1

1
T.C.
SAKARYA NVERSTES
FEN BLMLER ENSTTS








MIT BATES LABORATUVARINDAK ERENKOV
DEDEKTRNN ESNEK E-P SAILMASI DENEYNDEN
ELDE EDLEN ADC SPEKTRUMUNUN ANALZ






YKSEK LSANS TEZ

ule T





Enstit Anabilim Dal : FZK
Tez Danman : Yrd. Do. Dr. Bar Tamer TONGU






Mays 2008




2
2


ii
ii



TEEKKR



Yksek Lisansa baladm andan itibaren engin bilgi ve tecrbelerinden
yararlandm ve bilgi denizinde kaybolmadan yoluma devam etmemi salayan
Danman Hocam Saygdeer Yrd. Do. Dr. Bar Tamer TONGU a sonsuz
teekkr ederim.

Yksek Lisans sresi boyunca yardmna ihtiya duyduum anda hi tereddt
etmeden destek ve yardmlarn esirgemeyen Sayn Do. Dr. Mehmet
BEKTAOLU Hocama ok teekkr ederim.

Fizik Blm Bakan Sayn Prof. Dr. Recep AKKAYA Hocama yksek lisans sresi
boyunca ok deerli bilgilerinden yararlanma frsat verdii iin ok teekkr ederim.

Yksek Lisans sresi boyunca alma arkadam olan Fizik retmeni Murat
MANCIK a teekkr ederim.

Ayrca bana her konuda destek veren ve vermeye devam eden, ailem olduklar iin
kendimi ok ansl hissettiim canm aileme yrekten teekkr ederim.







ule T









iii
iii


NDEKLER




TEEKKR... ii
NDEKLER.. iii
SMGELER VE KISALTMALAR LSTES v
EKLLER LSTES. vi
TABLOLAR LSTES... ix
ZET. x
SUMMARY... xi

BLM 1.
GR. 1

BLM 2.
BATES HIZLANDIRICISI VE BLAST SPEKTROMETRES... 3
2.1. Bates Hzlandrcs... 5
2.2. Blast Spektrometresi. 6
2.2.1. Srklenme odacklar 6
2.2.2. erenkov sayalar.. 7
2.2.3. Sintilatrler. 7
2.2.4. Ntron sayalar.. 7
2.2.5. Bobin... 7

BLM 3.
ERENKOV IIMASI VE DEDEKTR.. 8
3.1. erenkov Imas.. 8
3.2. erenkov Dedektr. 9
3.2.1. Diferansiyel dedektrler... 10






iv
iv
3.2.2. Halka grntl dedektrler 10
3.2.3. Eik erenkov dedektrleri.. 11
3.3. erenkov Dedektrnn Yaps... 12
3.4. erenkov Dedektrnn zellikleri. 13

BLM 4.
ANALZ. 16
4.1. Bir rnek ile Fit lemi. 16
4.1.1. Parametrelerin dorusal fonksiyonu-dz izgi... 16
4.2. ADC Spektrumunda Tipik Bir Sayacn Histogram ve Fit Edilmesi 20

BLM 5.
TPK BR FOTOOALTICI TPNN ALIMA PRENSB VE
YAPILANDIRILMASI.

22
5.1. Fotokatot... 24
5.1.1. Standart trler.. 24
5.1.2.Giri penceresi.. 26
5.2. Elektron Odaklama Giri Sistemi. 28
5.2.1. Genel amal tpler.. 28
5.2.2. Hzl-tepkili tpler... 30
5.2.3. Katot akm doygunluu 31
5.3. Elektron oaltc. 32
5.3.1. Daynot materyalleri. 34
5.3.2. Daynot geometrisi 35

BLM 6.
SONULAR VE NERLER....................... 37

KAYNAKLAR.. 41
EKLER... 42
ZGEM... 63





v
v



SMGELER VE KISALTMALAR LSTES






































MIT : Massachussets Institute of Tecnology
Blast : Bates Large Acceptance Spectrometer Toroid
ADC

: Analog to Digital Converter
PMT : Photomultiplier Tubes
E : Elektron
P : Proton
LNS : Nkleer Bilim Laboratuvarlar
MIT : Massachusetts Institute of Tecnology
C

: Ik hz
P

: Momentum

: pion
L

: Toplam alnan yol
p
t
: Eik momentum

max
: Maksimum dalga boyu
: Fotoelektron says
L0 : e demetinin geli dorultusuna gre sol bataki kk saya
R0 : e demetinin geli dorultusuna gre sa bataki kk saya
L1 : e demetinin geli dorultusuna gre solda orta byklkteki saya
R1 : e demetinin geli dorultusuna gre sada orta byklkteki saya
L2 : e demetinin geli dorultusuna gre soldaki byk saya
R2 : e demetinin geli dorultusuna gre sadaki byk saya



vi
vi



EKLLER LSTES




ekil 1.1. Tipik elastik elektron-proton arpmas. 2
ekil 2.1. Massachusetts Middleton da kurulu olan MIT Bates Dorusal
Hzlandrc Merkezi...................................................................

3
ekil 2.2. BLAST (= Bates Large Acceptance Spectrometer Toroid)
Dorusal Hzlandrc Merkezinin kroki grn.

5
ekil 2.3. Blast Spektrometresini oluturan yaplar 6
ekil 3.1. Nkleer reaktrde erenkov mas... 9
ekil 3.2. Aerojel tabakasnn profilden grnts. 12
ekil 3.3. Tipik erenkov dedektrnn dtan grnm 12
ekil 3.4. erenkov dedektrnn yapm aamalar .. 13
ekil 3.5. Tipik erenkov Sayalar ... 14
ekil 4.1. Kk karelerle uygun dorusal fit 17
ekil 4.2. ADC Spektrumunda R1 Sayacndan elde edilen verilere gre
oluturulan histogram.

20
ekil 4.3.

ADC Spektrumunda R1 Sayac iin oluturulan histogramn
Poisson fonksiyonuna Fit edilmesi..

20
ekil 5.1. Bir fotooaltcnn elemanlar. (1956da, 56 AVP esas
alnarak Philips tarafndan retilen dnyann ilk hzl PMT si.)

22
ekil 5.2. Yksek gerilim kaynanda gerilim blc ... 24
ekil 5.3. eitli fotokatot trleri iin duyarlk zellikleri tayf ................ 25
ekil 5.4.

Fotooaltclarn giri pencerelerinde (kalnl 3 mm)
kullanlan eitli camlar iin dalgaboyu nn bir fonksiyonu
olarak (%) iletim..


27
ekil 5.5.

Bir fotooaltcnn elektron-odaklama girii ile (a)
Daynotlarn odaklanmas (b) Egerilim dorularn ve
elektronlarn izledii yollar gsteren Venedik stili daynotlar...


29



vii
vii
ekil 5.6. ok hzl fotooaltc giri pencereleri iin bir rnek .. 31
ekil 5.7. Parametre olarak greli ak ile katot-ilk daynot arasndaki
gerilimin bir fonksiyonu olarak fotoakm deiimi ..

32
ekil 5.8. ounlukla balang elektron enerjisinin fonksiyonu olarak
kullanlan 3 daynot malzemesinin ikincil yaynm katsaylar

35
ekil 5.9. Balang elektron-enerjisi fonksiyonu olarak GaP(Cs) nin
ikincil yaynm katsays .

35
ekil 5.10. Daynot Biimleri: (a) Venedik stili (b) Kutu (c) Dorusal
Odaklama (d) Dairesel Kafes (e) Izgara (f) Metal Yaprak ...

36
ekil 6.1. ADC Spektrumunda L0 Sayac .. 37
ekil 6.2. ADC Spektrumunda R0 Sayac .. 37
ekil 6.3. ADC Spektrumunda L1 Sayac .. 38
ekil 6.4. ADC Spektrumunda R1 Sayac .. 38
ekil 6.5. ADC Spektrumunda L2 Sayac .. 38
ekil 6.6. ADC Spektrumunda R2 Sayac .. 38
ekil 6.7. ADC Analizi iin deerleri grafii ve TOF Analizi ile
Karlatrlmas..

39
ekil A.1. Fotoyaynm ... 43
ekil A.2. Yar saydam tabakada n iletimi ve yansmas . 44
ekil A.3. Fotoyaynma yatkn tabakada rlativistik foton sourulmas
dx
d
...............................................................................



44
ekil A.4. Enerji bantlar (a) metalde (b) yariletkende (c) yaltkanda ... 45
ekil A.5. eitli fotoyaynma yatkn tabakalardan dolay foton enerjisi
h nn bir fonksiyonu olarak sourma katsaylar

46
ekil A.6. Atom numaras srasna gre, saf metallerin i fonksiyonlar 48
ekil A.7. Enerji bantlar (a) metalde (b) yariletkende (c) yaltkanda ... 49
ekil A.8. Gelen foton enerjilerinden dolay 290 K de GaAs(Cs)
tabakasndan fotoelektron enerjileri
ph
E nin izafi dalm.
(a) 2.15 eV dan 3.06 ya kadar. (b) 4.28 eV dan 5.12 eV a
kadar







51



viii
viii
ekil A.9.

Gelen foton enerjilerinden dolay 290 K de GaAs(Cs)
tabakasndan fotoelektron enerjileri
ph
E nin izafi dalm .
(a) 1,4 eV dan 2,2 eV a kadar. (b) 1,8 eV dan 3,2 eV a
kadar....








52
ekil A.10. lk elektron enerjisi E
p
nin bir fonksiyonu olarak ikincil
yansma katsays nn izafi deiimi. , E
p
zerindeki
enerjilerde, E
p
1-
ye orantldr..................................................


56
ekil A.11. E
f
,

Fermi seviyesi zerinde ikincil elektron enerjileri E nin
dalm........................................................................................

57
ekil B.1. Tipik esnek elektron-proton arpmas.. 61





























ix
ix



TABLOLAR LSTES


Tablo 3.1. e- momentumu ve birim uzunluk bana oluan fotoelektron
says ...

15
Tablo 5.1. Fotokatotlarn bileim ve tipik zellikleri... 26
Tablo 5.2. Fotooaltc pencerelerinde kullanlan camlarn zellikleri.. 27
Tablo 6.1. ki analiz iin hesaplanan ortalama fotoelektron saylar 40






















x
x



ZET


Anahtar kelimeler: Ykl parack, Elastik Elektron-Proton arpmas, Fotoelektron
Says, erenkov Imas, erenkov Dedektr, Fit, Analiz

Bir ykl parack effaf bir ortamdan n o ortamdaki hzndan daha byk bir
hzla geerken mavi bir n olumasna neden olur. Bu mavi k erenkov
masdr. Bu ma grnr blgede elde edilmek istenmi ve bir dedektr
oluturulmutur. Bu dedektre de erenkov dedektr ad verilmitir. Dedektr
sisteminde bu may gerekletirmek iin bir takm yaplara ihtiya duyulmutur.
Gerekli malzemeler tedarik edildikten ve dedektr sistemi oluturulduktan sonra
deney yaplmtr. Bu deney iin elastik elektron-proton arpmas kullanlmtr. Bu
paracklarn effaf bir ortamda elastik arpmalar sonucu erenkov mas
meydana gelmitir. Burada dedektr devreye girer ve dedektrn esas kullanm
amac olan salan paracklar arasndan elektronlar ayrt eder ve oluan
fotoelektron saylarn hesaplar.

