bu durumda k iaretinin dalga biimi ve alaca deerleri bulalm.
V F =0.7v VGiri + 0 t 12Vrms 50Hz RL + VT=17-0.7 t V DC =5.19 0 t

ekil-2.8 Pratik Yarm Dalga dorultma devresi k iaretinin alaca tepe deer; VTepe=17V-0.7V=16.3Volt Dolays ile ka balanacak DC voltmetrede okunacak ortalama deer (veya DC deer); VOrt = V DC = olarak elde edilir. Vt 16.3V = = 5.19 volt 3.14

2.2

TAM DALGA DORULTMA

Basit ve ekonomik DC g kaynaklarnn yapmnda yarmdalga dorultma devreleri kullanlr. Profesyonel ve kaliteli DC g kaynaklarnn yapmnda ise tam dalga dorultma devreleri kullanlr. Tam dalga dorultma devresi knda dc gerilime daha yakn bir deer alnr. Tam dalga dorultma devreleri; orta ulu ve kpr tipi olmak zere iki ayr tipte tasarlanabilir. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz. Yarmdalga dorultma ile tam dalga dorultma arasndaki farklar. Tamdalga dorultma devresinde elde edilen k iaretinin analizi Orta ulu tamdalga dorultma devresinin analizi Kpr tipi tamdalga dorultma devresinin analizi

34

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Bir nceki blmde yarm dalga dorultma devresini incelemitik. Yarm dalga dorultma devresinde ehir ebekesinden alnan sinsoydal iaretin sadece tek bir alternansnda dorultma ilemi yaplyor, dier alternans ise kullanlmyordu. Dolaysyla yarmdalga dorultmacn kndan alnan gerilimin ortalama deeri olduka kktr. Bu ekonomik bir zm deildir. Tamdalga dorultma devresinde ise dorultma ilemi, ebekenin her iki alternansnda gerekletirilir. Dolaysyla k gerilimi daha byk deerdedir ve DCye daha yakndr. Bu durum ekil-2.9 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
Vt
0

V t Vgiri
YARIMDALGA DORULTMA DEVRES

Vk

Vt

Vt
0

V t Vgiri
TAMDALGA DORULTMA DEVRES

Vk

Vt

ekil-2.9 Yarm dalga ve tamdalga dorultma devresinde k dalga biimleri Tamdalga dorultma devresinde k iaretinin alaca DC deer aadaki forml yardmyla bulunur.
VOrtalama = VDC = 2Vt

rnein tamdalga dorultma giriine 17V tepe deerine sahip sinsoydal bir iaret uygulanmsa bu durumda k iaretinin alaca deer;
VOrtalama = V DC = 2 (17V ) = 10.8 volt 3.14

olarak elde edilir. Bu durum bize tamdalga dorultma devresinin daha avantajl olduunu kantlar.

Tamdalga Dorultma Devresi

Tamdalga dorultma devresi ekil-2.10da grlmektedir. Bu devre, orta ulu bir transformatr ve 2 adet diyot ile gerekletirilmitir. Transformatrn primer sarglarna uygulanan ebeke gerilimi, transformatrn sekonder sarglarnda tekrar elde edilmitir. Sekenderde elde edilen geriliminin deeri transformatr dntrme oranna baldr. Transformatrn sekonder sargs ekilde grld gibi uludur ve orta ucu referans olarak alnmtr. Sekonder sargsnn orta ucu referans (ase) olarak alndnda sekonder sarglar zerinde oluan gerilimin dalga biimleri ve ynleri ekil-2.10 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.

35

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VIKI
Vsek/2

Vgiri

D1
0

+
RL _
0

t Vsek/2

D2

ekil-2.10 Orta ulu tamdalga dorultma devresi Orta ulu tamdalga dorultma devresinin incelenmesi iin en iyi yntem ebeke geriliminin her bir alternans iin devreyi analiz etmektir. Orta u referans olarak alnrsa, sekonder gerilimi iki ayr deere (Vsek/2) dntrlmtr. rnein; Vgiri iaretinin pozitif alternansnda, transformatrn sekonder sargsnn st ucunda pozitif bir gerilim oluacaktr. Bu durumda, D1 diyodu doru polarmalandrlm olur. Akm devresini; trafonun st ucu, D1 diyodu ve RL yk direnci zerinden transformatrn orta ucunda tamamlar. RL yk direnci zerinde ekil-2.11de belirtilen ynde pozitif alternans oluur. Akm yn ve akmn izledii yol ekil zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
+ +
Vgiri D1

+
RL _
0

VIKI

D2
kesim

ekil-2.11 Pozitif alternansta devrenin almas ve akm yolu ebekenin negatif alernansnda; transformatrn sekonder sarglarnda oluan gerilim dm bir nceki durumun tam tersidir. Bu durumda aseye gre; sekonder sarglarnn st ucunda negatif alternans, alt ucunda ise pozitif alternans oluur. Bu durum ekil-2.12 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir. Bu durumda D2 diyodu iletken, D1 diyodu ise yaltkandr. Akm devresini trafonun orta ucundan balayarak D2 zerinden ve RL yk zerinden geerek tamamlar. Yk zerinde ekil-2.12de belirtilen dalga ekli oluur. Akm yolu ve gerilim dmleri ekil zerinde gsterilmitir.

36

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

D1

Vgiri

VIKI
kesim

+
RL _
0

+
0 t

+
D2

ekil-2.12 Negatif alternansta devrenin almas ve akm yolu Orta ulu tamdalga dorultma devresinde elde edilen k iaretinin dalga biimini tekrar ele alp inceleyelim. Devrede kullanlan transformatrn sekonder sarglarnn 2x12Vrms deere sahip olduunu kabul edelim. Bu durumda transformatrn sekonder sargsnda elde edilen iaretin tepe deeri;
VTepe = 2 V rms 1.41 12V = 17 volt

olur. Devrede kullanlan diyotlar ideal olamaz. Silisyum diyot kullanlacaktr. Bu nedenle diyot zerinde 0.7V gerilim dm meydana gelir. Bu durumda RL yk direnci zerinde den k geriliminin tepe deeri;
VTepe = 17V 0.7 = 16.3 volt

olacaktr. kta elde edilen iaretin DC deeri ise devreye bir DC voltmetre balanarak llebilir. Bu deer k iaretinin ortalama deeridir ve aadaki formlle bulunur.
VOrtalama = 2(VTepe V D ) = 2(17 0.7) = 10.3 volt 3.14

k iaretinin dalga biimi ve zellikleri ekil-2.13 zerinde gsterilmitir.

V k VTepe =16.3V VOrt =10.3V 0 t

ekil-2.13 k dalga biiminin analizi

Kpr Tipi Tamdalga Dorultma

Tamdalga dorultma devresi tasarmnda dier bir alternatif ise kpr tipi tamdalga dorultma devresidir. Kpr tipi tamdalga dorultma devresi 4 adet diyot kullanlarak gerekletirilir. ehir ebekesinden alnan 220Vrms/50Hz deere sahip sinsoydal gerilim bir transformatr kullanlarak istenilen deere dntrlr. Transformatrn sekonderinden alnan gerilim dorultularak ktaki yk (RL) zerine aktarlr. Dorultma ileminin nasl yapld ekil-2.14 ve ekil-2.15 yardmyla

37

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

anlatlacaktr. ehir ebekesinin pozitif alternansnda; transformatrn sekonder sargsnn st ucunda pozitif alternans oluur. D1 ve D2 diyodu doru ynde polarmaland iin akm devresini D1 diyodu, RL yk direnci ve D2 diyodundan geerek transformatrn alt ucunda tamamlar. RL yk direnci zerinde pozitif alternans oluur. Bu durum ve akm yn ekil-2.14de ayrntl olarak gsterilmitir.

+ Vgiri

D3

D1 + V k

~
-

D2
~

+
D4 RL _ t

ekil-2.14 Pozitif alternansta tamdalga dorultma devresinin davran ebekenin negatif alternansnda; bu defa transformatrn alt ucuna pozitif alternans oluacaktr. Bu durumda D3 ve D4 diyotlar doru ynde polarmalanr ve iletime geerler. Akm devresini; D4 diyodu, RL yk direnci ve D3 diyodu zerinden geerek transformatrn st ucunda tamamlar ve RL yk direnci zerinde pozitif alternans oluur. Bu durum ayrntl olarak ekil-2.15 zerinde gsterilmitir.

Vgiri

D3

D1 + Vk

~
+ +

D2
~

+
D4 RL _ t

ekil-2.15 Negatif alternansta tamdalga dorultma devresinin davran Tamdalga dorultma devresinde k iaretinin ald DC deer hesaplanmaldr. rnein transformatrn sekonder gerilimi 12Vrms (etkin) deere sahip ise bu gerilimin tepe deeri;
VTepe = 2 Vrms 1.41 12V = 17 volt

deerine eit olur. Dorultma ileminde tek bir alternans iin iki adet diyot iletken olduunda diyotlar zerinde den ngerilimler dikkate alndnda RL yk direnci zerinde oluan k gerilimin tepe deeri;

38

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VCikis (Tepe ) = VTepe (V D1 + V D 2 ) Vikis (Tepe) = 17 (0.7 + 0.7) = 15.4 volt

deerine sahip olur. Bu durum ekil-2.16 zerinde gsterilmitir. Tamdalga dorultma devresinde k iaretinin alaca ortalama veya DC deeri ise;
VOrtalama = V DC = 2Vikis (Tepe ) = 2(15.4) = 9.8 volt 3.14

Vk V TE P E=15.4V VORT=10.3V 0V t

ekil-2.16 Kpr tipi tamdalga dorultma devresinde k iaretinin analizi

2.3

DORULTMA FLTRELER

Yarmdalga ve tamdalga dorultma devrelerinin klarndan alnan dorultmu sinyal ideal bir DC sinyalden ok uzaktr. Dorultucu devrelerin kndan alnan bu sinyal, darbelidir ve bir ok ac bileen barndrr. Elektronik devre elemanlarnn tasarmnda ve gnlk hayatta kullandmz DC sinyal ise ideal veya ideale yakn olmaldr. AC bileenler ve darbeler barndrmamaldr. ehir ebekesinden elde edilen dorultulmu sinyal eitli filtre devreleri kullanlarak ideal bir DC gerilim haline dntrlebilir. En ideal filtreleme elemanlar kondansatr ve bobinlerdir. Bu blmde bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz. Filtre ileminin nemi ve amalarn, Kondansatr (C) ile gerekletirilen kapasitif filtre ilemini Rpl gerilimini ve rpl faktrn LC filtre ve T tipi filtreler

DC G kayna tasarm ve yapmnda genellikle 50Hz frekansa sahip ehir ebeke geriliminden yararlanlr. Bu gerilim tamdalga dorultma devreleri yardmyla dorultulur. Dorultma kndan alnan gerilim ideal bir DC gerilim olmaktan uzaktr. eitli darbeler barndrr ve 100Hzlik bir frekansa sahiptir. Bu durum ekil-2.17de ayrntl olarak gsterilmitir.

39

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

V 0 t Tamdalga Dorultma Devresi

V 0 t Filtre Devresi

V 0 t

ekil-2.17 Dorultma Devrelerinde Filtre ilemi Dorultma kndan alnan gerilim, byk bir dalgalanmaya sahiptir ve tam bir DC gerilimden uzaktr. Filtre knda ise dalgalanma oran olduka azaltlmtr. Elde edilen iaret DC gerilime ok yakndr. Filtre knda kk de olsa bir takm dalgalanmalar vardr. Bu dalgalanma Rpl olarak adlandrlr. Kaliteli bir dorultma devresinde rpl faktrnn minimum deere drlmesi gerekmektedir.

Kapasitif Filtre
Dorultma devrelerinde filtrelemenin nemi ve ilevi hakknda yeterli bilgiye ulatk. Filtreleme ilemi iin genellikle kondansatr veya bobin gibi pasif devre elemanlarndan faydalanlr. Dorultma devrelerinde, filtreleme ilemi iin en ok kullanlan yntem kapasitif filtre devresidir. Bu filtre ileminde kondansatrlerden yararlanlr. Kapasitif filtre ileminin nasl gerekletirildii bir yarm dalga dorultma devresi zerinde ekil-2.18 yardmyla ayrntl olarak incelenmitir. Kondansatr ile gerekletirilen filtre ilemi ekil-2.18de ayrntl olarak gsterilmitir. Sisteme enerji verildiinde nce pozitif alternansn geldiini varsayalm. Bu anda diyot doru polarmaland iin iletkendir. zerinden akm akmasna izin verir. Pozitif alternansn ilk yars yk zerinde oluur. Devredeki kondansatrde ayn anda pozitif alternansn ilk yar deerine arj olmutur. Bu durum ekil-2.18.a zerinde gsterilmitir.
_
VT(giri)-0.7V Vgiri

+
VT(giri)

+
0V

+ VC 0V t0

+ RL -

ekil-2.18.a Poizitif alternansta diyot iletken, kondansatr belirtilen ynde arj oluyor

40

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

0V

Vgiri

+ VC 0V t0 t1

+ RL -

ekil-2.18.b Negatif alternansnda diyot yaltkan, kondansatr RL yk zerine dearj oluyor.

+ _

+
0V t0 t1 t2 Vgiri VC

+ 0V t0 t1 t2

+ RL -

ekil-2.18.c Yk zerinde grlen k iaretinin dalga biimi Pozitif alternansn ikinci yars olumaya baladnda diyot yaltmdadr. Diyotun katodu anaduna nazaran daha pozitiftir. nk kondansatr giri geriliminin tepe deerine arj olmutur. Kondansatr arj gerilimini ekil-2.18.bde belirtildii gibi yk zerine boaltr. ebekeden negatif alternans geldiinde ise diyot ters polarma olduu iin yaltmdadr. Kondansatrn dearj ehir ebekesinin negatif alternans boyunca devam eder. ebekenin pozitif alternans tekrar geldiinde bir nceki admda anlatlan ilemler devam eder. Sonuta k yk zerinde oluan iaret DCye olduka yakndr. k iaretindeki dalgalanmaya rpl denildiini belirtmitik. DC g kaynaklarnda rpl faktrnn minimum dzeyde olmas istenir. Bu amala filtreleme ilemi iyi yaplmaldr. Kondansatrle yaplan filtrreleme ileminde kondansatrn kapasitesi byk nem tar. ekil-2.19de filtreleme kondansatrnn k iaretine etkisi ayrntl olarak gsterilmitir.

0V Byk kapasiteli C Kk kapasiteli C

ekil-2.19 Filtre kondansatr deerlerinin k iareti zerinde etkileri Filtreleme ileminin tamdalga dorultma devresinde daha ideal sonular verecei aktr. ekil-2.20de ise tamdalga dorultma devresinde gerekletirilen kapasitif filtreleme ilemi sonunda elde edilen k iaretinin dalga biimi verilmitir.

41

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rpl

rpl

ekil-2.20 Tamdalga dorultma devresinde kapasitif filtreleme ilemi ve rpl etkileri Filtreleme ilemi sonunda elde edilen k iaretinin dalga biimi bir miktar dalgalanma iermektedir. Bu dalgalanmaya rpl ad verildiini daha nce belirtmitik. Filtrelemenin kalitesini ise rpl faktr=rp belirlenmektedir. Rpl faktr yzde olarak ifade edilir. Rpl faktrnn hesaplanmasnda ekil-2.21den yararlanlacaktr.

} Vr(t-t)
VDC

ekil-2.21 Tamdalga dorultmata rpl faktrnn bulunmas Rpl faktr= Rf = Vr V DC

Formlde kullanlan Vr ifadesi; filtre kndan alnan geriliminin tepeden tepeye dalgalanma miktardr. VDC ise filtre kndan alnan gerilimin ortalama deeridir. knda yeterli byklkte kapasitif filtre tamdalga dorultma devresinde bu iki gerilim iin aadaki tanmlamalar. Tamdalga dorultma devresi iin filtre kndaki dalgalanma miktar Vr, dorultma kndan alnan ve filtreye uygulanan giri iareti tepe deerinin (VT) maksimum %10u kadar ve bu snrlar ierisinde ise, Vr ve VDC deerleri aadaki gibi formle edilebilir. 1 Vr = f R C VT (in ) L 1 V DC = 1 2 f R C VT (in ) L Formlde kullanlan f deerleri frekans deerini belirtmektedir. Bir tamdalga dorultma devresinde k iaretinin frekansnn 100Hz, yarm dalga dorultma devresinde ise 50Hz olduu unutulmamaldr. ekil-2.22de yarmdalga ve tamdalga dorultma devresi klarnda elde edilen filtresiz iaretlerin dalga biimleri ve ehir ebekesine bal olarak peryot ve frekanslar tekrar hatrlatlmtr.

42

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Yarm dalga dorutma devresinde k iaretinin frekans

T = 20ms
0

1 1 f YD = = = 50 Hz T 20ms

TYD

Tam dalga dorutma devresinde k iaretinin frekans

T TD

1 T f TD = YD = 2 T = 2 f YD 2 YD f TD = 2 50 Hz = 100 Hz

ekil-2.22 Yarmdalga ve tamdalga dorultma devrelerinde k iaretinin frekanslar

rnek: 2.1

Aada verilen tamdalga dorultma devresinin analizini yapnz?

D1 D4
220Vrms 50Hz 24Vrms 50Hz

D2

C 47 F

RL 1K

nce transformatrn sekonder geriliminin tepe deerini bulalm.

D3

zm

VT ( sek ) = (1.414) (24V ) = 34V Dorultma knda elde edilen dorultulmu gerilimin deerini bulalm; VT (in ) = (34V 1.4V ) = 32.6V Filtre kndan elde edilecek k gerilimi deerini bulalm. 1 V DC = 1 2 f R C VT (in ) L 1 V DC = 1 2 100 Hz 1K 47 F 32.6V V DC = (1 0.10) 32.6V V DC = 29.3V Devre kndan alnan iaretin tepeden tepeye rpl gerilimi Vr; 1 Vr = f R C VT (in ) L

43

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

1 Vr = 100 Hz 1K 47 F 32.6V Vr = (0.21) 32.6V = 6.9V k geriliminin rpl faktrn bulalm. Rf = Vr V DC Rf = 6.9 29.3

Rf=0.23 Rpl faktr genellikle yzde olarak ifade edilir. knda kapasitif filtre kullanlan bir dorultma devresi ekil-2.23de verilmitir. Bu devrede S anahtar kapatld anda; filtre kandansatr ilk anda yksz (bo) olduu iin ksa devre etkisi gstererek ar akm eker. Dolaysyla devreyi korumak amac ile kullanlan sigorta (F) atabilir. Ayrca diyotlar zerinden geici bir an iinde olsa yksek akm geer. Devrenin ilk alnda oluan ar akm etkisini minimuma indirmek iin genellikle bir akm snrlama direnci kullanlr. Bu diren ekil zerinde RANI olarak tanmlanmtr. Ar akm etkisini minimuma indirmek iin kullanlan RANI direncinin deeri nemlidir. Bu diren diyot zerinden geecek tepe akm deerini snrlamaldr. Uygulamalarda bu diren zerinde bir miktar g harcamas olaca dikkate alnmaldr. VT ( sek ) 1.4V R ANI = IF
F Sigorta

D1

D4

RA NI

D2

C 47F

RL 1K

ekil-2.23 Tamdalga dorultma devresinde ar akmn nlenmesi

D3

LC Filtre
Dorultma devrelerinde rpl faktrn minimuma indirmek iin bir dier alternatif bobin ve kondansatrden oluan LC filtre devresi kullanmaktr. ekil-2.22de LC filtre devresi grlmektedir.
L AC Giri

Tamdalga Dorultma

LC Filtre

RL

ekil-2.24 Tamdalga dorultma devresinde LC filtre

44

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Bu filtre devresinde bobinin endktif reaktans (XL) ve kondansatrn kapasitif reaktansndan (XC) yararlanlarak filtre ilemi gerekletirilir. Byle bir filtre devresinde giri ve k iaretlerinin dalga biimleri ekil-2.25 zerinde gsterilmitir. k geriliminin alaca deer ve dalgallk miktar aada formle edilmitir. XC Vr ( out ) = X X C L
XL
Vr(in)

V r (in )

AC Giri

Dorultma Devresi

XC

Vr(out)

ekil-2.25 Tamdalga dorultma devresinde LC filtre

ve T Tipi Filt re
LC tipi filtre devreleri gelitirilerek ok daha kaliteli filtre devreleri oluturulmutur. ve T tipi filtreler bu uygulamalara iyi bir rnektir. Rpl faktrnn minimuma indirilmesi gereken ok kaliteli dorultma klarnda bu tip filtreler kullanlabilir. ekil-2.23de ve T tipi filtre devreleri verilmitir.
V giri
C1 L C2

Vk

V giri

L1 C1

L2

Vk

? - tipi filtre

T - tipi filtre

ekil-2.23 ve T tipi filtre devreleri

2.4

KIRPICI DYOT DEVRELER

Elektronik biliminin temel ilevi, elektriksel sinyalleri kontrol etmek ve ihtiyaca gre ilemektir. Pek ok cihaz tasarmnda elektriksel bir iareti istenilen seviyede krpmak veya snrlandrmak gerekebilir. Belirli bir sinyali krpma veya snrlama ilemi iin genellikle diyotlardan yararlanlr. Bu blmde krpc (Limiting) diyot devrelerini ayrntl olarak inceleyeceiz. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz. Krpc diyot devrelerinin zellikleri ve ilevleri. Polarmal krpc devrelerin zellikleri ve analizi

45

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Krpc Devreler
Krpc devreler, giriine uygulanan iaretin bir ksmn kana aktarp, dier bir ksmn ise krpan devrelerdir. rnein ekil-2.24de grlen devrede giri iaretinin pozitif alternans krplp atlm, ka sadece negatif alternans verilmitir. Devrenin almasn ksaca anlatalm. Giri iaretinin pozitif alternansnda diyot doru ynde polarmalanr. nk; anaduna +VT gerilimi, katoduna ise ase (0V) uygulanmtr. Diyot iletimdedir. Diyot zerinde 0.7V n gerilim grlr. Bu gerilim, diyoda paralel balanm RL yk direnci zerinden alnr. Giri iaretinin negatif alternansnda ise diyot ters ynde polarmalanmtr. Dolaysyla kesimdedir. Negatif alternans olduu gibi RL yk direnci zerinde grlr. Bu durum ekil-2.24de ayrntl olarak gsterilmitir.

R1

VT V giri
0

+
RL

Vk

+0.7V

-VT

ekil-2.24 Pozitif krpc devre ve k dalga biimi Giri iaretinin sadece negatif alternansnn krpld, negatif krpc devre ekil-2.25de grlmektedir. Bu devrede; giri iaretinin negatif alternans krplm, ktan sadece pozitif alternans alnmtr. Devrenin almasn ksaca aklayalm. Giri iaretinin pozitif alternansnda, diyot ters ynde polarmalanmtr. Dolaysyla kesimdedir. Giriteki pozitif alternans RL yk direnci zerinde olduu gibi elde edilir. Giri iaretinin negatif alternansnda ise diyot iletimdedir. zerinde sadece 0.7V diyot n gerilimi elde edilir. Bu gerilim diyoda paralel bal RL yk direnci zerindede oluacaktr.
R1

VT V giri 0 -VT
+
RL

Vk

0 -0.7V

ekil-2.25 Negatif krpc devre

46

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Her iki krpc devrede ktan alnan iaretin deerini belirlemede R1 ve RL direnleri etkindir. k iaretinin alaca deer yaklak olarak;
RL Vikis (Tepe) = VGiri R L + R1

forml ile elde edilir.

rnek: 2.2

Aada verilen krpc devrenin analizini bir tam peryot iin yapnz?
20V

R1=220 RL 2.2K

0
-20V

Giri iaretinin pozitif alternansnda diyot ak devredir. Dolaysyla kta RL yk zerindeki gerilim dm;
RL VT ( out ) = VT (in ) R1 + R L

2 .2 K VT ( out ) = 20V 100 + 2.2 K

VT ( out ) = 19.13V

Negatif alternansta ise diyot iletkendir. Dolaysyla kta -0.7V grlr. Devrenin giri ve k iaretlerinin dalga biimleri aada verilmitir.
20V 19.3V 0 -0.7V

0
-20V

Polarmal Krpclar
Pozitif veya negatif alternanslar krpan krpc devreleri ayrntl olarak inceledik. Dikkat ederseniz krpma ilemi diyot ngerilimi hari bir tam periyot boyunca gerekleiyordu. Bu blmde k iaretinin pozitif veya negatif alternanslarn istenilen veya belirtilen bir seviyede krpan devreleri inceleyeceiz. Giriinden uygulanan sinsoydal iaretin pozitif alternansn istenilen bir seviyede krpan krpc devre ekil-2.26da grlmektedir. Devre giriine uygulanan sinsoydal iaretin (Vg) pozitif alternans, VA geriliminin belirledii deere bal olarak krplmaktadr.

47

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

R1

Vt Vgiri
0

+
RL +

Vk

VA+0.7V 0

-Vt

VA

ekil-2.26 Polarmal pozitif krpc devre Devre analizini Vg geriliminin pozitif ve negatif alternanslar iin ayr ayr inceleyelim. Giriten uygulanan iaretin pozitif alternans, diyodun katoduna bal VA deerine ulaana kadar diyot yaltmdadr. nk diyodun katodu anaduna nazaran pozitiftir. Bu durumda devre knda Vg gerilimi aynen grlr. Giriten uygulanan Vg geriliminin pozitif alternans VA deerinden byk olduunda (Vg=0.7+VA) diyot doru ynde polarmalanacaktr ve iletime geecektir. Diyot iletime getii anda VA gerilimi dorudan ka aktarlacak ve RL yk zerinde grlecektir. Giri iareti negatif alternansa ulatnda ise diyot devaml yaltmdadr. Dolaysyla VA kayna devre ddr. RL yk zerinde negatif alternans olduu gibi grlr. Devrede kullanlan R1 direnci akm snrlama amacyla konulmutur. zerinde oluan gerilim dm kk olaca iin ihmal edilmitir. Diyot zerine den n gerilim (0.7V) diyot ideal kabul edilerek ihmal edilmitir. ekil-2.27de ise polarmal negatif krpc devre grlmektedir. Bu devre, giri iaretinin negatif alternansn istenilen veya ayarlanan bir seviyede krpmaktadr. Giri iaretinin tm pozitif alternans boyunca devredeki diyot yaltkandr. nk ters polarmalanr. Dolaysyla VA kayna devre ddr. ktaki RL yk zerinde tm pozitif alternans olduu gibi grlr. Giri iaretinin negatif alternans, diyodun anaduna uygulanan VA geriliminden daha byk olana kadar diyot yaltma devam eder. Dolaysyla kta negatif alternans grlmeye devam eder. Giri iaretinin negatif alternans VA gerilimi deerinden byk olduunda (Vg=0.7+VA) diyot iletime geecektir. Diyot iletime getii anda kta VA kayna grlr.
R1

VT

+
RL

Vgiri

Vk

-VT

VA
+

0 -VA-0.7V

ekil-2.27 Polarmal negatif krpc devre

48

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ekil-2.28deki devre ise, giri iaretinin pozitif seviyesini VA gerilimine bal olarak snr-lamaktadr. Giri iareti, diyodun anaduna balanan VA deerine ulaana kadar diyot iletimdedir. Bu durumda kta VA kayna grlr. Giriten uygulanan iaret VA dee-rinden byk olduunda ise diyot ters polarma olarak yaltma gidecektir. Diyot yaltm-da olduunda devre knda giri iareti aynen grlecektir. Dolaysyla giri iaretinin tm negatif alternans boyunca diyot iletimde olduu iin kta VA kayna grlecektir.
VT Vgiri
0

R1

+
RL
+

-VT

VA

VA-0.7V 0

ekil-2.28 Polarmal pozitif snrlayc devre Giri iaretinin negatif seviyesini istenilen bir deerde snrlayan devre emas ekil2.29da verilmitir. Giri iaretinin tm pozitif alternans boyunca diyot doru polarmalanr ve iletimdedir. kta VA kayna olduu gibi grlr. Giri iaretinin negatif alternans, diyodun katoduna uygulanan VA geriliminden daha negatif olduunda ise diyot yaltma gidecektir. Diyot yaltma gittiinde giri iareti aynen kta grlecektir.
R1

VT Vgiri
0

+
RL
0

VA -VT
+

-VA+0.7V

ekil-2.29 k dalga biiminin analizi Krpc devreler, diyotlarn alma prensiplerinin anlalmas ve analizi iin olduka nemlidir. Unutulmamaldr ki bir ok elektronik devre tasarmnda ve elektronik cihazlarda DC ve AC iaretler i iedir ve birlikte ileme tabi tutulurlar. Dolaysyla herhangi bir sinyalin ilenmesinde diyodun ilevi nem kazanr. Krpc devreler, seri ve paralel olarakta tasarlanabilir. Bu blmde seri ve paralel krpc devreler srayla verilmitir.
R1

+ Vg

+ +
5V

R1

5+0.7V

Vg

+
5V

49

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

R1

+ Vg
5V

+
R1

V +

Vg
5V

V +

0 -5-0.7V

R1

+ Vg +
5V

+
R1

5-0.7V

Vg

+
5V

R1

+ Vg
5V

+
R1

V +

Vg
5V

V +

0 -5+0.7V

ekil-2.30 Paralel ve seri krpc diyot devreleri

2.5

GERLM KENETLEYCLER
Gerilim kenetleyiciler; girilerinden uygulanan bir iaretin alt veya st seviyesini, istenilen sabit bir gerilime kenetlemek veya tutmak amac ile tasarlanmlardr. Kenetleme devreleri; pozitif veya negatif kenetleme olmak zere ikiye ayrlrlar. Pozitif kenetlemede, giriten uygulanan iaretin en alt seviyesi sfr referans noktasnda kenetlenir. Negatif kenetlemede ileminde ise, giriten uygulanan iaretin en st seviyesi sfr referans noktasna kenetlenir. Bu blmde; pozitif ve negatif kenetleme ilemlerinin nasl gerekletirildii incelenecektir. Gerilim kenetleme ilemi gerekte, bir iaretin dc seviyesini dzenleme ilemidir. Kenetleme pozitif ve negatif kenetleme olmak zere iki temelde yaplabilir. Pozitif ve negatif gerilim kenetleme ilemi ekil-2.31de grsel olarak verilmitir.

