2).- DIODOS DE POTENCIA 2.

1) INTRODUCCIN : Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel significativo en los circuitos electrnicos de potencia. Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias funciones, como la de:

Interruptores en los rectificadores. De marcha libre en los reguladores conmutados. Inversin de carga de condensadores y Transferencia de energa entre componentes. Aislamiento de voltajes. Retroalimentacin de la energa de la carga, a la fuente de energa .

Se puede suponer para efecto de anlisis, que los diodos de potencia son interruptores ideales, pero los diodos prcticos o reales difieren de las caractersticas ideales y tienen ciertas limitaciones. Los diodos de potencia son similares a los diodos de seal de unin pn. Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en el manejo de la energa, el voltaje y la corriente, que los diodos de seal ordinarios.

La respuesta a la frecuencia (o velocidad de comunicacin) es baja en comparacin de los diodos de seal. 2.2) CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS : Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn. de dos terminales. En la Figura 2.1 aparece un corte transversal de una unin pn. y un smbolo de diodo.

Fig. 2.1 Smbolo del diodo y unin pn Cuando el potencial de nodo es positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo tiene polarizacin directa o positiva y el diodo conduce. Un diodo en conduccin tiene una cada de voltaje directa relativamente pequea a travs de si mismo; y su magnitud depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unin. Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al nodo, se dice que le diodo tiene polarizacin inversa.

Y bajo estas condiciones (polarizacin inversa), fluye una pequea corriente inversa (tambin conocida como corriente de fuga) en el rango de los micros o de los miliamperios, cuya magnitud crece lentamente en funcin del voltaje inverso, hasta llegar al .

Fig.2.2 Caractersticas v-i de un diodo de Potencia en rgimen permanente. Para fines prcticos, un diodo se puede considerar como un interruptor ideal, cuyas caractersticas se muestran en la fig2.2b. Las caractersticas v-i mostradas en la fig.2-2a se pueden expresar mediante una ecuacin conocida como la ecuacin Schockley de diodo , y esta dada por:
I D = I S (e
VD nVT

1)

................................. (2-1) donde: ID = corriente a travs del diodo (A). VD = voltaje del diodo con el nodo positivo con respecto al ctodo (V). IS = corriente de fuga (o corriente de saturacin Inversa), tpicamente en el rango entre 10-6 y 10-5 A.
especifica Is es una constante para c/diodo) (A una temperatura

n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o factor de idealidad, cuyo valor vara de 1 a 2. (dependedle material y la
construccin fsica del diodo Si=2, Ge=1 para valores reales n cae entre 1.1 y 1.8)

VT = constante llamada voltaje trmico y esta dada por:

VT = KT q

................................ (2.2)

Donde:

q = carga del electrn: 1.6022*10-19 culombios (C) k = constante de Boltzmann: 1.3806*10-23 J/K
KT 1.3806 *10 23 * ( 273 + 25 ) = = 25 .8mV q 1.6022 *10 19

T = temperatura absoluta en Kelvins (K = 273+C)

A una temperatura de unin de 25C, la ecuacin (2-2) da:

VT ( 25 0 C ) =

El diodo real tiene una caracterstica como la de la fig.2.2a y se puede dividir en tres regiones: (1) Regin de polarizacin directa, donde VD>0

(2) Regin de polarizacin inversa, donde VD<0 (3) Regin de ruptura, donde VD< -VZK. (2.2.1) Regin de polarizacin directa : En la regin de polarizacin directa, VD>0. La corriente del diodo ID es muy pequea si el voltaje del diodo VD es menor que un valor especfico VTD (tpicamente 0.7 V). El diodo conduce totalmente si: VD > VDT, que se conoce como voltaje umbral, voltaje de corte, o voltaje de activacin. Por lo tanto, el voltaje umbral es un voltaje al cual el diodo conduce totalmente. Consideremos un pequeo voltaje de diodo VD = 0.1 Volt., n =1 y VT=25.8 mV. De (2-1) encontramos que la corriente correspondiente al diodo ID es:
I D = I S (e
VD nVT

1) = I S e

0.1 1*0.0258

1 = I S (48.23 1)