ADC analizi iin erenkov dedektrnde bulunan sa-sol simetriye sahip alt
sayacn herbirinin ayr ayr tespit ettii arpma sonucunda salan elektron saylar
sayalardan okunur. Bu deerler histogram eklinde elde edildikten sonra fit edilir.
Grafii oluturmada ROOT program kullanlmtr. Alt saya iin elde edilen fit
grafiklerinden okunan fotoelektron saylar bir grafikte toplanmtr. Daha nce
yaplan TOF (Time of Flight) analizi sonular ile ADC analizi sonular tek grafikte
toplanarak karlatrlr.



















xi
xi



ANALYSIS OF ADC SPECTRUM OF THE ERENKOV
COUNTERS IN THE BATES LINEAR ACCELERATOR
CENTER OF MIT USING THE ELASTIC E-P SCATTERING
EVENTS



SUMMARY


Key Words: charged particle, elastic e-p scattering, the number of photoelectrons,
erenkov radiation, erenkov detectors, fitting.

Blue light produced by charged particles when they pass through an optically
transparent medium at speeds greater than the speed of light in that medium. This
blue light is called erenkov radiation. This radiation is spectral and majorly in the
visible area. Since this principle is used for the particle separation the detectors are
called erenkov counters.

In this theses, average photo electrons per event are extracted by analyzing its digital
signal obtained from ADC (Analog to Digital Converter). Data comes from elastic
electron-proton scattering.




















1
1



BLM 1. GR


Parack fizii, maddenin paracklarn ve aralarndaki karlkl etkileimi konu
alan bir fizik daldr. Atom alt paracklar inceler. Atom alt paracklar bamsz
olarak mrleri ok ksa olduu iin normal artlar altnda gzlemlenemezler. Bu
amala oluturulan parack hzlandrcs denilen dev dzeneklerde, yksek elektrik
alan etkisi ile hzlandrlm paracklarn manyetik alan etkisi ile odaklanarak
arptrlmas ile ortaya kan farkl paracklar incelenebilir hale getirilmeye
allr. Bu ilemlerin yaplmasnda ve yaratlan arpmalarda ortaya kan enerji
miktarlar ok byk olduundan parack fizii yksek enerji fizii olarak da
adlandrlr [1].

Parack fiziinin alma alanlarndan biri erenkov masdr. Ykl bir parack
saydam bir madde iinde n o maddedeki hzndan daha byk bir hzla hareket
ederse ortamda baskn olarak mavi renkli bir ma yaylr. (erenkov masnn
tanm artc olabilir. nk bu tanm ykl taneciklerin ktan daha hzl
hareketini ierir. Tabii ki, bolukta hibir ey ktan daha hzl deildir.) Bu etki,
Rus fiziki Pavel A. erenkov (19041990), tarafndan 1934 ylnda gzlenip
akland iin erenkov Imas olarak adlandrlmtr.

Bu mann daha iyi anlalabilmesi iin MIT BATES Dorusal Hzlandrc
Merkezinde bir erenkov Dedektr oluturulmu ve elastik e-p arpmas sonucu
salan elektronlar kullanlarak oluturulan erenkov Imas bu dedektrde analiz
edilmitir (ekil 1.1).











2
2


ekil 1.1. Tipik elastik elektron-proton arpmas

ekilde tipik bir elastik e-p arpmas grlmektedir. Bu elastik arpma sonucunda
salan paracklar birbirine dik bir ekilde salarak yollarna devam etmektedirler
(Bkz. Ek B.3).


















3
3



BLM 2. BATES HIZLANDIRICISI VE BLAST
SPEKTROMETRES




ekil 2.1. Massachusetts Middleton da kurulu olan MIT Bates Dorusal Hzlandrc Merkezi

MIT Bates Dorusal Hzlandrc Merkezi Massachusetts Middleton da kurulmutur.
Hzlandrcnn kendisi yeraltndadr. Mhendislik binas, aratrma binas, ynetim
binas, park yeri, vs. st ksma ina edilmitir.

Bates, Nkleer fizik iin ulusal kullanc tesisi olarak, 30 yldr byyen oklu-
arpma grevine sahiptir. Deneysel Nkleer Fizik program, Blast deneyinin
tamamlanmas ile 2005 te sona ermitir.





4
4
Baka bir deyile, Aratrma ve Uygulama Merkezi olan Bates tarafndan, LNS
retim yelerinin deneysel programlar iin destek salanan Amerika Birleik
Devletleri Enerji Bakanlnn Nkleer Fizik blmnden bir fon temin edilmitir.
Byk dedektrn ve spektrometre sistemlerinin dizaynna ve geliimine katkda
bulunma gibi bir dizi uygulama iin Bates teki personel ve malzeme ok uygundur.
AR-GE Merkezi projeleri;

- Jefferson Lab. da QWeak deneyi iin toroidin dizayn ve yapsn,
- Brookhaven Ulusal Lab. da STAR deneyi iin GEM prototip odacklar ve
elektronik ktnn dizayn ve yapsn,
- STAR n bir silisyum izleme dedektr ykseltgenmesi iin destek yapsnn
dizaynn,
- Balca Kavramsal Dizayn Raporu olan elektron-iyon parack hzlandrcs
eRHIC iin elektron hzlandrcs ve bellek halkas dizaynn,
- eRHIC iin polarize eden kaynak gelitirilmesini,
- SNO ve KATRIN de ntrino fizii iin dedektr gelitirilmesini,
ierir.

Bates Merkezinin baka bir fonksiyonu, dier laboratuvarlar iin Bates deki benzer
sistemlerde de bilirkii tarafndan szlemeli olarak uygulanan, projeler ve yapm
almalarnda aratrma ve gelitirmedir. Ayrca, MIT retim grevlileri ve
dardaki gruplar ile ibirlii iinde yaplan kk hzlandrclarn yeni
uygulamalar iin yer ve teknik destek salanlmaktadr.

Sonuta, bir elektron kaynan kutuplatrmay gerekletiren Bates hzlandrc
tesisi, 500 MeV elektron hzlandrcs ve devridaim sistemi ve bellek halka
iermektedir. Buradaki personel deneysel hzlandrc ve kayna kutuplatrma
grevi olan fizikilerden olumaktadr [10].







5
5
2.1. Bates Hzlandrcs



ekil 2.2. BLAST (= Bates Large Acceptance Spectrometer Toroid) Dorusal Hzlandrc Merkezinin
kroki grn [2]

ekil 2.2 Blast Spektrometresinin kroki grndr. Elektron kayna Polarized
Source blmnde polarize edildikten sonra radyo frekans dalgalaryla dorusal
hzlandrlarak halka grnml Blast spektrometresine ulamalar salanr. Bu yol
boyunca kazandklar enerji yaklak 850 MeV civarndadr. Bu enerjiye sahip
elektronlar, Blast spektrometresinde yeterli sayya ulanca, hedefteki protona
arpmalar salanr ve bylece elektron salmas olayn gerekletirmi
olacaklardr.











6
6
2.2. Blast Spektrometresi






ekil 2.3. Blast Spektrometresini oluturan yaplar [2]

Blast Spektrometresini oluturan sa ve sol simetriye sahip yaplar ekil 2.3 de
gsterilmitir. Bu yaplarn zellikleri alt blmlerde detayl bir ekilde
aklanmtr:

2.2.1. Srklenme odacklar

Salan paracklarn ortamdaki gaz iyonize ederek braktklar izlerden, paracn
momentumunu, ykn ve dedektr ierisindeki 3-boyutlu pozisyonlarn
belirlemekte kullanlr.





NTRON SAYALARI
HEDEF
e
-
DEMET
SRKLENME ODACIKLARI
ERENKOV SAYALARI
SNTLATRLER
e
-
DEMET
BOBN



7
7
2.2.2. erenkov sayalar

Bu sayalar, salan parack ierisinden e- ayrmn yapabilmek iin kullanlr.

2.2.3. Sintilatrler

Salan paracn sintilatre gelme sresi (uu sresi) olan TOF (Time of Flight) u
verir. Ayn zamanda bu sintilatre TOF sintilatr denilebilir.

2.2.4. Ntron sayalar

Bu sayalar kaln duvarl olup, ntron tespiti iin kullanlr. Ntron sayalarnda
sa-sol simetriliine gerek grlmemitir.

2.2.5. Bobin

Salan paracn hareket ettii yollar zerinde bir manyetik alan oluturulur.
Parack eer yklyse manyetik alandan dolay eri bir yrnge izler. Manyetik
alana bal olarak izledikleri yrnge srklenme odacklarnda kayt edilerek
paracklarn momentumlar llr. Ayrca, sintilatrde braktklar izlerin i ve d
bkey olma durumuna gre ykn cinsi hakknda dorudan bilgi edinilir.


















8
8



BLM 3. ERENKOV IIMASI VE DEDEKTR


3.1. erenkov Imas

Bir dalgann belirli bir ortamda yaylma hz o ortamn yapsna baldr. rnein k
bolukta c hz ile yaylrken suda 0,75c hz ile yaylr. Yani n sudaki hz
bolua gre 1/4 kadar daha yavatr. Eer ykl bir parack suda 0,75c den daha
hzl hareket ederse suda bir ok dalgas oluur. nk parack (rnein elektron),
getii yolda su moleklleri ile arpmaktadr. Her arpmada bir su molekl
enerji kazanmakta ve daha hzl titremektedir. Bu arada elektron enerji kaybedip
yavalamaktadr. Fakat su molekl kazand enerjiyi geri salp eski durumuna
dnmek ister. Fazla enerjiyi bir foton olarak salar. Ald enerji olduka fazla
olduundan (nk elektronun hz k hzna yakndr) sald fotonun enerjisi de
yksek olacaktr. Bylece yksek frekansl mavi k grnr. Bu a erenkov
radyasyonu denir.

erenkov radyasyonunun en gzel grntsn nkleer reaktrlerin havuzunda
depolanm olan artk yakttan geirmekteyiz (ekil 3.1). Yakt ne kadar taze ise
(Yani reaktr kalbinden ne kadar yeni kmsa) o derece gl erenkov radyasyonu
salar. Eskidike mavi renk solar [13].







9
9


ekil 3.1. Nkleer reaktrde erenkov mas [11]

3.2. erenkov Dedektr

erenkov dedektrleri, erenkov masnn, ma iin bir eiin varl, paracn
hz zerindeki erenkov konisinin yarm as
c
ye ball ve yaylan fotonlarn
saysnn paracn hzna ball gibi bir veya birka zelliinden yararlanr.
Krlma indisinin ifadelerde olmas, bu tr niceliklerin belirli deneysel
uygulamalarna olanak salar. (rn., basnl gaz ve/veya eitli svlarn yclar
olarak kullanlmas.)

Fotoelektronlarn (p.e.) says, verilen bir aygtta veya kanalda,

dE E E E
c m r
z
L N
c coll
e e
e p
) ( sin ) ( ) (
2
det
2
2 2
. .

=

(3.1)





10
10
ifadesi ile bulunur. L ycdaki alnan toplam yol,
coll
toplanan erenkov nn
toplanmasndaki verim,
det
aygtlarn (fotooaltc veya benzeri) kuantum verimi
ve 370 ) /(
2 2
= c m r
e e
cm
-1
eV
-1
dir. Tipik dedektrlerde her ne kadar
c
(ya da krlma
indisi) fotokatot duyarllnn yararl blgesi boyunca yaklak olarak sabit olsa da
coll
,
det
ve
c
nicelikleri foton enerjisi E nin fonksiyonlardr. O zaman,


. .e p
N L
0
N <sin
2

c
> (3.2)

ile


(3.3)

ifadeleri elde edilir. Yksek enerji fiziinde ounlukla z = 1 alnmaktadr.