50

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+2V +V +V t Pozitif Kenetleyici Devre 0 t 0 -V Giri areti k areti Giri areti -2V t Negatif Kenetleyici Devre 0 k areti t

0
-V

ekil-2.31 Pozitif ve negatif gerilim kenetleme ilemi Pozitif kenetleyici devre giriine uygulanan iaret, +V ve V seviyelerinde salnmaktadr. Kenetleyici knda ise bu iaret 0V referans seviyesine kenetlenmitir. Yaplan bu ilem sonucunda giri iaretinin, negatif seviyesi kaydrlmtr. ktan alnan iaret artk 0V ile +2V deerleri arasnda salnmaktadr. Negatif kenetleyici devre giriine uygulanan iaret de ayn ekilde, +V ve V seviyelerinde salnmaktadr. Kenetleyici knda bu iaret 0V referans seviyesine kenetlenmitir. Bu ilem sonucunda giri iaretinin, pozitif seviyesi 0V referans alnarak kaydrlmtr. ktan alnan iaret artk 0V ile 2V deerleri arasnda salnmaktadr. Pozitif ve negatif gerilim kenetleyici devreleri ayr ayr inceleyelim.

Pozitif Gerilim Kenetleyici

ekil-2.32de pozitif gerilim kenetleyici devre grlmektedir. Bu devre bir diyot, bir kondansatr ve diren kullanarak gerekletirilmitir.

T 0 Vt

+
VC Diyot letimde RL

t +

VC=VT-0.7V 0.7V RL

ekil-2.32 Pozitif gerilim kenetleyici devre Kenetleme ileminin gereklemesi iin bu elemanlarn kullanlmas zorunludur. Devrede kullanlan R ve C elemanlarnn deeri olduka nemlidir. Bu elemanlarn zaman sabitesi (=RC) yeterince byk seilmelidir. Devrenin almasn ksaca anlatalm. Devre giriine uygulanan iaretin negatif alternasnn ilk yarm sayklnda; diyot doru ynde polarmalanr ve iletkendir. Diyot ksa devre etkisi gstereceinden RL direncinin etkisini ortadan kaldrr. Kondansatr, annda sarj olarak dolar. Kondansatr zerindeki gerilim;

51

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VC = VT (0.7V ) deerine eit olur. Bu gerilimin polaritesi; ekil zerinde belirtildii yndedir. Giri iaretinin negatif alternansnda; kenetleyici knda (RL yk direnci zerinde) 0.7Vluk diyot ngerilimi elde edilir. Bu durum ekil-2.32 zerinde gsterilmitir. Giri iaretinin pozitif yarm sayklnda ise diyot ak devredir. Devreden herhangi bir akm akmaz. RL yk direnci zerinde ise; giri iareti ve kondansatr zerindeki gerilimlerin toplam grlr. Devreye K.G. K uygulanrsa k gerilimi; V RL = VC + VT V RL = (Vt 0.7) + VT V RL 2 VT (0.7) Devre giriine uygulanan ve +VT ve VT deerlerinde salnan giri iareti, kenetleyici devre knda 0V veya 0.7V referans seviyesine kenetlenmitir. k iareti artk yaklak olarak 0.7V ile +2VT deerleri arasnda salnmaktadr. Giri iaretinin negatif tepe deeri, 0V (0.7V) referans seviyesine kenetlenmitir. Bu durum ekil-2.33de ayrntl olarak gsterilmitir.

+VT 0 -Vt T t

+ +

2VT-(0.7) Diyot yaltmda VT-(0.7) RL -0.7V 0

VC=VT-0.7V t

ekil-2.33 Pozitif gerilim kenetleyici ve k dalga biimleri

Negatif Gerilim Kenetleyici

Giri geriliminin st seviyesini, 0V referans noktasna kenetlemek iin negatif kenetleyici kullanlr. Negatif kenetleyici devresinde diyot, kondansatr ve diren elemanlar kullanlr. Kenetleme ilemi; bir diyot yardm ile kondansatrn arj ve dearjndan yararlanlarak gerekletirilir. ekil-5.34de negatif kenetleyici devre grlmektedir. Devre zerinde, kenetleyici giriine uygulanan iaret ve kndan alnan kenetlenmi iaret gsterilmitir.
VC=-VT+0.7V +0.7V 0 -VT+(0.7) RL -2VT+(0.7) T t

+VT 0 -VT

T t

Diyot iletimde

ekil-5.34 Negatif gerilim kenetleyici devre

52

ANALOG ELEKTRONK- I Polarmal Kenetleyici

Kaplan

Polarmal kenetleyici; giriinden uygulanan iareti dc bir deer zerine bindirerek kna aktarr. ekil-2.35de giriinden uygulanan sinsoydal gerilimi, VA ile tanmlanan dc gerilim kaynana kenetleyen polarmal bir gerilim kenetleyici devresi grlmektedir.

+
+Vm 0 -Vm t1 t2 T VC=Vm-VA

+
t Vi

+ +
RL 100K Vi

VA

VA

RL 100K

ekil-2.35 Polarmal kenetleyici devresi Devrede giri gerilimi Vi, VA dc gerilim kaynandan byk olduunda (VmSinWt>VA) diyot iletime geecektir. Diyot iletime getiinde devrenin edeeri ekilde gsterilmitir. Giri gerilimi Vi, maksimum deere ulat anda (+Vm), K.G.K yazarsak;
Vm sin wt + VC + V A = 0V

olur. Vc, kondansatr zerindeki arj gerilimidir. Kondansatr zerinde den gerilimi hesaplarsak; VC = Vm sin wt V A bulunur. Bu deerler nda RL yk direnci zerinde oluan k gerilimi; K.G.Kdan; V RL = VC + Vm sin wt olur. Kondansatr gerilimini (Vc=Vm sinwt-VA) eitlie yerletirirsek; VRL = (Vm sin wt V A ) + Vm sin wt deeri elde edilir. Burada; sinwt=sin900=1 e eittir. Eitlii yeniden dzenlersek; VRL = (Vm 1 V A ) + Vm 1 VRL = Vm V A + Vm VRL = +V A deerine eit olur. Dolays ile giri iaretinin pozitif tepe deerinde; kenetleyici k VA gerilim kaynann deerine eittir. nk RL yk direnci, VA kaynana paralel hale gelir. Bu durum ekil-2.35de verilmitir.

53

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Giri iaretinin negatif tepe (Vi=Vm sin 2700 t) deerinde ise diyot ters polarma olur ve ak devredir. Kenetleyici devre ekil-2.36da grlen durumu alr.
+
+Vm 0 -Vm t1 t2 T

T VA 0 t

VC=Vm-VA

t Vi 100K VA RL

+
-2Vm+VA

ekil-2.36 Polarmal kenetleyici ve dalga biimleri Giri iaretinin negatif alternansnda devrenin matematiksel analizini yapalm. Diyot yaltmdadr. Kondansatr zerindeki Vc gerilimi arj deerini korur. Vc = Vm sin wt V A RL yk direnci zerinde oluan k gerilimi; K.G.Kdan; V RL = VC Vm sin wt olur. Kondansatr gerilimini (VC=Vm sinwt-VA) eitlie yerletirirsek; VRL = (Vm sin wt V A ) Vm sin wt deeri elde edilir. Burada; sinwt=sin2700=-1 e eittir. Eitlii yeniden dzenlersek; VRL = (Vm ( 1 ) V A ) Vm ( 1 ) VRL = 2Vm + V A deeri elde edilir. Polarmal kenetleyici knda elde edilen iaretin dalga biimi ekil2.36 zerinde gsterilmitir. Sonuta; devre giriinden uygulanan iaret, VA gerilimine kenetlenmitir.

2.6

GERLM OKLAYICILAR
Gerilim oklayclar (voltage multipliers); giriinden uygulanan iareti istee bal olarak birka kat ykseltip kna aktaran devrelerdir. Gerilim oklayclar; gerilim kenetleyici ve dorultma devreleri birlikte kullanlarak tasarlanr. Gerilim oklayc devreler; yksek gerilim alak akm gereksinilen yerlerde kullanlr. TV alclar kullanm alanlarna rnek olarak verilebilir. Bu blm bitirdiinizde; Yarmdalga ve tamdalga gerilim iftleyiciler Gerilim leyiciler Gerilim drtleyiciler Hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.

54

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Gerilim iftleyici
Gerilim iftleyiciler (Voltage Doupling) girilerine uygulanan gerilim deerini, ikiye katlayarak klarna aktaran elektronik dzeneklerdir. Gerilim iftleyicilerin girilerine uygulanan gerilim, ac veya darbeli bir iaret olmaldr. Gerilim iftleyicilerin kndan ise dorultulmu dc gerilim elde edilir. Gerilim iftleyici devrelerin klarndan yaplar gerei srekli olarak byk akmlar ekilemez. Gerilim iftleyici tasarm, yarmdalga ve tamdalga zere iki tipde yaplabilir. ekil2.37de yarmdalga gerilim iftleyici devresi grlmektedir. Gerilim iftleyici devre; gerilim kenetleyici ve yarmdalga dorultma devresinin birlikte kullanlmas ile oluturulmutur. Bu durum ekil-2.37 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
Gerilim Kenetleyici Vi T +Vm 0 -Vm t1 t2 t Vi Vo C1 D2 Vo +2Vm C2 0 t Yarmdalga Dorultma

+
D1

ekil-2.37 Yarmdalga gerilim iftleyici devre Devrenin almasn daha iyi anlayabilmek iin her bir devre blounun ilevleri, dalga ekilleri zerinde ekil-2.38 zerinde gsterilmitir.
+Vm 0 -Vm a) Giri areti T +2Vm t Vm 0 b) Kenetleyici k t 0 c) Dorultucu k T +2Vm

ekil-2.38 Yarmdalga gerilim iftleyici devrenin dalga biimleri Yarmdalga gerilim iftleyici devresinin nasl alt ekil-2.39 zerinde grafiksel olarak analiz edilmitir. Giri iaretinin (Vi) pozitif yarm sayklnda; D1 diyodu iletkendir. C1 kondansatr ekilde belirtilen ynde D1 zerinden, Vc=Vm-0.7V deerine arj olur. D2 ise bu anda ters polarma olduundan yaltmdadr. Dolays ile k gerilimi 0V dur.

55

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+
Vi

C1

D2 Kesimde Vi D1 letimde C2

C1

D2 letimde

Vc=Vm-0.7

+
Vi

Vi D1 C2 Kesimde Vc=2Vm

a) Vi pozitif alternans

b) Vi negatif alternans

ekil-2.39 Yarmdalga gerilim iftleyici devresinin grafiksel analizi Giri iareti Vinin negatif alternansnda ise; D1 diyodu ters polarmalandndan yaltmdadr. D2 diyodu ise iletkendir. C2 kondansatr Vinin maksimum deerine D2 zerinden arj olur. C1 kondansatr ters polaritede dolu olduu iin boalamaz. k iareti C2 kondansatr zerinden alnabilir. C2 zerindeki gerilim ise; K.G.Kdan; VC 1 VC 2 + Vm = 0 VC 2 = VC 2 + Vm = 0

VC2 zerinde, giri iaretinin maksimum deeri olduundan VC2=Vmdir. Dolaysyla kta C2 kondansatr zerinden alnan gerilim, giri gerilimi tepe deerinin 2 katdr. VC 2 = V0 = Vm + Vm VC 2 = V0 = 2Vm

Not: Devre analizinde diyotlar zerine den ngerilimler (0.7V) ihmal edilmitir. Gerilim kenetleyici tasarmnda bir dier alternatif ise Tamdalga gerilim iftleyici devresidir. ekil-2.40da tamdalga gerilim iftleyici devresi grlmektedir.
D1 letimde Vi Vi D1 Kesimde

+
C1

+
Vm C1

+
Vm

+
2Vm

+
C2 C2 Vm

D2 Kesimde

D2 letimde

ekil-2.40 Tamdalga gerilim iftleyici

Transformatrn sekonderinde pozitif alternans olutuunda D1 diyodu doru ynde polarmalanr ve iletime geer. D2 diyodu ise kesimdedir. D1 diyodu iletimde olduunda; C1 kondansatr giri iaretinin maksimum deerine ekilde belirtilen ynde arj olur.

56

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transformatrn sekonderinde negatif alternans olutuunda ise D2 diyodu doru ynde polarmalanr ve iletime geer. D1 diyodu ise kesimdedir. D2 diyodu iletimde olduunda; C2 kondansatr giri iaretinin maksimum deerine (Vm) ekilde belirtilen ynde arj olur. Gerilim iftleyici devre kndan C1 ve C2 kondansatrlerinde oluan gerilimlerin toplam alnr. Dolaysyla k iareti; V0 = +VC 1 + VC 2 olarak alnr.
V0 = +Vm + Vm V0 = 2 Vm

Gerilim leyici
Tipik bir gerilim leyici devresi ekil-2.31de verilmitir. Bu devrenin kndan alnan iaret, giri iaretinin tepe deerinin yaklak 3 katdr. Devre ilk negatif yarm sayklda gerilim iftleyici gibi alr. C1 zerinde ekilde belirtilen ynde giri iaretinin tepe deeri (VT) grlr. C2 zerinde ise giri iaretinin yaklak 2 kat (2VT) grlr. Sonraki negatif sayklda ise D3 diyodu doru ynde polarmalanr. letkendir. C3, 2VT deerine belirtilen ynde arj olur. Gerilim leyici kndan C1 ve C2 zerinde oluan gerilimler toplam 3VT alnr.
VT + C1 Vg D1 C2 _ 2V T + D2 leyici k= 3V T _ 2V T + C3 D3

ekil-2.31 Gerilim leyici devre

Gerilim Drtleyici
Tipik bir gerilim drtleyici devre ekil-2.32de verilmitir. Bu devrenin kndan alnan iaret, giri iaretinin tepe deerinin yaklak 4 katdr. Devre ilk 3 negatif yarm saykl sresinde gerilim leyici gibi alr. C1 kondansatr zerinde ekilde belirtilen ynde giri iaretinin tepe deeri grlr. Devredeki dier tm kondansatrler ise 2VT deerine arj olur. Devre dikkatlice incelenirse her bir negatif alternansta diyotlarn srayla iletken olaca dolays ile kondansatrlerin dolaca grlr.
_ VT + C1 Vg D1 C2 _ + 2VT _ D2 _ 2VT + C3 D3 C4 + 2VT D4

Drtleyici k= 4VT

ekil-2.32 Gerilim drtleyici devre

57

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

k iareti C2 ve C4 kondansatrleri zerinden alnmtr. Dolays ile bu kondansatrler zerinde oluan gerilimler toplam; V=(2VT) + (2VT) V=4VT Deerine eit olur. Gerilim oklayclarn klarndan srekli yksek akm ekilmesi mmkn deildir. Anlk yksek gerilim temininde kullanlabilir.

2.7

DYOT VER SAYFALARI

Uluslaras yariletken retecisi pek ok firma farkl zelliklere sahip yzlerce tip diyot retimi yaparlar. retilen her bir diyot belirli standartlara gre kodlanp tketicinin kullanmna sunulur. retici firmalar; rettikleri her bir diyot tipinin eitli zelliklerini ve karakteristiklerin veri kitapklar (data book) halinde kullancya sunarlar. Devre tasarmlarnda kullanlacak diyot seimi, bu verilerden yararlanlarak seilir. Veri kitapklarnda aada belirtilen zellikler hakknda kullancya ayrntl bilgiler verilmektedir. Bu blmde sizlere rnek olarak seilmi baz diyotlarn veri sayfalar ve karakteristikleri verilecektir. Bu blm bitirdiinizde; alma akm ve geriliminin maksimum deerleri Elektriksel karakteristikleri alma karakteristiklerinin grafiksel analizi

hakknda gerekli bilgileri edineceksiniz. retici firmalar, rettikleri devre elemanlarnn iin genelde iki tr tantm yntemi izlerler. Ksa tantmda elemannn ok ksa bir tantm ve genel zellikleri verilir. Ayrntl tantmda ise elemanla ilgili ayrntl aklamalar, elektriksel grafikler, uygulama notlar v.b zel bilgiler yer alr. Veri tablosunda reticilerin kulland sembollere sadk kalnmtr. Sembollerle ilgili gerekli aklamalar tablo sonunda verilmitir. Pek ok retici veri kitapklarnda bu sembol tanmlarna uymaktadr.

58

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Tablo-1.1 Baz silisyum dorultma diyotlarnn karakteristikleri

VRRM

AIKLAMA

SEMBO 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 1N400 BR L 1 2 3 4 5 6 7 M VRRM VRWM VR

Peak repertitive reverse voltage Working peak reverse voltage DC blocking voltage Nonrepetitive peak reverse voltage RMS reverse voltage Average rectified forward current (single-phase, resistive load, 60Hz, TA=750C Nonrepetitive peak surge current (surge capplied at rated load conditions) Operating and storage junction temperature range VRWM VRSM
: :

50

100

200

400

600

800

1000

VRSM VR(rms) I0

60 35 1.0

120 70 1.0

240 140 1.0

480 280 1.0

720 420 1.0

1000 560 1.0

1200 700 1.0

V V A

IFSM

30

30

30

30

30

30

30

TJ, Tstg

-65.....+175

VR(rms) : I0 IFSM TJ Tstg

: : : :

59

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

SLSYUM DORULTMA DYOTLARI

If (A) KILIF 1.0 A
DO-15 PLASTK

SLSYUM HIZLI (FAST) DYOTLAR

6.0 A 1.0 A
DO-15 PLASTK

1.5 A
DO-15 PLASTK

3.0 A
DO-27A PLASTK

3.0 A
DO-27A PLASTK

6.0 A
P-6 PLASTK

P-6 PLASTK

VRRM VOLT 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 If (ort) If FSM Tj 1N4001* 1N4002* 1N4003* ........... 1N4004* .......... 1N4005* 1N4006* 1N4007* 1A@75 C 50A 175 C 1N5391 1N5392 1N5393 1N5394 1N5395* 1N5396 1N5397 1N5398 1N5399 1.5A@75 C 50A 175 C 1N5540 1N5401 1N5402 ............. 1N5404 ............. 1N5406 1N5407 1N5408 3A@105 C 200A 175 C P600A P600B P600D ............. P600Q ............. P600J P600K 6A@60 C 400A 175 C 1N4933 1N4934 1N4935 ............. 1N4936 ............ 1N4937 ......... ......... 1A@50 C 30A 150 C MR650 MR651 MR652 ............. MR654 ............ MR656 ......... ......... 3A@90 C 100A 175 C MR820 MR821 MR822 ............. MR824 ............ MR826 ......... ......... 5A@55 C 300A 150 C

SLSYUM KPR DYOTLAR

If (A) KILIF 1.0 A
PLASTK KILIF

1.5 A
PLASTK KILIF

1.5 A
PLASTK KILIF

4.0 A
PLASTK KILIF

10.0 A
METAL KILIF

25.0 A
METAL KILIF METAL KILIF

35.0A

+ ~ ~

VRRM VOLT 50 100 200 400 600 800 1000 If (ort) If FRM If FSM Tj WL005F WL01F WL02F WL04F WL06F WL08F WL10F 1A@25 C ....... 30A +175 C W005F W01F W02F W04F W06F W08F W10F 1.5A@50 C ....... 50A +125 C PBF005 PBF01 PBF02 PBF04 PBF06 PBF08 PBF10 PBU4A PBU4B PBU4D PBU4Q PBU4J PBU4K PBU4M ........ PB1001 PB1002 PB1004 PB1006 ......... ......... 10A@55 C 50A 200A +150 C PB2500 PB2501 PB2502 PB2504 PB2506 ........ ........ 25A@55 C 75A 300A +150 C PB3500 PB3501 PB3502 PB3504 PB3506 ........ ........ 35A@55 C 75A 400A +150 C

4A@105 C 4A@65 C ....... ....... 50A 200A -55 C to +150 C -55 C to +150 C

60

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

R62

R70

R72

DO-200

DO-5

DO-8

DO-9

ekil-2.33 eitli diyot klf tipleri ve klf kodlar

BLM ZET

AC gerilimin DC gerilime dntrlmesinde silisyum diyotlarndan yararlanlr. Dntrme ilemini gerekletiren devrelere dorultma denir. ehir ebekesinden alnan ac gerilim dorultma ileminden nce bir transformatr yardmyla istenilen deere drlr. Transformatrler kayplar en az elektrik makineleridir. Transformatrler ac gerilimi istenilen deere dntrme ilemi yannda kullancy ve sistemi ehir ebekesinden yaltr. Transformatr kndan alnan ac gerilim, diyotlar kullanlarak dorultulur. Dorultma ilemi yarm-dalga ve tam-dalga olmak zere iki temelde yaplr. Yarm-dalga dorultma devresinde tek bir diyot kullanlr. Diyot giri ac iaretinin sadece yarm sayklnda (1800) iletkendir. Tam-dalga dorultma devresi, kpr tipi ve orta ulu olmak zere iki temel tipte tasarlanr. Tamdalga dorultma devrelerinin kndan alnan iaretin frekans, giri iaretinin iki katdr. Dolaysyla ktan alnan iaretin ortalama deeri (dc deer) yarm-dalga dorultma devresinden daha byktr. Dorultma kndan alnan iaretler dc gerilimden uzaktr ve ac bileenler (rpl) barndrr. Dorultma klarndan dcye yakn bir dalga formu elde etmek iin filtre devreleri kullanlr. En basit filtre metodu kondansatrle yaplan filtreleme ilemidir. Bu tipi filtre devrelerinde kondansatrn arj ve dearjndan yararlanlr. Filtreleme ileminde L ve C elemanlar kullanlabilir. Bu tr filtreleme ilemleri sonucunda k iaretindeki rpllar (dalgalanma) minimum dzeye iner.

61

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Belirlenen bir iaretin krplmas ilemi iin diyotlar kullanlr. Bu tr devrelere krpc (clippers) denir. Herhangi bir ac iarete, dc seviyeler eklenebilir veya iaretin seviyesi deitirilebilir. Bu tr devrelere gerilim kenetleyici denir. Gerilim kenetleme ilemi diyot ve kondansatrler kullanlarak gerekletirilir. Giri geriliminin tepe deerini 2, 3, ....n kat ykselterek kna aktaran devreleri gerilim oklayc (voltage multiplier) denir. Bu tr devreler, diyot ve kondansatr kullanlarak gerekletirilir. Tipik bir dc g kayna (dc power supply) tasarm; transformatr, dorultucu diyot, filtre devresi ve reglatr devresi ile gerekletirilir. Gnmzde yzlerce yariletken devre eleman (kompenet) reticisi firma vardr. Her bir firma rettii elemanlar belirli bir standart dahilinde kodlayarak tketime sunar. Devre elemanlarnn ayrntl karakteristikleri ve zellikleri retici firma kataloglarndan temin edilebilir.

62

BLM 3
3
ZEL TP DYOTLAR
Konular:
3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 Zener Diyot Zener Diyot Uygulamalar Varikap Diyot Optik Diyotlar zel Amal Diyotlar Sistem Uygulamalar

Amalar:
Bu blm bitirdiinizde aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgiye sahip olacaksnz.

Zener diyotun yaps, karakteristikleri ve ilevleri Zener diyotla gerekletirilen gerilim reglasyonu ve krpclar Varikap diyotun zellikleri, ilevleri ve karakteristikleri Foto-diyotlarn ve LEDlerin zellikleri, ilevleri ve karakteristikleri Reglatr diyotlar, otki diyotlar, pin diyot, tunel diyot v.b zel tip diyotlarn ilevleri, zellikleri ve karakteristikleri

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Elektronik endstrisinin en basit ve temel devre elemanlarndan olan diyotlar pek ok cihazn retiminde sklkla kullanlmaktadr. nceki blmlerde silisyum ve germanyum dorultucu diyotlarn pek ok zelliklerini rendiniz. eitli uygulama devrelerini gerekletirdiniz. Endstrinin artan gereksinimlerini karlamak amac ile farkl tip ve modelde zel tip diyotlarn retimide yaplmaktadr. Yukarda bir ksmnn grntleri verilen zel diyotlar bu blmde inceleyeceiz.

64

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

3.1

ZENER DYOT

Zener diyot; ters polarma altnda krlma blgesinde altrlmak zere tasarlanm pn bitiimli bir devre elemandr. Referans gerilimi temin etmek ve gerilim reglasyonu salamak amac ile kullanlr. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz. Zener diyot sembol Zener diyotun alma blgeleri ve krlma gerilimi Zener karakteristiklerinin analizi Zener veri sayfalar

Zener diyot; pn bitiiminden oluturulmu ve silisyumdan yaplm yar iletken devre elemanlarndandr. Zener diyot; ters polarma blgesinde zener krlma geriliminde altrlmak zere tasarlanmtr. Doru polarma altnda almas dorultucu diyotla benzerlik gsterir. ekil-3.1de zener diyotun ematik sembolleri verilmitir.

Katod

Anot

ekil-3.1 Zener diyot sembolleri

Zener diyot; doru polarma altnda silisyum dorultma diyotlarn tm zelliklerini gsterir. Doru polarma altnda iletkendir. zerinde yaklak 0.7V diyot ngerilimi oluur. Ters polarma altnda ise pn bitiimi sabit gerilim blgesi meydana getirir. Bu gerilim deeri; krlma gerilimi (Broke-down voltage) olarak adlandrlr. Bu gerilime baz kaynaklarda zener gerilimi denilmektedir. ekil-3.2de silisyum dorultma diyodu ile zener diyot karakteristikleri birlikte verilmilerdir.

