Captulo 2 Revisin de los Dispositivos Semiconductores de Potencia

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Introduccin Diodos Tiristores Caractersticas de conmutacin Transistor de Unin Bipolar, BJT Transistor de Efecto de Campo MOS, MOSFET Tiristor de Apagado por Compuerta, GTO Transistor Bipolar con compuerta aislada, IGBT Tiristores controlados por MOS Comparacin entre interruptores controlables Resumen de las capacidades de cada dispositivo

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Diodos
Saturacin Activo Anodo Ctodo Saturacin Activo

Corte Corte Inactivo Inactivo

La conmutacin del dispositivo se realiza forzado por la alimentacin en sus extremos

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Tipos de Diodos
Rectificador Zener Alta velocidad Impatt Tunel Varicap

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Apagado del Diodo

Los diodos rectificadores tienen un tiempo de recuperacin inversa mayores que los diodos de alta frecuencia. La frecuencia mxima de operacin de los diodos rectificadores normalmente no es mayor a 100 Hz
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Tiristores
Tipos de Tiristores SCR TRIAC DIAC GTO Por costumbre se ha asociado la palabra tiristor al SCR por ser ste uno de los dispositivos mas populares dentro de los dispositivos tiristor

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SCR-Tiristor

El SCR es un dispositivo semicontrolado que puede activarse por un pulso en la compuerta G si sus terminales AK estn polarizadas directamente. El dispositivo se apaga cuando ocurre una polarizacin inversa en sus extremos A-K

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El tiristor en un circuito bsico

Para una activacin exitosa, se requiere que el intervalo de voltaje inverso sea mayor que el tiempo inverso de recuperacin o apagado

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Smbolo de interruptor genrico

Este es un smbolo de interruptor ideal Cuando se activa la corriente puede fluye solamente en la direccin de la flecha La conmutacin de un estado a otro del interruptor es instantneo No existe cada de voltaje en el dispositivo Tiene capacidad infinita de conduccin de corriente y soporte de voltaje

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Caractersticas de conmutacin (lineal)

Las perdidas de potencia por conmutacin es proporcional a: la frecuencia de conmutacin los tiempos de encendido y apagado del dispositivo

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Transistor de Union Bipolar (BJT)

Hoy en da no es comnmente utilizado en circuitos de potencia

Puede utilizarse en los circuitos de control o aplicaciones especiales El BJT fue remplazado como interruptor de potencia por los MOSFETs e IGBTs

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Algunas configuraciones con BJTs

Darlington es una de las varias configuraciones diferentes que pueden construirse con BJT. En particular esta configuracin es utilizada para reforzar la corriente (unipolar) de salida de una etapa previa

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MOSFETs
Drenaje

Compuerta

Smbolo Fuente Caractersticas I-V Caractersticas I-V ideales

El MOSFET es fcilmente controlable a travs de la compuerta El dispositivo es optimo para operar a bajos voltaje con altas frecuencias de conmutacin La resistencia en estado activo de saturacin es un punto de preocupacin a altos voltajes

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Tiristor de Apagado por Compuerta (GTO)

Anodo

Compuerta

Smbolo Ctodo

Caractersticas I-V ideales Caractersticas I-V

El dispositivo tiene baja velocidad de conmutacin El GTO se utiliza a muy altas corrientes de operacin continua Para su correcta operacin el GTO requiere de un elaborado circuito de operacin

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Apagado del GTO

GTO y snubber

Caractersticas de apagado

Para su correcto apagado el GTO requiere de un circuito snubber

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IGBT

SIMBOLO

Caractersticas I-V

Caracterstica ideal I-V

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MCT

SIMBOLO

CARACTERISTICAS I-V
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CARACTERISTICAS I-V IDEALES

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Comparacin de Interruptores Controlables

CARACTERISTICAS GENERALES

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Resumen de Capacidades de los Dispositivos

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