3.2.1. Diferansiyel dedektrler

Belirlenen bir blgede hzlara sahip paracklar belirlemek iin, optiksel odaklamay
ve/veya geometrik maskelemeyi kullanarak
c
nin ya ballndan yararlanr.
Dikkatli bir tasarm ile
5 4
10 10 /

olan bir hz znrl elde edilebilir.

3.2.2. Halka grntl dedektrler

Hem dar alan, hem de 4 geometrilerinde erenkov masnn 3 zelliinin tmn
kullanr. Bu dedektrler, ounlukla onay/veto aygt olmak yerine, daha ok hipotez
test etmede kullanlrlar. Yani eitli trlerin belirlenmesi olasl, bilinen
momentuma sahip bir parack iin
c
ve N
p.e.
terimleri ile oluturulur. (ounlukla
anlalmas gereken kusurlar distortions ile.)

= dE
c m r
z
N
coll
e e
det
2
2 2
0




11
11
3.2.3. Eik erenkov dedektrleri

Paracn, erenkov eik hznn yukarsnda olup olmadn temel alarak basite
onay veya veto kararn verir. ok iyi dzeneklerde verimi <
coll
>90% olur. Bir
tipik bialkali katot ile bir k oaltc iin,

27 . 0
det
dE dir. Bylece,


c e p
cm L N
2 1
. .
sin 90 /

(i.e., N
0
=90 cm
-1
). (3.4)

ifadesi elde edilir. rnein, seilen bir n nin atr iin, momentumun eik
deerinin p
t
olacak ekilde seildiini farz edelim; yani bu momentumda a tr
n
a
1
=
hzna sahiptir. Ayn momentuma sahip, daha hafif bir ikinci b tr
b
hzna
sahiptir ve
b
a
c

= cos ile,

2 2
2 2
1
.
90
a t
b a
e p
m p
m m
cm
L
N
+

(3.5)

ifadesine ulalr. P=1 GeV/c de K/ ayrt etmek zere, iin N
p.e.
/L16cm
-1
ve (tasarm ile) K iin ise 0 dr.

Snrl yol uzunluklar iin N
p.e.
kk olabilir ve dtaki elektronik aygtlar
tetiklemek iin belirli bir asgari deer gereklidir. Aygtn genel verimi, baskn
parack trnn dierinden ayrt edilmesinde zellikle kritik olan Poisson
dalgalanmalar tarafndan kontrol edilir.

lgili dedektrler snf, trleri ayrt etmek iin veya her bir parack trne ait
olaslklar belirlemek iin, gzlenen fotoelektronlarn saysn (veya kalibre edilmi
sinyal yksekliini) kullanr [7,8].








12
12
3.3. erenkov Dedektrnn Yaps

e- ayrmn yapabilmek iin kullanlan dedektr tipi Eik erenkov dedektrdr.
ekil 3.2 bu dedektrn yandan grndr. Burada effaf aerojel tabakasndan
geerken oluan fotoelektronlarn beyaz yanstc tabakaya arparak geni pencereli
fotooaltc tplere ulamalar salanr. ekil 3.3 ise tipik bir erenkov dedektr
resmidir.




















e
-

( (( ( 1 11 1) )) )
ekil 3.3. Tipik
erenkov dedektrnn
dtan grnm [2]
ekil 3.2. Aerojel
tabakasnn profilden
grnts [2]

Aerojel
Tabakas
Fotooaltc
tp



13
13
erenkov dedektrnn kurulma aamalar ekil 3.4 de grlmektedir:



ekil 3.4. erenkov dedektrnn yapm aamalar [2]

lk aamada, i ksm yanstc (yanstcl beyaz yaplarak salanm) olan bir
tabaka hazrlanm ve buna yine beyaz bir tabakadan oluan yan panel eklenmitir.
Fotooaltcy yerletirmek iin gerekli olan aksam monte edilip, fotooaltclar bu
aksama oturtulmutur. Beyaz tabakann zerine krlma indisi 1,02-1,03 aralnda ve
kalnl 5-7 cm aralnda effaf bir aerojel tabakas eklenmitir. Son aamada,
dedektr sisteminin zeri kapatlm ve ters evrilerek kullanma hazr hale gelmitir.

3.4. erenkov Dedektrnn zellikleri

erenkov sayalar sa-sol simetriye sahip olup 6 sayatan olumaktadr. Bu sayalar
demetin geli dorultusundan bakldnda dar adan geni aya doru solda
L0 dan balamak zere, L1 ve L2 olarak sralanmaktadr. Yine ayn noktadan sa

st-n Paneller


Yan Paneller


PMT Aksam

PMT lerin Yerletirilmesi


Aerojel Tabakas


Sayacn Son Hali






14
14
tarafa bakldnda dar adan balamak zere ilk saya R0 olmak zere, srasyla R1
ve R2 sayac gelmektedir. L0 ve R0 kk sayalar olup n demetiyle yapt alar
20
0
<<35
0
arasndadr. Kk sayalarn sahip olduklar fototp saylar
3 stte-3 altta olmak zere 6 tanedir. Orta byklkteki sayalarn elektron demetiyle
yaptklar alar ise 35
0
< < 50
0
arasnda olup, sahip olduklar fototp saylar 8
tanedir. Byk sayalar olan L2-R2 nin yapt a 50
0
< < 70
0
arasndadr ve
fototp says 12 dir (ekil 3.5).





ekil 3.5. Tipik erenkov sayalar [2]

erenkov sayacnn e- ayrt etmede kullanld daha nce belirtilmiti. Bu ayrt
etme ileminde ncelikle, ar parack olan un hzna gre kullanlacak olan
effaf ortamn krlma indisi (n) belirlenir:


n

1
cos = (3.6)

Burada n in bu ekilde belirlenmesinin esas amac, o ortamda e parac tespit
etmek istenildiinden dolay un ma yapmasn engellemek ve bylece e tayini
yapabilmektir.

e
-
Demeti
e
-
Demeti



15
15

Aeorojel tabakasnn krlma indisi ve e nun momentumlar 700 MeV/c olacak
ekilde ayarlanmtr. nk, bu momentuma kadar sadece e larn ma yapmas
istenilmektedir. Tablo 3.1 e dikkat edilirse bu momentum deerinde birim uzunluk
bana den fotoelektron says e lar iin 3,4 iken, elektrona gre ar olan iin bu
deer krlma indisi 1,02 olan bir malzeme kullanlarak sfrlanmtr. Bu da,
700 MeV/c momentum deerine sahip paracklar ierisinde ma yapanlarn
elektronlar olduunu gsterir ve ortamdaki elektron saylarna ulam olunur.

Tablo 3.1. e- momentumu ve birim uzunluk bana oluan fotoelektron says




























Parack

Nicelik



e
P (MeV/c) 700 700
N
p.e.
/L (cm
-1
)

0

0




16
16



BLM 4. ANALZ


4.1. Bir rnek le Fit lemi

Fit ilemini temel manada kavrayabilmek iin gzlemlerimizi kaydettiimiz bir
dalm ele alalm. Burada x
i
yi deitirirken y
i +
dy
i
gzlemleri histogram eklinde
grafie aktarlsn (ekil 4.1. Gzlenen olay saysnn, ilgili deikenin bir fonksiyonu
olarak grafik edilmesi sz konusudur.).

Burada y
i
obs
gzlenen deerleri, i ise histogramn belirli bir araln bildirir. Her
zamanki gibi, bu datay teorik ifadedeki parametre
j
olmak zere y
i
th
(
j
) fonksiyonel
formuna fit edilir. O zaman,


2
1
) (

=
(
(
(

=
blme
i i
j
teori
i
deneysel
i
y y
S

(4.1)

ifadesi oluturulur. Burada
i
hatalardr. Eer teori data ile iyi bir uyum iindeyse,
o zaman y
obs
ile y
th
deerleri ok fark etmeyecektir, dolaysyla S nin deeri kk
olacaktr. (S: Minimizasyon sabiti).

4.1.1. Parametrelerin dorusal fonksiyonu-dz izgi

Parametrelerin gerek deerlerinin, fit edilen fonksiyon zellikle lineer olduu
zaman daha kolay bulunaca bilinmektedir. Bylece fit fonksiyonu a ve b
parametreleri bilinmeyen,

y=a + bx (4.2)
eklinde ifade edilir.







17
17
Veriler, n tane noktadan (x
i
, y
i

i
) oluur. X koordinatna ait deerlerin tamamen
bilindii (hatasz olduunu), fakat y koordinatnn her bir deerine bir
i
deikenine
sahip olduu farz edilmektedir. (Bkz. Denk. 4.1). Buna bir metalin, birok scaklk
deerine karlk gelen uzunluklarnn llmesiyle (deneysel hatalaryla), bu metalin
genleme katsaysnn tanmlanmas bir fiziksel rnek olarak verilebilir.

Eitlik 4.1 deki ynergelerimize dayanarak,


(4.3)

ifadesine gre n e kadar deerler alan S, en aza indirgenmelidir. Her bir noktann
izilen dorudan sapmas, doruyla bir data noktasnn arasndaki en yakn mesafe
olmayp, aslnda o noktann x koordinatna kar gelen y koordinat ile dorunun y
koordinat arasndaki fark olarak tanmlanmtr. X koordinatnn hata vermemesiyle
tanmlanmas felsefik dnceyle de rtmektedir. Burada hem x hem de y
deerlerinin her ikisi de hata paylaryla beraber alndnda en iyi doru elde edildii
belirtilir.



ekil 4.1. Kk karelerle dorusal fit
2
1

=
(

=
n
i i
i i
bx a y
S

18
18
Veriler, x koordinatnn deerlerinin tamamen bilinen, fakat y koordinatnn
deerlerinin deneysel hatalardan gelen belirsiz
i
deerleriyle deien birok
noktadan (x
i
, y
i

i
) oluur. Bu sapmalar doruya yakn olan noktalardan deil,
basite y ynnde llmtr. Herhangi bir nokta iin arlkl faktr
i
hata paynn
karesi ile ters orantldr.

(4.3) denklemi ayr ayr srasyla nce a ya, daha sonra b ye gre ksmi trevi
alnrsa,

=

=

0
2
1
2
i
i i
bx a y
a
S

(4.4)


( )
0
2
1
2
=

=

i
i i i
x bx a y
b
S

(4.5)
elde edilir.

(4.4) ve (4.5) deki denklemler, e zamanl iki bilinmeyenli denklemlerdir.
Bu denklemlerin sonucunda;


| || | | || |
| || | | || | x x x
y x xy
b

=
2
1
1
(4.6)

ifadesi bulunur. Denklemdeki keli parantezlerin iindeki ifadeler,

| |

=
2
1
i
i
f
n
f

(4.7)

ile tanmlanr. Bu niceliklerin arlkl ortalama deerleri,

| | | | 1 / f f >= < (4.8)

denklemi ile verilir. a tanmlanp (4.4) denklemi yeniden dzenlenirse,




19
19
> < + >= < x b a y (4.9)

ifadesi elde edilmi olur.

(4.9) denklemi, en iyi (kk karelerdeki fitten anlalan) izginin elde edildii btn
data noktalarnn (
i
2

ile ters orantl olarak her bir noktann arl ile) arlk
merkezi zerinden getiini gsterir.

Bylece en iyi gerek parametre deerleri elde edildikten sonra, onlarn gerekte
nasl bir hassasiyetle bilinebilecei tanmlanr. Hesaplamalardaki hatalar iin,
j i
P P S /
2
deeri bulunur. Buradaki p, parametrelerin vektrel ifadesidir.