65

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

I F ( mA )

I F ( mA )

Krlma

Doru Polarma Blgesi

Krlma

Doru Polarma Blgesi

VR (V )

VBR Ters Polarma Blgesi 0.7V

VF (V )

VR (V )

VZ Ters Polarma Blgesi 0.7V

VF (V )

I R ( A )
a) Silisyum Dorultucu Diyot Karakteristii

I Z ( mA )
a) Zener Diyot Karakteristii

ekil-3.2 Silisyum dorultucu diyot ve zener diyot karakteristikleri

Zener diyot ile silisyum diyot karakteristikleri arasnda ters polarma blgesinde nemli farkllklar vardr. Silisyum diyot ters polarma dayanma gerilimi deerine kadar ak devre zelliini korur. Zener diyot ise bu blgede zener krlma gerilimi (Vz) deerinde iletime geer. Zener zerindeki gerilim dm yaklak olarak sabit kalr. Zener diyotlarda krlma gerilimi, retim aamasnda pn bitiiminin katk maddesi oranlar ayarlanarak belirlenmektedir. Gnmzde 1.8V ile 200V arasnda farkl krlma gerilimlerine sahip zener diyotlar retilmektedir. Gnmz piyasasnda kullancnn ihtiyacna uygun olarak; 1/4W ile 50W anma gleri arasnda alacak ekilde zener diyot retimi yaplmaktadr. Zener diyotlarla ilgili baz retici firma verilerini, veri sayfalar blmnde bulabilirsiniz. Ayrntl karakteristik ve veriler iin retici kataloglar incelenmelidir. ekil-3.4de farkl glere dolaysyla farkl klflara sahip zener diyotlar grlmektedir.

ekil-3.4 Zener diyotlarda klf tipleri

66

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Zener Krlma Karakteristii

Zener diyot, doru polarma blgesinde normal silisyum diyot zellii gsterdii belirtilmiti. Zener diyodun en nemli zellii ters polarma blgesindeki davrandr. Zener diyodun ters polarma altnda almas iin gerekli devre balants ve akm-gerilim karakteristii ekil-3.5de verilmitir. Ters polarma altnda zener diyot zerine uygulanan gerilim deeri; zener krlma gerilimi deerini atnda zener diyot krlarak iletime geer. Ters polarma altnda iletime geen zener diyot, zerinde sabit bir gerilim deeri oluturur. Bu gerilime zener gerilimi (Vz) denir. Zener diyodun iletime geebilmesi iin zener zerinden geen akm; Izmin deerinden byk, Izmax deerinden kk olmas gerekir. Baka bir ifadeyle zenere uygulanan ters polarma gerilimi, Zener krlma gerilimi (Vz) deerinden byk olmaldr.
VR (V )
R Iz

VZ @ IZT

IZ min

+
VDD Vz

I ZTest

I Z max

I R ( mA )

ekil-3.5 Zener diyotun ters polarma altnda karakteristii

Zener diyot zerinden geen akm miktar; Izmax deerini getiinde zener bozularak ilevini yitirir. Karakteristikten de grld gibi zener diyot zerinden geen Iz akm; Izmin ve Izmax deerleri arasnda tutulmaldr. Zener diyot ters polarma altnda iletimde kald srece zerinde Vz olarak belirtilen bir gerilim oluur. Bu gerilime zener gerilimi, bu ileme ise gerilim reglasyonu denir. Zener diyot, karakteristikte gsterildii gibi zerindeki gerilimi Vz deerinde sabit tutmaktadr. Bu zellik zener diyodu olduka popler klar. zellikle gerilim reglasyonu veya referans gerilimi elde etmede ska kullanlmasn salar.

Zener Edeer Devreleri

Zener diyodun ters polarma blgesindeki davrann tanmlamak iin ekil-3.3de edeer devresi verilmitir. deal bir zenerin edeer devresi, nominal zener krlma gerilimi deerine eit gerilim kayna (Vz) ile gsterilir. Gerek (pratik) bir zenerin ters polarma blgesinde edeer devresi ise, kk bir i empedans (Zz) ve nominal zener krlma gerilimini temsilen bir gerilim kaynandan oluur. Zener krlma gerilimi; ideal deildir. Karakteristik eriden de grlecei gibi bir

67

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

miktar deiim gsterir (VZ). Bu durum ekil-3.3.c zerinde gsterilmitir. Zener empedans; deien zener akmnn (VZ), deien zener akmna (IZ) orandr ve aadaki ekilde belirlenir.
ZZ = VZ I Z

retici firmalar normal koullarda veri tablolarnda test deerleri iin zener akmn IZT ve zener empedansn ZZT verirler. Zenerle yaplan tasarmlarda bu deerler dikkate alnmaldr.
VZ

VR (V )
+ +
Vz Zz Vz

0
IZ min

+
ZZ =

VZ IZ

VZ

a) deal zener edeeri

b) Pratik zener edeeri

IZ max
c) zener karakteristii

I R ( mA )

ekil-3.3 Zener diyot edeer devresi

Isl Kararllk
Tm yariletken devre elemanlar gibi, zener diyotlarda alma ortamlarndaki sdan etkilenirler. retici firmalar zener diyot iin gerekli karakteristikleri genellikle 250C oda scakl iin veririler. Is artmnda zener geriliminde oluabilecek deiimler retici kataloglarnda belirtilir. rnein alma koullarndaki her 10Clik s art, zener geriliminde (Vz) yaklak %0.05 orannda art gsterir. Bu zellik uygulamalarda dikkate alnmaldr. Yksek glerde altrlan zener diyotlar zerine soutucular monte edilmelidir.

G Tketimi ve Bozulma Faktr

Zener diyotlarla uygulama yaplrken maksimum g deerlerine dikkat edilmelidir. retici firmalar DC gerilim altnda her bir zener diyot iin uyulmas gereken g deerlerini kataloglarnda verirler. rnein; 1N746 kodlu zener diyot iin maksimum g PD=500mW, 1N3305 kodlu zener diyot iin maksimum g PD=50W olarak verilmitir. Zener diyotlarn dc gerilim altnda maksimum dayanma gc;
PD = VZ I Z(max)

forml kullanlarak bulunur. Zenerlerde maksimum dayanma gc genellikle 500C iin verilir. alma koullarndaki s deiimi, hesaplamalarda dikkate alnmaldr.

68

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Zener Diyot veri sayfas

retici firmalarn binlerce tip farkl alma karakteristiklerine sahip zener diyot rettiklerini belirtmitik. Bu blmde sizlere rnek olmas amac ile baz zener diyotlarn retici firma tarafndan verilen karakteristiklerini sizlere sunacaz. retici firma karakteristikleri genelde ingilizce hazrlandklar iin orijinal metine sadk kalp, gerekli aklamalar notlar halinde sunacaz.

Maxsimum Rating (maksimum kategoriler) Ratings (Kategoriler) Symbol (Sembol) Value (Deer) Unit (Birim)

DC power dissipation @ TA=500C Derete above 500C Opereting and stor junction Temperature range

PD TJ, Tstg

1.0 6.67 -65 to +200

Watt mW/C0
0C

Electrical Characteristics (TA=250C unless otherwise noted) VF=1.2Vmax IF=200mA for all types Elektriksel karakteristikler (Aksi not olarak belirtilmedike TA=250Cde) Tm tipler iin VF=1.2Vmax IF=200mA

JEDEC Type no 1N4728 1N4729 1N4730 1N4731 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4736 1N4737 1N4758 1N4759 1N4760

Nominal Zener Voltage VZ@IZT Volts 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 56 62 68

Test Current IZT mA 76 69 64 58 53 49 45 51 37 34 4.5 4.0 3.7

Maxsimum zener impedance ZZT@IZT Ohms 10 10 9.0 9.0 8.0 7.0 5.0 2.0 3.5 4.0 110 125 150 ZZK@IZK Ohms 400 400 400 400 500 550 600 700 700 700 2000 2000 2000 IZK mA 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.25 0.25 0.25

Leakage Current IR A max 100 100 50 10 10 10 10 10 10 10 5.0 5.0 5.0 VR Volts 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 42.6 47.1 51.7

Tablo-3.1 eitli tip zener diyotlarn baz nemli karakteristikleri

69

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

3.2

ZENER DYOT UYGULAMALARI

Zener diyotlar genellikle dc g kaynaklarnda gerilim reglasyonunu salamak amac ile kullanlrlar. Karlatrma yapmak iin referans gerilimi temininde de zener diyotlar sklkla kullanlr. Reglasyon ilemi bir bykl, baka bir byklk karsnda kararl tutmaktr. rnein gerilim reglasyonu terimi; gerilimi, akmdan veya ykten bamsz hale getirip sabit bir deerde tutma anlamna gelmektedir. Bu blmde; zener diyotla gerilim reglasyonunun nasl gerekletirildiini reneceksiniz. Ayrca zenerle yaplan basit krpc devreleri tanyacaksnz.

Zenerin Reglasyonda Kullanlmas

Zener diyotlarn en geni ve yaygn kullanm alan gerilim reglasyonudur. Gerilim reglasyonu; gerilimi d etkilerden bamsz hale getirip sabit tutabilmektir. Ksaca gerilimi kararl hale getirebilmektir. Gerilim kararl klmann en basit yntemi ekil3.6da gsterilmitir. Devre giriine uygulanan reglesiz VGR gerilimi, zener diyotla kararl hale getirilmitir. Bu ilem iin zener diyot ve R direnciyle gerilim blc bir devre oluturulmutur. Devre giriine uygulanan VGR gerilimi deimektedir. Devrede kullanlan 12Vluk zener diyot, giri gerilimindeki tm deiimleri alglamal ve devrenin k gerilimini VIKI 12Vta sabit tutmaldr. Bu ilem gerekletirildiinde zener diyot, gerilim reglasyonu yapyor diyebiliriz.

R IT Reglesiz DC kaynak IZ Vz 12V VIKI IL RL

VGR

ekil-3.6 Zener diyotla gerekletirilen gerilim reglasyonu

Zener diyot bu ilemi nasl gerekletirecektir. Zenerin istedii artlar yerine getirirsek gayet basit. Zener diyot gerilim reglasyonu yapmak iin neler istiyordu. Ksaca tekrar hatrlayalm.

12-

Zener diyot ters polarma altnda altrlmal

Zenere uygulanan gerilim, zener krlma geriliminden (VZ) byk olmal. (Vin>Vz)

70

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

3-

Zenerden geecek akm; Izmin deerinden byk, Izmax deerinden kk olmal (Izmin<Iz<Izmax)

ekil-3.6da verilen regle devresinde zener diyotdan iki temel ilemi gerekletirmesi istenmektedir.

1- Zener diyot; giri gerilimlerindeki deiimi alglamal ve k gerilimini sabit tutmaldr. Giri gerilimlerindeki deiimler, k gerilimini etkilememelidir. 2- Devre kndan alnan gerilim, ykteki deiimlerden etkilenmemelidir. k gerilimi yk akm ILden bamsz ve sabit olmaldr.
Bu zellikleri srayla inceleyelim.

Deiken giri geriliminde reglasyon

Bu blmde reglesiz giri gerilimlerinde zener diyotun nasl regle yaptn reneceiz. amala ekil-3.7deki devre verilmitir. Devrede giri gerilimi VGR, belli bir aralkta deimektedir. Devre knda ise 12Vluk sabit k gerilimi alnacaktr. Bu ilem 12Vluk zener diyotla gerekletirilmektedir. Devredeki R direnci; zener diyot zerinden geecek akm miktarn belirlemektedir. Zenerin regle ilemini yerine getirebilmesi iin zerinden akan akm miktar (Izmim-Izmax) deerleri arasnda olmaldr.
R 220 Reglesiz DC kaynak I Vz 12V IZ VOUT

VN

ekil-3.7 Deiken giri geriliminde reglasyon

rnein ekil-3.7deki regle devresinde 1/2W gcnde 12Vluk zener diyot kullanldn varsayalm. Zener diyotun minimum krlma akm ise Izmin=IZK=0.50mA olsun. Bu durumda devrenin regle edebilecei giri gerilimi araln bulalm. zm: nce zener diyotun dayanabilecei maksimum akm deerini bulalm.
PD(max) = Vz I Z max

I Z max =

PD(max) VZ

500mW = 41.6mA 12V

olarak bulunur. Zener akm minimum olduunda; R direnci zerine den gerilim,

71

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VR = R I Z min = ( 220) (0.50mA) = 110mV

Dolaysyla giri geriliminin minimum deeri;

VR = VIN VZ VIN ( MIN ) = VR + VZ = 12V + 110mV = 12.11V

Dolaysyla zener diyotun regle ilemini yerine getirebilmesi iin giri gerilimi (VIN) minimum 12.11V olmaldr. imdi giri geriliminin alabilecei maksimum deeri bulalm.
VR = R I Z max = ( 220) ( 41.6mA) = 9.166V

Dolaysyla giri gerilimini alabilecei maksimum deer;

VR = VIN VZ VIN ( MAX ) = VR + VZ = 12V + 9.166V = 21.16V

ekil-3.7de verilen regle devresinde yaplan hesaplamalar sonucunda aadaki veriler elde edilmitir.

12-

Zener diyot regle ilemini gerekletirebilmesi iin, giri gerilimi minimum VIN(MN)=12.11V olmaldr. Zener diyot regle ilemini gerekletirebilmesi iin, giri gerilimi maksimum VIN(MAX)=21.16V olmaldr.

rnek: 3.1

ekil-3.8de verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin giri geriliminin alabilecei deerler araln hesaplaynz.
R 100 Reglesiz DC kaynak I Vz 1N4758 IZ VOUT

VN

ekil-3.8 Deiken giri gerilimlerinde reglasyon

72

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Devrede kullanlan 1N4578 kodlu zener diyodun karakteristiklerini retici veri sayfasndan yararlanarak bulalm. VZ=56V, PD(max)=1W, IZmin=0.25mA Bu durumda devrenin minimum giri gerilimi; VIN(min)=(IZmin . R)+VOUT VIN(min)=(0.25mA)(100)+56V=56.25V Deerinde olmaldr. Devrenin maksimum giri gerilimini bulmak iin nce zenerin dayanabilecei maksimum akm bulmalyz.
I Z max = PD(max) VZ =
1W = 17.8mA 56V

zm:

O halde devrenin maksimum giri gerilimi; VIN(max)=(IZmax . R)+VOUT VIN(max)=(17.8mA)(100)+56V=57.8V Dolaysyla ekil-3.8de verilen regle devresinde zener diyodun regle ilemini gerekletirebilmesi iin giri gerilimi; 56.2V>VIN >57.8V aralnda olmaldr.

Deiken yk akmnda reglasyon

Bu blmde deiken yk akmnda zener diyodun nasl regle yaptn greceksiniz. rnek bir regle devresi ekil-3.9da verilmitir. Devrede zener diyoda paralel deiken bir yk direnci (RL) balanmtr. Zener diyot regle yapt srece RL yk zerindeki gerilim dm sabit kalmaldr. Ksaca VOUT=12V olmaldr.

IT Vz 12V

IZ VOUT

IL RL

VIN

ekil-3.9 Deiken yk akmnda reglasyon

Konuyu daha iyi irdeleyebilmek amac ile eitli uygulama rnekleri verilerek matematiksel analizleri yaplmtr.

73

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 3.2

ekil-3.10da verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin RL yk direncinin alabilecei deerler araln hesaplaynz.?

R 470 IT Vz 10V 1W IZ IL RL VOUT

+
24V

zm:

VIN

ekil-3.10 Deiken yk direncinde gerilim reglasyonu

Devrede kullanlan zener diyodun karakteristikleri; VZ=10V, PD(max)=1W, IZmin=1mA olarak verilmitir. Bu veriler nda gerekli analizleri yapalm. Devrede kullanlan zener diyodun dayanabilecei maksimum akm deerini bulalm;

I Z(max) =

PD(max) VZ

1W = 100mA 10V

nce devrede yk direnci kullanlmadnda (RL=) zener regle ilemini yerine getirebilir mi? nceleyelim. Bu durumda IL=0A olacandan, IT=IZ(max) olacaktr. Dolaysyla;

VIN = R I T + VZ
V I N VZ R 24 10 470

I T = I Z (max) =

I T = I Z(max) = 29.7 mA
elde edilen bu sonuca gre devrede yk direnci yokken regle ilemi yerine getirilebiliyor. Devreden;

74

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

elde edilen bu sonuca gre devrede yk direnci yokken regle ilemi yerine getirilebiliyor. Devreden;

I T = I Z(max) + I L(min)

I T = I Z (min) + I L (max)

olaca aktr. Buradan yk akmnn alabilecei maksimum deeri bulabiliriz.

I L(max) = I T I Z(min)
I L (max) = 29.7 1mA = 28.7 mA
Devre kndan alnabilecek maksimum yk akmn hesapladk. Bu veriyi kullanarak ka balanabilecek RL yk direncini hesaplayalm.

R L(min) =

VZ I L (max)

10V = 348 28.7 mA

Sonu: Elde edilen bu veriler nda devremizin regle ilemini yerine getirebilmesi iin RL Yk direncinin alabilecei deerler aral; 398>RL>

Zenerle bir gerilim reglatr tasarlanrken dikkat edilmesi gereken faktrler vardr. Bunlar giri gerilimindeki deiimler ve yk akmndaki deiimler olarak zetleyebiliriz. Son olarak komple bir regle devresi tasarm rnei vererek konuyu bitirelim.

rnek: 3.3

ekil-3.11da verilen regle devresinde zenerin regle ilevini yerine getirebilmesi iin gerekli R n direncinin olmas gereken deerini hesaplaynz?.
R IT IZ IL 1K RL VOUT

+
20V

VIN

Vz 10V 1W

ekil-3.11 Zenerle gerilim reglasyonu

75

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Devrede kullanlan zener diyodun karakteristikleri; VZ=10V, PD(max)=1W, IZmin=1mA olarak verilmitir. Devrede kullanlan zener diyodun dayanabilecei maksimum akm deerini bulalm;

I Z (max) =
I Z (max) =

PD (max) VZ

zm:

1W = 100mA 10V

Devrede kullanlan RL yk direnci 1K deerindedir. Dolaysyla yk akm sabittir.

IL =

VZ = VOUT 10 = = 10mA RL 1K

R n direncinden geecek akm IT olarak belirtilmitir. IT akmnn alabilecei deerleri hesaplayalm.

I T (min) = I Z (min) + I L( = 1mA + 10 mA = 11mA

I T (max) = I Z (max) + I L ( = 100 mA + 10 mA = 110 mA
Devrede akm snrlamak amacyla kullanlan R n direnci bu deerleri salamaldr. Dolaysyla R direncinin minimum ve maksimum olmak zere iki snr deeri olacaktr.

VIN = R min I T (max) + VZ

R min = V I N VZ I T (max) = 20 10 = 90 110mA

R max =

V I N VZ I T (min)

20 10 = 909 11mA

Devrede kullanacamz R n direnci yukarda belirtilen deerler aralnda olmaldr. Salkl alma iin limit deerler kullanmak nerilmez. Ortalama bir deer kullanalm.

R=

R max + R min 90 909 = 470 2 2

R= 90 909 470 2

76

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Zenerle krpc devreler

Zener diyotun sklkla kullanlan bir dier uygulama alan ise krpc devre tasarmdr. zellikle ac iaretlerin krplmas ve farkl dalga formlarna dntrlmesi iin zener diyotlar sklkla kullanlr. Bu blmde ac iaretlerin krplmasn ve dalga formlarnn deitirilmesini inceleyeceiz. ekil-3.12de sinsoydal bir iaretin nasl krpld gsterilmitir. Bu devrede; giri iaretinin pozitif sayklnda zener diyot krlma gerilimi deerine kadar yaltmdadr. Dolaysyla giri iareti, kta aynen grlr. Giri iaretinin pozitif seviyesi, zener krlma gerilimi deerini atnda zener diyot krlarak k gerilimini +5V deerinde sabit tutar. Giri iaretinin negatif yarm sayklnda ise zener iletkendir. kta 0.7V zener n gerilimi elde edilir. Dolaysyla devre giriine uygulanan 20Vt-t deerine sahip sinsoydal iaret, devre kndan +5Vluk kare dalgaya dntrlm olarak alnr.
VIN +10V 0 -10V t + VIN Vz 5V VOUT R VOUT 5V -0.7V t

ekil-3.12 Sinsoydal bir iaretin pozitif alternansnn krplmas

ekil-3.13de grlen devrede ise sinsoydal giri iaretinin negatif alternans zener diyot tarafndan 7Vta krplmtr. Pozitif alternansta zener diyot iletimde olduu iin k gerilimi +0.7V civarndadr.
VIN +10V 0 -10V t + VIN Vz 7V VOUT R VOUT

+0.7V -7V

ekil-3.13 Sinsoydal bir iaretin negatif alternansnn krplmas

ekil-3.14de ise sinsoydal bir iaretin pozitif ve negatif alternanslarn krpan bir devre verilmitir. Giri iaretinin pozitif alternansnda; VZ2 zeneri iletimdedir. VZ1 ise pozitif alterrnans krlma gerilimi deerinde krpar. Pozitif alternansta k geriliminin tepe deeri VZ1+0.7V deerine eitttir. Giri iaretinin negatif alternansnda; VZ1 zeneri iletimdedir. VZ2 ise negatif alterrnans krlma gerilimi deerinde krpar. Negatif alternansta k geriliminin tepe deeri (VZ2+0.7V) deerine eitttir.

77

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VIN +10V + 0 -10V t VIN

R Vz1 VOUT

VOUT Vz1 t Vz2 Vz2

ekil-3.14 Sinsoydal bir iaretin negatif ve pozitif alternanslarnn krplmas

3.3

VARKAP DYOT
Varikap diyot, pn ekleminden retilmi yariletken bir devre elemandr. Kimi kaynaklarda varaktr (varactor) diyot olarak adlandrlr. P-N bitiimi ters gerilim altnda bir miktar kapasitif etki gsterir. Bu zellikten yararlanlarak varikap diyotlar retilmitir. Varikap diyot, genellikle iletiim sistemlerinde kanal seici (tuning) devrelerin tasarmnda kullanlr. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz. Varikap diyotun temel yaps ve sembol Varikap diyotun alma karakteristikleri Varikap diyotun veri sayfalar

P-N bitiimi ters ynde polarmalandnda bir miktar kapasitif etki oluturur. P-N bitiiminin bu zelliinden yararlanlarak varikap diyotlar gelitirilmitir. Varikap diyodu; ters polarma altnda kapasitans deien diyot veya yariletken kondansatr olarak tanmlayabiliriz. ekil-3.15de varikap diyodun ematik sembol ve edeer devresi verilmitir.

Rs

Cv

ekil-3.15 Varikap diyodun ematik sembol ve edeer devresi

Varikap diyodun kapasitif deerini, pn bileiminin fakirletirilmi blgesinde belirlenmektedir. retimde kullanlan katk maddesi ve fiziksel boyut kapasitif deeri etkileyen dier faktrlerdir. Kapasitif etkinin nasl olutuu ekil-3.16 yardmyla grselletirilmitir. Varikap diyoda uygulanan ters polarma deerine bal olarak kapasitif etkinin deitiine dikkat ediniz.

78

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Fakirletirilmi Blge

VDD

+ VDD

ekil-3.16 Varikap diyodun temel yaps ve almas

Varikap diyodun kapasitesi uygulanan ters gerilimin deerine bal olarak bir ka pFdan yzlerce pFa kadar deitirilebilir. ekil-3.17de tipik bir varikap diyodun karakteristii verilmitir. Karakteristik eriden grld gibi varikap diyoda uygulanan ters polarite art, diyodun kapasitif deerini azaltmaktadr.
C(pF) R 60

+
VDD 40

20 VR (v)

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

ekil-3.17 Varikap diyodun karakteristii

Genel kullanm Alanlar

Varikap diyotlar; genellikle iletiim sistemlerinin tasarmnda kullanlr. Kullanm alanlarna rnek olarak; FM modlatr, otomatik frekans kontrol, filtreleme devrelerini verebiliriz. ekil-3.18de varikap diyot, paralel bir rezonans devresinde, rezonans frekansnn ayarlanmasnda kullanlmtr.
R D1 Vi +V D2 L

ekil-3.18 Paralel rezonans devresinde varikap diyodun kullanlmas

79

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Devrede; 2 adet varikap diyot kullanlmtr. Varikap diyodlara uygulanan dc gerilim; varikap diyodlarn kapasitif deerlerini deitirmektedir. Bu durum, paralel rezonans (tank devresi) devresinin rezonans frekansn belirler. Bu devrede rezonans frekans (Q 10 iin) Fr;
Fr = 1 2 LC

Genel veriler
retici firmalar kullanm amalarna bal olarak yzlerce farkl tipte varikap diyot retimi yaparak tketime sunarlar. retilen her bir varikap diyodun karakteristiklerini retici kataloglarndan temin edilebilir. Bu blmde; rnek olarak birka varikap diyodun genel karakteristikleri verilmitir.

Kodu

CD, Diyod Kapasitesi VR=0.5VDC, f=1.0MHz Min Max 17pF 21pF 7.4pF 8pF 17.5pF 6.4pF

CD, Diyod Kapasitesi VR=28VDC, f=1.0MHz Min 0.7pF 1.7pF Max 1.05pF 2.1pF

Ters Yn Gerilimi (VR) Max 30V 30V 6V 32V 10V 30V

Ters Yn Akm (IR) Max 10nA 10nA 10nA 200nA 3nA 10nA

leri Yn Akm (IF) Max 20mA 20mA 20mA 20mA

Seri Diyod Direnci rS

Max 3@200MH z 0.7@470 MHz 0.6@470 MHz 1.2@100 MHz 0.4@470 MHz

BB131 BB135 BB145 BB152 BB190

4V@2.7p 4V@3.2p F F 2.48pF 2.89pF

1V@52p 1V@62 F pF

1V@18p 1V@20 10V@6p 10V@6p F pF F F

BBY40 3V@26p 3V@32 25V@4.3 25V@6p F pF pF F

20mA

0.7@200 MHz

ekil-3.19 Baz Varikap diyotlarn genel karakteristikleri

80

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

3.4

OPTK DYOTLAR

Bu blmde; optik zellik gsteren iki tr diyodu ayrntl olarak inceleyeceiz. Bunlardan ilki k yayan diyottur. Bu diyot, genellikle LED (Light Emitting Diode) olarak adlandrlr. Optik zellik gsteren bir dier diyot ise Foto-Diyot olarak adlandrlr. Foto-diyot, ters polarma altnda alacak ekilde tasarlanmtr. Ters polarma altnda iletkenlii a duyarldr. Her iki diyot tr, zellikle optik uygulamalarda sklkla kullanlrlar. Bu blmde; Ik yayan diyotlarn (LED) zellikleri ve karakteristikleri Foto-Diyot zellikleri ve alma karakteristikleri Lazer Diyot

Hakknda ayrntl bilgiler elde edeceksiniz.

Ik Yayan Diyot (LED)

Ik yayan diyot (LED), doru ynde polarmalandnda grlebilir k yayan yariletken bir devre elemandr. P-N bitiiminden retilmitir. Bilindii gibi germanyum veya silis-yumdan yaplan pn bitiimleri doru polarma altnda zerlerinden bir akm akmasna izin verir. Akm ak esnasnda bir enerji aa kar. Bu enerjinin bir miktar s, kk bir miktar ise k (foton) enerjisidir. Bu nedenle LED retiminde silisyum veya germanyum elementleri kullanlmaz. LED retimi iin P ve N maddelerinin oluturulma-snda genellikle Galyum arsenit fosfit (GaAsP) veya galyum fosfit (GaP) kullanlr. Bu tr maddeler doru polarma altnda grlebilir k elde etmek iin yeterlidir. ekil-3.19.ada LEDin ematik sembol, 3.19.bde ise doru polarma altnda pn bitiiminde k enerjisinin oluumu verilmitir.
Katot Katot
n tipi madde

+
Ik Enerjisi

_
Anot Anot b) Ik enerjisinin olumas a) Ledin ematik gsterimi

n tipi madde

ekil-3.19.a ve b Led sembolleri ve k enerjisinin olumas

81

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

PN bitiiminde, bitiim blgesinde elektron ve boluklar yeniden birleir. Yeniden birleme ilemi esnasnda enerjinin byk bir ksm k enerjisine dnerek grlebilmesine neden olur. Bu durum ekil-3.19bde resmedilmitir. Yariletken malzemeye elektrik enerjisi uygulanarak k enerjisi elde edilebilir. Bu ilem elektrolminesans (elektro-parlaklk) olarak adlandrlr. LED, doru polarma atnda iletime geer ve zerinden akm akmasna izin verir. Doru polarma altnda zerinde maksimum 1.2V ile 3.2V arasnda bir gerilim dmne sebep olur. LEDlerin zerlerinden akmalarna izin verilen akm miktar 10-30mA civarndadr. Bu deer; kullanlan LEDin boyutuna ve rengine gre farkllk gsterebilir. Gerekli maksimum deerler retici kataloglarndan temin edilebilir. ekil-3.20de LEDin doru polarma altnda almas ve V-I karakteristii verilmitir.

