"./ .

"

Ex})eiimefito de laboratorio 7
Transistor de efecto
de oampo de union

I:'I
8
~
-0'

Objetivol ConceptOi basicos ,

A. MOitrar y medir el efecto del voltaje de 1. El transis,torde ejecta de campo de union

drenaje en la corriente de drenaje con pola- OfET - junction field effect transistor) es
rizacion cero en la compuerta y determi- un dispositivo unipolar.
nar el valor del voltaje de drenaje a fuente 2. Un jFET tiene elementos activos: ~ompuer"
(eatrangulamiento) requerido para producir ta, fuente y drenaje.
una corriente de dreDaje cOllltlnte. 3. Los j!~ET son semiconductores de canal!,N
B. Medir el valor del vol. de polarizacion 0 P. .

invena compuerta.fuente requerido para 4. Los jFETs son dispositivos de control de

producir eatrangulamiento para un valor
dado de voltaje de fuente a drenaje.
C. MOltrar y medir eI ('tecto en I. corriente de
drenaje para cambiol tanto en la polariza-
cion invena de conapuerta-fuente COQiOde
voltaje de drenaje-iUeate y registrar una
"familia" de CUrval.
. corriente operados por voltaje.
5. Ntmnalmente un J Jo"ETesta "encendido."
6 I~ union d~l diodo de compuerta"f~ente
clebe estar polarizada inversamente para reo
ducir la corriente de canal.
7. La corriente de drenaje es igual ala corrien.
te fuente (ID = Is).