(4.4) ve (4.5) denklemlerinden,


| |
| |
| | x n
b a
S
x n
b
S
n
a
S
=

2
2
2
2
2
2
2
1
2
1
1
2
1
(4.9)

Bylece ters hata matrisi;


| | | |
| | | |
|
|

\
|
2
1
x x
x
n (4.9)

olur. Buradaki a ve b iin elde edilen ters hata matrisini ters evrilirse;


| | | |
| | | |
|
|

\
|

1
1
2
x
x x
nD
(4.10)

elde edilir. Denklemdeki determinant D ise;



20
20

= D [
2
x ] | | 1 - | | x | | x (4.11)

ifadesine ulalr [6].

4.2. ADC Spektrumunda Tipik Bir Sayacn Histogram ve Fit Edilmesi

Tipik bir erenkov sayacndan elde edilen sinyal ekil 4.2 de verilmitir. Burada y
ekseni, her bir esnek elektron-proton salmasna karlk gelen olay saysn, x
ekseni ise kanal saysn gstermektedir. Elde edilen histogram ekil itibariyle
Poisson dalmna ok uymaktadr. Bu yzden de bu dalma Poisson fonksiyonuna
yukarda anlatlana benzer ekilde fit ilemi uygulanmtr (ekil 4.3). (Dier
sayalar iin uygulanan fit grafiklerinin tamam Blm 6 da verilmitir.)







Fit ilemleri Poisson dalm fonksiyonu olan 4.12 denklemine gre yaplr:


| | 1
* ) (
+
=

x
e
Sabit y
x

(4.12)
ekil 4.2. ADC Spektrumunda R1
Sayacndan elde edilen verilere gre
oluturulan histogram
ekil 4.3. Oluturulan histogramn Poisson
fonksiyonuna fit edilmesi





21
21
Burada iki parametre fit edilir: Sabit bir skala sabittir ve dalmn Poisson
fonksiyonuna fit edilmesini salar, ise ortalama fotoelektron says <N
p.e
> yi
temsil etmektedir. gamma fonksiyonu ise

= dt e t x
t x 1
) ( (4.13)

denklemi ile ifade edilmektedir [2,3,4].































22
22



BLM 5. TPK BR FOTOOALTICI TPNN ALIMA
PRENSB VE NA EDLMES


Bir fotooaltc, elektriksel sinyale dntrr ve bu sinyali, ikincil
elektronlarn yaylmas ile bir uygun seviyeye ykseltir. ekil 5.1 bu ilem iin
gerekli elemanlar gstermektedir:

- Ik aksn elektron aksna dntren bir fotokatot.
- Elektron aksn odaklayan ve ivmelendiren bir elektron optik girdi sistemi.
- kincil yaynm elektrotlarnn serisini (daynotlar) ieren bir elektron oaltc ve
bitii.
- oaltcdan elektron aksn toplayan ve k sinyali elde edilen bir anot.




ekil 5.1. Bir fotooaltcnn elemanlar (1956da, 56 AVP esas alnarak Philips tarafndan retilen
dnyann ilk hzl PMT si.)




23
23
Bir fotooaltcnn almasn esas alan iki temel olgu, fotoyaynm ve ikincil
yaynmdr.

Balangta retilen fotonlarn bir ksmnn, malzemenin bal elektronlarna tm
enerjisini aktarmasna neden olan fotoyaynm, bu elektronlarn bazlarnn
kurtulmalar iin yeterli enerjiyi salarlar. Eer ilk daynota arpan bu
fotoelektronlarn says n
k
ve daynotun kazanc g
1
ise oluan ikincil elektronlarn
says n
k
g
1
olur. O zaman, ikinci bir daynot g
2
kazancna sahipse, benzer sekilde
n
k
g
1
g
2
kadar elektron yaymlar. Bu sre daynottan daynota gerekleip,
elektronlarn en son topland anota kadar tekrarlanr. Eer N daynot says ise,
toplanan elektronlarn says,

=
=
N
i
i k a
g n n
1
(5.1)

olur. rnein, her daynotun kazanc 4 ise, 10 daynotlu oaltcnn akm
ykseltmesi(M),


6 10
10
1
10 4 = = =

= i
i
k
a
g
n
n
M (5.2)

olarak bulunur. Elektronlar, daynotlar arasnda elektrik alan ile ivmelendirilir ve
odaklanrlar. Gerekli potansiyel gradyentler, genellikle yksek gerilim kaynann
kutuplar karsndaki bir gerilim blcden oluur.







24
24


ekil 5.2. Yksek gerilim kaynanda gerilim blc

5.1. Fotokatot

Genelde fotooaltclar iinde kullanlan katotlar, bir fotoyanstcl yar iletkenden
yaplmtr. Katotlar 2 eittir:

- Yar saydam katotlar: En yaygn kullanlan eididir. Giri penceresinin ierisine
yerletirilir. Elektronlar, gelen a zt taraftan yanstlrlar. Bu katot byk olup
(10 ile birka yz milimetre apnda), katotun yerletirildii pencere dz veya
tmsek olabilir.

- Ik geirmez katotlar: Tp ierisindeki bir metal elektrot zerine yerletirilir.
Elektronlar aydnlatlm ksmdan yaymlanr. Bu alan odaklayc elektronlarn
boyutlarndan dolay genelde birka santimetre kare ile snrlandrlmtr.

5.1.1. Standart trler

ounlukla kullanlan fotokatot elemanlar gm-oksijen-sezyum (AgOCs),
antimon-sezyum (SbCs) ve bialkali ve trialkali bileikleri olan SbKCs, SbRbCs ve
SbNa
2
KCs dir. Dalgaboyunun fonksiyonlar olarak farkl fotokatotlarn duyarllk
rnekleri ekil 5.3 de grlmekte ve bunlar hassasiyet zellikleri tayf olarak
adlandrlmaktadr. Bunlar, metalin fotoyaynm eiinden dolay uzun
dalgaboylarnda ve pencerenin geirgenliinden dolay ksa dalgaboylarnda
snrldr. Tablo 5.1, baz standart fotokatotlarn zelliklerini verir.




25
25
Bialkali ve trialkali katotlarnn duyarlk erileri, kalnlklarnn arttrlmas ile
maviye hassasiyetin azalmas karlnda uzun dalgaboylarna doru kaydrlabilir.
Buna trialkali S2OR (bazen S25 olarak adlandrlan) fotokatot rnek olarak
verilebilir.


ekil 5.3. eitli fotokatot trleri iin duyarlk zellikleri tayf














26
26

Tablo 5.1. Fotokatotlarn bileimi ve tipik zellikleri


Tepki tayfnn
eidi

Bileim

Pencere
eidi

Fotoyayn
m eii
(mm)
Maksimum
duyarlkta
dalgaboyu
(nm)

max
da
parldama
duyarl
(mA/W)

max
da
kuantum
verimlilii
(%)

S1(C)

AgOCs

1

1100

800

2.3

0.4

S4

SbCs
3


1, 2, 3

680

400

50

16

S11(A)

SbCs
3


1

680

440

60

17

(Super A)

SbCs
3


1

700

440

80

22

S13(U)

SbCs
3


2

680

440

60

17

S20(T)

SbNa
2
KCs

1

850

420

70

20

S20R

SbNa
2
KCs

1

900

550

35

8

(TU)

SbNa
2
KCs

2

850

420

70

20

Bialkali (D)

SbKCs

1

630

400

85

26

Bialkali
(green-extended)

SbKCs

1

700

440

90

28

Bialkali (DU)

SbKCs

2

630

400

85

26

Bialkali

SbNaK

1

700

400

50*

16*

Solar blind (SB)

CsTe

2

340

235

20

10


5.1.2. Giri penceresi

Giri penceresi malzemesi, ksa dalgaboyu blgesinde duyarllk tayfn
snrlamaktadr. ekil 5.5 ve Tablo 5.2 baz kullanlan camlarn zelliklerini



27
27
vermektedir. Bunlarn balcalar kesilme dalgaboylar 250 ve 300 nm arasnda olan
borosilicate cam (sert cam) ve kireli cam (yumuak cam), kesilme dalgaboylar
250 nm ve altnda olan mortesi saydam camlarda ise eritilmi silistir. Baz
uygulamalarda, yar saydam katotlarla kullanlan pencereler, yansmay azaltmak iin
buzlu cam haline getirilmitir.

ekil 5.4. Fotooaltclarn giri pencerelerinde (kalnl 3 mm) kullanlan eitli camlar iin
dalgaboyu nn bir fonksiyonu olarak (%) iletim

Tablo 5.2. Fotooaltc pencerelerde kullanlan camlarn zellikleri

Refractive index
Type of window
Cut-off wavelength
(decrease to (10%) (nm)
n at (nm)
Kireli cam 300 1.54 400
Sert cam 270 1.50 400
UV-cam 190 1.49 400
1.47 400
Erimi silis

160
1.50 250
Safir (Al
2
O
3
) 145 1.80 400
MgF
2
115 1.40 400
LiF 105 1.40 400




28
28
180 nm den daha az olan mortesi nm LiF veya MgF
2
ile bile, havann
sourmas nedeniyle sadece vakumda aratrlabilir. 105 nm den daha kk
dalgaboylar iin saydam bir malzeme yoktur ve penceresiz fotooaltclarn
boaltlm sistem iinde kullanlmas gerekir. (Alternatif olarak, tek kanall elektron
oaltclar veya mikro kanall levhalar kullanlabilir.)


5.2. Elektron Odaklama Giri Sistemi

Elektron odaklama giri sisteminin amac, ilk daynotun kullanl alan zerinde
bulunan btn fotoelektronlar odaklamaktr. Eer fotokatot saydam deilse, bu isel
elektrot yapsnn bir ksmn oluturur ve giri sistemi basit olabilir. Bununla
beraber, giri penceresi zerine konulan fotokatot, yar saydam trnde ise ve
zellikle de bykse, bu sistem kompleks hale gelir ve bir veya birok elektrot
eklenebilir.

Giri sisteminin iki temel ihtiyac karlamas gerekir:

- lk hzlarna ve fotokatotun neresinden olutuuna baklmakszn, ilk daynotta
maksimum elektron odaklanabilmesi gerekir. lk daynotun kullanl alana gelen
elektronlarn says ile katot tarafndan yaymlanan elektronlarn toplam says
arasndaki oran, toplama verimi olarak adlandrlr. Bu oran dalgaboyu ile deiir,
fakat genelde %80 den byktr.

- Elektronlarn, katot ve ilk daynot arasndaki iletim sresi, ilk hzlarndan ve
balang noktasndan mmkn olduunca bamsz olmas gerekir. Bu, hzl tepkili
fotooaltclar iin de zellikle nemlidir. Bu nedenle, bunlar ok karmak giri
sistemlerine sahiptirler.