R IF + VDD IF VF + VRD IF + -

IF(mA)

Ik iddeti

V F(v)
1. 5V 2. 0V

IF (mA) c) LED akmna bal olarak k iddeti

a) LEDin Doru polarmalanmas

b) LEDin V-I Karakteristii

ekil-3.20 Doru polarma altnda LEDin almas ve karakteristikleri

LEDin yayd k enerjisinin iddeti ve rengi imalatta kullanlan katk maddesine gre deimektedir. retiminde GaP kullanlan LEDler, krmz yada sar renkte grlebilir k yayarlar. GaAsP kullanlan LEDler ise sar renkte grlebilir k yayarlar. retiminde GaAs kullanlan LEDler ise kzl tesi (infrarad) k yayarlar. LEDlerin yayd n grnebilir veya grnemez olmas, yaylan n dalga boyu tarafndan belirlenir. 500nm-700nm arasnda dalga boyuna sahip malar grlebilir. 800nm-1000nm arasnda dalga boyuna sahip malar ise kzl tesi olarak adlandrlr ve grlemez. ekil-3.21de her rengin dalga boyu ve k iddeti grafiksel olarak verilmitir.

82

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

1.0 0.9
K rmz

1.0 0.9 0.8 0.7

Nispi k iddeti
Y eil Sa r

0.8 0.7
Nispi k iddeti

0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 500 540 580 620 , dalga boyu (nm) 660 700 740

0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 880 900 920 940 960 , dalga boyu (nm) 980 1000

a) Grlebilir k (visible light)

b) Grlemeyen k (Nonvisible infrared)

ekil-3.21 Renklerin dalga boyuna gre bal iddetinin grafii

Pek ok retici firma, kullanm alan ve gereksinime bal olarak LED retimi yapar. Gnmzde sar, turuncu, yeil ve krmz renklerde k veren LEDler retilmektedir. Mavi k yayan LED retimi imdilik pek ekonomik deildir. Yakn gelecekte bu tr LEDlerinde seri tketime sunulacak ekilde gelitirilebileceini syleyebiliriz. Bir ok farkl klfa (yuvarlak, kare, diktrtgen v.b) ve boyuta sahip LED retimi yaplmaktadr. Yaygn olarak kullanlan baz LED tiplerinin grnm ekil-3.22de verilmitir.

ekil-3.22 LEDlerde klf tipleri ve grnmleri

Snr Deerler Son yllarda reklam sektrndeki gelimeler, LED tketimi ve kullanmn artrmtr. Enerji tketimlerinin olduka az olmas yaygn kullanmda etkendir. LED kullanmnda iki snr deere zellikle dikkat edilmelidir. Bunlar ileri ynde maksimum geirme akm IFM, ve maksimum ters tepe gerilimi VRM dir. Bu deerlerin almas durumunda LED hasar grebilir. malatlar rnein, 3mmlik boyuta sahip krmz LED iin IFM=50mA, dier renkler iin ise IFM=30mA limit deerlerini vermilerdir. Pratik kullanmda her LED iin 10-20mA ileri yn akm deeri yeterli olmaktadr. LEDlerin maksimum ters tepe gerilimi ou kez birka volt civarndadr. LEDlerin alma mr ok uzundur ve yaklak olarak 105 saat civarndadr.

83

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Led Gsterge
Led diyotlar gnmzde eitli kombinazasyonlar oluturularak da kullanlmaktadr. zellikle saysal elektronik uygulamalarnda rakam ve yazlarn gsterimi bu tr devre elemanlar ile yaplr. Yedi paral gsterge (seven-segment displey) olarak adlandrlan bu tr optik devre elemanlar ortak anot veya ortak katot balantl olarak retilirler. ekil-3.23de Led gstergelerin temel yaps ve birka tipik led gstergenin grnmleri verilmitir.
A F G E D C
dp B E G E G D F GND GND C A dp B C GND GND A F

Led gstergenin oluturulmas

Ortak katodlu gsterge

Ortan anotlu gsterge

ekil-3.23 Led gstergenin temel yaps ve tipik grntleri

Foto-Diyot
Foto-diyot (Photo-diode), k enerjisine duyarl aktif devre elemanlarndandr. Ters polarma altnda altrlmak zere PN bitiiminden retilmitir. ekil-3.24de fotodiyotun sembol ve birka farkl tip foto-diyotun grnm verilmitir. Foto-diyot k enerjisine duyarl bir elemandr. Bu nedenle tm foto-diyotlar k enerjisini alglamalar iin effaf bir pencereye sahiptir.

Katod

Katod

Anot Anot

ekil-3.25 Foto-Diyotun ematik gsterimleri ve grnmleri

84

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Foto-diyot; doru polarma altnda normal diyotlar gibi iletkendir. Ters polarma altnda ise, zerine uygulanan k younluuna bal olarak ok kk bir akm akmasna izin verir. Dolaysyla karanlk bir ortamda bulunan foto-diyot yaltkandr. Bir foto-diyotun k enerjisine bal olarak nasl alt ekil-3.26da gsterilmitir. ncelikle foto-diyot ters polarma altnda altrlmtr. ekilde grld gibi karanlk ortamda foto-diyotun direnci maksimumdur ve zerinden akm akmasna izin vermez. Foto-diyot zerine bir k kayna uygulandnda ise Aler seviyesinde bir akm akmasna izin verir.

0
A

Ik Yok

Ik Var

Ampermetre

Ampermetre

VR

VR

VR

ekil-3.26 Foto-diyotun almas

Bir foto-diyotun karakteristii zerine gelen k gcne bal olarak retecei foto-akm (I) miktardr. Karakteristikler genellikle watt bana akm miktar olarak belirtilir. ekil3.27de bir foto-diyot iin gerekli karakteristikler verilmitir.
100 50
H=20mW/cm
2

IL, Foto akm (A)

10 5 2 1 0.5 0 20 40 60 80 100

Foto akm, (I )

20 10 5 2 1

Karanlk, H

VR , ters gerilim (V)

ekil-3.26 Foto-diyot iin gerekli karakteristikler

Lazer Diyot
Lazer; ngilizce, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (uyarlm n neriyle k kuvvetlendirilmesi) cmlesindeki kelimelerin ba harflerinin alnmasndan tretilmi bir kelimedir. Normal k, dalga boylar muhtelif, rengarenk, yani farkl faz ve frekansa sahip dalgalardan meydana gelir. Lazer ise yksek genlikli, ayn fazda, birbirine paralel, tek renkli (monochromatic), hemen hemen ayn frekansl dalgalardan ibarettir. Optik frekans blgesi yaklak olarak

85

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

1x109 Hz ile 3x1012 Hz arasnda yer alr. Bu blge, krmz tesi nlar, grlebilen nlar ve elektromanyetik spektrumun mortesi nlarn kapsar. Lazer diyot ok yksek frekanslarda alr. Lazer nmnn retimi iin farkl yntemler ve malzemeler kullanlmaktadr. Yariletken malzemelerden elde edilen kristallerden yaplan lazerlere, lazer diyot ad verilmektedir. Galyum arsenik kristali yariletken lazere rnektir. Lazer diyot; Yar iletken diyot gibi p-n malzemenin birlemesinden oluturulmutur. Birleim yzeyinde pozitif gerilim p tarafna, negatif gerilim ise n tarafna verildii zaman elektronlar n malzemesinden p malzemesine geerken enerjilerini kaybeder ve foton yayarlar. Bu fotonlar tekrar elektronlara arparak bu elektronlarn daha ok foton retmesine sebep olurlar. Neticede yeterli seviyeye ulaan foton neri, lazer nn meydana getirir. Bu tr lazerler verimli k kaynaklardr. Genellikle boylar bir milimetreden byk deildir. Ancak ok verimli alma iin ortam scakl oda scaklnn ok altna drlmelidir. Lazer diyotun grnm ve yaps ekil-3.25de verilmitir.

+
Anot

Metalleme N tipi katman

P
P Duvar N Duvar

Pn bitiimi

P tipi katman Metalleme

Katod

ekil-3.25 Lazer diyotun grnm ve yaps

Lazer nnn zellikleri: Lazer nnn en byk zellii, dalmamas ve yn verilebilmesidir. Dalga boyunun kk olmas dalmay da byk lde azaltr. Uyarlan atomlar her yn yerine, belli ynlerde hareket ederler. Bu durum lazer nn ok parlak olmasn salar.

86

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Laser n, dalga boyu tek olduundan monokromatik zellik tar. Frekans dalm aral, frekansnn bir milyonda biri civarndadr. Bu sebepten istenilen frekansta ok sayda dalgalar lazer dalgas zerine bindirilmek suretiyle haberlemede iyi bir sinyal reteci olarak kullanlr. Lazer n dalmaz olduundan ksa darbeler halinde yaynlanabilmesi mmkndr. Kaypsz yksek enerji nakli yaplmas bu zellii ile salanabilir. Ynl bir hareket olmasndan ise holografi ve lm biliminde yararlanlr. Lazer n tek dalga boyuna sahip olduu iin lazer cinsine gre eitli renkte nlar elde etmek mmkndr. Lazer eitleri: Gnmzde lazer nmnn retimi iin farkl yntemler kullanlmaktadr. Bu nedenle lazerler; kat, gaz, kimyasal, sv ve yariletken lazer olmak zere snflara ayrlrlar. lk bulunan kat lazer tr, yakut lazeridir. Yakut, az miktarda krom ihtiva eden alminyum oksit kristalidir. lk yakut laser sadece bir darbe ile altrlrd. lk gaz lazerin retiminde helyum ve neon karm eklinde kullanlmtr. Helyum ve neon gaz ile alan lazerde, gazlar yksek voltaj altnda iyonize hale gelir. Helyum atomlar elektrik dearj esnasnda elektronlarn arpmas ile ikazlanarak yksek enerji seviyelerine kar. Bunlar, kazandklar enerjilerini neon atomlarndaki e enerji seviyelerine aktarrlar. Bu enerji aktarma ilemi fotonun yaylmasna sebep olur. Aynalar vastasyla yeterli seviyeye ulatktan sonra lazer n elde edilmi olur. Bu tr lazer nnn dalga boyu 1,15 mikrondur. Kimyasal lazerde ise meydana getirilen gazlar kimyasal reaksiyon yoluyla pompalanr. Kimyasal pompalama bir eksotermik kimya reaksiyonunda enerji aa kmasyla olur. rnein; hidrojen ve flor elementleri tersine evrilmi bir toplumda hidrojen florur meydana getirmek zere reaksiyona girdiklerinde lazer etkisi ortaya kar. En ok kullanlan sv lazer tr, organik bir zc iindeki organik boyann seyreltik bir zeltisidir. Birka lazer paralel olarak altrlabilir. Bylece saniyenin birka trilyonda biri devam eden lazer darbeleri elde edilebilir. Boya lazerlerinin en nemli zellii dalga boyunun geni bir alanda hassas bir ekilde ayarlanabilmesidir. Lazer nnn kullanld yerler: Lazer, haberlemede kullanlabilecek zelliklere sahiptir. Lazer n da gne n gibi atmosferden etkilenir. Bu sebeple atmosfer, radyo yaynlarnda olduu gibi lazer yayn iin uygun bir ortam deildir. Bu bakmdan lazer nlar, ii ayna gibi olan lifler iinden gnderilirse, lifler ne kadar uzun, kvrntl olursa olsun kayp olmadan bir yerden dierine ular. Bu liflerden istifade edilerek milyonlarca deiik frekanstaki bilgi ayn anda tanabilmektedir. Bu maksatla foto diyot kullanlmakta ve elektrik enerjisi foto diyotta k enerjisine evrilmektedir. Karbondioksit lazerleri metal, cam, plastik kaynak ve kesme ilerinde kullanlr. Lazer, uzayda mesafe lmede kullanlr. Peykler arasndaki mesafeyi 25cm hata ile lebilmektedir. Lazerle ilk mesafe lm, 1962 senesinde, Aya yerletirilen argon-iyon lazeri ile yaplmtr. Lazer, inaatlarda, boru ve tnel yapmnda, yn ve dorultu tayininde ve tespitinde klasik teodolitlerden ok daha mkemmel ve kullanldr.

87

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Lazer; askeri alandaki mesafe bulma ve yer tanma maksadyla kullanld bilinmektedir. Gece karanlnda gece gr drbnleri ile operasyon yaplabilir. ok balkl fzelerin hafzalarna yerletirilen hedef resmi, fze hedefe yaklanca lazer n ile tannr. Holografi ve fotoraflkta ok mhim yeri vardr. Lazerle grnt kaydetme sresi saniyenin 10 trilyonda biri zamanda mmkn olur. Holografi, lazer nlar ile boyutlu resim ekme ve grntleme tekniidir. Tpta lazer kansz ameliyat maksatlar ile kullanlr. Yrtlm gz retinas, lazer n ile acsz ve sratle dikilir. Vcudun eitli blgelerindeki tmrler bakla almadan yerinde kesilerek tedavi edilebilir. Damardaki dokular, lazer n ile kaynar ve kanama olmaz. rk di ukurlar dolgu yaplmak zere acsz delinebilir. Lazer teknolojisinde beklenen gelimeler: Nkleer enerji alannda lazerin eitli gelimelere yol aaca umulmaktadr. En nemlisi balatlmas zor olan termonkleer-fzyon olaynn (hidrojen bombas ve gnete her an meydana gelen reaksiyon) lazer ile tetiklenmesidir. Bylece dnya enerji problemi ortadan kalkacaktr. Laser nnn darbe sresinin saniyenin trilyonda birine drlmesi halinde ksa bir srede retilecek enerji bugn dnyada ayn mddette retilmekte olan enerji toplamndan fazla olacaktr. Lazer n ile alan silahlarn yaplmas ile ok uzaklardan mhimmat, akaryakt, karargah binalar imha edilebilecektir. Lazer zellii dolaysyla bilgisayarn hafza kapasitesini byk lde arttrabilir.

3.5

ZEL TP DYOTLAR

Bu blmde elektronik endstrisinde azda olsa kullanlan baz zel amal diyot trleri tantlacak ve alma karakteristikleri verilecektir. Bu tr diyotlara rnek olarak otki (Schoottky), Tunel diyot, Pin diyotu sayabiliriz. Bu blmde srayla; otki diyotun yaps, sembol ve karakteristikleri Pin diyotun yaps, sembol ve karakteristikleri Tunel diyotun yaps, sembol ve karakteristikleri

ncelenecektir.

88

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

otki (Schottky) Diyot

otki diyotlar ok yksek frekanslarda kullanlmak zere tasarlanm zel bir diyot trdr. Bu diyotlara scak tayc (hot-carrier) diyotlarda denilmektedir. ok yksek frekanslar altnda yaplan almalarda normal diyotlar anahtarlama ilevini yerine getirirken zorlanrlar. rnein istenilen srelerde durum deitiremezler (iletim/kesim). Bu soruna zm bulmak amac ile otki diyotlar gelitirilmitir. otki diyotlar ok yksek anahtarlama hzlarna sahiptirler. Bu nedenle yksek frekanslarda yaplan almalarda anahtarlama eleman olarak otki diyotlar tercih edilir. Kullanm alanlarna rnek olarak saysal (digital) sistem tasarmlarn verebiliriz. otki diyotlarn yaps normal diyotlarla benzerlik gsterir. Sadece P ve N maddesinin birleim yzeyi normal diyotlardan farkldr. Anahtarlama hzn artrmak amac ile otki diyotlarn birleim yzeylerinde altun, gm veya platin gibi metaller kullanlr. otki diyotun sembol ve yaps ekil-3.26da verilmitir.

Katod

Katod

Metal-Slikon bitiimi

Katod N Anot Anot

Anot

ekil-3.26 otki Diyotun sembol ve yaps

Pin Diyot
Pin diyotlarda P ve N eklemleri youn bir ekilde katklandrlmtr. Fakat bu iki malzeme katksz bir silisyum malzeme ile ayrlmtr. in diyot, Ters ynde polarmalandrldnda sabit bir kondansatr gibi davranr. Doru ynde polarmalandnda ise deiken bir diren gibi alr. Pin diyot bu zelliklerinden dolay modlasyon eleman olarak kullanlr. Hzl deiiminden dolay kontroll mikro dalga anahtar gibi, ya da direnci akm kontroll olduundan zayflatma uygulamalarnda kullanlrlar. Pin diyodun yaps ve edeer devreleri ekil-3.27de verilmitir.

zel Blge

Katod N

Anot P

CR

RF

b) Ters polarma edeeri a) Temel Yaps

c) Doru polarma edeeri

ekil-3.27 Pin Diyotun temel yaps ve edeer devreleri

89

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Tunel Diyot
Tunel Diyot (Tunnel diode), dier diyotlar gibi PN bitiiminden retilmitir. retiminde germanyum veya galyum arsenit kullanlr. Dorultucu diyotlardan farkl olarak p ve n tipi eklemleri oluturulurken daha youn katk maddesi kullanlr. Tunel diyotun en belirgin zellii negatif diren karakteristiidir. Bu zellik onu zellikle osilatr devrelerinin tasarmnda popler klar. Tunel diyotlarn sk kullanld bir dier uygulama alan ise mikrodalga ykselteleridir. ekil-3.28de tunel diyotun ematik sembol ve karakteristii verilmitir.
Katod Katod IF B
Negatif Diren Blgesi

Tunel Akm

A Anot Anot

C VF

ekil-3.27 Tunel Diyotun ematik sembol ve karakteristii

Tunel diyot, doru polarma altnda ok kk gerilim deerlerinde dahi iletimdedir ve zerinden bir akm akmasna izin verir. Bu durum karakteristikte A-B noktalar arasnda grlmektedir. Tunel diyot zerine uygulanan doru yndeki polarma gerilimi, tunel diyot krlma (barrier) gerilimi deerini atnda tunel diyot negatif diren zellii gsterir. Bu noktada (B noktas) tunel diyot zerinden geen akm miktar artt halde, zerine den gerilim azalr. Bu durum negatif diren zelliidir. Tunel diyota has bir zelliktir. Karakteristikte B-C noktalar arasnda gsterilmitir. Tunel diyotun bu zellii onu kimi uygulamalarda popler klar. rnein osilatr devrelerinde tetikleme eleman olarak kullanlabilir. Tunel diyotun bir osilatr devresinde nasl kullanldn kk bir rnekle aklayalm. ekil--3.28de paralel bir rezonans devresi verilmitir. Bu devre, S anahtar kapatldnda snml bir osilasyon retilir.

S V R C L V

S R C L

ekil-3.28 Snml bir osilasyonun oluumu

Bu devreye bir tunel diyot ilavesiyle osilasyon srekli hale gelir. Devrenin almasn ksaca aklayalm. S anahtar kapatldnda tunel diyot tetiklenerek tank devresine enerji pompalar. Tank devresinde salnm oluur ve tunel diyot kesime gider. Tank

90

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

devresinde oluan salnmn genlii belli bir deerin altna dtnde tunel diyot tekrar tetiklenerek tank devresine enerji pompalar. Bu durum srekli tekrarlanarak osilasyonun sreklilii tunel diyot tarafndan salanr.

D1 S R1 R

Tank Devresi IF D1 C L VF

ekil-3.29 Tunel diyotla gerekletirilen osilatr devresi

3.7

BLM ZET
Zener diyot, ters polarma altnda ve krlma geriliminde altrlmak zere retilmi zel tip bir diyotdur. Zener diyot, anot ve katod olarak adlandrlan iki adet terminale sahiptir. Gerilim reglatr ve krpc olarak kullanlr. Zener diyotlarda krlma gerilimi retim aamasnda 1.2V ile 200V arasnda farkl deerlerde ayarlanarak kullancnn tketimine sunulur.

Regle ilemi hat ve yk reglasyonu olmak zere iki temelde yaplr. Zenerin temel ilevi zerine uygulanan ters gerilimi, krlma gerilimi deerinde sabit tutmaktr.

Zener diyot, regle ilemini belirli koullar altnda yerine getirir. Zenere uygulanan ters gerilim deeri, zener krlma geriliminden byk olmaldr. Zener akm ise belirli limitler ierisinde tutulmaldr. Zener diyot, regle ilemini kk gler sz konusu olduunda yerine getirebilir. Byk glerde regle ilemi iin ek devre elemanlar kullanlmaldr. Zener diyotun bir dier kullanm amac ise referans gerilimi elde etmektir. Dolaysyla zener, kimi zaman referans diyot olarak kullanlabilir. Varikap diyot, ters polarma altnda ayarl bir kondansatr gibi davranr. zerine uygulanan ters gerilim deerine bal olarak kapasitesi deiir. Varikap diyotlar genellikle iletiim sistemlerinde; modlatr, otomatik frekans kontrol ve filtreleme devrelerinde kullanlr.

91

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

otki (Schottky) diyotlar, ok yksek frekanslarda anahtarlama eleman olarak altrlmak zere tasarlanmlardr. Pin diyot, zellikle mikro dalga devrelerinde altrlmak zere tasarlanmtr. Doru ynde sabit bir kondansatr etkisi, ters ynde ise ayarl bir diren gibi davranr. Mikro dalga ve sinyal zayflatma devrelerinde sklkla kullanlr. Doru polarma altnda k yayan diyodlara LED ad verilmektedir. LED, ters polarma altnda yaltkandr. zerinden akm akmasna izin vermez. Farkl yariletken materyaller kullanlarak sar, turuncu, krmz ve yeil renklerde k grlebilir k yayan LED retimi yaplmaktadr. Faskl dalga boylarnda gzle grlemeyen k yayan LED retimi de yaplmaktadr. Bu tr LEDlere infrared ad verilmektedir. Foto-diyot, ters polarma blgesinde zerine uygulanan k miktarna duyarl bir diyotdur. zerine uygulanan k iddetine bal olarak zerinden kk bir miktar akm akmasna izin verir. Baz zel tip diyotlarn ematik sembolleri ekil-3.30da toplu olarak verilmitir.

Dorultma Diyodu

Zener Diyot

LED

Foto Diyot otki Diyot Tunel Diyot

ekil-3.30 zel tip diyotlarn ematik sembolleri

92

BLM 4
4
BPOLAR JONKSYON TRANSSTR

retilen ilk yariletken transistr ve bulan bilim adamlar

Konular:
4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 Transistrn Yaps Transistrn almas Transistr Karakteristikleri ve parametreleri Transistrn anahtar olarak almas Transistrn Ykselte olarak almas Transistrlerde klf tipleri

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Elektronik bilimi, 1904-1947 yllar arasnda elektron lambalarnn kullanmyla geliip nem kazand. lk diyot lamba 1904 ylnda J.A. Fleming tarafndan yapld. 1906 ylnda Lee De Forest, diyot lambaya nc elektrodu ilava ederek Triyot lambay gelitirdi. zleyen yllarda elektron lambalarndaki gelimelere paralel olarak ilk radyo ve televizyon retildi. 1931-1940 yllar kat maddeler elektronii hakknda daha ziyade teorik almalar devri olmutur. Bu sahada isimleri en ok duyulanlar, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C. Slater, F. Seitz ve W. Schottky'dir. 23 haziran 1947 tarihinde elektronik endstrisi gelime yolunda en byk adm att. Bu tarihte Bell laboratuarlarnda Walter H. Brottain ve John Bardeen tarafndan nokta temasl ilk transistr tantld. Ykselte olarak baaryla denendi. Bulunan bu yeni elemann elektron lambalarna gre bir ok stnl vard. mal edilen ilk transistr, nokta temasl transistrd ve gc miliwatt seviyesindeydi. Sadece alak frekanslarda kullanlabiliyordu. Bu transistrn esas, germanyum bir para zerine iki madeni ucun ok yakn ekilde balanmasndan ibaretti. Kolay tahrip olmas ve fazla dip grlts olmas sebebiyle ok tutulmamtr. 1949'da William Schockley tarafndan gelitirilen "Jonksiyon Transistr" ise 1953'ten itibaren elektroniin eitli alanlarnda deneysel maksatlarla, 1956'dan itibaren ise her alanda seri olarak kullanlmaya balanmtr. Zamanla daha pek ok transistr eidi bulunarak hizmete sunulmutur. Gnmzde transistrler mikron teknolojisi ile retilebilir hale gelmi ve tmdevrelerin (chip=Ics) iinde kullanlmaya balanmtr. Kullandmz bilgisayarlarn ilemcileri modeline gre 3 ila 100 milyon adet transistr ierebilmektedir. Transistr, bir grup elektronik devre elemanna verilen temel addr. Transistrler yaplar ve ilevlerine bal olarak kendi aralarnda gruplara ayrlrlar. BJT (Bipolar Jonksiyon Transistr), FET, MOSFET, UJT v.b gibi... Elektronik endstrisinde her bir transistr tipi kendi ad ile anlr. FET, UJT, MOSFET... gibi. Genel olarak transistr denilince akla BJTLer gelir. Bu blmde bipolar jonksiyon transistrlerin genel yapsn, zelliklerini ve almasn inceleyeceiz.

eitli tip transistrlerin grnmleri

94

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

4.1

TRANSSTRN YAPISI

Transistrler, kat-hal "solid-state" devre elemanlardr. Transistr yapmnda silisyum, germanyum yada uygun yariletken karmlar kullanlmaktadr. Bu blmde; Bipolar Jonksiyon transistrlerin temel yapsn inceleyeceiz. Transistr szc akla ilk olarak BJTleri getirir. Dier transistrler adlar ile anlrlar. FET, MOSFET, UJT... gibi. Bipolar Transistrler npn ve pnp olmak zere iki temel yapda retilirler Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz. Npn ve pnp transistrlerin temel yaps Npn ve pnp tipi transistrlerin ematik gsterimi Bipolar Transistrlerin temel alma prensipleri

Bipolar Jonksiyon Transistr (BJT) elektronik endstrisinin en temel yariletken devre elemanlarndandr. BJT; anlam olarak ift kutuplu yzey birleimli transistr ifadesini ortaya karr. BJT iinde hem ounluk tayclar, hem de aznlk tayclar grev yapar. Bundan dolay bipolar (ift kutuplu) szc kullanlr. Transistr ilk icat edildiinde yar iletken maddeler birbirlerine nokta temasl olarak monte edilirlerdi. Bu nedenle onlara "Nokta Temasl Transistr" denirdi. Gnmzde transistrler yapm itibari ile bir tost grnmndedir. Transistr imalatnda kullanlan yar iletkenler, birbirlerine yzey birleimli olarak retilmektedir. Bu nedenle Bipolar Jonksiyon Transistr olarak adlandrlrlar. Transistrn temel yaps ekil-4.1de gsterilmitir.
Metal Kontaklar Oxide

Emiter Beyz Kollektr Substrate (taban)

ekil-4.1 Bipolar Jonksiyon transistrn yaps

BJT transistrler katklandrlm P ve N tipi malzeme kullanlarak retilir. NPN ve PNP olmak zere balca iki tipi vardr. NPN transistrde 2 adet N tipi yariletken madde arasna 1 adet P tipi yariletken madde konur. PNP tipi transistrde ise, 2 adet P tipi yariletken madde arasna 1 adet N tipi yariletken madde konur. Dolaysyla transistr 3 adet katmana veya terminale sahiptir diyebiliriz.

95

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transistrn her bir terminale ilevlerinden tr; Emiter (Emiter), Beyz (Base) ve Kollektr (Collector) adlar verilir. Bu terminaller; genelde E, B ve C harfleri ile sembolize edilirler. ekil-4.2de NPN tipi ve PNP tipi transistrn fiziksel yaps ve ematik sembolleri verilmitir. Fiziksel yapdan da grld gibi transistrn iki jonksiyonu vardr. Bunlardan beyz-emiter arasndaki blge beyz-emiter jonksiyonu, beyzkollektr arasndaki blge ise beyz-kollektr jonksiyonu olarak adlandrlr. Transistrlerde beyz blgesi; kollektr ve Emiter blgelerine gre daha az katklandrlr. Ayrca beyz blgesi; kollektr ve Emiter blgesine nazaran ok daha dar tutulur.

C (Kollektr)
Beyz-Kollektr Jonksiyonu

C (Kollektr)

C (Kollektr)

C (Kollektr)

N
B (Beyz)

B (Beyz)

B (Beyz)

P N P

Beyz-Kollektr Jonksiyonu

P N
Beyz-Emiter Jonksiyonu

B (Beyz)
Beyz-Emiter Jonksiyonu

E (Emiter)

E (Emiter)

E (Emiter)

E (Emiter)

a) NPN tipi Transistr fiziksel yaps ve ematik sembol

b) PNP tipi Transistr fiziksel yaps ve ematik sembol

ekil-4.2 NPN ve PNP tipi transistrlerin fiziksel yaps ve ematik sembolleri

4.2

TRANSSTRN ALIMA LKELER

Bipolar transistrlerin genelde iki alma modu vardr. Ykselte (amplifier) ve anahtar olarak. Transistr, her iki alma modunda harici dc besleme gerilimlerine gereksinim duyar. Bu blmde NPN tipi transistrn alma ilkeleri analiz edilecektir. PNP tipi transistrn alma ilekeleri, NPN ile benzerlik gsterir. PNP tipi transistrde dc besleme gerilimi ve akmlarnn ynleri terstir. Bu nedenle sadece NPN tipi transistrlerin almas incelenecektir. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz. Transistrlerin doru ve ters ynde polarmalandrlmas Transistrlerde polarma gerilimlerinin balant ynleri Transistrlerde oluan akm ve gerilim ilikileri Transistrde beyz, emiter ve kollektr akmlar arasndaki ilikiler

Transistrler genellikle alma blgelerine gre snflandrlarak incelenebilir. Transistrn alma blgeleri; kesim, doyum ve aktif blge olarak adlandrlr. Transistr; kesim ve doyum blgelerinde bir anahtar ilevi grr. zellikle saysal sistemlerin tasarmnda transistrn bu zelliinden yararlanlr ve anahtar olarak kullanlr. Transistrn ok yaygn olarak kullanlan bir dier zellii ise ykselte olarak kullanlmasdr. Ykselte olarak kullanlacak bir transistr aktif blgede altrlr.