= 48.23*IS , con 2.1% de error Luego: para VD>0.1V, que es por lo general el caso, ID>>IS, (2-1) se puede aproximar, dentro de un error de 2.1%, a
I D = I S (e
V nVT VD

1) I S e

nVT

......................... (2-3)

(2.2.2) Regin de polarizacin inversa. En la regin de polarizacin inversa, VD<0. Si VD<0y VD>>VT, cosa que ocurre para VD<-0.1, el termino de la exponencial de la ecuacin (2-1) se vuelve despreciablemente pequeo en comparacin con la unidad, y la corriente del diodo ID se vuelve
I D = I S (e
V nVT

1) I S

Lo que indica que la corriente del diodo ID en la direccin inversa es constante y es igual a IS. (2.2.3) Regin de ruptura. En la regin de ruptura, el voltaje es alto, por lo general mayor que 1000 V. La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado conocido como voltaje de ruptura, VBR. La corriente inversa aumenta rpidamente con un pequeo cambio en el voltaje inverso ms all de VBR. La operacin en la regin de ruptura no ser destructiva, siempre y cuando la disipacin de la potencia est dentro del nivel seguro especificado en la hoja de datos del fabricante.
A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de ruptura, para mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles.

Ejemplo 2-1 : La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es VD=1.2 V a ID=300 A. Suponiendo que n=2 y VT=25.8 mV, encuentre la corriente de saturacin IS. Solucin : Aplicando la ecuacin (2-1), podemos encontrar la corriente de fuga (o corriente de saturacin) IS, a partir de
300 = I S (e
1.2 2*25.8*10 3

1)

lo que nos da IS=2.38371*10-8 A. 2.3) CARACTERSTICAS DE LA RECUPERACIN INVERSA : Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su corriente se reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del diodo o a la aplicacin de un voltaje inverso), el diodo contina conduciendo, debido a los portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unin pn y en el material del cuerpo del semiconductor. Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse.

Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo.

Fig.2.3 Caractersticas de recuperacin Inversa. En la figura 2-3 se muestran dos caractersticas de recuperacin inversa de diodos de union. El ms comn es el tipo de recuperacin suave. El tiempo de recuperacin inversa se denomina trr y se mide a partir del cruce del cero inicial de la corriente del diodo con el 25% de la corriente inversa mxima (o de pico), IRR. trr est formado por dos componentes, ta y tb. ta est generado por el almacenamiento de carga en la regin de agotamiento de la unin y representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, IRR. tb es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor.

La relacin tb/ta se conoce como el factor de suavidad, SF. Para efectos prcticos, uno debe preocuparse por el tiempo total de recuperacin trr y por el valor pico de la corriente inversa IRR.
t rr = t a + t b

....................................... (2-5)

La corriente inversa pico se puede expresar como :

I RR = t a di dt

......................................... (2-6)

El tiempo de recuperacin inversa

trr,

se define como el

intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente pasa a travs de cero, durante el cambio de la conduccin directa a la
condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente

inversa se ha reducido al 25% de su valor inverso pico iRR. trr depende de: la temperatura de la unin, de la velocidad de abatimiento de la corriente directa antes de la conmutacin. La carga de recuperacin inversa QRR, es la cantidad de portadores de carga que fluyen a travs del diodo en direccin inversa debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso. Su valor queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa.

La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la trayectoria de la corriente de recuperacin, es aproximadamente
Q RR I RR t a I RR t b I t + = RR RR 2 2 2

.............................. (2-7)

O bien
I RR 2QRR t rr

............................... (2-8)

(2-6) = (2-8) , nos da:

t rr t a 2QRR di dt

............................... (2-9)

Si tb es despreciable en comparacin con ta, que por lo general es el caso, trr ta, y la ecuacin (2-9) se convierte en :
t rr = 2QRR di dt
di dt

................................................ (2-10) ................................................ (2-11)

I RR = 2QRR

De (2-10) y (2-11) notamos que el tiempo de recuperacin inversa trr y la corriente de recuperacin inversa pico IRR dependen de la carga de almacenamiento QRR y de di/dt inverso. La carga de almacenamiento depende de:

La corriente directa del diodo IF. La corriente de recuperacin inversa pico IRR.