5.2.1. Genel amal tpler

ekil 5.5, genel amal iki fotooaltcnn giri sistemi geometrisini gsterir:
Odaklayc tpler ve Venedik stili (venetian-blind) tplerdir. Her ikisi de,




29
29
- katottan,
- tp iinde buharlatrlarak oluturulan ve katota bal olan bir alminyum
tabakadan,
- ilk daynotun potansiyeline sahip, ivmelendiren bir elektrottan,
oluur.

elektrot, katot ve ilk daynot arasnda elektronun izleyecei yolu belirleyen
elektrik alan meydana getirir. Kesikli e potansiyel izgileri, alann eklini gsterir.
Kesiksiz izgiler ise katotun farkl blmlerinden ilk hzsz yaylan elektronlarn
ald yolu gsterir.



ekil 5.5. Bir fotooaltcnn elektron-odaklama girii ile (a) Daynotlarn odaklanmas (b) Egerilim
dorularn ve elektronlarn izledii yollar gsteren Venedik stili daynotlar

Elektronlar katotta ayn noktadan olusalar bile, ilk hzlarnn blnmesinden dolay
ilk daynota ulatklar yere gre bir dalm gsterirler (ekil 5.5). Fotoelektronlarn
iyi odaklanmas ve ilk daynotun alannn bykl, toplama verimi destekleyen iki
faktrdr. Odaklama elektrotunun herhangi bir boluunda belirlenen merkezde
elektrotu iki paraya blerek, Venedik stili olan ilk daynotun neredeyse mkemmel
bir asimetrik olmasn salamak mmkndr (ekil 5.5 (b)).






30
30
5.2.2. Hzl-tepkili tpler

Hzl-tepkili tpler iin, ilave koul vardr: Bu koul da, katot ve ilk daynot
arasndaki iletim sresindeki deiimleri minimum tutmaktr. Bu deiimler iki
bileenden oluur:

- Ayn noktadan oluan elektronlarn, ilk hzlarnn blnmesinden kaynaklanan
kromatik bileendir. lk hz vektr, E
n
enerjisine karlk gelen ve katota dik olan
n

hz bileenine, benzer ekilde bir E
t
enerjisine karlk gelen ve katota teet olan bir

t
hz bileenine ayrlabilir. lk hzsz bir elektron yaynmnda, iletim sresi gz
nnde bulundurulduunda, ilk hzn dik bileeninden kaynaklanan iletim
sresindeki azalma (
n
t ):

n
t
e
1
=
n e
E m 2 (5.1a)
ile ifade edilir. Buradaki, katot yzeyindeki elektrik alann bykl, e elektronun
yk ve m
e
ise elektronun ktlesidir.

Hzn paralel bileeni ayn zamanda iletim sresindeki belirsizliklere katkda
bulunur. lk hzsz bir elektron yaynmnda, iletim sresi gz nnde
bulundurulduunda, ilk hzn paralel bileeninden dolay, iletim sresindeki artma
(
t
t ) ise,


t
t
v
r
(5.1b)

ile verilir. Burada r elektronun yrnge yarap, ise ilk daynota arpma hzdr.

- Bir geometrik bileen, katot zerindeki farkl noktalardan kaynaklanan farkl
uzunluklarn olmasndan dolay, birincil yollar arasndaki iletim srelerindeki
farkllklardan elde edilir. Elektronlarn ald yolda elektrik alann homojen
olmamas, bu olayn gereklemesine katkda bulunan etkendir. Sfr ilk hzla
yaymlanan ve L L + uzunluundaki yollar boyunca dzgn bir elektrik alanndan
geen iki elektronun iletim zamanlar arasndaki fark:



31
31
L t =
L e
m
e
2
(5.2)

olur.

(5.1) ve (5.2) denklemlerinden grld zere, iletim sresindeki deiimler, katot
yzeyindeki elektrik alan byklnn arttrlmasyla ve katot-ilk daynot
blgesinde elektron yol uzunluklarnn aralarndaki farkllklarn azaltlmasyla
kltlebilir. Bu ise, hzl tepkili fotooaltclarda, bir konkav katot ile bir veya bir
ok odaklayc elektrot kullanlarak yaplr (ekil 5.6).



ekil 5.6. ok hzl fotooaltc giri pencereleri iin bir rnek

5.2.3. Katot akm doygunluu

ekil 5.7, bir ok ak deerine karlk, katot ve ilk daynot arasnda uygulanan
gerilimin bir fonksiyonu olarak, fotoakm deiiminin rneini gstermektedir.
Fotoelektronlarn ilk hzlar genelde sfr olmadndan, katot ve ilk daynot arasnda
potansiyel fark sfr olsa bile, bazlar ilk daynot tarafndan toplanabilir. Bu, ilk
daynot katota gre negatif yaplarak durdurulabilir. Fotoakmndaki bu gerilim
kesilme gerilimi olarak adlandrlr. Bu gerilim, dalgaboyuna, fotokatot malzemesine
ve giri sistemi tasarsna baldr ve asla birka volttan daha yksek olamaz. lk



32
32
daynot, fotokatota gre daha pozitif yapld iin, bu fotoakm bir doygunluk
deerine ulamak ister. Doygunluk deerine ulalmasn salayan gerilim, fotokatot
bileimi ve yapsna, fotoelektronlarn ilk hzlarndaki deiime ve toplanma
elektrotlarn yerleimine baldr. Fotooaltcnn eidine bal olarak, bu
doygunluk gerilimi birka volt ile birka 10 Volt arasndadr. Bu akm doygunluu,
ekilden de grld gibi, gelen ak ile orantldr.



ekil 5.7. Parametre olarak greli ak ile katot-ilk daynot arasndaki gerilimin bir fonksiyonu olarak
fotoakm deiimi

5.3. Elektron oaltc

Elektron oaltcy oluturan daynotlar, aralarndaki elektrik alanlarndan dolay, her
bir daynottan yaymlanan elektronlarn bir sonrakine birka yz elektron-voltluk
enerjiyle arpmasna neden olacak ekilde dzenlenirler. kincil yaynmn bir
sonucu olarak gerekli oaltmay vermek zere, elektrotlarn says daynottan
daynota artmasna karlk, bir daynottan yaymlanan elektronlarn bir ksm bir
sonraki daynota ulaamazlar. oaltcnn her bir daynotu arasndaki boluu, bir



33
33
toplama verimi n ile nitelendirilir.
i
d ve
1 i
d daynotlar arasndaki
i
V geriliminin her
ikisi iin de artan fonksiyonlar, i. daynotun ikincil yaynm katsays
i
ve ondan
nce gelen boluun toplama verimi
1 i
n , d
i
ve d
i-1
in fonksiyonlardr.
(
i
,
1 i
n ifadesinden daha hzl artan bir orana sahiptir.).
1 i
n ve
i
arpmlar,
uygulanan
i
V geriliminin ssyle deiir:


1 i
n
i

i
k =

i
V (5.3)

olur. Buradaki
i
k bir sabit, ise genellikle 0.65- 0.75 arasndadr.

Kazanc gstermek iin, i. daynotun ikincil yaynm faktr olan
i
yi onu hemen
takip eden daynot aras boluun toplama verimi olan
i
n ile ilikilendirmek daha
uygundur. i. daynotun
i
g kazanc o zaman,


i i i
n g = (5.4)

olur ve oaltcnn toplam M kazanc,

=
=
N
i
i
g M
1
(5.5)

elde edilir. Buradaki N, daynot saysdr.

oaltc, btn daynotlarn (bazen ilk birinci (veya ikinci) ile son daynot istisnadr.)
zde olmasndan dolay tekrarl yapdadr. Elektron yrngeleri olduka kavisli
olduundan, ilk daynot aras boluk, elektron optik girdi sistemi ile oaltcnn
tekrarl blm arasnda kritik bir ba oluturur. Bundan dolay, yksek gerilim dier
daynotlar arasnda uygulanr.

Her aamann kazanc, istatistiksel bir ortalama civarnda dalgalanr. Ayn durum,




34
34
- ikincil yaynm katsaysnn arttrlmasyla,
- ikincil yaynm katsaysnn sabit hale getirilmesiyle,
- aamalarn toplama verimlerinin eitlenmesiyle,
azaltlabilir.

lk daynot ve anot arasndaki elektron gei sresi de giri sistemindeki gibi ayn,

- elektronun ilk hzndaki deiimler,
- elektronun izledii yoldaki deiimler,
sebeplerden dolay dalgalanr.

oaltclarn tepki zamann ve kazancn kontrol eden en nemli balca faktrler,
daynotlarn malzemeleri ve geometrileridir.

5.3.1. Daynot materyalleri

Yeterli ikincil yaynm katsaylarna sahip olan materyaller ya yaltkanlar ya da yar
iletkenlerdir. Daynotlarn yaplar iin, genelde AgMg, CuBe ve NiAl kullanlr.
Bunlar, kendilerine ait kullanl yaynm katsaylarna sahip deildir. Ancak,
yzeylerinde MgO, BeO ve Al
2
O
3
gibi oksitler oluturularak bu katsay kullanl
hale getirilir. Fotokatotu oluturmak iin kullanlan alkali metaller, daynot
yzeylerinin elektron ilgisini azaltmaya yarar. Baz fotoyanstc malzemeler de
olduka iyi ikincil yanstcdrlar ve hem fotokatotlarda, hem de daynotlarda ayn
ekilde ileme tabi tutulur ve ayn ekilde konulurlar. ekil 5.8 baz tipik yzeylerin
ikincil yaynmna rnekler verir.




35
35

ekil 5.8. ounlukla balang elektron enerjisinin fonksiyonu olarak kullanlan 3 daynot
malzemesinin ikincil yaynm katsaylar

ekil 5.9. Balang elektron-enerjisi fonksiyonu olarak GaP(Cs) nin ikincil yaynm katsays

5.3.2. Daynot geometrisi

Dorusal odaklayc daynotlar (ekil 5.10(c)): Bu daynotlar, oaltc boyunca
elektron yollarnn etkin odaklanmasn salamak iin tasarlanr. Bu odaklanma,
aamalar ve yaplar arasndaki gei srelerini azaltr ve ok hzl tepki vermeyi
salar. Giri elektron odaklar ve oaltclar arasnda en iyi ban elde edilmesine
ihtiya duyulduundan, ilk daynotlar dierlerinden farkl olarak ekillenip,
dzenlenir [5].



36
36



ekil 5.10. Daynot Biimleri: (a) Venedik stili (b) Kutu (c) Dorusal Odaklama (d) Dairesel Kafes
(e) Izgara (f) Metal Yaprak
























37
37



BLM 6. SONULAR VE NERLER


Blm 3.4 de geni bir ekilde zellikleri anlatlan sayalardan sintilatre gelen
veriler histogram eklinde elde edildikten sonra, btn histogramlar Poisson
fonksiyonuna fit edilince (fit ilemi Blm 4.2 de verilmitir.), her bir saya iin
birim uzunluk bana den fotoelektron says () elde edilmitir (ekil 6.1-6.6).







ekil 6.1. ADC Spektrumunda L0 Sayac ekil 6.2. ADC Spektrumunda R0 Sayac




38
38










Her bir saya iin bulunan deerleri (Siyah renkteki noktalar ile) ekil 6.7 de bir
grafikte toplanmtr. Ayn grafikte, dier bir analiz metodu olan TOF Analizinden
gelen degerleri (Krmz renkteki noktalar ile) de karlatrma yapmak zere
verilmitir. TOF Analizi, erenkov sayacyla TOF sintilatrnn olay saylarnn
kyaslanmasn ieren bir analizdir.

ekil 6.5. ADC Spektrumunda L2 Sayac ekil 6.6. ADC Spektrumunda R2 Sayac
ekil 6.3. ADC Spektrumunda L1 Sayac

ekil 6.4. ADC Spektrumunda R1 Sayac




39
39


ekil 6.7. ADC Analizi iin deerleri grafii ve TOF Analizi ile Karlatrlmas

Tablo 6.1 de grld gibi ADC analizi ile elde edilen sonulardaki hatalar ok
kk olup tipik olarak % 0,2 olup istatistiksel kkenli iken, bunun tersine TOF
analizi ile elde edilen sonulardaki hatalar ise ortalama % 3,4 civarnda olup,
sistematik kkenlidir.
