96

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Ykselte olarak altrlacak bir transistrn PN jonksiyonlar uygun ekilde polarmalandrlmaldr. ekil-4.3de NPN ve PNP tipi transistrlerin ykselte olarak altrlmas iin gerekli polarma gerilimleri ve bu gerilimlerin polariteleri verilmitir. NPN tipi bir transistrde; beyz-emiter jonksiyonu doru ynde, beyz-kollektr jonksiyonu ise ters ynde polarmalanr. Her iki transistrnde alma ilkeleri ayndr. Sadece polarma gerilimi ve akmlarnn ynleri terstir. Bu nedenle bu blm boyunca NPN tipi bir Transistrn almasn analiz edeceiz.
R

VBE

BE Doru Polarma

+ VBC

R BC Ters Polarma

VBE

VBC +

R BC Ters Polarma

BE Doru Polarma

ekil-4.3 NPN ve PNP transistrlerin polarmalandrlmas

Transistrn ykselte olarak almas ekil-4.4de verilen balantlar dikkate alnarak anlatlacaktr. NPN tipi bir transistrde beyz terminaline, emitere gre daha pozitif bir gerilim uygulandnda doru polarma yaplmtr. Bu polarma etkisiyle gei blgesi daralmaktadr. Bu durumda P tipi maddeki (beyz) ounluk akm tayclar, N tipi maddeye (emiter) gemektedirler. Emiter-beyz polarmasn iptal edip, beyz-kollektr arasna ters polarma uygulayalm. Bu durumda ounluk akm tayclar sfrlanacaktr. nk gei blgesinin kalnl artacaktr. (Diyodun ters polarmadaki davrann hatrlayn). Aznlk tayclar, beyzkollektr jonksiyonundan VCB kaynana doru akacaktr. zet olarak ykselte olarak altrlacak bir transistrde; Beyz-emiter jonksiyonlar doru, beyz-kollektr jonksiyonlar ise ters polarmaya tabi tutulur diyebiliriz. Bu durum ekil-4.4de ayrntl olarak verilmitir.
ounluk Akm Tayclar Aznlk Akm Tayclar

N E

N C E

N C

Gei Blgesi

Gei Blgesi

VEB

VCB

ekil-4.4 NPN tipi transistr jonksiyonlarnn doru ve ters polarmadaki davranlar

97

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transistrn nasl altn anlamak amacyla yukarda iki kademede anlatlan olaylar birletirelim. ekil-4.5de NPN tipi bir transistre polarma gerilimleri birlikte uygulanmtr. Transistrde oluan ounluk ve aznlk akm tayclar ise ekil zerinde gsterilmitir. Transistrn hangi jonksiyonlarna doru, hangilerime ters polarma uygulandn ekil zerindeki gei blgelerinin kalnlna bakarak anlayabilirsiniz.
N IC0 E IE
Gei Blgeleri ounluk Akm Tayclar

N
Aznlk Akm T ayclar

C IC

B IB VCB

VEB

ekil-4.5 NPN tipi transistrde ounluk ve aznlk akm tayclarnn ak

Doru ynde polarmalanan emiter-beyz jonksiyonu, ok sayda ounluk taycsnn P tipi malzemeye (beyze) ulamasn salar. Beyz blgesinde toplanan tayclar nereye gidecektir. IB akmna katkda m bulunacaklardr yoksa N tipi malzemeye mi geeceklerdir. Beyz blgesinin (P tipi malzeme) iletkenlii dktr ve ok incedir. Bu nedenle; az sayda tayc yksek dirence sahip bu yolu izleyerek beyz ucuna ulaacaktr. Dolaysyla beyz akm, emiter ve kollektr akmlarna kyasla ok kktr. ekil-4.5de gsterildii gibi ounluk tayclarnn ok byk bir blm, ters polarmal kolektr-beyz jonksiyonu zerinden difzyon yoluyla kollektr ucuna bal Ntipi malzemeye geecektir. ounluk tayclarnn ters polarmal jonksiyon zerinden kolaylkla gemelerinin nedeni, N-tipi maddede (emiterde) bulunan oyuklardr. Bu durumda akm miktar artacaktr. Sonu ksaca zetlenecek olursa; emiterden enjekte edilen elektronlarn kk bir miktar ile beyz akm olumaktadr. Elektronlarn geri kalan byk bir ksm ile kollektr akm olumaktadr. Buradan hareketle; emiterden enjekte edilen elektronlarn miktar, beyz ve kollektre doru akan elektronlarn toplam kadar olduu sylenebilir. Transistr akmlar arasndaki iliki aadaki gibi tanmlanabilir.
I E = IC + I B

Ksaca, kollektr akmnn miktar beyz akmnn miktar ile doru orantldr ve kollektre uygulanan gerilimden bamszdr. nk kollektr ancak beyzin toplayabildii tayclar alabilmektedir. Emiterden gelen tayclarn yaklak %99u kollektre geerken geriye kalan ok kk bir ksm beyze akar. Bir transistrn almas iin gerekli artlar ksaca zetleyelim. Transistrn alabilmesi iin; beyz-emiter jonksiyonu doru ynde, beyzkollektr jonksiyonu ise ters ynde polarmalandrlmaldr. Bu alma biimine transistrn aktif blgede almas denir.

98

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Beyz akm olmadan, emiter-kollektr jonksiyonlarndan akm akmaz. Transistr kesimdedir. Farkl bir ifadeyle; beyz akm kk olmasna ramen transistrn almas iin ok nemlidir. PN jonksiyonlarnn karakteristikleri transistrn almasn belirler. rnein; transistr, VBE olarak tanmlanan beyz-emiter jonksiyonuna doru ynde bir balang gerilimi uygulanmasna gereksinim duyar. Bu gerilimin deeri silisyum transistrlerde 0.7V, germanyum transistrlerde ise 0.3V civarndadr.

4.3

TRANSSTR PARAMETRELER VE KARAKTERSTKLER

Transistrle yaplan her trl tasarm ve almada dikkat edilmesi gereken ilk konu, transistrn dc polarma gerilimleri ve akmlardr. Transistrlerin dc analizlerinde kullanlacak iki nemli parametre vardr. Bu parametreler; DC (dc akm kazanc) ve DC olarak tanmlanr. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz. Transistrde dc beta (DC) parametrelerinin tantm Transistrde dc alfa (DC) parametrelerinin tantm DC ve DC parametrelerinin karlatrlmalar ve matematiksel analizleri Transistr devrelerinde akm-gerilim ilikileri Temel transistr devrelerinin dc analizleri Transistrlerin ematik gsterimi

Transistrlerin almas iin gerekli ilk art, dc polarma gerilimlerinin uygun ekilde balanmasdr. ekil-4.6da NPN ve PNP tipi transistrler iin gerekli polarma balantlar verilmitir. Transistrn beyz-emiter jonksiyonuna VBB kayna ile doru polarma uygulanmtr. Beyz-kollektr jonksiyonuna ise VCC kayna ile ters polarma uygulanmtr.

RC

IC
RB

RC

IC

RB

VCC

VCC

VBB

IB IE

V BB

IB IE

ekil-4.7 NPN ve PNP transistrlerin polarmalandrlmas

Bir transistrn analizi yaplrken iki nemli parametresi vardr. Bunlar; DC akm kazanc veDC akm kazancdr. Bu parametreleri inceleyelim.

99

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

DC Beta (DC) ve DC Alfa (DC)

akm kazanc, ortak emiter balantda akm kazanc olarak da adlandrlr. Ortak emiter balant kavram ileride aklanacaktr. Bir transistr iin akm kazanc, kollektr akmnn beyz akmna oranyla belirlenir.

IC IB

akm kazanc bir transistr iin tipik olarak 20-200 arasnda olabilir. Bununla birlikte deeri 1000 civarnda olan zel tip transistrlerde vardr. akm kazanc kimi kaynaklarda veya retici kataloglarnda hFE olarak da tanmlanr.

= h FE
Kollektr akmn yukardaki eitlikten;
IC = I B

olarak tanmlayabiliriz. Transistrde emiter akm; IE=IC+IB idi. Bu ifadeyi yeniden dzenlersek;
IE = IB + IB I E = I B (1 + )

deeri elde edilir. Ortak beyzli balantda akm kazanc olarak bilinen deeri; kollektr akmnn emiter akmna oran olarak tanmlanr.

IC IE

Emiter akmnn kollektr akmndan biraz daha byk olduu belirtilmiti. Dolaysyla transistrlerde akm kazanc 1den kktr. akm kazancnn tipik deeri 0.95-0.99 arasndadr. Emiter akm; IE=IC+IB deerine eitti. Bu eitlikte eitliin her iki taraf ICye blnrse;
I E IC I B = + IC IC IC IE I = 1+ B IC IC

DC=IC/IE ve DC=IC/IB olduundan, yukardaki formle yerletirilirse

1

= 1+

deeri elde edilir. Buradan her iki akm kazanc arasndaki iliki;

1+

olarak belirlenir. Bir transistrde akm kazanc deeri yaklak olarak sabit kabul edilir. Ancak akm kazanc deerinde ok kk bir deiimin, akm kazanc deerinde ok byk miktarlarda deiime neden olaca yukardaki formlden grlmektedir.

100

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transistrlerde akm kazanc, gerekte sabit bir deer deildir. Deeri bir miktar transistrn alma ssna bamldr.

rnek 4-1 zm:

Bir transistrn akm kazanc deeri 200dr. Beyz akmnn 75A olmas durumunda, kollektr akm, emiter akm ve akm kazanc deerlerini bulunuz.

DC =

IC IB

I C = I B = ( 200 75 A) = 150mA

I E = I C + I B = (1 + ) I B = (1 + 200 ) 75 A = 150.75mA

1+

200 = 0.99 1 + 200

Transistrlerde DC akm kazanc sabit deildir. Deeri bir miktar kollektr akm ve scaklk deiimi ile orantldr. Transistr reticileri kataloglarnda belirli bir IC deeri ve scaklk altnda oluan ortalama DC deerini verirler. ou uygulamalarda transistrn IC deeri ve jonksiyon scakl sabit tutulsa dahi DC deeri deiebilir. Bu nedenle; reticiler rettikleri her bir transistr tipi iin, DC akm kazancnn minimum ve maksimum deerlerini verirler. ekil-4.8de scaklk ve kollektr akmndaki deiime bal olarak DC akm kazancndaki deiim rneklenmitir. Transistrle yaplan devre tasarmlarnda DC deerindeki deiimler dikkate alnarak deerinden bamsz uygulama devreleri gelitirilmitir.
70
Minimum akm ka za nc (D C)

T=125 0C T=250 C

50

30 20 10

T=-15 0C T=-55 0C

1 .0

2.0

3.0

10

20

30

50

10 0

200

IC ( mA )

ekil-4.8 Scaklk ve kollektr akmndaki deiime bal olarak DCnin deiimi

Transistrde Akm ve Gerilim likileri

Bir transistr devresinde akm ve gerilimler arasnda belirli ilikiler vardr. Transistrn her bir terminalinde ve terminalleri arasnda oluan gerilim ve akmlar birbirinden bamsz deildir. Transistrn her bir jonksiyonundan geen akmlar ve jonksiyonlar arasnda oluan gerilimler ekil-4.9 zerinde gsterilmi ve adlandrlmtr.

101

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

RC

IC

II.GZ
IB IE IC VCC : Beyz akm (dc) : Emiter akm (dc) : Kollektr akm (dc)

V CB + +
RB

_ + _ _

VCE

IB VBB

VBE

VBE : Beyz-emiter gerilimi (dc) VCB : Kollektr-beyz gerilimi (dc) VCE : Kollektr-emiter gerilimi (dc)

I.GZ

IE

ekil-4.9 Transistrde akm ve gerilimler

Transistrn beyz-emiter jonksiyonu VBB gerilim kayna ile doru ynde polarmalanmtr. Beyz-kollektr jonksiyonu ise VCC gerilim kayna ile ters ynde polarmalanmtr. Beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalandnda tpk ileri ynde polarmalanm bir diyot gibi davranr ve zerinde yaklak olarak 0.7V gerilim dm oluur.
VBE 0.7V

Devrede I.Gz iin K.G.K yazlrsa;

VBB = I B R B + VBE

olur. Buradan beyz akm ekilirse;

VBB VBE = I B R B VBB VBE RB

IB =

olarak bulunur. Buradan kollektr ve emiter akmlarn bulabiliriz.

I C = .I B I E = I C + .I B

RC direnci zerine den gerilim;

V
olur.

R C

= IC R

102

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transistrn emiter-kollektr gerilimini bulmak iin devredeki II.Gzden yararlanrz. II.Gz iin K.G.K yazlrsa;
VCC = ( I C RC ) + VCE

VCE = VC C ( I C RC )

olarak bulunur. rnek 4-2

RC 100

Yanda verilen devrede; transistrn polarma akm ve gerilimlerini bulunuz?

VC C
10V

VCB + +
RB 10K 5V

_ + V BE VBE=0.7V
=200

I B=?, I C=?, IE =? V BE =?, V CE =?, V CB =?

VC E _ _

zm:
IB =

VBB = I B R B + VBE
VBB VBE 5V 0.7V = = 430 A RB 10K I C = I B = ( 200 430 A) = 86mA

DC =

IC IB

1+

200 = 0.99 1 + 200

VCC = ( I C RC ) + VCE VCE = VC C ( I C RC ) = 12V (86mA 100) = 3.4V

VCB gerilimini bulmak iin evre denklemlerinden yararlanlr.

VCC = ( I C RC ) + VCB + VBE VCB = VCC ( I C RC ) VBE

VCB = 12 (86mA 100) 0.7V = 2.7Volt

103

ANALOG ELEKTRONK- I
Transistrn Giri Karakteristii

Kaplan

Karakteristik eri, herhangi bir elektriksel elemanda akm-gerilim ilikisini gsterir. Transistr; giri ve k iin iki ayr karakteristik eriye sahiptir. Transistrn giri karakteristii beyz-emiter gerilimi ile beyz akm arasndaki ilikiyi verir. Transistrn giri karakteristiini karmak iin ekil-4.10daki balantdan yararlanlr. Transistrn giri karakteristiklerini elde etmek iin, kollektr-emiter gerilim (VCE) parametre olarak alnr ve bu gerilime gre beyz akm (IB) deitirilir. Beyz akmndaki bu deiimin beyz-emiter gerilimine (VBE) etkisi llr. Grafikten de grld gibi transistrn giri karakteristii normal bir diyot karakteristii ile benzerlik gsterir. VBE gerilimi 0.5Vun altnda olduu srece beyz akm ihmal edilecek derecede kktr. Uygulamalarda aksi belirtilmedike transistrn iletime balad andaki beyz-emiter gerilimi VBE=0.7V olarak kabul edilir. Beyz-emiter (VBE) gerilimi, scaklktan bir miktar etkilenir. rnein her 10Clik scaklk artmnda VBE gerilimi yaklak 2.3mV civarnda azalr.
RB

IB (mA)
T1 T2 T3

RB

IB VBB VBE

VCC
T1>T2>T3

0
0.5 0.7

VBE (V)

ekil-4.10 Transistrn giri karakteristiinin karlmas ve giri karakteristii Transistrn k Karakteristii

Ttransistrlerde k, genellikle kollektr-emiter ular arasndan alnr. Bu nedenle transistrn k karakteristii; beyz akmndaki (IB) deiime bal olarak, kollektr akm (IC) ve kollektr-emiter (VCE) gerilimindeki deiimi verir. Transistrn k karakteristiini elde etmek iin gerekli devre dzenei ve transistrn k karakteristik erileri ekil-4.11de ayrntl olarak verilmitir.
RC

IC (mA)

IC

IC

RB

VCE IB VBB

VCC

A
0 0.7

VCE (V)

ekil-4.11 Transistrn k karakteristiklerinin karlmas ve k karakteristikleri

104

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Devredeki VBB kayna beyz akmn ayarlamada kullanlr. Bu kaynan oluturduu beyz akm deerine bal olarak transistrn kollektr akm deiecektir. Karakteristik karmak iin farkl IB ve IC deerleri iin VCE gerilimleri llr ve kaydedilir. Balangta VCC=0, IC=0 ve VCE=0 iken VBBnin belirli bir IB deeri vermek zere ayarlandn kabul edelim. VCC geriliminin artrlmasyla birlikte IC akm dolaysyla VCE artacaktr. Bu durum ekil-4.11deki karakteristik zerinde gsterilmitir (A-B noktalar aras). VCE gerilimi B noktasna ulaana kadar beyz, kolektrden daha yksek potansiyeldedir ve B-C jonksiyonu doru ynde polarmalanmtr. Bu nedenle gerilim art ile birlikte kollektr akmda artmaktadr. VCE gerilimi B noktasna ulatnda deeri yaklak olarak 0.7V civarndadr.Bu anda beyz-kollektr jonksiyonu ters ynde polarmalanmaya balar. Kollektr akm IC=IB ilikisi ile gsterilen maksimum deerine ular. Bu noktadan sonra VCE gerilimine karlk IC deeri hemen hemen sabit kalmaya balar. Bu durum karakteristikte B ve C noktalar arasnda grlmektedir. Gerekte ise artan VCE gerilimi ile, beyz-kollektr jonksiyonu fakirlemi blgenin bymesi nedeniyle kollektr akmda az miktarda artmaktadr. retici firmalar her bir transistrn giri ve k karakteristik erilerini kataloglarnda kullancya sunarlar. ekil-4.12de farkl beyz akmlarnda transistrn k karakteristik erileri verilmitir. Transistrlerle yaplan devre tasarmlarnda retici firmann verdii karakteristik erilerden yararlanlr.
IC (mA ) I B6 I B5 I B4 I B3 I B2 I B1 VC E (V) I B1 <I B2<IB 3<IB4 <I B5<I B6
Transist rde krlma gerilimi snr

I C (mA) I B6 I B5 I B4 I B3 I B2 I B1 VC E (V)

ekil-4.12 Transistrn IC-VCE karakteristikleri ve krlma gerilimi

Transistre uygulanan VCE gerilimi nemlidir. Bu gerilim deeri belirli limitler dahilindedir. Bu gerilim belirlenen limit deeri atnda transistrde krlma (avalange) olay meydana gelerek bozulmaya neden olur. Bu durum ekil-4.12de gsterilmitir. Krlma gerilim deerleri retilen her bir transistr tipi iin retici kataloglarnda verilir.

Transistrde alma Blgeleri

Transistrlerde balca 3 alma blgesi vardr. Bu blgeler; aktif blge, kesim (kat-off) blgesi ve doyum (saturation) blgesi olarak adlandrlr. Transistrn alma blgeleri ekil-4.13de transistrn k karakteristikleri zerinde gsterilmitir. Bu blgeleri ksaca inceleyelim.

105

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

I C (mA) I B6

DOY UM BLG ES

I B5 I B4 AK TF B LGE I B3 I B2
I B=0

I B1 VCE (V )

KES M BLG ES

ekil-4.13 Transistrlerde alma blgeleri

Aktif Blge: Transistrn aktif blgesi; beyz akmnn sfrdan byk (IB>0) ve kollektr-emiter geriliminin 0Vdan byk (VCE>0V) olduu blgedir. Transistr aktif blgede alabilmesi iin beyz-emiter jonksiyonu doru, kollektr-beyz jonksiyonu ise ters ynde polarmalanr. Bu blgede transistrn k akm ncelikle beyz akmna, kk bir miktarda VCE gerilimine bamldr. Transistrn aktif blgede nasl alt, transistrn almas blmnde ayrntl olarak incelenmiti. Dorusal ykselte tasarm ve uygulamalarnda transistr genellikle bu blgede altrlr. Kesim Blgesi: Transistrn kesim blgesinde nasl alt ekil-4.13.a yardmyla aklanacaktr. ekilde grld gibi transistrn beyz akm IB=0 olduunda, beyzemiter gerilimi de VBE=0V olaca iin devrede kollektr akm (IC) olumayacaktr. Bu durumda transistr kesimdedir. Kollektr-emiter jonksiyonlar ok yksek bir diren deeri gsterir ve akm akmasna izin vermez. Transistrn kollektr-emiter gerilimi VCE, besleme gerilimi VCC deerine eit olur. Kollektrden sadece IC0 ile belirtilen ok kk bir akm akar. Bu akma sznt akm denir. Sznt akm pek ok uygulamada ihmal edilebilir.
RC RC

I C0 + VCE V CC I B =0A VBB V CC IB +

IC
RB

V VCC IC R C CE

VCC

a) Transistrn kesim blgesinde almas

b) Transistrn doyum blgesinde almas

ekil-4.13.a ve b Transistrn kesim ve doyum blgesinde almas

106

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Doyum Blgesi: Transistrn doyum (saturation) blgesinde alma ekil-4.3.b yardmyla aklanacaktr. Transistre uygulanan beyz akm artrldnda kollektr akmda artacaktr. Bu ilemin sonucunda transistrn VCE gerilimi azalacaktr. nk IC akmnn artmas ile RC yk direnci zerindeki gerilim dm artacaktr. Kollektr-emiter gerilimi doyum deerine ulatnda (VCE(DOY)) beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalanacaktr. Sonuta IB deeri daha fazla ykselse bile IC akm daha fazla artmayacaktr. Bu durumda transistrdeki IC=IB eitlii doruluunu kaybedecektir. Doyum blgesinde alan bir transistrn kolektr-emiter gerilimi VCE yaklak 0V civarndadr. Bu deer genellikle VCE(DOY)=0V olarak ifade edilir.

Transistrde Maksimum G Snr

Her bir transistr tipinin alma alann belirleyen bir takm snr (maksimum) deerler vardr. Bu deerler standart transistr kataloglarnda verilir. Transistrle yaplan tasarmlarda bu deerlere uyulmaldr. Kataloglarda verilen tipik maksimum snr deerlerini; kollektr-beyz gerilimi (VCB(max)), emiter-beyz gerilimi (VBE(max)), kollektremiter gerilimi (VCE(max)), kollektr akm (IC(max)) ve maksimum g harcamas (PD(max)) olarak sayabiliriz. ekil-4.14de tipik bir k karakteristii zerinde maksimum deerler gsterilmitir. Transistrlerde g harcamas; kollektr-emiter gerilimi (VCE) ve kollektr akmna (IC) baldr. Aadaki gibi formle edilir.
IC = PD( MAX ) VCE

I C (mA) IC (max) Ma ksimum g snr

V CE (V) V CE (max)

ekil-4.14 Transistrde maksimum snr deerler ve g snr

rnek: 4.3
Aktif blgede alan bir transistrn VCE gerilimi 8V llmtr. Transistrn maksimum g harcama snr 300mW verildiine gre, kollektr akmnn maksimum deeri ne olmaldr. Hesaplaynz

107

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

zm:

IC =

PD(max) VCE

300mW = 37.5mA 8V

rnek: 4.4
RB 33 K

RC

1K

V BB
5V

VC C

ekildeki devrede transistrn maksimum snr deerleri verilmitir. Transistrn zarar grmeden altrlabilecei maksimum VCC gerilimi deeri ne olmaldr? Hesaplaynz? PD(MAX) =1W V CE(MAX) =20V IC(MAX) =100mA DC =150

zm:

Transistrn VCE gerilimi deerini belirleyen faktrler; VCC, IC ve IB deerleridir. lk etapta devredeki IB deerini belirleyelim.

VBB = I B R B + VBE I B =

VBB VBE 5V 0.7V IB = = 130 A RB 33K

IC = I B

I C = 150 130 A 19.5mA

VCE geriliminin 20V olmasn salayan IC akmnn deeri, IC(max) deerinden kktr. IC akmn belirleyen bir dier faktr ise VCC gerilimidir. Bu gerilimin olmas gereken deerini bulalm.

VCC = I C RC + VCE VCC = 19.5mA 1K + 20V VCC = 39.5V

Buradan transistrn maksimum g artlarnda alabilmesi iin VCC geriliminin alabilecei deeri belirledik. imdi transistrde harcanabilecek maksimum gc bulalm.

PD = VCE( MAX ) I C PD = 20V 19.5mA PD = 390mW

Transistrde harcanabilecek toplam g, 390mW bulunmutur. Bu deer transistrn snr g deerinden (1W) kktr. 39.5Vluk VCC besleme geriliminde gvenli bir alma ortam salanmtr.

108

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

4.4

TRANSSTRN ANAHTAR OLARAK ALIMASI

Transistrlerin en popler uygulama alanlarna rnek olarak ykselte ve anahtarlama devrelerini verebiliriz. Transistrn elektronik anahtar olarak kullanlmasnda kesim ve doyum blgelerinde almasndan yararlanlr. Bu blm bitirdiinizde; aada belirtilen konular hakknda ayrntl bilgilere sahip olacaksnz. Transistrde kesim (cutoff) ve doyum (saturation) blgeleri Transistrn kesim blgesindeki zellikleri Transistrn doyum blgesindeki zellikleri

deal bir anahtar, ak olduunda direnci sonsuzdur. zerinden akm akmasna izin vermez. Kapal konuma alndnda ise direnci sfrdr ve zerinde gerilim dm olmaz. Ayrca anahtar bir durumdan, dier duruma zaman kayb olmadan geebilmelidir. Transistrle gerekletirilen elektronik anahtar, ideal bir anahtar deildir. Fakat transistr kk bir g kayb ile anahtar olarak alabilir. Transistrn bir anahtar olarak nasl kullanld ekil-4.14de verilmitir. ekil-4.14.ada grld gibi transistrn beyz-emiter jonksiyonu ters ynde polarmalanmtr. Dolaysyla transistrn kesimdedir. Kollektr-emiter aras ideal olarak ak devredir. Transistr bu durumda ak bir anahtar olarak davranr.
+V CC +VC C

+VC C

+VC C

RC C

I C=0

RC

RC C

IC

RC

RB

RB

0V
IB=0 E E

+VBB
IB E E

a) Transistr kesimde -Anahtar AIK

b) Transistr doyumda -Anahtar KAPALI

ekil-4.14.a ve b Transistrn anahtar olarak almas

ekil-4.14.bde ise transistrn beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalanmtr. Bu devrede beyz akm yeterli derecede byk seilirse transistr doyum blgesinde alacaktr. Kollektr akm maksimum olacak ve transistrn kollektr-emiter aras ideal olarak ksa devre olacaktr. Transistr bu durumda kapal bir anahtar gibi davranr.

109

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transistr kesimdeyken; Beyz-emiter jonksiyonu iletim ynnde polarmalanmamtr. Dolaysyla transistrn kollektr-emiter gerilimi; VCE = VCC I C RC deerine eittir. Bu deer ayn zamanda transistrn k gerilimidir. Transistr kesimdeyken IC=0 olduunu biliyoruz. nk transistrn kollektr-emiter aras ak devredir. Bu durumda;
VCE( KESIM ) = VCC

olur. Bu gerilim, transistrn kollektr-emiter arasnda grlebilecek maksimum deerdir ve yaklak olarak transistrn besleme gerilimi VCC deerine eittir. Transistr doyumdayken; Kollektr akm maksimum deerine ulamaktadr. Kollektr-emiter gerilimi ise ideal olarak dnlrse VCE=0V olmaktadr. Bu durumda transistrn kollektr akm;
VCC = VCE( DOYUM ) + I C RC I C ( DOYUM ) = VCC RC

deerine eit olur. Bu deerden hareketle transistr doyumda tutacak beyz akmnn minimum deeri belirlenebilir. I I B(min) = C

rnek 4.5
RB

VC C=+12V
RC 1K

ekildeki devrede transistr anahtarlama amac ile kullanlmaktadr. a) VB =0V olduunda V0 deerini bulunuz?