'1'j
1
I
'l'NlUi6torde efecto de campo de ""iOn
Drefl8je
~ e
- Compuerta
VGS
Fuente
II ~ + deJFET
8. Condicionado a que las terminales de com-
puerta-fuente' no esten pqlarizadas directa-
mente, los J FETs tienen una aIta impedan-
cia de entrada.
~ ll . ..
,I haaormaaon pre Imunar
..
i En general 105 transistores NPN y PNP utilizan
, una corriente de base para controlar una corriente
I mucho mayor de emisor-colector. Debido a su
\ construccion y metodo de operacion, se conocen
como dispositivos bipolares. E1 transistor de efec-
I
to de campo de union UFET) deriva su nombre de
I se utilizara un canal de tipo P, la compuerta seria
que utiliza una union PN (como en un diodo
de union PN) y que funciona con un principio de
campo electrico para controlar la corriente. Se Ie
cooc)Cecomo dispositivo unipolar.
i j
La figura 5-1 muestra una seccion transversal sim.
plificada de un JFET, que basicamente puede
comparane con una resistencia variable. Tiene
una barra de lilicio 0 canal con impurezas de tipo
iN 0 P. (Se muestra un canal de tipo N). Se co-
nectan dOl puntas aI canal; una sirve como entta-
da 0 fuente para los portadores de corriente ma-
yoritarios y la otra sirve como la salida 0 drenaje
para 101 portadores mayoritarios. Se puede' com-
parar dichas puntas con e1 emisor y el colector
rapec:tivamente de un transistorcomim. Cuando
t
+ Orenaje
CoI'npuerte
Q
RegIOn
deliert8
Fuente
Portadol'8l
mayoriwlOl
VDS Srmbolo
de JFET
de canel N
Dreneje
cIIt corrIeftte
Compuert8
Fuente
Simbolo
de cane! P
FIg. 6-1
el drenaje-fuente se polariza directamente median-
te un voltaje (VDS). fluyen portadbras mayorita-
rios de corriente de fuentea drenaje. La cantidad
de fl"\io de corriente depende de la resistencia del
canal.
Una seccion de material semiconductor impurifi-
cado en forma opuesta se une aI canal. A esta
seccion se Ie conoce como la compuerta y a la
punta de entrada se Ie canoce como conexion de
compuerta. Para el canal de tipo N que se mues-
tra, la compuerta debe ser material de tipo P. Si
un material de tipo. N. La compuerta se puede
comparar con la base de un transistor com,im. Su
proposito es variar la resistencia del canal y con
ello controlar el flujo de Ia corriente de fuente a
drenaje, 10 cual 10 hace en Ia forma siguiente:
cuando se unen la compuerta y canal, se forma
una union PN semejante a una PN de diodo.
Como con cualquier union PN; se desarrolla una
region desierta alrededor de la union. Es posible
controlar el tamaiio de esta region mediante una
polarizacion inversa (V Gs) aplicada entre la com-
puerta y fuente. E1 aumentar Ia polarizacion in-
versa aumenta la .region desierta; al disminuir
VGS disminuye la region. Variando el tamaiio de la
region desierta alrededor de la compuerta se varia
en forma consecuente el ancho del canal, 10que a
35
I ...,..
Regi6n de
8IIaiancha
10 IVGS=O)
Regionde
Regl6n estrangulamlento
OHMICA I lsaturacl6n)
I VGS
I
I
I VGS
I
I
I
I VGS = -2Vdc
I
I
I
I
I
I
0 Vp VA
(a)
Fig. 5-2
su vez permite que £luya mas 0 menos corriente de
fuente a drenaje.
En la figura 5-1 note que la region desierta es
mas anchaen el extremo del drenaje del canal
que en el extr.emo de la fuente, 10 que se debe al
.." gradiente de voltaje establecido por VDS a traves
del canal. Con respecto a la fuente, la caida de
voltaje es mayor a traves del material semiconduc-
tor en el extremo del drenaje que en el extrema
de la fuente. En consecuencia,la region desierta,
que esta relaeionada <;:on'el potencial d~ voltaje
en la union, es mayor en el drenaje que' en la fuen-
te. Si se haee VGS igual a cero (compuerta fuente
en corto) y s~ aumenta VDS en forma suficiente,
la region desierta se haee ,tan ancha en el extrema
del drenaje que todo aumento adicional en VDS
provoca un aumento minimo en la corriente
de drenaje (ID). Refierase a la figura 5-2 a).
A esta condidon se Ie conoce como estrangu-
lamiento y al valor de VDB que 10 provoa se Ie
conoce como Vp. El J FETesta en. saturacion mas
alla deeste punto. La corriente de drenaje de sa- .
turacion (IDss) £luye en la region de estrangula-
miento. La resistencia del' canal tambien cambia
con un cambio en elvoltaje de Iii terminal en la
region de estrangulamiento (mas voltaje de mayor
r~sistencia) y la corriente de drenaJe permanece
esendalmente constante. El aumentar V.oB sufi-
36
Trttnlilltor de efecto de campo 1M "nion
10
=0
= 7'Vdc
VOS
VOS 0 .£J
(b)
cientemente dentro de la region de saturaeion
produ~e una ruptura completa del J FET Y una
corriente de /avalancha. Para valores de VDshasta
el estran:gulamiento el flujo de la corriente a tra.
ves del J FET varia de acuerdo con la ley de
Ohm.
Se puede reducir apreciablemente el punto en el
que la corriente de drenaje ID alcanza la satura.
cion para. un valor dado de VDS aumentando la ,
polarizacion inversa VGs, figura 5-2 b). Eso se
debe a que el campo resultado del voltaje VGS de
polarizacion y el voltaje VDS de dl'enaje fuente
hace que la region desierta dentro del canal alcan.
ce mucho mas pronto el estrangulamiento. EI va-
lor de VGS que produce estrangulamiento tam.
bien se conoce como voltaje de estrangulamiento
(Vp)/ Se puede generar una 4'familia" de curvas
ID - VD S para distintos valores de VGs, mismas
que se pueden utilizar para definir las caracterlsti-
cas de operaeion del J FET. Un efecto adverso de
aumentar V0 S es que tambien se reduce el punta
de avalancha y ocurre la ruptura a valores progre.
sivamente menores de. VDs.
Cuando la compuerta-fuente esta polarizada mver.
samente, no fluye corriente apreciable a traves de .
1a union, 10 que haee que la impedanda de entra.
da del JFET sea caraeteristicamente alta. Con ci...
 , TN",iltor de etecto de Ctlmpode ulI;6"
---- -
III MIII8mP8I'il1'l81roVao.
c:uitos de mayor impedancia, la' capacitancia de la IC1110 ~ .~ 0.2ClVcd
0.20'
union se hace mas significativa a frecuencias mas -rlllA
~.
altas y puede limitar 131aplicaciones de alta fre. 0.1G1,.....
cuencia. G +~ VOM
v } ELICTIIONICO

Lecturu complementarias

Para mayor informacion sobre el tema, consulte

la bibliografia al final deestc manual. F;,. 5-3
Equipo y materiales
Fuente de energia 0.10Vca VDS (volts) In (mA)
Fuente de energia 0-10Vcd, 5 mA
Fuente de energia 0.20Vcd, 20 mA 0 0 ~

Miliamperimetro 0-10/1 OOmAcd

YOM Electronico 0.5
Osciloscopio
Sistema de capacitacion ("(Ielectronica 1.0 I
-
CR1 - Diododesilicio,1N4004
1~ Q1 - JFET, canal N 1.5 /
I