40
40
Tablo 6.1. ki analiz iin hesaplanan ortalama fotoelektron saylar


Her saya iin iki analizden gelen <N
pe
> (yani ) deerleri 2 ile 2,5 arasnda
deimektedir. Sayalarn manyetik alanl (bobinden tarafndan oluturulan) bir
ortamda olmalarna ramen, elde edilen <N
pe
> deerlerinin olduka iyi olduu
sylenebilir.

Ayn ebattaki sayalarn verdii sonular aa yukar birbirlerine yakn olup, sadece
orta byklkteki sayalarda bu durum gzlenememitir. Burada soldaki orta boy
sayacn deerinin sadakine oranla dk kalmas bu sayata kk bir sorunun
olabileceini gstermektedir.

ki analizin sonular arasndaki farklar 1 (hata pay) blgesindedir. Yani her iki
analizin sonularnn birbirlerini destekler nitelikte olduu sylenebilir. Bu durum fit
analiz metodunun gvenilirliini arttrmakta ve dorulamaktadr.









SAYALAR

statistik Hata
(ADC)

Sistematik Hata
(TOF)
L0 2,357 0,004

2,16 0,25
R0 2,123 0,003

2,12 0,22
L1 2,065 0,006

2,07 0,23

R1 2,831 0,006

2,83 0,41
L2 2,622 0,022

2,62 0,45
R2 2,703 0,014

2,67 0,38



41
41



KAYNAKLAR



[1] http://tr.wikipedia.org/wiki/Par%C3%A7ac%C4%B1k_fizi%C4%9Fi,
Mart 10-16, 2008.
[2] TONGU, B., et al., The Blast erenkov Detectors, Nucl. Instr. And
Methods in Physics Research A 553, 2005; 364-369.
[3] HIGINBOTHAM, D. W./, Nucl. Instr. And Meth. in Physics. Res. A 414,
1988; 332-339.
[4] KAWAI, H. et al./, Tests of a erenkov counter
[5] PHOTONIOUS, P., Photomultiplier tubes, International Marketing, 1994,
125-127
[6] LYONS, L., Statics for nuclear and particle physicists, Cambridge
niversitesi Yaymlar, 1992.
[7] Particle Data Group Authors HAGIRAWA. K., Physical Review, D 66,
2002; 209-210.
[8] PERKINS, D. H., Introduction to High Energy Physics, 1987.
[9] GRIFFITS, D., Introduction to Elementary Particles, 1987.
[10] http://mitbates.lns.mit.edu/bates/control/main, Nisan 11-15, 2008.
[11] http://www.fizikogretmeni.com/cerenkov-etkisi/, Haziran 20-24, 2007.
[12] http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/relativ/vec4.html, Nisan 11-15,
2008.
[13] http://www.nuveforum.net/105-fizik-taslaklari/6795-cerenkov-
radyasyonu/, Haziran 6-10, 2007.














42
42



EKLER


Ek A. Fotooaltclarn Fizii


A.1. Fotoyaynm

Tanmlamak amacyla, fotoemisyon ksma ayrlabilir (ekil A.1.):
- Sourulan fotonlar, malzemedeki elektronlara enerji aktarrlar.
- Enerji kazanan elektronlar, enerjilerinin bir ksmn kaybederek malzeme boyunca
yaylrlar.
- Yzeye gelen elektronlarn yeteri kadar fazla enerjiye sahip olanlar malzemeden
kurtulurlar.

Fotoyaynma yatkn malzemeler zerine gelen fotonlarn tamam elektron
yaynmna sebep olmaz. Yaymlanan elektronlarn saysnn, gelen fotonlarn
oranna kuantum verimlilii denir. Foton sourulmas gzlenen durumlardan ve
fotoemisyon srecinin her blmnde meydana gelen enerji kayplarndan dolay,
kuantum verimlilii her zaman 1 den kktr. Buna etki eden faktrler, gelen
n dalgaboyu, nitelii ve fotoyaynma yatkn malzemenin kalnldr.









43
43


ekil A.1. Fotoyaynm

A.1.1. Foton sourulmas

Ik, fotoyaynma yatkn malzemenin bir tabakasna arptnda, n sadece bir
ksm malzemedeki elektronlara enerji verir. Geriye kalan ya sadece tabakann n
veya arka yznden yansr, ya da tabakadan dorudan geer ve bunlar bu nedenden
dolay fotoemisyon srecine katkda bulunmazlar (ekil A.2). Metalik tabakalar k
spektrumunun grlebilir blgesinde olduka yanstcdrlar. Yar iletken tabakalarda
yanstclk daha az olup, dalgaboyuna ve tabakann kalnlna bal olarak, 0,5 den
daha kk bir yansma katsaysna sahiptir.

Tabakadaki bu sourmann basit izah, nadiren yaplabilir. Fotokatot tabakasnn
kalnlndan (1 mikronun birka 100 kat ile birka 10 kat arasnda) dolay i
yansma meydana gelir ve giriim etkileri toplam sourmay artrr. ekil A.3, bir
yar iletken tabakasnn yzeyinden x uzaklnda sourulan foton aklarndaki
deiimlerin
dx
d
p

bir rneini gstermektedir.

44
44

ekil A.2. Yar saydam tabakada n iletimi ve yansmas



ekil A.3. Fotoyaynma yatkn tabakada relativistik foton sourulmas
dx
d


Yzeye olan uzakln bir fonksiyonu olarak, aknn sourulmas,


dx
x d
p
) , (
= ) ( ) , ( ) ( x x
p
(A.1)

genel denklemi ile gsterilebilir. Burada () malzemenin sourma katsaysdr,
kompleks fonksiyon (x) ise tabakann her iki yzeyinde meydana gelen



45
45
yansmalarn etkisini hesaba katar. Eer tabaka yeterince kalnsa (teorik olarak yar
snrsz), (x) terimi 1 e doru yaklar ve bu sourma s kuraln takip eder:

) , ( x
p
) 0 , (
p
= | | | | x r ). ( exp ) ( 1 (A.2)

Denklemdeki
p
(,x) ak, r() ise giri yzeyindeki yansma katsaysdr.

Sourma katsays (), fotonlarn h enerjisine ve tabakay oluturan malzemenin
enerji bant yapsna baldr. ekil A.4, tipik metallerin, yar iletkenlerin ve
yaltkanlarn enerji bant yaplarn gstermektedir. Metallerde btn yksek enerji
seviyeleri tamamen boken, iletim band (en azndan ok dk scaklkta) Fermi
seviyesine kadar doldurulur. Eer foton enerjisi, Fermi seviyesi E
f
ile boluk seviyesi
E
o
ayran W
th
farkndan daha bykse, iletim bandndaki elektronlarn fotonlar
tarafndan uyarlmalar ve bolua yaylm mmkndr. Yar iletken veya
yaltkanda Fermi seviyesi yasak blgededir ve oda scaklnda bile iletim bandnn
doluluu genellikle yeteri kadar fotoelektrik etkiyi destekleme konusunda olduka
dktr. Bundan dolay, elektronlar sadece valans bandnn en st ksmndan
yaymlanabilir.


ekil A.4. Enerji bantlar (a) metalde (b) yariletkende (c) yaltkanda.

ekil A.5, yar iletkenlerin birka tr iin, gelen fotonlarn h enerjisinin bir
fonksiyonu olarak sourma katsays () nn deiimini gstermektedir. Birou



46
46
iin bu sourma katsays, h>Eg iin (Eg, yar iletkenin yasak enerji aral)
10
4
/cm den daha byktr. 10 nm nin birka kat kalnlklarndaki (oklu alkali
katotlarda) giriim etkilerinden dolay, gelen radyasyonun byk bir ksm
sourmaya urar. Yasak enerji aralndan daha kk olan foton enerjileri iin,
sourma katsays hzla azalr.


ekil A.5. eitli fotoyaynma yatkn tabakalardan dolay foton enerjisi h nn bir fonksiyonu olarak
sourma katsaylar

ekil A.3 de grlen dx kalnlndaki bir dilimde, foton enerjisinin iletimi ile
uyarlan elektronlarn says olan n, ak sourmas ile orantldr (Denklem A.1).


dx
x d
dx
dn
p
e
) , (

= (A.3)

Burada
e
elektronlar uyaran sourulmu fotonlarn kesrini gsterir. Grlebilir k
iin
e

genellikle 1 e eittir.







47
47
A.1.2. Elektron yaylmas

Uyarlm elektronun yaymlanma ihtimali, fotokatot yzeye geii kontrol eden
enerji kayb srecine baldr. Bu sre, fotokatotun metal veya yar metal olmasna
gre deiir.

Metallerde iletim band, kristal rg ile termal dengedeki serbest elektronlarla
ksmen doludur. letim bandndaki uyarlm bir elektron, fazlalk enerjisini
malzemedeki serbest elektronlarla st ste arpmalar sonucu yitirecektir ve olduka
ksa mesafe ilerledikten sonra kendi termal dengesini tekrar kazanacaktr. Elektronlar
yzeyden kurtulmak iin fazla enerji gerektirdiklerinden, sadece yzeye ok yakn
uyarlanlar fotoyaynma katkda bulunabilir. Kurtulma derinlii, birka atomik
yarap seviyesindedir.

Yar iletkenlerde iletim band hemen hemen botur. Uyarlan elektronlarn, iletim
bandnda yaylan dier serbest elektronlarla arpma olasl ok dktr. Enerji
kayb kristal rgden dolaydr (fononlarn meydana gelmesi). yle ki, uyarlm
elektronlar (scak elektronlar) termal dengeye ulancaya kadar malzeme boyunca
olduka uzun yol alabilir. Termal dengeye ulatktan sonra holler ile tekrar
birlemeden ve valans bandna dnmeden nce iletim bandnn dibine doru byk
mesafe (birka mikrona kadar) alarak yaylr. Metallerde yar iletkenin yzeyindeki
enerji engelinin olmas termal dengede elektronlarn yaynlanmasn imknsz hale
getirir. Sadece fazlalk enerjiye sahip elektronlar bolua geebilirler. Elektron-fonon
bana den ortalama enerji kayb 0,05 dir ve iki arpma arasnda esas alnan
serbest yol, kurtulma derinlii onlarca nanometre olabildiinde 2,5 nm-5 nm
arasndadr.

Negatif elektron ilgisine ulamak iin baz yar iletkenlerdeki yzey engelini
deitirmek mmkndr. Bylece, iletim bandnn temel seviyesi zerinde birka
kT lik enerjiye sahip olan termal dengedeki elektronlar bile bolua yaymlanabilir.
Kurtulma derinlii o zaman termal dengedeki elektronlarn yaylma mesafesine eit
hale gelir, yani birka mikron artar.




48
48
A.1.3. Yzey engeli

Elektronlarn bolua gei sisteminin anlalmas iin, ilk nce metallerin durumuna
baklr (ekil A.4(a)). letim bandnda, Fermi seviyesinden (E
f
) daha yksek olan
btn enerji seviyeleri neredeyse botur. Boluktaki bir elektronun E
0
potansiyel
enerjisi, Fermi seviyesini termiyonik i fonksiyonu olarak adlandrlan W
th
nicelii
kadar aar.