VO

b) Transistr doyumda tutacak minimum beyz akmn bulunuz? c) V B=6V olduunda transistr doyumda tutacak RB deerini bulunuz?

=150

zm:

a) VB=0V olduunda transistr kesimdedir. Kollektr akm IC=0A olur. Dolaysyla transistrn V0 gerilimi;
V0 = VCE = VCC = +12V

b) Transistr doyumda olduunda; VCE(DOYUM)=0V olacaktr. Buradan IC akmn bulalm.

VCC = I C RC + VCE

110

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

I C ( DOYUM ) =

VCC 12V = = 12 mA RC 1K

olacaktr. Buradan transistr doyumda tutacak beyz akmnn minimum deerini buluruz.
I B( MIN ) = I C ( DOYUM )

12 mA = 80 A 150

Bulunan bu deer; transistr doyumda tutmak iin gereken beyz akmnn minimum deerdir. Beyz akmnn bu deerden daha fazla olmas kollektr akmn artrmayacaktr. c) Transistr doyuma ulatracak beyz akmn belirleyen devre elaman RB direncidir. Bu direncin olmas deerini bulalm. Transistr iletime girdiinde, beyzemiter gerilimi VBE=0.7V olacaktr. Dolaysyla devreden RB deerini bulabiliriz.
VB = I B R B + VBE RB = VB VBE 6V 0.7V = = 66.2K IB 80 A

olarak bulunur.

Transistrl anahtar uygulamas

Pek ok endstriyel uygulamada veya saysal tasarmda tmdevrelerin kndan alnan iaretlerin kuvvetlendirilmesi istenir. rnein ekil-4.15a.da tmdevre kndan alnan bir kare dalga iaretin bir ledi yakp sndrmesi iin gerekli devre dzenei verilmitir. Giri iareti; 0V olduunda transistr kesimdedir, LED yanmayacaktr. Giri iareti +V deerine ulatnda ise transistr iletime geerek LED yanacaktr.
+VCC
RC
RO LE 12V/100mA

+V CC=12V

RB

RB 5V

BC547
= 150

+V 0V

VBE=0.6V

a) Transistrn anahtar olarak almas

b) Transistrle role kontrol

ekil-4.15.a ve b Transistrn anahtar olarak kullanlmas

111

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ekil-4.15.bde ise bir tmdevre kndan alnan iaretin kuvvetlendirilerek bir rleyi, dolaysyla role kontaklarna bal bir yk kontrol etmesi gsterilmitir.

rnek: 4.6

ekil-4-15.bde verilen devrede tmdevre k +5V olduunda rolenin kontaklarn ekmesi istenmektedir. Tmdevre knn izin verdii akm miktar 10mAdir. RB direncinin deeri ne olmaldr? Hesaplaynz? Rolenin kontaklarn ekebilmesi iin gerekli minimum akm deeri 100mAdir. Dolaysyla transistrn kolektrnden akacak IC akm deeri 100mAdir. Buradan IB akmnn olmas gereken deerini bulabiliriz.
IB = I C 100mA = 0.6mA = 150

zm:

Bulunan bu deer; transistr doyumda tutmak iin gereken beyz akmnn minimum deerdir. imdi bu akm aktacak RB deerini bulalm. Devreden;
+5V = I B
RB =

R B + VBE

VB - VBE 5V - 0.6V = 7.3K = IB 0.6mA

4.5

TRANSSTRN YKSELTE OLARAK ALIMASI

Transistrlerin ok popler bir dier uygulama alan ise ykselte (amplifier) devresi tasarmdr. Ykseltme (amplifikasyon) ilemi, transistre uygulanan her hangi bir iaretin genliinin veya gcnn dorusal olarak kuvvetlendirilmesi (ykseltilmesi) ilemidir. Ykselte olarak tasarlanacak bir transistr, genellikle aktif blgede altrlr. Bu blmde bitirdiinizde ; Ykselte (amplifier) Temel transistrl ykseltecin dc ve ac analizi Hakknda temel bilgiler elde edeceksiniz.

Transistrn en temel uygulama alanlarndan biri de ykselte (amplifier) devresi tasarmdr. Temel bir ykselte devresinin ilevi, giriine uygulanan iareti ykselterek (kuvvetlendirerek) kna aktarmasdr.

112

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transistrl temel bir ykselte devresi ekil-4.16da verilmitir. Devrede kullanlan dc kaynaklar transistrn aktif blgede almasn salamak iindir. Devre giriine uygulanan ac iaret (VN) ise ykseltme ilemine tabi tutulacaktr. Transistrl ykselte devresinde; devrenin ykselte olarak alabilmesi iin dc besleme (polarma) gerilimlerine gereksinim vardr. Dolaysyla transistrl ykselte devreleri genel olarak iki aamada incelenilirler. Bu aamalar; Transistrl ykselte devrelerinin dc analizi Transistrl ykselte devrelerinin ac analizi
+V CC
RC

V out
RB

V in V BB

ekil-4.16 Transistrl ykselte devresi

DC Analiz
yi bir ykselte tasarm iin transistrn zelliklerine uygun dc polarma akm ve gerilimleri seilmelidir. Dolaysyla ykselte tasarmnda yaplmas gereken ilk adm transistrl ykselte devresinin dc analizdir. Analiz ileminde transistrn alma blgesi belirlenir. Bu blge iin uygun akm ve gerilimler hesaplanr. Sonuta; transistrl ykselte devresi ac almaya hazr hale getirilir. Transistrl ykselte devrelerinin dc analizinde edeer devrelerden yararlanlr. Transistrl ykselte devrelerinin dc analizi ilerideki blmlerde tm ayrntlar ile incelenecektir.

AC Analiz
Transistrl ykselte tasarmnda ikinci evre, tasarlanan veya tasarlanacak ykselte devresinin ac analizidir. Ykselte devresinin ac analizini yaplrken edeer devrelerden yararlanlr. ekil-4.17a.da transistrl temel bir ykselte devresi verilmitir. Ayn devrenin ac edeeri devresi ise ekil-4.17.bde grlmektedir.

113

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+V CC
RC RC

RB

Vout Vout Vin

RB

Vo

Vin Vin VBB Vg

a) Transistrl ykselte devresi

b) Transistrl ykselte devresinin ac edeeri

ekil-4.17.a ve b Transistrl temel ykselte devresi ve ac edeeri

Transistrl bir ykselte devresinin ac edeer devresi izilirken, dc kaynaklar ksa devre yaplr. Ykselte devresi doal olarak giriinden uygulanan ac iareti ykselterek kna aktaracaktr. Dolaysyla bir kazan sz konusudur. Ykseltecin temel amacda bu kazanc salamaktr. Bir ykselte devresi; giriinden uygulanan iaretin genliini, akmn veya gcn ykseltebilir. Dolaysyla bir akm, gerilim veya g kazanc sz konusudur. Ykseltelerde kazan ifadesi A ile sembolize edilir. Gerilim kazanc iin AV, Akm kazanc iin AI ve g kazanc iin AP sembolleri kullanlr. rnein ekil-4.17de grlen ykselte devresinin gerilim kazanc AV;
AV = V0 Vg

Transistrl ykselteler, belirtildii gibi elektronik biliminin en nemli konularndan birisidir. Bu nedenle transistrl ykseltelerin analizi ve tasarm bu kitabn ilerleyen blmlerinde ayrntl olarak incelenecektir. Bu blmde sizlere ksa n bilgiler sunulmutur.

4.6

TRANSSTRLERDE KODLAMA VE KILIF TPLER

Gnmzde pek ok farkl klf tipine sahip transistr retimi yaplmaktadr. Transistrlerin klf tipleri genelde kullanm amacna ve kullanm yerine bal olarak deimektedir. rnein, kk veya orta gl transistrlerin retiminde genellikle plastik veya metal klflar kullanlmaktadr. Transistrlerde kullanlan klf tiplerini belirleyen dier nemli bir faktr ise alma frekanslardr. Bu blmde transistrlerin klf tiplerini belirleyen etkenler olarak ; Transistrlerde uluslaras standart kodlama Transistrlerde retim kategorileri hakknda temel bilgiler elde edeceksiniz.

114

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Uluslararas bir ok firma, transistr retimi yapar ve kullancnn tketimine sunar. Transistr retimi farkl ihtiyalar iin binlerce tip ve modelde yaplr. retilen her bir transistr farkl zellikler ierebilir. Farkl amalar iin farkl tiplerde retilen her bir transistr; reticiler tarafndan bir takm uluslararas standartlara uygun olarak kodlanrlar. Transistrler; bu kodlarla anlrlar. retilen her bir transistrn eitli karakteristikleri retici firma tarafndan kullancya sunulur.

Uluslararas Standard Kodlama:

Transistrlerin kodlanmasnda bir takm harf ve rakamlar kullanlmaktadr. rnein AC187, BF245, 2N3055, 2SC2345, MPSA13 v.b gibi bir ok transistr sayabiliriz. Kodlamada kullanlan bu harf ve rakamlar rasgele deil uluslar aras standartlara gredir ve anlamldr. Gnmzde kabul edilen ve kullanlan balca 4 tip standart kodlama vardr. Bir ok retici firma bu kodlamalara uyarak transistr retimi yapar ve tketime sunarlar. Yaygn olarak kullanlan standart kodlamalar aada verilmitir. 1. 2. 3. 4. Avrupa Pro-electron Standard (Pro-electron) Amerikan jedec standard (EIA-jedec) Japon (JIS) Dou Blok (eski SSCB)

Pro-Electron Standard: Avrupa lkelerinde bulunan transistr reticilerinin genellikle kullandklar bir kodlama trdr. Bu kodlama trnde reticiler transistrleri; AC187, AD147, BC237, BU240, BDX245 ve benzeri ekilde kodlarlar. Kodlamada genel kural, nce iki veya harf sonra rakamlar gelir. Kullanlan her bir harf anlamldr ve anlamlar aada ayrntl olarak aklanmtr. LK HARF: Avrupa (Pro Electron) standardna gre kodlanmada kullanlan ilk harf, transistrn yapm malzemesini belirtmektedir. Germanyumdan yaplan transistrlerde kodlama A harfi ile balar. rnein AC121, AD161, AF254 v.b kodlanan transistrler germanyumdan yaplmtr. Silisyumdan yaplan transistrlerde ise kodlama B harfi ile balar. rnein; BC121, BD161, BF254 v.b kodlanan transistrler silisyumdan yaplmtr. IKINCI HARF: Transistrlerin kodlanmasnda kullanlan ikinci harf Avrupa Standardna gre, transistrn kullanm alanlarn belirtir. rnek kodlamalar aada verilmitir. AC: BC: BD: BF: BL: BU: Avrupa (Pro Electron) Standardna gre, dk gl alak frekans transistrdr. Germanyumdan yaplmtr. AC121, AC187, AC188, AC547 gibi... Avrupa (Pro Electron) Standardna gre, dk gl alak frekans transistrdr ve Silisyumdan yaplmtr. BC107, BC547 gibi... Avrupa (pro electron) standart seri, Si, dk gl, alak frekans transistr. BD135, BD240, BD521 v.b. gibi Avrupa (pro electron) standart seri, Si, dk gl, yksek frekans transistr. BF199, BF240, BF521, gibi... Avrupa (pro electron) standart seri, Si, byk gl, yksek frekans transistr. BL240, BL358, BL521 gibi... Avrupa (pro electron) standart seri, Si, byk gl, anahtarlama transistr. BU240, BU521 gibi...Germanyumdan yaplan transistrlerin bana A harfinin geldii unutulmamaldr. AC, AD, AF, AU gibi...

115

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

NC HARF: Avrupa (pro electron) standardnda baz Transistrlerin kodlanmasnda nc bir harf kullanlr. nc harf, ilk iki harfte belirtilen zellikler ayn kalmak kouluyla o transistrn endstriyel amala zel yapldn belirtir. rnek olarak; BCW245, BCX56, BFX47, BFR43, BDY108, BCZ109, BUT11A, BUZ22 v.b gibi Dier Kodlama trleri ve standartlar: Avrupa pro-electron standardna gre kodlamann zelliklerini verdik. Bu kodlamaya ilave olarak Amerikan ve Japon reticilerin uyduklar kodlamalar ve anlamlar aada liste olarak verilmitir. Bu gruplara ilave olarak, byk yariletken reticisi baz kurulular azda olsa zel kodlar kullanmaktadrlar. KOD AIKLAMALAR 2N..... : Amerikan (EIA-jedec) Standard (FET dahil). 3N..... : Amerikan (EIA-jedec) Standard (FET, MOSFET) 4N..... : Amerikan (EIA-jedec) Standard opto-kuplr v.b 2S..... : Japon (JIS) Standard Si (2S2134 gibi...) 2SA....: Japon (JIS) Standard, PNP, Yksek frekans 2SB.... : Japon (JIS) Standard, PNP, Alak frekans 2SC.... : Japon (JIS) Standard, NPN, Yksek frekans 2SD.... : Japon (JIS) Standard, NNP, Alak frekans 2SH.... : Japon (JIS) Standard, Unijonksiyon Transistr 2SJ.... : Japon (JIS) Standard, FET, P kanall 2SK....: Japon (JIS) Standard, FET, N kanall 3SJ.... : Japon (JIS) Standard, FET, P kanall 3SK....: Japon (JIS) Standard, FET, N kanall MA... : Motorola, Ge, Dk gl, metal klf MPS... : Motorola, Si, Kk iaret, plastik klf MJE... : Motorola, Si, Byk gl, plastik klf MPF... : Motorola, JFET, plastik klf MJ : Motorola, Si, Byk gl, Metal klf Baz byk retici firmalar ise kendi kodlaryla zel retim yapmaktadrlar. zelliklerini kataloglardan temin edebilirsiniz.

Transistr kategorileri ve klf tipleri

Uluslaras transistr reticileri, retimlerini genellikle 3 temel kategoride gerekletir. Bu kategorileri; Genel amal/alak frekans transistrleri G transistrleri Radyo frekans (RF) transistrleri

Olarak tanmlayabiliriz. Her bir kategori, belirli alt kategorilerede ayrlmaktadr. retici firmalar transistr adlarnn kodlanmasnda, klf ve pin tiplerinin belirlenmesinde belirli standartlara uyarlar. Genel Amal/Kk Sinyal Transistrleri: Bu tip transistrler genellikle orta gl ykselte veya anahtarlama devrelerinde kullanlr. Metal veya plastik klf ierisinde retilirler. ekil-4.18de plastik klfa sahip standart transistr klf tipleri, klf kodlar ve terminal isimleri verilmitir.

116

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

C B
E B C

C B B E

E B

E SOT-23 veya TO-236AB

TO-92 veya TO-226AA

TO-92 veya TO-226AE

ekil-4.18 Genel amal alak sinyal plastik transistr klflar ve terminal isimleri
ekil-4.19da ise ayn kategoride bulunan ve metal klf ierisinde retilen baz transistrlerin klf kodlar ve terminal isimleri ile birlikte verilmitir. Farkl terminal balantlarna ve klf tipine sahip onlarca tip transistr vardr. Bu blmde rnekleme amac ile ok kullanlan birka tip klf tipi verilmitir. Ayrntl bilgileri retici kataloglarndan elde edebilirsiniz.

C B
E B C

C B B E TO-18 veya TO-206AA

E TO-39 veya TO-205AD

E TO-46 veya TO-206AB

C C B E TO-52 veya TO-206AC TO-5 B E

C

C B E
B E G G=GVDE

TO-72 veya TO-206AF

ekil-4.18 Genel amal alak sinyal metal transistr klflar ve terminal isimleri
G (power) Transistrleri: G (power) transistrleri yksek akm ve gerilim deerlerinde altrlmak zere tasarlanmlardr. Dolaysyla boyutlar olduka byktr. Bu tip transistrler genellikle metal klf ierisinde retilirler. Transistrn gvdesi metaldir ve genellikle kollektr terminali metal gvdeye monte edilmitir. ekil-4.19da yaygn olarak kullanlan baz g transistrlerinin klf kodlar ve terminal balantlar verilmitir.

117

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

C C C

E C

B B C

B E C

B E C

TO-126 ve TO-225AA

TO-218

TO-218AC

TO-220AB

GVDE C GVDE C C

SMD TP

TO-66

TO-3 veya TO204AE

ekil-4.19 Baz g transistrlerinin klf tipleri ve terminal balantlar

Radyo Frekans (RF) Transistrleri: ok yksek frekansla alan sistemlerde (Radyo frekans=RF) altrlmak zere tasarlanm transistrler, RF transistrleri olarak anlmaktadr. zellikle iletiim sistemlerinde kullanlan bu transistrlerin klf tipleri dierlerinden farkllk gsterebilir. Bunun nedeni yksek frekans etkisini minimuma indirmektir. ekil-4.20de baz RF transistrlerinin standart klf tipleri rnek olarak verilmitir.

ekil-4.20 RF transistrlerinde kullanlan klf tipleri

118

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

4.7

TRANSSTR VER SAYFALARI

retici firmalar rettikleri her bir transistr tipi iin standart ve maksimum alma karakteristiklerini veri kitapklarnda tasarmcnn kullanmna sunarlar. Bu blmde retici firmann rettii bir transistr iin veri kitapnda kullancya sunduu katalog bilgileri rnek olarak sizlere verilecektir.

4.8

TRANSSTR TEST
Elektronik cihazlarda kimi zaman bir takm arzalar oluabilir. Bu arzalar genellikle yariletken devre elemanlarnn bozulmasndan kaynaklanr. Bu nedenle herhangi bir cihazn onarmnda ilk aama cihazda kullanlan yariletken devre elemanlarnn salamlk testinin yaplmasdr. Transistrlerin salamlk testi; statik ve dinamik test olmak zere iki aamada yaplabilir. Transistre herhangi bir enerji uygulamadan bir l aleti yaplan test

119

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ilemine statik test denir. Bu ilemde transistrn jonksiyonlar aras direnci llr. Dinamik test ilemi ise transistr devre zerinde alma halindeyken yaplr. Bu ilemde transistr zerinde oluabilecek polarma gerilim ve akmlarnn lm yaplr. Bu blm bitirdiinizde; Bir transistrn multimetre ile statik testinin nasl yapldn Bir transistrde dinamik lmlerin nasl yaplabileceini

Ayrntl olarak reneceksiniz. Yaptnz test ilemleri sonucunda her hangi bir transistrde salamlk testinin nasl yaplaca, transistr tipinin (pnp veya npn) ve terminal balantlarnn nasl bulanacan yetisini kazanacaksnz.

Transistrn Statik Testi

Saysal veya analog bir multimetre kullanlarak herhangi bir transistrn salamlk testi yaplabilir. Test ileminde sonucunda transistrn salam olup olmadnn yan sra transistr tipi (npn/pnp) ve transistr terminalleride (b,e,c) belirlenebilir. Npn veya pnp tipi bir transistrn test ileminde pratik bir zm, transistr srt srta bal iki diyot gibi dnmektir. Test ileminde bu durum bize kolaylk salar. NPN ve PNP tipi transistrlerin diyot edeerleri ekil-4.21de verilmitir. Bu durum sadece transistr test etmemizde bize kolaylk salar. ki gerek diyot, ekilde belirtildii gibi balanrsa transistr olamayaca ve transistr gibi almayaca zellikle bilinmelidir.
C
n p

C
p n

B E Sembol

B
n

B E Yaps E Diyot edeeri

B E Sembol

B
p

B E Yaps E Diyot edeeri

a) npn tipi transistr ve diyot edeeri

a) npn tipi transistr ve diyot edeeri

ekil-4.21 Npn ve Pnp tipi transistrlerin sembol ve diyot edeerleri

Transistrn diyot edeer devresinden yararlanlarak saysal bir multimetre ile test ileminin nasl yaplabilecei ekil-4.22 yardm ile anlatlacaktr. Test ilemi iin saysal multimetrenin diyot lme konumu kullanlr. Her bir aamada transistrn sadece iki terminali arasndaki ngerilim llr. Salam bir transistrn doru polarma altnda terminalleri arasndaki gerlim 0.7V civarndadr. Ters polarma altnda ise bu deer multimetrenin pil gerilimidir. ekil-4.22 zerinde bir transistr iin gerekli test aamalar ve sonular adm adm gsterilmitir. Belirtilen admlar sra ile izleyerek sonu ve yorumlar gzlemleyiniz.

120

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

0.70
E B C
V off A mA COM V

0.70
E B C
V off A mA COM V

1 .20
E B C
V off A mA COM V

a) E-B jonksiyonu doru polarma Sonu: Doru deer

b) B-C jonksiyonu doru polarma Sonu: Doru deer

c) E-C jonksiyonu testi Sonu: Doru deer

1 .20
E B C
V off A mA COM V

1 .20
E B C
V off A mA COM V

1 .20
E B C
V off A mA COM V

d) E-B jonksiyonu ters polarma Sonu: Doru Deer

e) B-C jonksiyonu ters polarma Sonu: Doru deer

f) E-C jonksiyonu testi Sonu: Doru deer

1 .20
E B C
V off A mA COM V

0.00
E B C
V off A mA COM V

1 .20
E B C
V off A mA COM V

g) E-B jonksiyonu doru polarma Sonu: E-B Bozuk ak devre

h) B-C jonksiyonu doru polarma Sonu: E-B Bozuk ksa devre

i) B-C jonksiyonu doru polarma Sonu: B-C Bozuk ak devre

ekil-4.22 npn tipi bir transistrn saysal multimetre ile statik testi
Test ilemi, analog multimetre kullanlarak da yaplabilir. Multimetre ohm kademesine alnr. Transistrn jonksiyonlar arasndaki diren deerleri sra ile llr. Multimetre; Ters polarmada ok byk diren deeri, doru polarmada ise kk bir diren deeri gstermesi gerekir. Aksi durumlarda transistrn bozuk olduu anlalr. Transistrleri test etmek amac ile eitli firmalarca gelitirilmi hazr transistr test cihazlar da (transistor tester) vardr. ekil-4.23de rnek olarak birka transistr test cihaz verilmitir. Her bir cihazn kullanm kataloglarndan renilebilir.

121

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

ekil-4.23 Transistr test cihazlar

Transistrn Dinamik Testi

alan herhangi bir devre veya cihaz zerinde bulunan transistrler test edilebilir. Test ileminde devre zerindeki transistrn terminalleri arasndaki gerilimler llr. Dolays ile lm sisteminde enerji vardr. Bu tr test ilemine dinamik test denir. Salkl bir test ilemi iin baz analizler yaplmal veya bilinmelidir. Test ileminde size pratiklik kazandrmak amac ile ekil-4.24de grlen basit bir transistrl devre verilmitir.
+V CC=12V
RC 680

VC
RB BC108 VB B=+3V 47K

VBE

(DC)=hFE =200

ekil-4.24 Transistrl devre ve polarma gerilimleri

Devrenin ksaca analizini yaparak elde edilen sonular ekil zerinde gsterelim. Doru polarma altnda alan bir transistrde beyz-emiter gerilimi VBE her zaman;
VBE = 0.7V

deerinde olur. Transistrn dier polarma akm ve gerilimlerini bulalm.

IB = VBB VBE 3V 0.7V 2.3V = = = 48 A RB 47 K 47 K

I C = ( DC ) I B = ( 200) ( 48 A) = 9.6mA

122

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VC = VCC ( I C RC ) = 12V (9.6mA 680) = 12 6.5V = 5.5V

hesaplamalar sonucunda salam bir transistr zerinde bulunan deerler ekil-4.24 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir.
+12V
RC 680 RB BC108 +3V 47K

5.5v

0.7v

(DC)=hFE =200

ekil-4.24 Transistrl devre ve polarma gerilimleri

ekil-4.24de verilen devrede veya herhangi bir transistrl devrede oluabilecek pek ok arza eidi vardr. Transistrl bir devrede oluabilecek arza, devrede yaplacak gerilim lmeleri sonucunda belirlenebilir. ekil-4.25de transistrl bir devrede olas arzalar nedenleri ve lme sonular verilmitir. Dikkatlice inceleyiniz Not: Tm lmeler ase (gnd) terminaline gre yaplmtr.

+12V
RC 680

+12V Ak Devre
RC 680

1 2v
RB BC108 +3V 47K
+3V 47K RB

1 2v
BC108

v
: Beyz-Emiter terminalinde birka V, Kollektr terminalinde ise 12 llmtr. Yorum : Transistrn beyz akmn alamaktadr. Sonu : RB direnci ak devre olmutur. zm : RB direnci deitirilmelidir. Test Test

0.5..0.7v
: Beyz-Emiter terminalinde 0.5V0.7V, Kollektr terminalinde ise 12 llmtr. Yorum : Transistr kesimdedir, kollektr akm yoktur. Sonu : Kollektr terminali iten ak devre olmutur zm : Transistr bozuktur, deitirilmelidir..

123

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+12V
Ak Devre RB BC108 +3V 47K RC

+12V
RC 680

v
RB +3V 47K

1 2v
BC108

05...0.7v
Test : Beyz-Emiter terminalinde 0.50.7V, Kollektr de birka V llmtr. Yorum : Transistrn kollektr akm yoktur. Sonu : RC direnci ak devre olmutur. zm : RB direnci bozuktur, deitirilmelidir.
+12V
Ak Devre RB BC108 +3V 47K RC 680

3v

Ak Devre

0v

Test : Beyz-Emiter terminalinde 3V, Kollektrde 12V, emiterde 0V llmtr. Yorum : Transistrn kollektr akm yoktur. Sonu : Emiter terminali iten ak devre olmutur. zm : Transistr bozuktur, deitirilmelidir.
+12V
RC 680

1 2v
RB +3V 47K

1 2v
BC108

3v

0v

3v

2.5v
Ak Devre

Test : Beyz-Emiter terminalinde 3V, Kollektrde 12V,Emiterde 0V llmtr. Yorum : Transistrn iletime gememektedir. Sonu : Beyz terminali iten ak devre olmutur. zm : Transistr bozuktur, deitirilmelidir.

Test : Beyz-Emiter terminalinde 3V, Kollektrde 12V,Emiterde 0V llmtr. Yorum : Transistrn iletime gememektedir. Sonu : Emiter terminalase balants kopmutur. zm : Balant salanmaldr.

ekil-4.25 Transistrl bir devrede oluabilecek olas arzalar ve nedenleri

Herhangi bir transistrl devrede oluabilecek arzalar ve arza tipleri yukarda ayrntlar ile verilmitir. Arza aramada temel mantk transistr polarma gerilimlerinin llp yorumlanmasdr. Normal koullarda alan bir transistr de beyz-emiter geriliminin her zaman 0.7V civarnda olaca unutulmamaldr.

124

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

4.9

BLM ZET
Bipolar jonksiyon transistr BJT olarak bilinir ve katmandan oluur. Katmanlarna ilevlerinden tr Beyz (base), Emiter (emiter) ve Kolektr (collector) isimleri verilir. Bipolar transistr iki adet pn bitiim yzeyine (jonksiyona) sahiptir. Bu jonksiyonlara beyz-emiter ve beyz-kollektr jonksiyonalar ad verilir. BJT iinde hem serbest elektronlar, hem de oyuklar akm tayc olarak grev yapar. Bundan dolay bipolar (ift kutuplu) szc kullanlr. Bipolar transistrde beyz blgesi; kolektr ve emiter blgesine nazaran daha az katklandrlmtr ve daha incedir. Bipolar Jonksiyon transistrler npn ve pnp olmak zere iki tipte retilirler. Transistr bir ykselte eleman olarak kullanldnda; beyz-emiter jonksiyonu ileri ynde, beyz-kollektr jonksiyonu ters ynde polarmalandrlr. Transistrlerde 3 temel akm vardr. Bunlar; beyz akm (IB), kolektr akm (IC) ve emiter akm (IE) olarak adlandrlr. Transistrde beyz akm, kolektr ve emiter akmna nazaran ok kktr. Fakat transistrn almasnda ok etkindir. Beyz akm, kolektr ve emiter akmlarn kontrol eder. Bir transistrde emiter akmnn kolektr akmna oran beta akm kazanc olarak bilinir ve DC olarak tanmlanrlar. DC deeri akm ykseltme katsaysdr. Tipik DC deeri 20 ile birka 100 birim arasnda olabilir. Transistrde DC deeri kimi retici firma kataloglarnda HFE olarak tanmlanr ve verilirler. Bir transistrde emiter akmnn kolektr akmna oran alfa akm kazanc olarak bilinir ve DC olarak tanmlanrlar. Tipik DC deeri 0.95 ile 0.99 arasndadr. Transistr kesim ve doyum blgelerinde elektronik bir anahtar gibi altrlabilir. Kesimde alan bir transistrn beyz-emiter jonksiyonu ters ynde polarmalandrlmtr. Transistrn kollektr akm yoktur. deal olarak kollektr-emiter jonksiyonu ak devredir ve ak bir anahtar gibi davranr. Doyumda alan bir transistrn beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalandrlmtr. Transistrn kolektr akm maksimumdur. Kolektr-emiter jonksiyonu ideal olarak ksa devredir ve kapal bir anahtar gibi davranr. DC deeri alma ortam ssndan bir miktar etkilenir. DC deeri ayn tip transistrlerde farkl deerlerde olabilir. Transistrler kendi aralarnda snflandrlrlar. Transistrlerin klflarnda metal, plastik, seramik v.b materyaller kullanlr. Transistr retiminde yzlerce farkl klf kullanlr. Bir transistrn salamlk testi statik veya dinamik olarak gerekletirilebilir. Testileminde multimetre kullanlr. Ayrca test ilemi sonucunda bir transistrntipi(npn/pnp) ve ular (e/b/c) belirlenebilir.