La carga inversa QRR y el factor de suavidad son todos de inters para el diseador de circuitos, y estos parmetros se incluyen en forma comn en las hojas de especificaciones de diodos. Si un diodo est en condiciones de polarizacin inversa, fluye una corriente de fuga debida a los portadores minoritarios. En ese caso, la aplicacin de un voltaje directo obligara al diodo a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de recuperacin directa (o de activacin), antes de que los portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al flujo de corriente. Si la velocidad de elevacin de la corriente directa es alta, y la corriente directa est concentrada en una pequea superficie de la unin, el diodo puede fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directo limita la velocidad de elevacin de la corriente directa y la velocidad de conmutacin. Ejemplo 2-2 El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es trr=3s y la velocidad del decremento o de la reduccin de la corriente del diodo es di/dt=30A/s. Determine:
(a) (b)

la carga de almacenamiento QRR y la corriente inversa pico IRR.

Solucin :

trr=3s y di/dt = 30 A/s.

De la ecuacin (2-10) :
Q RR = 1 di 2 t rr = 0.5 * 30 A / s * (3 *10 6 ) 2 = 135 C 2 dt

De la ecuacin (2-11) :
I RR = 2QRR di = 2 * 135 * 10 6 * 30 * 10 6 = 90 A dt

*******************************************************

2.4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA : Idealmente, un diodo no debera de tener tiempo de recuperacin inversa. Sin embargo, el costo de fabricacin de un diodo semejante aumentara. En muchas aplicaciones, no son de importancia los efectos del tiempo de recuperacin inversa, y se pueden utilizar diodos pocos costosos. Dependiendo de las caractersticas de recuperacin y de las tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se pueden clasificar en tres categoras.
Las caractersticas y las limitaciones practicas de cada uno de estos tipos restringen sus aplicaciones.

Los diodos de potencia son de tres tipos: a) De uso general, b) De alta velocidad (o de recuperacin rpida) y c) Schottky. 2.4.1) Diodos de uso general : Los diodos rectificadores de uso general. Tienen un trr relativamente alto, tpicamente de 25s. Se utilizan en aplicaciones de baja velocidad (hasta 1kHz). Trabajan con corrientes desde 1 A hasta varios miles de Amp. Con voltajes desde 50 V hasta 5 kV. Estos diodos generalmente se fabrican por difusin. Existen los rectificadores de tipo de aleacin usados en las fuentes de alimentacin para mquinas de soldadura son muy econmicos y duraderos, cuyas especificaciones pueden llegar hasta 300 A y 1000 V.

2.4.2)

Diodos de recuperacin rpida : Se usan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, donde la velocidad de recuperacin es a menudo de importancia crtica. Tienen trr bajo, menor que 5 S. Trabajan desde 1Amp hasta varios cientos de Amp. Con tensiones desde 50 V hasta 3 kV. Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los diodos de recuperacin rpida por lo general se fabrican por difusin y el tiempo de recuperacin es controlado por difusin de oro o platino. Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 V, los diodos epitaxiales proporcionan velocidades de conmutacin mayores que las de los diodos de difusin. (Los diodos epitaxiales tienen la base mas angosta, lo que permite un rpido tiempo de recuperacin, tan bajo como 50 nS).

En la fig.2.4 se muestran diodos de recuperacin rpida de varios tamaos.

Fig. 2.4 Diodos de recuperacin rpida.

2.4.3)

Diodos Schottky : (Portadores de alta energia)

El efecto de recuperacin se debe nicamente a la autocapacitancia de la unin semiconductora. Tiene una salida de voltaje directa relativamente baja. La corriente de fuga es mayor que la de un diodo de unin pn. Un diodo Schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene una corriente de fuga relativamente alta, y viceversa. Como resultado, su voltaje mximo permisible est por lo general limitado a 100V. Trabajan con corrientes desde 1 A a 300A. Son ideales para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo voltaje en corriente directa. Sin embargo, tambin se utilizan en fuentes de alimentacin de baja corriente para una eficiencia mayor.