Rl -lOOn, lW
R2 -1Mn,1W 2.0
R3 - 47n, lW
Tablero universal h, para experimentos " < 25

Procedimiento 3.0
/

Objetivo A. Mostrar y medir el efecto del voltaje 3.5

de drenaje' en la corriente de drenaje 'con pol ariza-
cion cero en la compuerta: y detenninar el valor 4.0
del voltaje de drenaje a fuente (estrangulamiento)
requerido para producir una corriente constante 4.5
de drenaje.
5.0
0 1. a) Conecte el circuito mostrado en la figura
5.3. Ajuste el YOM al rango de 1.5Vcd y el mi.
6.0
liamper{metro en el rango de 10mAcd.
0 b) Aumente el voltaje fuente VDD del dre.
naje hasta que la ca{da de voltaje VDS indicada 7.0
por el YOM de drenaje a fuente sea de 0.5Vcd.
0 c) Tome nota del valor de la corriente /D 8.0
de drenaje que indica el miliampedmetro y regis~
trelo frente a la entrada de VDs = 0.5 volts de la 10.0
tabla 5-l.
0 d) Siga aumentando VDD y registre el valor 15.0
correspondiente de ID para cada valor de VD S lis.
tad() en la tabla 5-1. Aumente el rango del YOM 20.0
. Y miliamperimetro seg(m se requiera para comple- .

'tar sus mediclcnes. . Ttlb14 5.1

37

""
. ,
Traruiltor de efecto de campo de union

0 t?) Marque 105 datos registrados en la tabla

5-1 sobre la grafica mostrada en la fibl'\lra 5-4.
Dibuje una curva continua a traves de 105 puntos
indicados. Su curva debe de ser semejantea la que
.. 8
sc muestra en la figura 5-2 a) cxcepto por que la 'iI'
suva no tendci una region de avalancha. i... 8
0 1) En su curva, senale el punto donde ter. I
c.. 4.
mina el aumento rapido en ID y comienza el flu- 'j;
jo de corriente constante. Dibuje una linea verti- 8
cal desde cste punto hasta la escala V" s. Registre
el valor del voltajeen el punto donde la linea in.
tersecta a la escala de VDs. Este es el voltaje de Voltllje de drenlje-fuente VOS (vol.)
estrangulamiento de drenaje-fuente Vp. Fig. 5-4

Vp (VDS) = Vcd Vcd

0 d). Baje todos 105voltajes de fuente de cner-
gia a cero. 'i~
0 g) Indique si la corriente varia directamente
con el voltaje dentro de la region ohmica. .. \
Objetivo C. MOltrar y medir el efecto en 1. co.
mente de drenaje para cambiOi tanto en la pol..
0 h) Subraye la r~spuesta correcta. En la reo
rizacion invena de compuerta-fuente como de
gion de corrien te constante, la resistencia del ca-
voltaje de drenaje-fuente y registrar una ufamilia"
nal debe (aumen tar, permanecer ipal) para que la de curvas.
corriente permanezca constante con los mayores
valores de VD S . .(J S. a) Conecte el circuito. de la figura 5-6. Se
0 i) Baje el voltaje de la fuente de energia a utiliza una fuente variable de ca para el voltaje de
cero. dret.aje a fuente de manera que se puedan medir
din8micamente las caractcristicas del JFET Ulan-
Objetivo B. Medir el valor del voltaje de polariza- do el osciloscopio. EI diodo CR 1 permite aplicar
cion inversa compuerta-fuente requerido para pro- solo la altcmacion positiva del voltaje de ca entre
ducir estrangulamiento para un valor dado de vol. el drenaje y la fuente del JFET.
taje de fuente a drenaje. 0 b) Calibre el amplificador horizontal del
osciloscopio para deflexion de 2.5 volu/cm. ~UI- I
0 2. a) Conecte el circuito mostrado en la figura te el control de tiempo de barrido/cm a EXT.
5.5 y ajuste el miliamperimetro en el rango de Conecte la punta amplificadora horizontal a I. I
lOmAcd. tcrminales de EXT SYNC/HOR y tierra. Entonca I

ponga en corto las puntas de la sei\a1de pruebas

0 b) Ajuste el voltaje de drenaje VDD de' la y de tierra y centre el punto en la pantalla. Scpa-
I
fuente a lOVed.
, 111
MiIIlmperimetroy...
t
10C10

0 c) Lcntamcnte aumente el voltaje. Va s de ~.

