TERMINOLOGIAS

As definies a seguir so conhecidas por todos que intervm, diretamente ou indiretamente, no campo da instrumentao industrial, e tm como objetivo a promoo de uma mesma linguagem tcnica. Ento, vamos comear:

SISTEMA DE UNIDADES:
Conjunto das unidades de base e unidades derivadas, definido de acordo com regras especficas, para um dado sistema de grandezas. Exemplos: a) Sistema Internacioanl de Unidades SI; b) Sistema de Unidades CGS.

EXATIDO DE MEDIO
Grau de concordncia entre o resultado de uma medio e um valor verdadeiro do mensurando. Observaes: 1) Exatido um conceito qualitativo. 2) O termo preciso no deve ser utilizado como exatido.

FAIXA DE MEDIO (RANGE):

Conjunto de valores da varivel analisada, compreendido dentro do limite inferior e superior da capacidade de medida ou de transmisso do instrumento. expresso determinando-se os valores extremos. Exemplo: 100 ~ 500 C; 0 ~ 20 psi; 30 ~ 30 mmH2O.

ALCANCE (SPAN):
a diferena algbrica entre o valor superior e inferior da faixa de medida do instrumento. Exemplo: Um instrumento com range de 100 a 250C, possui Span = 150 C

ERRO:
Resultado de uma medio menos o valor verdadeiro do mensurando. Ou seja, a diferena entre o valor lido ou transmitido pelo instrumento, em relao real da varivel medida.

ZONA MORTA:
o maior valor de variao que o parmetro medido possa alcanar, sem que provoque alterao na indicao ou sinal de sada de um instrumento (pode ser aplicado para faixa de valores absolutos do range do mesmo). Est relacionada a folgas entre os elementos mveis do instrumento, como engrenagens. Exemplo: Um instrumento com range de 0 a 200 C possui uma zona morta de 0,1 % do span. 0,1 % = (0,1 / 100 x 200) = 0,2 C Portanto, se a varivel alterar em 0,2 C, o instrumento no apresentar resposta nenhuma.

SENSIBILIDADE:
a razo entre a variao do valor indicado ou transmitido por um instrumento e a da varivel que o acionou, aps ter alcanado o estado de repouso. Denota a capacidade de resoluo do dispositivo. Exemplo: Um termmetro de vidro com range de 0 a 500 C, possui uma escala de leitura de 50 cm.

Sensibilidade = (50 / 500 cm)/C = 0,1 cm/C

HISTERESE
a diferena mxima apresentada por um instrumento, para um mesmo valor, em qualquer ponto da faixa de trabalho, quando a varivel percorre toda a escala nos sentidos ascendente e descendente ou o desvio porcentual mximo com o qual, para uma mesma varivel (por exemplo vazo), uma indicao do valor instantneo afasta-se do outro, dependendo de ter sido alcanado a partir de valores maiores ou menores. Exemplo: Num instrumento com range de 0 a 200 C mostrado na Figura seguinte, a histerese de 0,2 %.

REPETITIVIDADE (PRECISO):
o desvio porcentual mximo com o qual uma mesma medio indicada, tomando-se todas as condies como exatamente reproduzidas de uma medida para outra. Expressa-se em porcentagem do span. Um instrumento com range de 0 a 1000 L/ min, 0,1% do span (o que corresponde a 1 L/min), se a vazo real na primeira passagem ascendente for 750 L/min e o instrumento indicar 742 L/min, numa segunda passagem ascendente com vazo real de 750 L/min o instrumento indicar 742 1 L/min. Observar que o termo Repetitividade no inclui a Histerese.