W
th
=

E
0
-

E
f
(A.4)

Bolukta yaymlanabilmesi iin, metalde en yksek enerji seviyesinde bulunan bir
elektron, bu potansiyel engeli amak iin yeterli kinetik enerjiyi kazanmak
zorundadr. Bu ilave enerji, ya artan scaklk ile ya da yeterli enerjiye sahip foton ile
salanabilir. Bu durumda, termiyonik i fonksiyonu W
th
ile fotoyaynm eii W
ph

ayndrlar (ekil A.4(a)). Bu nedenle, bir metalden gelen k h W
th
enerjisine
sahip olursa fotoyaynm oluur. ou metallerin W
th
si 3 eV tan byktr.
W
th
, sadece alkali metallerde (Li, Na, K, Rb, Cs), grnr kta oluan fotoyaynm
iin yeterince kktr (ekil A.6).


ekil A.6. Atom numaras srasna gre, saf metallerin i fonksiyonlar




49
49
rnek olarak Fermi seviyesi yasak bantta olan bir yar iletken incelenecek olursa, bu
yar iletkenin iletim band (en dk snr E
c
) tamamen boken, valans band
(en yksek snr E

) neredeyse doludur. Bu yzden yksek fotoyaynm verimi,

sadece valans bandndaki elektronlara yasak enerji aral E
g
ve iletim bandnn
elektron ilgisi E
A
nn stesinden gelmesini salayacak kadar enerji verilerek elde
edilebilir.


V c g
E E E = ve
c g
E E E =
0


yle ki, bir yar iletkenin termiyonik i fonksiyonu
F th
E E W =
0
ifadesinden
daima daha byk olan fotoyaynm eii


A g ph
E E W + = (A.5)

olur.


ekil A.7. Enerji bantlar (a) metalde (b) yariletkende (c) yaltkanda.

Yar iletkenler genellikle 5-6 eV i fonksiyonlarna sahip olduklarndan, 300 nm den
daha kk dalga boylarna duyarl olabilirler. Fotoyaynm eii, uygun yzey
almasyla birlikte ar p katksyla daha uzun dalga boylarna doru kaydrlabilir.
erilen balarn iyonik doasndan dolay, bir yar iletkenin yzeyinde alkali
metallerin (sezyum) sourulmas ift kutuplu bir tabakann grlmesi sonucunu
dourur. (i fonksiyonunu drmek burada ana etkendir.) Absorbe edilmi atomlarn



50
50
elektron yklerinin bir ksm yar iletkene verildiinden, yzeyde enerji seviyelerinin
doluluundaki bir yerel deime, enerji bantlarndaki eriliin dk seviyelere
kaymasna sebep olur. ekil A.7(a), byle bir yar iletkenin enerji band diyagramn
gsterir. Valans bandndan, yar iletkenin yzeyinden dan daha uzakta uyarlm
Valans bandndaki bir elektronun bolua yaymlanabilmesi iin, sadece E
Assp
<E
A

ya, yani grnteki elektron ilgisini amas gerektiine dikkat edilmesi gerekir.
fonksiyonu yksek verime sahip bir metal olan sezyumla yaklak 1,4 eV a
azaltlabilir. Oksijenin de sourulmasyla birlikte i fonksiyonu 1 eV seviyesine
drlebilir.

Yasak enerji bandnn belirli genilikleri ve yar iletkenin katklanmasndan dolay,
ekil A.7(b) de grld zere iletim bandnn en dk seviyesi boluk seviyesi
zerine karlabilir. Bu durum grnrdeki negatif elektron ilgisi olarak adlandrlr.
Bu seviyede kristal rg ile etkileerek termal dengeye ulaan uyarlm elektronlarn
bolua yaylm mmkndr ve fotoyaynm eii yasak aralk denklemine eittir.

W
ph
=W
g
(A.6)

Yar iletkenin ve yzeyin ilenmesinin uygun seilmesiyle byk dalgaboylarna
duyarl ve eie yakn olan yksek fotoyaynm verimliliine sahip fatoyaynmclar
retmek mmkndr.

Belirli artlar altnda, dardaki bir elektrik alan, fotoyaynm verimlilii zerinde
llebilir etkiye sahip olabilir. Schottky, malzemenin yzeyine yakn oluturulan bir
hzlandrc elektrik alann oradaki potansiyel engelini,


ph
W
0
4
e
= (A.7)

miktar kadar azalttn gstermitir. Burada
0
bo blgenin elektriksel
geirgenliidir, e elektron yk ve yzeydeki elektrik alan bykldr.
Schottky etkisi olarak bilinen bu etki, fotoyaynm eiini uzun dalgaboylarna doru



51
51
deitirir. Bylece, genelde eie yakn bir tabakann duyarlln artrr. Hlbuki
denklem A.7 de pratik deerlerin yerine yazlmasyla Schottky etkisinin, santimetre
bana den birka kilovolttan daha byk elektrik alan deerlerinde faydal olduu
grlebilir. Aslnda bu byklkteki alanlar, sadece mikrokanal-tabakal
fotooaltclarda meydana gelir.

A.1.4. Fotoelektron enerji dalm

Yzeye doru giden uyarlm elektronlar, oklu esnek olmayan arpmalardan
dolay enerji kaybederler. Yaymlanm olan elektronlar ile ok veya az karmak
asal enerji dalmlarna katkda bulunmas balca etkendir.




ekil A.8. Gelen foton enerjilerinden dolay 290 K de GaAs(Cs) tabakasndan fotoelektron enerjileri
ph
E nin izafi dalm (a) 2.15 eV dan 3.06 ya kadar (b) 4.28 eV dan 5.12 eV a kadar






52
52


ekil A.9. Gelen foton enerjilerinden dolay GaAs(Cs) tabakasndan fotoelektron enerjileri dalm
(a) 1,4 eV dan 2,2 ye kadar (b) 1,8 eV dan 3,2 eV a kadar

Bu dalmlar, malzemenin kristal yaps ve gelen aknn enerjisiyle deiir. Yar
iletken alkali-antimon tr fotoiletken, fotoelektron enerji dalmlarnn belirli ortak
zelliklere sahip olduunu gsterir (ekil A.8). Dk enerjili gelen fotonlar iin
(yaklak 3 eV dan dk, ekil A.8(a)) dalm erisi, boluk seviyesine oranla
eV un ondalk dzeyinde ortalama enerjiye karlk gelen tek bir tepeye sahiptir. Bu
ortalama, gelen fotonlarn enerjisiyle artar. Yksek enerjili gelen fotonlardan dolay
eri geniler ve zorlukla tanmlanan iki tepeye sahip olur (ekil A.8(b)). Ortalama
enerjili yava elektronlardan dolay, ilk sinyal gelen fotonlarn enerjisinden bamsz
bir enerjiye sahiptir. Dieri ise, enerjisinden dolay, gelen fotonun enerjisiyle artan
hzl elektronlarn durumunu gstermektedir.

Negatif elektron ilgisine sahip yar iletkenlerin fotoelektron enerji dalm erileri
ayn zamanda tannabilir tepelere sahiptir (ekil A.9). Bu malzemelerde yaylan
elektronlar ounlukla termal dengededir. Bu yzden 1,6 eV tan dk enerjiye
sahip fotonlar iin GaAs(Cs) nin enerji yaylm erisinde valans bandnn en st
seviyesindeki elektronlara karlk gelen, rnein merkezi 1,4 eV civarnda, tek
tepeye sahiptir. Bu elektronlarn ortalama enerjisi, boluk seviyesine gre negatif
elektron ilgisi deeri olan yaklak 0,15 eV tur. Gelen fotonlarn enerjileri artt
zaman, yksek enerjili elektronlardan dolay bir ikinci tepe zamanla oluur



53
53
(ekil A.9(b)). Bu tepe, ekil A.9(a) da grlen alkali-antimon yar iletkenleri iin
tepeden daha iyi fark edilebilir ve iletim bandnn yksek enerji seviyelerinde termal
dengedeki elektronlara karlk gelir.

A.2. kincil Yaynm

Fotoyaynmdaki gibi, 3 aamada incelenebilir:
- Sourulan birincil elektronlar malzemedeki elektronlara enerji aktarrlar.
- Enerji kazanan elektronlar malzemeye doru yaylrlar.
- Yzeye varan elektronlarn yeteri kadar fazla enerjiye sahip olanlar serbest kalrlar.

Dikkate alnan enerji blgesi ierisinde (birka 100 eV zerinde), birincil
elektronlarn enerji kaybna neden olan balca drt sre vardr:

- En alt enerji seviyelerinde atomlarn iyonizasyonu: Bu sre, elastik ve inelastik
arpmalar ile elektronlarn saylarnn artmas, fononlarn (s) retilmesinde
enerjinin bir ksmnn harcanmas gibi seri olaylar ierir.
- Elektron kabuklarnn tekrar dizililerinden, x nlarnn meydana gelmesi: x
nlar, malzemeden yaylabilir veya dier elektronlar uyarabilir (Avger).
- Valans bandnn seviyeleri arasnda elektronlarn uyarlmas.
- Hacim ve yzey plasmonslarnn uyarlmas.

lk sre, elektronlarn geni al elastik salma olaslnn yksek olmas iin,
yeterli enerjiye sahip olduu zaman en nemlisidir. Bu, elektronlarn %10 ile %30
arasnda bir geri yaylmn (salmann) ve elektron demetinin dalmasna sebep
olan etkidir.

lk elektronun E
p
deki kayp enerjisi,


|
|

\
|
=
e
p
p
E
aE
E
K
dx
dE
ln (A.8)



54
54

ile verilir. K malzemenin yapsndan kaynaklanan bir sabittir, a hemen hemen 1 e
eittir ve E
e
ortalama uyarlma enerjisidir. Elektron demetinin, malzemenin ierisine
doru nfuz ettii derinlii olan R,

=
p
E
dx dE
dE
R
0
/


ile verilir. Eitlik A.8 iin, birok yaklam, ince tabakalarn elektronlara effafln
hesaplamak iin ileri srlmtr. Bu yaklamlardan biri, (E
p
<10 keV) sadece dk
enerjili elektronlar iin geerli olan,


R
E
dx
dE
p
= (A.9)

bants ile tanmlanan nfuz etme derinlii R kavramn ileri srer.

Snrl enerji menzilinde, nfuz etme derinlii E
p

ile deiir. , 1 den biraz

byktr, fakat malzemenin atom numarasna baldr. kincil yaynm malzemeleri
rnein Al
2
O
3
, MgO ve BeO iin,


35 . 1
5
10 * 15 . 1
p
E R

= (A.10)

olduu grlmektedir. Burada R cm, gr/cm
3
ve 1 keV tan kk balang
enerjileri iin E
p
keV cinsindendir. Ayrca, R sadece birka nanometredir ve bylece
ikincil yaynmn yzeysel bir olay olduu anlalmaktadr.

Enerji deiim metotlarnn farkllndan dolay, nfuz etme derinliinin bir
fonksiyonu olarak serbest tayclarn says iin tam bir ifade tretmek zordur.
Serbest elektronlarn younluunun, gelen demetin enerji kayb ile orantl olduunu
kabullenmek uygundur. Bu da,



55
55


dx
dE
dx
dn

1
=

ile ifade edilir. Buradaki n, serbest elektronlarn says ve , tek bir elektron-hol
iftinin olumas iin gerekli ortalama enerjidir. O zaman, A.9 denkleminden,


R
E
dx
dn
p

1
= (A.11)

ifadesi elde edilir. Malzemedeki serbest kalan elektronlar yzeye doru ilerlerler.
Bunun sonucunda, elektronlarn dier elektronlarla arpmasyla veya kristal rg
ile etkileimi (fononlarn olumas) ile fazlalk enerjilerinin bir ksmn kaybederler.
Sadece potansiyel engelini aan yeterli fazlalk enerjileriyle yzeye varan elektronlar
serbest braklr ve bylece ikincil yaynma katkda bulunurlar. Uyarlan
elektronlarn yzeye daha yakn olanlar, daha byk olaslkla kurtulurlar.
Fotoyaynmdaki gibi, olaslk derinliin artmasyla exponansiyel azalr. Bir baka
deyile, yaymlanan elektronlarn toplam says ilk elektronlarn balang enerjisi E
p

ile orantl olarak artar.