. ,..'CIOIIIIA
polarizacion de compuerta-fuente hasta que la co- Q1
mente ID de drenaje apenas llegue acero, y repi- ,.R2
talo hasta asegurarsc de cu3.l es el punto exacto -
donde ID cae a cero. Recuerde el valor de VGS
indicado en el VOM pues es el volclje' Vp de es- 0-10Vcd
trangulamiento de compuerta-fuente. t .
Vp (Vas) = uuuu_.uuu_..Ycd
Fig. 5-5

38

~--- ~
 Transistor de efecto <Iecampo de union

r.
I re las puntas y aplique la onda cuadrada calibrada 0 k) Indique si el, valor de estrangulamiento
de 5 volts de pico a pico del osciloscopio a la en- es aproximadameilte igual para todas las curvas.
trada horizontal. Ajuste el control VARIABLE/
GANANCIA HOR para de flexion de 2cm 14
c
(2.5V/CM). Quite la senal de entrada de' calibra- < 12 I"
cion del amplificador horizontal. oS
0 10 \
Dc) Ajuste e1 YOM para de flexion vertical de
O.OIV/cm. .ri
c
8
III
D d) Ajuste el voltaje de drenaje de la fuente -6 6
variable de ca a IOvolts (rms). " III

De) Verifique que el voltaje VGS de polariza- E

III
4
cion inversa de compuerta-fuente sea de cero 'E 2 I
volts cd usando el YOM. 8
0
D f) Conecte el osciloscopio al circuito en la 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
I forma mostrada en 1a figura 5-6. Use la punta
DR Voltaje VOS de drenaje-fuente (volts)
I multiplicadora XIO en la entrada vertical. El osci-
Fig. 5- 7
I. )oscopjp debe despiegar una onda semejante a la
,¥

J "ue dibujo en la figura 5-4. '

0 l) iPiensa que e1 J FET funcione como am~
~ 0 g) Dibuje la onda del osciloscopio en la gni-
fica de la fib1'\ua5-7. El eje vertical del oscilosco-
plificador? ..
I pio representa la corriente ID de drenaje y es'ta ~xplique su respuesta ,,,,,,,,,"''''''''''''''''''''''''''''''''''

calibrado para aproximadamente 2mA/cm

,... ',' -..................
CR1
0 m) Baje todos los voltajes de la fuente a cero.

En.trada Resumen
11 .v
R2 horizontal

1l
1M
En este experimento de lab oratorio se familiarizo
I"\..i}O-10
VC8
Entrada ,
con el funcionamiento ,de un JFET de canal N.
0-10Vcd vertical \AI Pnmero midio la corriente de drenaje en funcion
osciloscopio
del voltaje de drenaje con polarizacion cer.o de
+
- compuerta. Vio que para valor~s bajos de VD S la \

Fig. 5-6 corriente de drenaje aumenta ohmicamente y lue-

go Ise.nive1a en una region de corriente constante
(0.01 V/cm X 10/47 ~ 2mAjcm). £1 ejehorizon- al aurpentar VDS mas alla del voltaje de estrangu-
tal representa el voltaje VDS de drenaje-fuente y lamiento. Graflco ID vs. VDS Y determino grafi-
se calibro en b) para 2.5Vjcm.. camente el valor del voltaje de estrangulamiento
0 , h) Aumen te Vas, a -0.5 Vcd y a~gue la V,p~'Usando luego un voltaje constante de drena-
nueva curva del osciloscopio a su grafica., je-fuente y
aumentando la polarizaci<?ninversa de
0 i) Repita 10 anterior para valores Vas de ~ompuerta-fuente, midio el ';alor de Vas' requeri-
-1.0, -1.5 Y -2.0Vcd. Cuando este terminada su do para producir el estrangulamiento. ;Demostro
familia de curvas, se veran semejantes a las de la que este se puede producir en dos maneras y que
figura 5-2 b) excepto por la porcion de avalancha puede set el resultado de los efectos combinados
de las curvas. de ambos. Finalmente, utilizo el osciloscopio
0 j) Observe sus curvas. l Un pequeno voltaje como trazador de curvas y grafico una familia
de compuerta controla una gran' corriente de dre-, de curvas de I D - VV s- para distintos valores de
. ? ..
n3.Je.. Va s. Determino que el JFET puede ser un buen
amplificador ya que un pequeno cambio en VGS
Si. produce un cambio grande en Iv para un VDSdado.

39

1 ",,,