Padro

Padro primrio Padro secundrio Padro internacional

Padro nacional Aferio

Medida materializada (ex. massa marcada), instrumento de medir ou sistema de medio destinado a definir, realizar, conservar ou reproduzir uma unidade ou valores conhecidos de uma grandeza a fim de transmit-los por comparao a outros instrumento de medir. Padro que possui as mais altas qualidades metrolgicas em um campo especfico. Padro cujo valor determinado por comparao com o padro primrio. Padro reconhecido por um acordo internacional para servir internacionalmente de base no estabelecimento dos valores de todos os demais padres da grandeza a que se refere. Padro reconhecido por uma deciso nacional oficial em um pas para servir de base no estabelecimento dos valores de todos os demais padres da grandeza a que se refere. Conjunto de operaes que estabelece, em condies especficas,

Calibrao

a correspondncia entre os valores indicados por um instrumento de medir ou por um sistema de medio ou por uma medida materializada e os valores convencionais correspondentes da grandeza medida. O resultado de uma aferio permite determinar a diferena entre a indicao e o verdadeiro valor da grandeza medida. Conjunto de operaes que estabelece, em condies especficas, a correspondncia entre o estmulo e a resposta de um instrumento de medir, sistema de medio ou transdutor de medio. O resultado de uma calibrao pode permitir a determinao de um ou mais parmetros da curva caracterstica que relaciona o estmulo resposta ou os valores de grandezas correspondentes s divises de escalas indefinidas de um instrumento de medir.

Quantizao da Energia e surgimento das bandas de energia em slidos

A Equao de Schrdinger nos mostra que ao confinar o movimento de eltrons a uma regio limitada do espao esses podem ocupar apenas estados discretos de energia, dizemos que esses possuem energia quantizada. [editar]O

que ocorre ento quando tomos se agrupam formando um slido?

Os eltrons de cada tomo em um slido esto sujeitos interao com os tomos vizinhos. Ao aproximarmos um tomo isolado a outros, os nveis de energia de cada um so perturbados levemente pela presena do vizinho pois o Princpio de Excluso de Pauli no permite que ocupem nveis de energia iguais. Se aproximarmos um grande nmero de tomos, teremos um grande nmero de nveis de energia prximos uns dos outros, formando uma "banda de energia" quase contnua no lugar dos discretos nveis de energia que os tomos teriam individualmente. [editar]Condutores,

Isolantes e Semicondutores

Figura 1: Representao esquemtica dos nveis individuais de energia ocupados por eltrons no zero absoluto, onde EF o mais alto nvel ocupado.

Dentro de um slido as energias possveis dos eltrons esto agrupadas em bandas permitidas separadas por bandas proibidas devido periodicidade do potencial criado por ons em slidos. A Figura 1 mostra a representao das bandas de energia em um slido. As bandas de energia mais profundas completamente ocupadas por eltrons so chamadas de bandas de valncia, essas so inertes do ponto de vista eltrico e trmico. Correspondem aos nveis atmicos de energia mais baixa apenas levemente afetados pela presena de outros tomos no cristal. A banda parcialmente preenchida chamada debanda de conduo. Para um slido em que o nvel de energia mais alto ocupado EF no zero absoluto est localizado dentro de uma banda permitida os eltrons podem ento ser acelerados livremente desde que os nveis de energia mais altos sejam acessveis a esses, esse um condutor. Em um condutor os eltrons com mais altas energias se comportam aproximadamente como se fossem partculas livres. Em um slido em que o estado fundamental constitudo por bandas permitidas inteiramente ocupadas,EF ser ento igual ao limite superior de uma banda permitida. Assim os eltrons no podem ser acelerados, pois o os nveis de energia imediatamente superiores so proibidos. Esse um isolante. Em um isolante os eltrons podem ser excitados apenas atravessando a banda proibida.Um bom isolante em uma temperatura T qualquer deve ter E >> kBT. Se E igual ou da ordem de kBT, certo nmero de eltrons pode deixar a banda de valncia para ocupar estados imediatamente superiores desocupados das bandas permitidas (nveis que estariam completamente desocupados no zero absoluto ). O cristal possui ento de eltrons de conduo, porm em nmero restrito, este um semicondutor intrnseco. Portanto, a condutividade de num semicondutor intrnseco cresce rapidamente com a temperatura. At ento foram considerados apenas materiais puros e sem imperfeies, fato que, na prtica, no ocorre . Todos os slidos tm imperfeies e impurezas. A presena de impurezas em sua estrutura de alguns materiais pode alterar, esses so classificados deextrnsecos.