Yaylan ikincil elektronlarn saysnn, ilk elektronlarn saysna oran ikincil yaynm
katsays olarak adlandrlr. Bu oran, bata bir maksimuma kadar elektronlarn
balang enerjileriyle artar (ilk elektronlarn balang enerjileri E
p
olduu zaman).
Sonra, malzemede byk derinlikte uyarlm elektronlarn oran arttka dzenli
olarak azalr.




56
56


ekil A.10. lk elektron enerjisi E
p
nin bir fonksiyonu olarak ikincil yansma katsays nn izafi
deiimi. , E
p
zerindeki enerjilerde, E
p
1-
ye orantldr.

Metaller, orta derecede fotoyanstclardr ve ayn zamanda zayf ikincil
yanstcdrlar. Bu metaller, dk kurtulma derinliklerine (yaklak 3 nanometre) ve
dk birincil enerjilere karlk gelen dk ikincil yaynm katsaylarna
(1-2 arasnda deerlere sahip) sahip olma gibi tipik zellikleri vardr. Baka bir
deyile, dk potansiyel engellere sahip baz yaltkanlar ve yar iletkenler iyi ikincil
yaymlaycdrlar. Byle malzemeler, birka yz mikron kurtulma derinliklerine
sahip olabilirler.

Fotoyaynmdan ve buna benzer nedenler, bariz negatif elektron ilgisine sahip yar
iletkenlerle ok daha yksek ikincil yaynm katsaylarnn grlmesini olanakl
klar. zerine sezyum gibi, elektropozitif bir metal eklenmi ar p-katkl yar
iletkenlerde elektronlar iletim bandnn en alt seviyesinde termal dengededirler ve
kolaylkla bolua geebilirler (ekil A.7.b). Ortalama kurtulma derinlii bir hayli
artar ve termal dengedeki elektronlarn dalm mesafesini bulabilir.

kincil elektronlarn enerji dalm olduka genitir. Pozitif elektron ilgisine sahip
bir malzeme iin rnek ekil A.11 de verilmektedir. Ortalama birka eV luk enerji
civarna asimetrik olarak dalm (S) ile gsterilen ksm, gerek ikincil
elektronlarn spektrumudur. nce sinyal olan (P), neredeyse enerji kayb olmadan
yanstlan ilk elektronlar gsterir ve uzun dk seviyeli ara izgi, oklu esnek
olmayan arpmalara giren birka birincil elektronu gsterir [5].



57
57


ekil A.11. Fermi seviyesi E
f
zerinde ikincil elektron enerjileri E nin dalm
























58
58
Ek B. Relativite Teorisinde Drt-Vektr

Relativitede, paracn uzaysal koordinatlar ve enerji/momentumu drt-vektr
eklinde ifade edilir. Bu drt-vektrler, bir drt-vektrn boyunun koordinat
deiikliinde sabit kalmas olarak tanmlanabilir. Bu sabitlik, fiziksel dncelerle
rtmektedir. Uzaysal drt-vektr deimezlii, n hznn sabit olmas ile de
ilikilendirilebilir. Uzaysal drt-vektr deimezlii, paracn durgun ktlesinin
koordinat deiikliinde sabit kalmas ile ilikilendirilebilir.

Drt vektr enerji-momentum,


(

=
(
(
(
(

pc
E
c p
c p
c p
E
P
z
y
x
(B.1)

ile tanmlanr. Drt vektr enerji-momentumun skaler arpm


(
(

c p
E
P
a
a
a
(
(

c p
E
P
b
b
b



2
* * * c p p E E P P
b a b a
b
a

= (B.2)

ile tanmlanr. fadedeki eksi iaretinden dolay vektrlerin tipik skaler arpmdan
farkl olduuna dikkat edelim. Bu eksi iareti, bu drt vektrlerin byklnn
deimezlii zellii iin gereklidir. Drt vektr enerji-momentum bykl,
( )
2
0
2 2
* c m pc E P P = = ile verilir. Bu drt vektrn bykl paracn
durgun enerjisidir. Bu deimezlik, durgun ktlenin eylemsizlik referans
erevesinde ayn olmas ile ilikilendirilir.






59
59
B.1. Drt Vektr Lorentz Dnmleri

Drt vektr momentum-enerji Lorentz dnmleri matris formunda aklanabilir.


(
(
(
(

(
(
(
(

=
(
(
(
(
(

c p
c p
c p
E
c p
c p
c p
E
z
y
x
z
y
x
1 0 0 0
0 1 0 0
0 0
0 0
'
'
'
'


(B.3)

Lorentz dnmleri arpmlar sonucu
c

=


2
2
1
1
c

=


(
(
(
(

+

=
(
(
(
(
(

c p
c p
c p E
c p E
c p
c p
c p
E
z
y
x
x
z
y
x


'
'
'
'
(B.4)

B.2. Momentum-Enerji in Toplam Drt Vektr

ki momentum-enerji drt vektr, bir drt vektr formunda toplanabilir.


(
(

+
+
= +

c p c p
E E
P P
b a
b a
b a (B.5)

Bu drt vektrn bykl, bir deimezdir.

2 2 2
) ( ) ( ) (

+ + = + = c p c p E E P P S
b a b a
b a (B.6)


2 2 2 2 2 2
* 2 2 ) ( ) ( ) ( c p p E E c m c m P P S
b a b a b a b a

+ + = + = (B.7)



60
60

Bir arpmada iki paracn momentumu, yksek enerjili arpmalarda byk
avantaj salayan analiz iin, ilk momentum erevesine dntrlebilir. Bu iki
parack iin, Lorentz dnmleri altnda deimez olan drt vektr momentum-
enerjisinin bykln belirleyebiliriz. Yksek enerjili arpmalar iin
uygulanabilir avantaj, balang momentum erevesinde her paracn
momentumunu hesaplanmasna olanak salar. ki parack sistemi iin bir yaklam,
bu iki parack iin momentum ve enerji ilavesini ierir:


(
(
(
(

+
+
=
(
(
(
(

+
(
(
(
(

0
0
0
0
0
0
c p c p
E E
c p
E
c p
E
b a
b a
b
b
a
a
(B.8)

Bu ifade balang momentum erevesine dnerek,


(
(
(
(
(

+
=
(
(
(
(

+
+
(
(
(
(

0
0
0
0
0
1 0 0 0
0 1 0 0
0 0
0 0
* *
b a
b a
b a
E E
c p c p
E E


(B.9)

halini alr. Bu gerekli dnm formln verirken, balang momentum durumuna
ulamak iin gerekli olan ve deerleri bilinmemektedir. Burada drt vektr
momentum-enerji byklnn deimezliindeki deer bulunur. Laboratuvar
ortamnda alnan deneysel bilgilerden momentum-enerji drt vektrnn bykl
hesaplandnda, S niceliinin zerinde verilmitir. S, laboratuvar bilgilerinden
hesaplanabildiinden dolay, balang momentum erevesinde S ifadesinde
toplanabilir:


2 2 2 2 2 2 2
) ) * ( ) ( ) * ( ) ( ( c p c m c p c m S
b a
+ + + = (B.10)




61
61
Denklemdeki p*c ifadeleri her momentumun deerini belirtmek iin kullanlr. Bu
denklem p*c yi bulmaya yarar ve bulunan deer ile, paracklarn biri iin belirli
ve deerlerinde bilinen momentumun asl deeri karlatrlabilir [12].

B.3. Esnek Elektron-Proton arpmas Olaynda A Hesab


'
e

e
-
p
.. .


e

0 = p

'
p

ekil B.1. Tipik esnek elektron-proton arpmas

Esnek elektron-proton arpmas iin momentumun korunumu,

+ = +
' '
p
e p e P P P P

eklinde ifade edilir. Protonun ilk hz sfr olduundan 0 =

p P dr ve,

' '

+ =
p p e e
e
e
m m m


elde edilir ve vektrel ifade,

cos ' cos '
p p e e e e
m m m + =

olur ve her iki tarafn karesi alnrsa,

2 2
) cos ' cos ' ( ) (
p p e e e e
m m m + =

cos cos ' ' 2 cos ' cos '
2 2 2 2 2 2 2 2
p e p e p p e e e e
m m m m m + + = (B.1)

elde edilir. y ekseni iin momentum ifadesi olan,

cos ' sin ' 0
p p e e
m m =

denkleminin de yine ayn ekilde her iki tarafnn karesi alnrsa,



62
62

2
) sin ' sin ' ( 0
p p e e
m m =


sin sin ' ' 2 sin ' sin ' 0
2 2 2 2 2 2
p e p e p p e e
m m m m + = (B.2)

ifadesi elde edilir. (B.1) ve (B.2) denklemleri taraf tarafa toplanrsa,

cos cos ' ' 2 cos ' cos '
2 2 2 2 2 2 2 2
p e p e p p e e e e
m m m m m + + =
sin sin ' ' 2 sin ' sin ' 0
2 2 2 2 2 2
p e p e p p e e
m m m m + =
+

) sin sin cos (cos ' ' 2 ) sin (cos ' ) sin (cos '
2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
+ + + + =
p e p e p p e e e e
m m m m m

) cos( sin sin cos cos + = eitlii yerine yazlrsa,

) cos( ' ' 2 ) sin (cos ' ) sin (cos '
2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
+ + + + + =
p e p e p p e e e e
m m m m m *

Bu arpma iin enerji korunumu denklemi iin,

' '
p e p e
E E E E + = +

yazlr. Protonun arpmadan nce hz sfr olduundan 0 =
p
E dr ve


2 2 2
'
2
1
'
2
1
2
1
p p e e e e
m m m + =
2 2 2
' '
p p e e e e
m m m + = **

* denklemi ile ** denklemi kyaslandnda,

0 ) cos( ' ' 2 = +
p e p e
m m

ifadesi elde edilir ve 0 ' ' 2
p e p e
m m olduundan

0 ) cos( = +

olur ve
0
90 ) ( = + olmaldr.








63
63



ZGEM


ule iti, 13.03.1980 de Diyarbakr da dodu. lk, orta ve lise eitimini
Karamrsel de tamamlad. 1998 ylnda Karamrsel Yabanc Dil Arlkl Lisesi
(Sper Lise) Fen Blmnden mezun oldu. 1999 ylnda balad Seluk
niversitesi Fen Edebiyat Fakltesi Fizik Blmn 2004 ylnda bitirdi. 2004
ylnda Kocaeli niversitesi Fen Bilimleri Enstits Tezsiz Yksek Lisans Program
Ortaretim Fizik Blmne girdi ve 2006 ylnda mezun oldu. 2005 ylnda Sakarya
niversitesi Fen Bilimleri Enstits Fizik Blmnde balad yksek lisans
programn 2008 ylnda bitirdi. Eitimini tamamlarken zel bir eitim kurumunda
retmenlik yapt. Halen retmenlik grevini srdrmektedir.