125

BLM 5
5
TRANSSTRLERN DC ANALZ
Konular:
5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 Transistrde DC alma noktas Transistrde temel polarama Beyz polarma Gerilim blcl polarma devresi Geribeslemeli polarma devresi Onarm

Amalar:

Ykselte tasarmnda dc alma noktasnn nemi Ykseltelerde dc polarma ve analizi Ykseltelerde kararl alma iin eitli polarma yntemleri

Bu blmde transistrn ykselte olarak nasl altrlacan reneceksiniz. Ykselte tasarmnda dc polarma akm ve gerilimlerinin analizini yapacak ve kararl bir alma iin yntemler gelitireceksiniz.

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

5.1

DC ALIMA NOKTASI

Bir transistr ykselte (amplifikatr) olarak alabilmesi iin dc polarma gereksinim duyar. Dorusal ve verimli bir alma iin transistrl ykselte devresinde polarma akm ve gerilimleri iyi seilmeli veya hesaplanmaldr. Bu durum bir nceki blmde belirtilmiti. Bu blmde; ykseltelerde dzgn ve verimli bir alma iin gerekli analizler yaplacaktr. Bu analizlerde dc yk hatt ve alma noktas (Q) gibi kavramlarn nemini ve zelliklerini kavrayacaksnz.

DC Polarma ve alma Noktas

Transistrl ykselte; giriinden uygulanan iaretleri ykselterek kna aktarmak zere tasarlanm bir devredir. Transistr, ykselte olarak alabilmesi iin dc polarma gerilimlerine gereksinim duyar. Transistre uygulanan polarma gerilimleri k karakteristii zerinde transistrn alma noktasn belirler. Transistrn sahip olduu polarma akm ve gerilim deerini gsteren bu nokta alma noktas ya da Q noktas olarak adlandrlr. ekil-5.1de bir transistrn k karakteristii zerinde eitli alma noktas rnekleri verilmitir. rnein dc polarma gerilimleri uygulanmasa idi transistrn alma noktas Q1 olurdu. Bu durumda transistr tmyle kapal olur ve giriinden uygulanan iaretleri ykseltmez idi.
IC (mA) IC2 Q2 IC3 IC4 Q1 VCE 2 VCE 3 VCE 4 Q4 Q3

VCE (V)

ekil-5.1 Transistr iin eitli alma noktas rnekleri

Transistre polarma gerilimleri uygulandnda ise alma noktalar ekil zerinde belirtilen Q2, Q3 ve Q4 noktalardan birinde olabilirdi. Bu alma noktalarnda transistr doal olarak ykselte olarak alacaktr. Dolaysyla giriinden uygulanan iareti ykselterek kna aktaracaktr. Transistr kndan alnan iaret de nispeten bozulma olmayacaktr. Bu durum ekil-5.2 zerinde ayrntl olarak gsterilmitir. rnein ekil5.2.ada transistrn alma noktas uygun seilmi ve lineer bir ykseltme salanmtr. Ancak alma noktasnn uygun seilmemesi durumunda ise k iaretinde krplmalar olumaktadr. Bu durum ekil-5.2.b ve c zerinde gsterilmitir.

127

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

a) Lineer alma

b) k gerilimi kesim snrnda krplm

c) k gerilimi doyum snrnda krplm

ekil-5.2 Bir ykselte devresinin lineer ve nanlineer almasna rnekler

DC Yk Hatt
Transistrl ykselte devrelerinde alma noktasnn ve dc yk hattnn nemini gstermek amac ile ekil-5.3.ada grlen devreden yararlanlacaktr. Bu devrede transistrn polarma akm ve gerilimleri, VBB ve VCC kaynaklar ile ayarlanabilmektedir. Devredeki transistr iin kollektr karakteristik erileri ise ekil-5.3.bde verilmitir.
IC (mA) RC 200

IC
60 50

300 250 200 150 100 50 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VCE (V)

RB 22K

VCC 0-10V

40 30 20

VBB 0-5V

DC =200

10

ekil-5.3

Ayarlanabilen kaynaklarla dc polarma ve transistrn karakteristik erisi

DC polarmann etkisini ve nemini anlamak amac ile ekil-5.3deki devrede IB akmn farkl deerlere ayarlayalm. Ayarladmz her bir IB akm deerine karlk transistrn IC ve VCE deerlerinin nasl deitiini inceleyelim. lk olarak VBB kaynan ayarlayarak IB deerini 100A yapalm. Bu durumda transistrn kollektr akm IC;
I C = I B = 200 100 A = 20mA

olacaktr. Bu kollektr akmna karlk transistrde oluan kollektr-emiter gerilim dm VCE;

VCE = VCC ( I C RC ) = 10V ( 20mA 200 ) = 6V

olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil-5.4.a da transistr karakteristiinde gsterildii gibi Q1 olacaktr.

128

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Transistrn beyz akmnn IB=150A yaplmas durumunda ise kollektr akm;

I C = I B = 200 150 A = 30mA

olacaktr. Bu kollektr akmna karlk transistrde oluan kollektr-emiter gerilim dm VCE; VCE = VCC ( I C RC ) = 10V ( 30mA 200) = 4V olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil-5.4.b de transistr karakteristiinde gsterildii gibi Q2 olacaktr. Son olarak IB akmn 200A yapalm bu durumda transistrn alma noktasn bulalm.
I C = I B = 200 200 A = 40mA

VCE = VCC ( I C RC )

= 10V ( 40mA 200 ) = 2V

olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil-5.4.c de transistr karakteristiinde gsterildii gibi Q3 olacaktr. Her IB akm deerine bal olarak transistrn alma blgesindeki deiimler ekil-5.4 zerinde toplu olarak verilmitir.

129

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

RC 200 I B=100A

60 IC =20mA 50 40

IC (mA)

VCC
22K

30 20 10

Q1

100

VBB
DC =200

V CE (V) 10

a) IB=100A deeri iin transistrn Q alma noktas 1

60 IC =30mA 50 40 IC (mA)

RC 200 I B=150A

VCC
22K

30 20 10

Q2

150

VBB
DC =200

V CE (V) 10

b) IB=150A deeri iin transistrn Q alma noktas 2

60 RC 200 I B=200A IC =40mA 50 40 IC (mA)

Q3

200

VCC
22K

30 20 10 V CE (V) 10

VBB
DC =200

c) IB=200A deeri iin transistrn Q alma noktas 3

ekil-5.4 eitli IB akm deerlerinde transistrn alma noktasnn deiimi

ekil-5.4 dikkatlice incelenirse transistrn beyz akmndaki deiim, kollektr akmn deitirmekte dolaysyla transistrn kollektr-emiter (VCE) gerilimi de deimektedir. rnein IB akmndaki artma, IC akmn artrmaktadr. Buna bal olarak VCE gerilimi azaltmaktadr. Bu durumda VBB geriliminin ayarlanmas ile IB deeri ayarlanmaktadr. IBnin ayarlanmas ise transistrn DC alma noktasn dzgn bir hat zerinde hareket ettirmektedir. ekil-5.4de transistr karakteristii zerinde gsterilen ve Q1, Q2 ve Q3 ile belirtilen alma noktalarnn birletirilmesi ile bir doru elde edilir. Bu doru dc yk hatt olarak adlandrlr. ekil-5.5de dc yk hatt karakteristik zerinde gsterilmitir.

130

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

IC (mA) 60 50 40 30 20 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 VCE (V) 10

DOYUM YK ZGS Q3 Q2 Q1
200 150 100

KESM

ekil-5.5 Transistr karakteristii zerinde dc yk hattnn gsterilii

DC yk hatt x eksenini 10Vda kesmektedir. Bu deer VCE=VCC noktasdr. Bu noktada transistr kesimdedir nk kollektr ve beyz akmlar idealde sfrdr. Gerekte beyz ve kollektr akmlar bu noktada tam sfr deildir. ok kk bir sznt akm vardr. Bu nedenle bu kesim noktas gerekte 10Vdan biraz daha kktr. Yine bu rnekte dc yk hattnn IC eksenini kestii deer idealde 50mAdir. Bu deer ise transistr iin doyum noktasdr. Transistrn doyum noktasnda kollektr akm maksimumdur. nk bu noktada VCE=0dr. Kollektr akm;
IC = VCC RC

deerinde olacaktr ve maksimumdur.

Lineer alma
Transistrn balca 3 alma blgesi olduu belirtilmiti. Bunlar; kesim, doyum ve aktif blgelerdir. Transistr aktif blgede alyorken btn alma noktalar kesim ve doyum blgeleri arasndadr. Transistr eer aktif blgede alyorsa giriine uygulanan iareti (sinyali) lineer olarak ykseltir. Lineer ykseltme ilemini incelemek amacyla ekil-5.6.a da verilen devreden yararlanlacaktr. Balangta devre giriine VS iaretinin uygulanmadn dnelim. Devrede beyz akmnn IB=150A ve kollektr akmnn ise 30mA olduunu kabul edelim. Bu durumda transistrn alma noktas VCE=4V olacaktr. Bu nokta ekil-5.6.bde transistr karakteristii zerinde gsterilen Q alma noktasdr. Devre giriine VS kaynandan tepe deeri 50A olan bir sins iareti uygulandn varsayalm. nce VS iaretinin pozitif saykl geldiini kabul edelim. Bu iaret; VBB kayna ile ayn ynde etki edecek ve beyz akmnn ykselmesine neden olacaktr. Giri iareti VS, pozitif tepe deerine ulatnda beyz akmda maksimum oranda ykselecektir. Bu anda IB=150+50=200A olacaktr. Bu deer ekil-5.6.bde karakteristikte A noktas olarak iaretlenmitir. Buna karlk kollektr akm 40mA deerine ykselecek, kollektr-emiter gerilimi ise 2V deerine decektir. Bu aamadaki almaya dikkat edilirse transistrn alma noktas A noktasna kaymtr. Burada giri iaretinde toplam 50Alik bir deiim vardr. k kollektr akmnda ise 10mAlik bir deiim sz konusudur. Dolaysyla giri iaretinin pozitif saykl 200 kat ykseltilmitir.

131

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Giri iaretinin negatif sayklnda ise; bu iaret beyz akmn dolaysyla kollektr akmn azaltacaktr. Transistr ekil-5.6.bde karakteristik zerinde gsterilen ve B olarak adlandrlan alma noktasna kayacaktr. Bu alma noktasnda; IB=100A, IC=20mA ve VCE=6V deerine ulaacaktr. Ayn ekilde dikkat edilirse giri iaretinin 200 kat ykseltildii grlecektir.
V CC=+10V RC 200 IC (mA)

IC I CQ

40 30 20

A Q

IB

200 150 100

RB 20K VS VBB 6.7V DC=200

VCE (V)

VCE VCEQ

a) Ayarl kaynaklarla transistrl polarma devresi

b) Yk hatt zerinde sinyal davran

ekil-5.6 Transistrl ykselte devresi ve yk hatt zerinde sinyal davranlar

Buraya kadar anlatlanlardan da anlalaca gibi, devre giriinde ac giri iareti yokken, transistr Q alma noktasnda (skunet noktas) kalmaktadr. Girie bir sinyal gelmesi durumunda ise alma noktas bu sinyalin ynne bal olarak aaya veya yukarya kaymaktadr. Giri iareti ykseltme ileminde Q noktasnn etrafnda salnmaktadr. Transistrn kesim veya doyum noktalarna ulamamaktadr. kta elde edilen iaret, giri iaretinin ykseltilmi bir formudur. k iaretinin dalga biiminde herhangi bir bozulma yoktur. Bundan dolay bu ileyie Lineer alma denir.

kn Bozulmas (Distorsiyon)
Transistrle gerekletirilen ykseltelerde; ktan elde edilen ykseltilmi iaretin giri iareti ile ayn dalga formunda olmas istenir. k iaretinde her hangi bir bozulma olmas istenmez. k iaretinde oluan veya oluabilecek bozulmaya ise distorsiyon ad verilir. Ykselte devrelerinde bir ok nedenden dolay distorsiyon oluabilir. ekil5.7de transistr devresinde oluabilecek distorsiyonlar k karakteristikleri zerinde gsterilmitir.

132

ANALOG ELEKTRONK- I
IC (mA) Doyum
B Q

Kaplan
IC (mA)

I CQ

Q
V CE (V) 0 V CC

ICQ
0 Kesim

Q
VCC VCE (V)

Doyum

Kesim

VCEQ a) alma blgesi doyuma srlm

IC (mA) Doyum
B Q

VCEQ b) alma blgesi kesime srlm

Q I CQ
Kesim Doyum 0 V CC VCE (V)

VCEQ

Kesim

c) alma blgesi kesime-doyuma srlm

ekil-5.7 Transistrl ykselte devresinde oluan bozulmalar (distorsiyon)

ekil-5.7de verilen her 3 karakteristikte de distorsiyon vardr. ekil-5.7.ada transistrn alma blgesi doyum blgesine yakn ayarlanmtr. Dolaysyla k iaretinin bir ksmnda transistr doyum blgesinde alt iin k iareti krplmtr. ekil-5.7.bde ise transistr kesim blgesine yakn altrlm ve k iaretinin bir ksm krplmtr. ekil-5.7.cde ise transistr aktif blgenin tam ortasnda altrlmtr. Fakat giri iaretinin ar yksek olmas transistr alma blgesinin kesim ve doyuma kaymasna neden olmutur. Bu durumda k iaretinin her iki sayklnda da krpmalar olumutur.

rnek: 5.1

ekilde verilen devrede transistr iin dc yk hattn izerek alma noktasn ve lineer alma iin girie uygulanabilecek iaretin maksimum genliini belirleyiniz?

133

BQ

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

RC 220 RB 33K VS

IC

VCC
20V

VBB
12V DC =100

zm

nce transistrn Q alma noktasn bulalm. Q noktas IC ve VCE deerleriyle belirlendiine gre ICyi bulmak iin nce IByi buluruz.
VBB VBE 12 0.7 = = 342.42 A RB 33K

IB =

I C = I B = (100 )( 342.42 A) = 34.242 mA

Buradan transistrn alma noktasndaki VCE deerini buluruz. Kirofun gerilim yasasndan;
VCE = VCC ( I C RC ) = 20V (7.533V ) = 12.467V

alma noktas deerleri olarak bulunur. VCE=VCC-ICRC denklemi kullanlarak transistrn kesim anndaki VCE ve IC(KES) deerleri belirlenir. Transistr kesim de iken kollektr akm IC=0dr. Dolaysyla;
VCE = VCC = 20V

deerine eit olur. Transistrn doyum noktasndaki deerlerini bulalm. Doyum annda VCE=0V olacana gre IC akm;
VCC 20 = = 90.90mA RC 220

I C ( DOY ) =

Bulunan bu deerlere gre transistrn dc yk hatt aada gsterildii gibi olacaktr. .

134

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

IC (mA) 90.90 Doyum

34.24

Q
Kesim 0 12.46 VCE (V)

zm

Bulunan bu deerler kullanlarak lineer alma iin giriten uygulanacak VS iaretinin maksimum genlii belirlenebilir. Bu amala nce Q noktasnn yeri yorumlanmaldr. nk Q noktas hangi snra (kesim/doyum) yaknsa krplma nce o blgede gerekleecektir. Dolaysyla aranan deerde yakn olduu blgenin deeri ile Q noktas arasndaki mesafeden hareketle belirlenecektir. Q noktasnn kesim snr ile arasndaki mesafe 34.24mA, doyum snr ile arasndaki mesafe ise (90.90-34.24)=55.76mAdir. Buradan grlmektedir ki Q alma noktas kesim blgesine daha yakndr. Dolaysyla lineer alma iin giri sinyali; kta maksimum 34.24mAlik kollektr akm salayacak ekilde olmaldr. O halde lineer bir alma iin kollektr akmnn genlii;
I CP = 34.24mA

olmaldr. Transistr iin DC akm kazanc deeri (DC) bilindiine gre giri beyz akmnn maksimum deeri;
IB = I CMax 34.24 = = 342.42 A 100

olmaldr.

5.2

BEYZ POLARMASI

Bipolar transistrn ykselte olarak alabilmesi iin dc polarma gerilimlerine gereksinim duyduu belirtilmiti. nceki birka blmde transistrn gereksinim duyduu polarma kaynaklar ve alma karakteristikleri verilmiti. Tm almalarda transistrn alma blgesinin ayarlanmas iin iki ayr dc gerilim kayna kullanmt. Bu; pratik bir zm deildir. Tek bir dc gerilim kayna kullanlarak yaplan birka polarma yntemi vardr. Bu blmde tek bir dc gerilim kayna kullanarak yaplan beyz polarmas ad verilen yntemi tm boyutlar ile inceleyeceiz.

135

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

nceki blmlerde ele alnan polarma devrelerinde iki ayr dc besleme gerilimi kullanlmt. Bu devrelerde transistrn beyz polarmas VBB ile tanmlanan ayr bir g kaynandan salanmt. Transistrl ykseltelerin dc polarma gerilimlerini salamada pratik bir zm tek besleme kayna kullanmaktr. ekil-5.8.ada tek bir dc gerilim kayna kullanlarak gerekletirilmi devre modeli verilmitir. Bu tr polarma ilemine beyz polarmas ad verilmektedir.
+VCC

RC VCC

RC RB

RB

+
VB E _

a) Beyz polarmas

b) Basit gsterimi

ekil-5.8.a ve b Beyz polarmas ve edeer gsterimi

Devre dikkatlice incelenirse; transistrn beyz polarmas iin ayr bir dc kaynak kullanlmamtr. Transistrn beyz polarmas RB direnci kullanlarak VCC gerilim kaynandan alnmtr. Bu yntem pratiktir ve avantaj salar. Transistrl polarma devrelerinde pratiklik kazanmak ve devre analizi bilgilerimizi gzden geirelim. Bu amala devre zerinde oluan polarma akm ve gerilimlerinin olas eitlikleri ve ynleri ekil-5.9 zerinde yeniden verilmitir.
+VCC

VRB VCC

RB

IB IB

RC

IC

VRC VCC

VBE

+ VBE _ IE

VCE

ekil-5.9 Beyz polarmasnda polarma akm ve gerilimleri

136

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Devrenin analizinde temel evre denklemlerini kullanmak yeterlidir. ekil-5.9da gsterildii gibi VCC-beyz-emiter evresinden;
VCC = I B R B + V BE

yazlabilir. Denklemden beyz akm ekilirse,

VCC V BE RB

IB =

elde edilir. Beyz akmnn bulunmas ile devredeki dier tm polarma akm ve gerilimleri bulunabilir. IC = I B
VCE = VCC I C RC VCE = VCC ( I B ) RC

Bu devrede dc yk hatt snrlarn bulmak iin, doyum snrnda VCE=0V olduu kabul edilerek (ideal durum),
I C ( DOYUM ) = VCC RC

yk hattnn dier noktasn ise transistr kesimde iken IC=0 kabul ederek,
VCE = VCC

olarak belirleriz.

rnek: 5.2

+VCC=+12V

RC 2.2K RB 620K

ekilde verilen devrede transistr iin dc yk hattn izerek alma noktasn belirleyiniz?

+
VBE _

137

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

IB =

VCC VBE 12 0.7 11.03 = = = 0.017 mA = 17 A RB 620 K 620 K I C = I B = (100) (17 A) = 1700A = 1.7 mA

VCE = VCC I C RC = 12V (1.7 mA 2.2 K) = 8.26V

zm:

polarma akm ve gerilim deerleri olarak bulunur. Transistrn alma noktas gerilimi ise 8.26Vdur. Yk hattn izmek iin transistrn kesim ve doyum noktalarndaki deerleri bulalm. Kesim annda IC=0dr. Dolaysyla kolektr-emiter gerilim dm VCE;
VCE = VCC = 12V

olarak belirlenir. Doyum gerilimi ise, doyum annda VCE=0V alnarak;

I C ( DOYUM ) = VCC 12 = = 5.45mA RC 2.2 K

olarak bulunur. Dc yk zerinde alma noktas, aada grld gibi kesim blgesine yakn bir yerdedir.
I C (mA) 5.45 Doyum

1.70

Q
Kesim 0 8.26 12 VCE (V)

Q alma noktasna DC etkisi ve kararllk

Transistrn akm kazancn DC deeri belirler. Bu deer her bir transistr iin retici tarafndan verilir. Gnmz teknolojisinde retimi yaplan ayn tip transistrlerin DC deerlerinde farkllk olabilir. reticiler genellikle ortalama bir deer verirler. DC deerini etkileyen dier nemli bir faktr ise sdr. alma ortam ssna bal olarak bu deer deiir. rnein 250Cde 100 olan DC, 750Cde 150 olabilir. Bu durum transistrn kollektr akmn dolaysyla kolektr-emiter gerilimini etkiler. Bu etkileim sonucunda transistrn Q alma noktas ortam ssna bal olarak deiecektir. Transistr alma noktasnn DC deerine bal olarak kaymas istenmeyen bir durumdur. nk distorsiyona neden olur. Bu durumu basit bir rnekle alayalm.

138

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 5.3

VCC =+12V

RC 620 RB 100K

ekil-5.10da verilen beyz polarmal devrenin alma ortam ss 250C ile 500C arasnda deeri deimektedir. Transistrn DC 250C=100, 500C=150 olmaktadr. Bu koullar altnda transistrn Q alma blgesinde davrann (IC, VCE) analiz ediniz. Scaklktaki deiimin devreye etkilerini belirleyiniz.

ekil-5.10

zm

nce 250C s altnda transistr devresinde VCE ve IC deerlerini bulalm. Devreden;

VCC = VCE + [( I B ) RC ] VCC = VCE + ( I C RC )

veya yine devreden;

VCC = V RB + V BE VCC = I B R B + V BE

eitliklerini yazabiliriz. Bize IC akm gerekmektedir. Yukardaki eitlikte IB deerini IC cinsinden ifade edelim.
VCC =

DC

IC

+ V BE

Bulunan bu eitilkten ICyi ekelim ve deerini hesaplayalm.

V V BE 12 0.7 11.03 I C = DC CC = 100 = 11.3mA = 100 RB 100 K 100 K

Buradan transistrn Q alma noktas gerilimi VCE deerini bulalm.

VCE = VCC ( I C RC ) = 12V (11.3mA 620) = 5V

imdi 500C s altnda transistr devresinde VCE ve IC deerlerini bulalm. Devreden;

V V BE 12 0.7 11.03 I C = DC CC = 150 = 17 mA = 150 RB 100 K 100 K

Buradan transistrn Q alma noktas gerilimi VCE deerini bulalm.

VCE = VCC ( I C RC ) = 12V (17mA 620) = 1.46V

Dolaysyla sl deiim transistrn kolektr akmn ve alma noktas gerilimi VCE deerini deitirmektedir. IC akmndaki deiimin yzde miktarn bulalm.

139

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VCE = VCC ( I C RC ) = 12V (17mA 620) = 1.46V

Dolaysyla sl deiim transistrn kolektr akmn ve alma noktas gerilimi VCE deerini deitirmektedir. IC akmndaki deiimin yzde miktarn bulalm.
%I C = I C ( 750 ) I C ( 250 ) I C ( 250 ) %100 = 17 mA 11.3mA %100 %50 ( Artma) 11.3mA

Neticede scaklk artyla oluan DC deerindeki deiim IC akmnda %50 orannda bir arta neden olmaktadr. Ayn ekilde transistrn alma noktasnda oluan deiim orann hesaplayalm.
%VCE = VCE ( 750 ) VCE ( 250 ) VCE ( 250 ) %100 = 1.46V 5V %100 %70 ( Azalma) 5V

grld gibi s deiimi transistrn alma blgesini de kaydrmaktadr. Isl veya eitli etkenlerden dolay DC deerinin deimesi transistrn alma noktasn ar lde etkilemektedir. Bu durum lineer almay etkiler ve kararl bir alma oluturulmasn engeller. Transistrn alma blgesinin kaymas istenmeyen bir durumdur. Transistrn alma blgesinin kararl olmas ve kaymamas iin eitli yntemler gelitirilmitir. rnein emiter direnli beyz polarmas DC deiimlerinden ar etkilenmez.

Yorum:

Emiter direnli beyz polarmas

Transistrl polarma devrelerinde kararl almay salamak amacyla beyz polarmasnn gelitirilmi halidir. Beyz polarmasndan daha avantajldr. Bu polarma tipinde de tek bir dc besleme kayna kullanlr. Tipik bir emiter direnli beyz polarma devresi ekil-5.11de verilmitir. Devre beyz polarma devresinden daha kararl bir alma salamak iin gelitirilmitir. Devrenin emiterinde kullanlan RE direnci transistrn daha kararl almasn salar.
+VCC +VCC VRC=IC RC

RB

RC

VRB =IB R B

RB IB

RC

IC

VCE

+ VBE _
RE VB =VB E +VRE RE IE V RE =IE RE

ekil-5.11 Emiter direnli Beyz polarmas ve polarma akm ve gerilimleri

140

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Devreyi analiz etmek iin beyz-emiter ve kollektr-emiter evrelerini ayr ayr ele alalm. nin analizinde temel evre denklemlerini kullanmak yeterlidir. ekil-5.9da gsterildii gibi VCC-beyz-emiter evresinden;
VCC = I B R B + V BE + I E R E

denklemi elde edilir. IE akmn IB cinsinden ifade edelim.

I E = I C + I B I E = ( I B ) + I B I E = I B ( + 1) VCC = I B R B + V BE + ( + 1) I B R E

Bu denklem beyz akm (IB) ekilirse;

IB = VCC V BE R B + ( + 1) R E

deeri elde edilir. Artk beyz akm kullanlarak kolektr ve emiter akmlar belirlenebilir. Transistrrn kolektr-emiter gerilimini (VCE) bulmak iin kolektr-emiter evresinden yararlanalm.
VCC = I C RC + VCE + I E R E

Buradan VCE gerilimini ekelim.

VCE = VCC I C RC I E R E

olarak bulunur.

rnek: 5.4

RB 470K

RC 1K

a) ekilde verilen devrede oda scaklnda altrlmaktadr (250C) transistrn polarma akm ve gerilim deerlerini bulunuz? b) Ayn devrede transistrn DC deeri 750C s altnda 150 olsayd polarma akm ve gerilimlerindeki deiimi hesaplayarak yorumlaynz.

DC=100 VB E=0.7V

RE 470

zm

a.

250C oda scaklnda, DC=100 iin gerekli analizleri yapalm. Beyzemiter evresinden beyz akm (IB);
IB = VCC V BE 12V 0.7V 11.3 = = 0.021mA = 21A = R B + ( + 1) R E 470 K + (101) 470 517470

elde edilir. Buradan kolektr ve emiter akmlar buluruz.

141

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

I C = I B = 100 0.021mA = 2.1mA I E = ( + 1) I B veya I E = I C + I B = 2.1mA + 0.021mA = 2.12mA

deerleri elde edilir. Buradan transistrn kolektr-emiter gerilimi VCE;

VCE = VCC I C RC I E R E VCE = 12 (2.1mA 1K) (2.12mA 470) VCE = 8.9V

b.