Fig.2.5 Rectificadores Shottky de 20 y de 30 Amperios, duales.

Especificaciones

Fig.2.6 Especificaciones de un diodo de Potencia.

Fig.2.7 Especificaciones de un diodo de potencia.

2.5) DIODOS CONECTADOS EN SERIE : En muchas aplicaciones de alto voltaje (Ejemplo en lneas de transmisin HVDC), un diodo comercialmente disponible no puede dar la especificacin de voltaje requerida, por lo que los diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso. Consideramos dos diodos conectados en serie, como se muestra en la fig.2.8a. En la prctica, las caractersticas v-i para el mismo tipo de diodo difieren debido a la tolerancia en su proceso de produccin. En la fig.2.8-b se muestran dos caractersticas v-i para tales diodos.

Fig. 2.8 Diodos conectados en serie con polarizacin inversa En condicin de polarizacin directa, ambos diodos conducen la misma cantidad de corriente, y la cada de voltaje directa de cada diodo debera ser prcticamente la misma. Sin embargo, en la condicin de bloqueo inverso, cada diodo tiene que llevar la misma corriente de fuga y, como resultado, los voltajes de bloqueo variarn en forma significativa. Una solucin sencilla a este problema, tal y como se muestra en la fig.2.9-a, es obligar a que se comparta el mismo voltaje conectando una resistencia a travs de cada diodo. Debido a esta distribucin de voltajes iguales, la corriente de fuga de cada diodo sera diferente, lo cual se muestra en la fig.2.9b.

Fig.2.9 Diodos conectados en serie, con caractersticas de distribucin de voltaje en rgimen permanente-

En vista que la corriente de fuga debe ser compartida por un diodo y su resistencia.

I s = I s1 + I R1 = I s 2 + I R 2

........................... (2-12)

Pero: IR1 =VD1 /R1 e IR2 = VD2/R2. La ecuacin (2-12) proporciona la relacin entre R1 y R2 para una distribucin de voltaje igual, en la forma.

I s1 +

VD1 V = I s 2 + D1 R1 R2

................................. (2-13)

Si las resistencias son iguales, R = R1 = R2 y los dos voltajes del diodo seran ligeramente distintos, dependiendo de las similitudes entre las dos caractersticas v-i. Los valores VD1 y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (2-14) y (2-15): V V I s1 + D1 = I s 2 + D1 ........................... (2-14) R R

VD1 + VD2 = Vs

........................... (2-15)

La distribucin del voltaje bajo condiciones transitorias (o sea,

debido a cargas en conmutacin, aplicaciones iniciales de un voltaje de entrada) se lleva a cabo conectando condensadores a travs de

cada diodo, lo que se muestra en la fig.2.10. R1 limita la velocidad de elevacin del voltaje de bloqueo.

Fig.2.10 Diodos en serie con redes de distribucin de voltaje bajo condiciones de rgimen permanente y transitorio. DIODOS CONECTADOS EN PARALELO :

2.6)

En aplicaciones de alta potencia, los diodo se conectan en paralelo para aumentar la capacidad de conduccin de corriente, a fin de alcanzar las especificaciones de corriente deseadas. La distribucin de corriente de los diodo estara de acuerdo con sus respectivas cadas de voltaje directas. Se puede obtener una distribucin uniforme de corriente proporcionando inductancias iguales (por ejemplo en los terminales), O conectando resistencias de distribucin de corriente (cosa que puede no ser prctica debido a perdidas de energa); lo anterior se muestra en la fig.2.11.

Fig.2.11Diodos conectados en Paralelo. Es posible minimizar este problema seleccionado diodos con cadas de voltaje directas iguales o diodos del mismo tipo.

Las resistencias de la fig.2.11-a, ayudarn a la reparticin de corriente en condiciones de rgimen permanente. La reparticin de corriente en condiciones dinmicas se puede llevar a cabo mediante la conexin de inductores acoplados, ver fig.2.11-b.

Los inductores generaran picos de voltaje y podran resultar costosos y voluminosos, especialmente en corrientes altas.