750C oda scaklnda, DC=150 iin gerekli analizleri yapalm. Beyz-emiter evresinden beyz akm (IB);
IB = VCC V BE 12V 0.7V 11.3 = = 0.020mA = 20 A = R B + ( + 1) R E 470 K + (151) 470 517470 I C = I B = 150 0.020mA = 3mA I E = ( + 1) I B veya I E = I C + I B = 3mA + 0.020mA = 3.02mA VCE = VCC I C RC I E R E VCE = 12 (3mA 1K) (3.02mA 470) VCE = 7.5V

Dolaysyla sl deiim transistrn kolektr akmn ve alma noktas gerilimi VCE deerini deitirmektedir. IC akmndaki deiimin yzde miktarn bulalm.
%I C = I C ( 750 ) I C ( 250 ) I C ( 250 )

%100 =

3.02mA 2.12mA %100 %42 ( Artma) 2.12mA 7.5V 8.9V %100 %15 ( Azalma ) 8.9V

%VCE =

VCE ( 750 ) VCE ( 250 ) VCE ( 250 )

%100 =

Yorum:
rnek 5.3de verilen polarma devresi DC deiiminden ok fazla etkilenmekte ve alma noktas %70 orannda kaymakta idi. Yukarda verilen emiter direnli polarma devresinde ise DC deiiminden etkilenme oran (%15) ok azdr. Dolaysyla emiter direnli beyz polarma devresinin kararll daha iyidir.

142

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

5.3

EMTER POLARMASI

Emiter polarmas transistrn kararl altrlmas iin gelitirilmi bir dier polarma metodudur. Bu polarma tipinde pozitif ve negatif olmak zere iki ayr besleme gerilimi kullanlr. Bu nedenle bu polarma tipi kimi kaynaklarda simetrik polarma olarak adlandrlmaktadr.

Tipik bir emiter polarma devresi ekil-5.12.ada verilmitir. Grld gibi devrede iki ayr gerilim kayna kullanlmtr. VCC ve VEE olarak adlandrlan bu kaynaklar transistrn polarma akm ve gerilimlerini salarlar. Bu devrede beyz gerilimi yaklak 0Vdur. Ayn devrenin basitletirilmi izimi ise ekil-5.12.bde verilmitir.
+VCC IC RC +VCC RC

RB

RB

+
IB VBE IE

+
RE VB RE VE VC

VEE -VE E

a) Emiter polarmalandrma devresi

b) Emiter polarmalandrlmasnn basitletirilmi izim

ekil-5.12.a ve b Emiter polarmal transistor devresi ve basitletirilmi izimi

Devrede beyz gerilimi ase potansiyelindedir ve yaklak 0V civarndadr. Transistrn emiterini VEE kayna beyze gre daha dk potansiyelde tutarak, beyz-emiter jonksiyonunu iletim ynnde etkiler. Devrede analizini evre denklemlerini kullanarak yapalm. Devrenin analizinde iki farkl yntem (yaklam) kullanabiliriz. Birinci yaklam beyz gerilimini, dolaysyla da beyz akmn sfr kabul ederek ihmal etmektir. kinci yaklam ise beyz akmn da hesaba katmaktr.

143

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

I. Yaklam: Beyz akmn yaklak sfr kabul edelim. VB=0V VE=-VEE

IE = VE VEE RE

IC=IE
VC = VCC I C RC VCE = VC VE

II. Yaklam: Beyz akmnn varln kabul edip devrenin analizini yapalm.
VEE = I B R B + VBE + I E RC IE eitliini yazarsak; +1

Yukardaki denklemde beyz akm yerine; I B =

I VEE = E R B + VBE + I E R E + 1

bu denklemde gerekli IE akmn ekersek;

IE = VEE VBE R RE + B +1

Devrede eer , R E =

RB ise yukardaki eitlik yeniden dzenlenebilir. Bu durumda; +1 IE = VEE VBE RE

devrede VEE>>VBE olmas durumunda bir basitletirme daha yapabiliriz. Bu durumda eitlik;
IE = VEE RE

olarak yazlabilir. Bu eitlik bize emiterli polarma devresinin DC ve VBE deerlerinden ve deiimlerinden bamsz olduunu gsterir. Bu durum, transistrn Q alma noktasnn kararl olduu anlamna gelir. Grld gibi emiterli polarma devresi olduka kararldr. Emiterli polarma devresinde transistrn kollektr-emiter gerilimini doyum annda yaklak sfr VCE=0 kabul edersek kollektr akmn;
I C ( DOYUM ) = VCC VEE RC + R E

144

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

belirleriz. Transistrn kesim annda ise kollektr akmn yaklak sfr kabul ederek kollektr-emiter arasndaki toplam gerilim bulunur. Bu deer;
VCE = VCC VEE

rnek: 5.5
RB 47K

+VCC =12V RC 1K

Yandaki emiterli polarma devresinde transistrn alma noktas deerlerini bulunuz. Hesaplamalarda beyz akmn ihmal ediniz.

VB

RE VE 5.6K

VC

-VE E -12V

zm

Devrede VB gerilimini yaklak olarak sfr kabul edersek;

VE = VBE = 0.7V IE = VEE VEE 0.7V ( 12V ) = RE 5.6K
IE = 11.3V = 2.01mA 5.6K

I C I E = 2.01mA VC = VCC I C RC = 12 ( 2.01mA 1K) = 10V VCE = VC ( VE ) = 10V ( 0.7V ) = 11.7V

Emiterli polarma devresinde transistrn alma noktas deerleri elde edilmitir. DC yk hatt deerlerini bulalm. Doyum annda VCE=0V kabul edersek;
I C ( DOYUM ) = VCC VEE 12V ( 12V ) 24V = = = 3.36mA RC + R E 1K + 5.6K 6.6K

bulunur. Transistr kesimdeyken ise IC=0 kabul edersek;

VCE = VCC VEE = 12V ( 12V ) = 24V

145

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

deerlerini elde ederiz. Bulunan bu deerler kullanlarak karakteristikte yk dorusu aadaki gibi izilir.
I C (mA) 3.36 2.01

8.26

24

VCE (V)

rnek: 5.6
RB 15K

+VCC =15V RC 2.2K

Yanda verilen devrede VBE geriliminin 0.7Vdan 0.6Va dmesi ve DC deerinin 100den 150ye kmas durumunda alma noktasnda meydana gelecek deiimleri analiz ediniz.
VC

VB

RE V 8.2K E

-VE E -15V

zm

DC=100 ve VBE=0.7 olmas durumunda gerekli analizleri yapalm.

IE = ( 15V ) 0.7V VEE VBE 14.3V = = = 1.71mA RB 15K 8.34K 8.2 K + RE + 100 + 1 +1 I C I E = 1.71mA VC = VCC I C RC = 15 (1.71mA 2.2K) = 11.23V VE = VEE + I E R E = 15V + (1.71mA 8.2K) = 0.98V VCE = VC VE = 11.23V ( 0.98V ) = 10.25V

146

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

DC=150 ve VBE=0.6 olmas durumunda gerekli analizleri yapalm.

IE = ( 15V ) 0.6V VEE VBE 14.4V = = = 1.72 mA R 15K 8.34K 8.2 K + RE + B 100 + 1 +1 I C I E = 1.72 mA VC = VCC I C RC = 15 (1.72 mA 2.2 K) = 11.21V VE = VEE + I E R E = 15V + (1.72mA 8.2K) = 0.896V VCE = VC VE = 11.21V ( 0.896V ) = 10.31V

Bulunan bu deerleri kullanarak; kolektr akm (IC) ve kollektr-emiter gerilimi (VCE) deiim yzdelerini bulalm.
% I C = I C ( = 150 0 ) I C ( = 100 ) I C ( = 100 ) %100 = 1.72 mA 1.71mA %100 %0.5 ( Artma) 1.71mA

%VCE =

VCE ( =150 ) VCE = 100 ) VCE ( = 100 )

%100 =

10.31V 10.25V %100 %0.50 ( Artma) 10.25

Yorum: Sonulardan da grld gibi sl ve eitli nedenlerden dolay DC ve VBE deerlerindeki deiim transistrn alma noktas deerlerini ok az miktarda etkilemektedir. Bu nedenle emiterli polarma devresinin kararl yksektir ve DCden bamszdr diyebiliriz.

5.4

GERLM BLCL POLARMA

Gerilim blcl polarma devresi, Lineer almada ska tercih edilen en popler polarma metodudur. Gerilim blme ilemi direnlerle gerekletirilir. Bu polarma tipi transistrn son derece kararl almasn salar ve DCden bamszdr. Bu tip polarma devresinde tek bir besleme geriliminin kullanlmas ise dier bir avantajdr. zellikle lineer ykselte devrelerinin tasarmlarnda gerilim blcl polarma devreleri kullanlr.

147

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

nceki blmlerde incelediimiz polarma devrelerinde alma noktas DC ykseltme faktrne ar derecede baml idi. ya bamllk ykselte devrelerinde bir takm sorunlar yaratr. rnein ayn firma tarafndan retilen ayn tip transistrlerin deerleri farkllklar ierir. Ayrca s deiiminden de etkilenmektedir. Bu durum transistrn kararl almasn engelleyerek alma noktasnn istenmeyen blgelere kaymasna neden olur. alma noktasnn nemi nceki konularda aklanmt. Transistrlerde kararl bir alma iin gerilim blcl polarma devreleri gelitirilmitir. Tipik bir gerilim blcl polarma devresi ekil-5.13.ada verilmitir. Grld gibi devre tek bir gerilim kaynandan (VCC) beslenmitir. Devrede transistrn beyz akm R1 ve R2 direnleri tarafndan salanmaktadr. Devrenin kararll ok yksektir. Transistrn alma blgesi deerleri DCnin deiiminden etkilenmez. Bu nedenle bu tr polarma tipine dan bamsz polarma ad da verilmektedir. ekil-5.13.bde ise polarma devresinin analizini kolaylatrmak amac ile polarma akm ve gerilimleri devre zerinde gsterilmitir.
+VCC

R1

RC

V R1 =I1 .R1

R1 I1 IB

IC

RC

V RC=IC.RC

V CC

V CE=V CC-V RC-V RE

R2 RE

V R2 =I2.R2

R2 I2

VB

IE

RE

V RE=IE.RE

ekil-5.13.a ve b Gerilim blcl polarma devresi ve polarma akm-gerilimi ilikileri

Devrenin zm iin eitli yntemler uygulanabilir. ki temel yntem vardr. Birinci yntem devrede beyz akm ihmal edilebilecek kadar kk ise uygulanr. Bu yntemde I1 akmnn tamamnn I2 olarak yoluna devam ettii varsaylarak zm retilir. kinci yntemde ise devre analizi beyz akm dikkate alnarak yaplr. zm tekniinde thevenin teoreminden yararlanlr. Yntem 1: Bu yntemde beyz akm ihmal edilebilecek kadar kk kabul edilir. R1 direncinden akan akmn R2 direncinden de akt kabul edilir. nk transistrn giri direnci Rin R2 direncinden ok byk olduu kabul edilir (Rin>>R2). Yaplan kabuller neticesinde polarma devresinin edeeri ekil-5.14.bde verilen hale gelir. Edeer devrede; R1 ve R2 direnlerinin birletii noktada elde edilen gerilim, transistrn beyz polarma gerilimi olacaktr.

148

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+VCC
I1

+VCC

R1

RC

R1
IB

Rin >>R2 I1 =I 2>>I B

R2 RE

SE
I2

R2

Rin

ekil-5.14.a ve b Gerilim blcl polarma devresi ve edeer gsterimi

Transistrn beyzinde elde edilen VB geriliminin deeri;
R2 VCC R1 + R2

VB =

olarak bulunur. Beyz gerilimi; beyz noktas ile ase arasndaki gerilim olduundan yazlacak evre denkleminden;
V B = V BE + I E R E

Buradan IE akmn ekersek;

IE = V B V BE RE

devrede IB ok kk olduundan IE=IC kabul edebiliriz. Dolaysyla;

VC = VCC + I C RC

transistrn alma noktas ise;

VCE = VCC I C RC I E R E

olarak elde edilir. Dikkat ederseniz yaptmz analizlerde transistrn DC deerini hi kullanmadk. Beyz akm R1, R2 direnlerine baml klnmtr. Emiter gerilimi ise yaklak olarak beyz gerilimine bamldr. Emiter direnci RE, emiter ve kolektr akmn kontrol etmektedir. Son olarak RC direnci kolektr gerilimini dolaysyla kolektr-emiter gerilimi VCEyi kontrol etmektedir.

149

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 5.7
R1 100K

+VCC =20V

RC 5K6

Yandaki devrede polarma akm ve gerilimi deerlerini bulunuz. DC=100 VBE=0.7V

R2 10K

RE 1K

zm

VB =

R2 10K VCC = 20V = 1.82V 100K + 10K R1 + R2 V VBE 1.82 0.7 = = 1.12 mA IE = B RE 1K I E IC

VCE = VCC I C RC I E R E = 20V (1.12 mA 5.6K) (1.12mA 1K) VCE = 20 6.27V 1.11V = 20 7.38 = 12.6V

Yntem 2: Gerilim blcl polarma devresinde bir dier yntem ise Thevenin teoremini kullanmaktr. Bu yntem tam zm sunar. Hibir kabul iermez. Devrenin giriinde (beyz) thevenin teoremi uygularsak polarma devresi ekil-5.15.bde verilen basit forma dnr.
+VCC +VCC

R1

RC R TH

RC

A
R2 VTH RE

IB RE

a) Gerilim blcl polarma devresi

b) Thevenin edeer devresi

ekil-5.15 Gerilim blcl polarma devresi ve Thevenin edeeri

150

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Thevenin edeer gerilimi olan VTH deerini bulmak iin devre giriini A noktasndan ayralm (Transistr baml akm kayna gibi dnebiliriz). Bu durumda devremiz ekil-5.16.ada verilen forma dnr. VTH gerilimi ise A noktasnda elde edilecek gerilim deeridir. VCC R2 VTH = R1 + R2 Thevenin edeer diren deeri RTH ise; VCC gerilim kayna ksa devre edilerek bulunur. Bu deer A noktasndan grlen diren deeridir ve R1 ve R2 direnleri paralel duruma gemitir. Bu durum ekil-5.16.bde gsterilmitir.
R1 R2 R1 + R2

RTH = R 1 // R 2 =
+VCC R1

R1 VTH RTH R2

R2

a) Thevenin e deer gerilimi

b) Thevenin e deer direnci

ekil-5.16 Thevenin edeer gerilimi (VTH) ve Edeer direncinin (RTH) bulunmas

Thevenin edeer gerilimi ve edeer diren deerlerini bulduktan sonra ekil-5.15.bde verilen edeer devreden zme devam edelim. IB akmn bulmak iin devre girii iin evre denklemini yazalm.
VTH = I B RTH + VBE + I E R E

Devrede IB ve IE olmak zere iki bilinmeyen var. O halde IE akmn IB cinsinden ifade edelim. IE=IB(+1)dir. Denklemde yerine koyalm.
VTH = I B RTH + VBE + ( + 1) I B R E

Buradan gerekli olan IB akmn ekelim.

VTH VBE RTH + ( + 1) R E

IB =

olarak bulunur. Bulanan bu deerden IE, IC ve VCE deerleri srayla elde edilir.

151

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 5.8

Aada verilen devrenin analizini yapnz. zm iin Thevenin teoremini kullannz. DC=100, VBE=0.7V. Not: Ayn devre rnek 5.7de farkl bir yntem kullanlarak zlmt.

+VCC =20V

+VCC=20V RC 5.6K R TH IB

R1 100K

RC 5.6K

R2 10K

VB E IE RE 1K

RE 1K

V TH

zm

zm iin ilk adm thevenin edeer devresini izmektir. Edeer devre yukarda izilmitir. nce thevenin edeer gerilimi ve edeer diren deerlerini bulalm.
VCC 20 R2 = 10K = 1.82V R1 + R2 100K + 10K R1 R2 100K 10K = = 9.09K R 1 + R 2 100K + 10K

VTH =

RTH = R 1 // R 2 =

Edeer devreden giri iin evre denklemini yazalm. VTH = I B RTH + VBE + ( + 1)I B R E
VTH VBE 1.82V 0.7V 1.12V = = = 10 A RTH + ( + 1) R E 9.09K + (101) 1K 110K

IB =

Yorum

I E = ( + 1) I B = 101 10 A = 1.02 mA I C = I E I B = 1.02 mA 0.01mA = 1.01mA VCE = VCC I C RC I E R E = 20V (1.01mA 5.6K) (1.02 mA 1K) VCE = 20V ( 5.65V ) (1.02V ) = 20V 6.67V = 13.33V

Elde edilen bu sonu rnek:5.7de bulunan deerler ile karlatrldnda aralarnda yaklak %3-%4 civarnda fark olduu grlr. Dolaysyla yaklak zm ile tam zm arasnda ok kk bir fark vardr. Bu fark kimi zaman ihmal edilebilir.

152

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 5.9

rnek 5.8de verilen polarma devresinde transistrn DC deeri yzde yz artarak 200 olmutur. Polarma akm ve gerilimlerini bulunuz? Not: Polarma devresi ve thevenin edeeri aada yeniden verilmitir.
+VC C =20V +VC C=20V RC 5.6K R TH IB RE 1K V TH

R1 100K

RC 5.6K

R2 10K

VB E IE RE 1K

VTH =

zm
VTH =

VCC R2 R1 + R2

20 10 K = 1.82V 100 K + 10 K RTH = R1 // R2 = R1 R2 R1 + R2

RTH =

100 K 10 K = 9.09 K 100 K + 10 K

Edeer devreden giri iin evre denklemini yazalm.

VTH = I B RTH + V BE + I E R E

Denklemde IB ve IE olmak zere iki adet bilinmeyen var. O halde IE akmn IB cinsinden yazalm. IE=IB (+1) denklemde yerletirilirse;
VTH = I B RTH + VBE + ( + 1)I B R E

Analiz iin gerekli olan IB akmn ekelim.

IB = VTH VBE 1.82V 0.7V 1.12V = = = 5.3 A RTH + ( + 1) R E 9.09K + ( 201) 1K 210K

Polarma devresinde dier akm ve gerilim deerlerini bulalm.

I E = ( + 1) I B = 201 5.33 A = 1.072 mA I C = I E I B = 1.072 mA 0.005mA = 1.067 mA

Transistrn alma noktas gerilimi VCE;

VCE = VCC I C RC I E R E = 20V (1.067 mA 5.6K) (1.07 mA 1K) VCE = 20V ( 5.97V ) (1.07V ) = 20V 6.67V = 13V

Yorum:

Grld gibi DC deerinin %100 orannda deimesi devrenin alma blgesini pek etkilememitir. Devre alma deerlerinde kararl kalmaktadr. Bu durum gerilim blcl polarma devresinin son derece kararl altn gstermektedir.

153

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 5.10

Aada ekil-5.17.ada verilen ykselte devresinde transistrn aktif blgenin ortasnda almas isteniyor. Gerekli alma koulunun salanmas iin R1 direncinin deeri ne olmaldr? Hesaplaynz?
+VCC =12V +VCC =12V

R1 C1 10F Vi R2 22K

RC 2.2K

C2 10F V0

R1

RC 2.2K

RE 470

CE 47F

R2 22K

RE 470

a) Ykselte devresi

b) DC analiz iin edeeri

ekil-5.17. a ve b Ykselte devresi ve dc analizi

zm

ekil-5.17.ada komple bir ykselte devresi verilmitir. Ykselte giriine uygulanan Vi iareti; ykselte tarafndan kuvvetlendirilecek ve ykselte kndan Vo olarak alnacaktr. Ykseltecin lineer alabilmesi iin dc polarma gerilimleri ve akmlar iyi ayarlanmaldr. Ksaca nce dc analiz gerekir. DC analiz iin devrenin dc edeeri izilir. Edeer devre iin; devredeki ac kaynaklar ksa devre ve kondansatrler ak devre kabul edilir. Bu durumda devremiz ekil-5.17.bde verilen hale dnr. Ykselte devresi aktif blgenin tam ortasnda almas isteniyor. O halde transistrn kesim ve doyuma gitmeden ikisinin ortasnda almas gerekir. Transistrn aktif blgedeki alma gerilimi deerini bulmak iin kesim ve doyum noktalarn belirleyip ikisinin tam ortasn almalyz. O halde; Transistr kesim noktasnda iken IC=0dr. Bu durumda Q alma noktas gerilimi VCQ maksimum olacaktr ve deeri;
VCQ (max) = VCC

besleme gerilimine eittir. Transistr doyumda iken kollektr-emiter aras ksa devre olur ve minimumdur. IC akm ise maksimumdur. Bu durumda transistrn Q alma noktas gerilimi VCQ(min) ise;
VCQ (min) = VCC RE R E + RC

deerine eit olacaktr. Bizim amacmz kesim ve doyum noktalarna gitmeden ikisinin tam ortasnda almaktr. O halde aktif blgenin ortasnda almak iin;

154

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

VCQ =

VCQ (max) + VCQ (min) 2

VCC 2

RE 1 + R E + RC

olmaldr. Buradan transistrn aktif blgenin ortasnda alabilmesi iin gerekli olan VCQ deerini bulalm.
VCQ = VCC R E 12 470 = 7.05V 1 + = 1 + 2 R E + RC 2 470 + 2.2 K

Bu durumda R1 direncini VCQ gerilimini 7.05V yapacak ekilde semeliyiz. R1 direncini bulamak iin R1 zerinde oluan akm ve gerilimi bulmalyz. nce IC akmn bulalm.
I CQ = I BQ = VCC VCQ RC

12 7.05 = 2.25mA 2.2 K

I CQ

2.25mA = 0.01125mA = 11.25A 200

Analiz kolayl iin devreyi yeniden izelim.

+VCC =12V

V R1

IR1

R1

RC 2.2K

ICQ

V RC

VCE Q IBQ VR2 IR2 R2 22K RE 470 VRE VCQ IE Q

Devreden VR2 geriliminin; VR2=VCC-VR1 veya VR2=VBE+VRE deerine eit olacaktr. Buradan;
V R 2 = V BE + I B ( + 1) R E = 0.7V + 11.25A (201) 470 = 1.76V

Buradan I2 akmn bulabiliriz.

I2 = V R 2 1.76V = = 0.080mA = 80A R2 22 K

VR1 deerini bulalm. Devreden VR1=VCC-VR2 olarak grlmektedir.

V R1 = VCC V R 2 = 12V 1.76V = 10.24V

155

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

I1 akmn bulmak iin devreden; I1=I2-IB olduu grlr.

I 1 = I 2 I B = 80 A 11.25A = 68.75A

Bulunan bu deerleri kullanarak R1in olmas gereken deerini bulabiliriz.

R1 = V R1 10.24V = = 148.9 K I1 68.75A

Olarak bulunur. u halde ekil-5.17de verilen ykselte devresinde transistrn aktif blgenin ortasnda alabilmesi iin gerekli R1 direnci 149K olarak bulunmutur.

5.5

KOLLEKTR-GERBESLEMEL POLARMA
Transistrl ykselte devrelerinin polarmalandrlmasnda kullanlan bir dier yntem ise kollektr-geribeslemeli devredir. Bu devrenin kararll olduka yksektir. Transistrn alma blgesi deerleri DC deiimlerinden pek fazla etkilenmez.

Tipik bir kolektr-geribeslemeli polarma devresi ekil-5.18de verilmitir. Devrede negatif geribesleme yaplmtr. nk beyz ve kollektr gerilimleri arasnda 1800 faz fark vardr. Devre, yaplan geribesleme sayesinde kararl bir yapya kavumutur. nk transistrn snn neden olduu etkiler ve deiimler geribesleme ile azaltlmtr. Ksaca geribesleme sayesinde kararl bir alma salanmtr.
+VCC RC RB RB IB IC I C+IB +VCC RC

VRC

V CE VB E VB E IE

a) Kollektr-geribeslemeli polarma devresi

b) Polarma akm ve gerilimlerinin gsterimi

ekil-5.18.a ve b Kollektr-geribeslemeli polarma devresi ve polarma deerleri

156

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

Sistemin kararl almas iin geribesleme ile yaplan iyiletirilme aada anlatlmtr. Is ile nn artmas transistrn kolektr akmnda da bir arta neden olur. Kolektr akmnn artmas RC direnci zerinde oluan gerilimi de artracaktr. RC direnci zerinde oluan gerilimin (VRC) artmas ise transistrn VCE geriliminin azalmasna neden olur. Kolektr gerilimi ise RB direnci zerinden beyzi beslemektedir. Bu durumda beyz akmda azalacaktr. Beyz akmnn azalmas ise kolektr akmnda deiiminin neden olduu artmay engelleyecektir. Scaklk etkisiyle da dolaysyla kollektr akmnda oluan artma veya azalma geribesleme ile dengelenmektedir. Bu durum, transistrn alma blgesinin kararl kalmasn salar. Devrenin matematiksel analizini yapalm. ekil-5.18.bde verilen devrede beyz-emiter evresi iin gerekli eitlikler yazlrsa;
VCC = I RC RC + I B R B + V BE

olur. Burada IRC akm, RC direnci zerinden geen akmdr ve IRC=IB+IC deerine eittir.
VCC = ( I B + I C ) RC + I B R B + V BE

IB+IC deeri ise IE akmna eittir.

VCC = I E RC + I B R B + V BE

IE akmn IB cinsinden yazarak IE=(+1)IB yukardaki denklemi sadeletirelim

VCC = ( + 1) I B RC + I B R B + V BE

elde edilen bu denklemden IB akmn ekelim.

IB = VCC V BE R B + ( + 1) RC

denklemi elde edilir. Devrede alma noktas deerlerini bulmak iin kollektr-emiter evresi iin gerilimler yazlrsa;
VCC = I RC RC + VCE

IRC=IEdir. Denklem yeniden dzenlenirse;

VCE = VCC I E RC

eitlii elde edilir. Kollektr-geribesleme devresinin ok daha gelitirilmi bir uygulamas ekil-5.19da verilmitir. Kararllk faktrn artrmak amac ile devrede ilave olarak RE direnci kullanlmtr. Devrenin analizi ise aada ayrntlar ile verilmitir.

157

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

+VCC RC RB RB IB IC I C+IB

+VCC RC

V RC

VCE

VBE RE VB=VB E+IE R E

VB E IE RE VRE

ekil-5.19.a ve b Kollektr-geribeslemeli emiter direnli polarma devresi

VCC = I RC RC + I B R B + V BE + I E R E

denklemi elde edilir. Elde edilen denklemde IRC akm yerine, IRC=IB+IC=(+1)IB eitliini kullanrsak;
VCC = ( + 1) I B RC + I B R B + V BE + I E R E

denklemi elde edilir. Elde edilen denklemden IB akmn ekelim.

VCC V BE R B + ( + 1) ( RC + R E )

IB =

Transistrn alma noktasndaki deerleri bulmak iin polarma devresinden;

VCC = I RC RC + VCE + I E R E

Formldeki IRC yerine IE kullanrsak IRC=IE;

VCE = VCC I E ( RC + R E )

denklemi elde edilir.

158

ANALOG ELEKTRONK- I

Kaplan

rnek: 5.11
RB 100K

VCC =+12V RC 2.2K

Yanda verilen kollektr-geribeslemeli polarma devresinde gerekli polarma akm ve gerilimlerini hesaplaynz? DC=150 VBE=0.7V

VBE

zm

Devrede nce beyz akmn bulalm.

IB = VCC V BE 12V 0.7V 11.3V = = = 0.026mA = 26 A R B + ( + 1) RC 100 K + (151) 2.2 K 432.2 K I C = I B = 150 26A = 3900 A = 3.90mA I E = ( + 1) I B = 151 26 A = 3926A = 3.92mA

Transistrn alma noktas gerilimi VCE ise;

VCE = VCC I E RC = 12V (3.92mA 2.2 K) = 3.376V

olarak bulunur. Devrenin kararllk faktrn incelemek amacyla ayn devrede scaklk etkisiyle DC deerinin 150den 250ye ktn kabul edelim. Devrenin alma noktasna etkisini grelim.
IB = VCC V BE 12V 0.7V 11.3V = = = 0.017 mA = 17 A R B + ( + 1) RC 100 K + (251) 2.2 K 652.2 K I C = I B = 250 17 A = 4250A = 4.25mA I E = ( + 1) I B = 251 17 A = 4267 A = 4.26mA

Transistrn alma noktas gerilimi VCE ise;

VCE = VCC I E RC = 12V (4.2mA 2.2 K) = 2.76V

Yorum

Transistrn DC deerinde yaklak %100lk bir arta ramen alma blgesi akm ve gerilimlerindeki deiim yaklak %10 civarndadr. Bu durum bize devrenin kararllk faktrnn iyi olduunu gsterir.

159