Figura 2: Representao dos nveis de energia em semicondutores extrnsecos do (a) Tipo-n e (b) Tipo-p. Onde Ed o nvel de energia doador, Ea o nvel de energia aceitador, Ev o mais alto nvel de energia ocupado na banda de valncia e Ec o mais baixo nvel de energia desocupado.

As impurezas desempenham um papel muito importante nos semicondutores. Esses quando contendo concentraes pequenas e controladas de impurezas diz-se que esto dopados. Tais impurezas quebram a regularidade da rede cristalina afetando os nveis de energia e fornecendo novos portadores de corrente. As impurezas em semicondutores podem se dar de duas formas: Tipo-n e Tipo-p. A Figura 2 mostra a os nveis de energia em semicondutores extrnsecos do (a) Tipo-n e (b) Tipo-p. Num semicondutor do tipo-n as impurezas introduzem na banda proibida um novo nvel de energia Ed prximo ao mais baixo nvel de energia desocupado Ec. A esse tipo diz-se uma impureza doadora. Enquanto que num semicondutor do tipo-p o novo nvel de energia Ed introduzido prximo ao mais alto nvel de energia ocupado na banda de valncia Ev. A esse tipo diz-se que uma impureza aceitadora.

Gap de energia
Origem: Wikipdia, a enciclopdia livre.

Nos materiais semicondutores temperatura de zero Kelvin (zero absoluto), todos eltrons encontram-se na banda de valncia. Neste estado o semicondutor tem caractersticas de um isolante, i.e., no conduz eletricidade. A medida que sua temperatura aumenta, os eltrons absorvem energia passando para a banda de conduo. Esta "quantidade" de energia necessria para que o eltron efetue essa transio chamada de gap de energia (em ingls band gap), ou banda proibida. medida que a temperatura do semicondutor aumenta, o nmero de eltrons que passam para a banda de valncia tambm aumenta, passando o semicondutor a conduzir mais eletricidade, caso seja exposto a uma ddp. Para entendermos como se d a conduo eltrica em um semicondutor primeiramente precisamos entender como se comportam os tomos num slido. Dois tomos separados possuem, cada um, seus estados de energia quantizados, conforme descreve a mecnica quntica. Ao aproximarmos esses dois tomos suas funes de onda comeam a se sobrepor. As camadas mais internas desses tomos so pouco influenciadas pela proximidade entre eles devido ao fato dos eltrons estarem mais ``presos" ao ncleo. Entretanto as camadas mais externas so bastantes influenciadas pela distncia, fazendo com que as autofunes dos tomos se sobreponham, e, ao se sobrepor, os nveis de energia se modificam. Um slido composto de vrios tomos muito prximos um ao outro, de maneira que as autofunes de cada tomo influencia a do tomo vizinho. O efeito da aproximao faz com que os eltrons das camadas mais externas de um tomo compartilhem nveis de energia. Quando consideramos N tomos de uma mesma espcie, o efeito da proximidade faz com que seus nveis

de energia se desdobrem N vezes. A distncia entre os tomos vai ser responsvel pela sobreposio dos nveis de energia, sendo assim, devido ao grande nmero de tomos prximos num slido, os nveis de energia vo ser to prximos um do outro que na verdade parecero uma banda contnua de energia. Os eltrons afetados so aqueles que esto na banda de valncia, ou seja, aqueles menos ligados ao ncleo. A sobreposio das funes de onda dos eltrons fazem com que os nveis de energia se alarguem, fazendo surgir bandas de energia e bandas proibidas, ou seja, intervalos de energia proibida entre uma banda e outra. No slido trabalha-se com a configurao da clula unitria de uma rede cristalina, com a anlise desta clula podemos entender o comportamento do slido. Vamos a um exemplo de como se efetua essa idia. O diamante formado por tomos de carbono, cada um com quatro eltrons de valncia ( ), e cada clula unitria do diamante

possui dois carbonos. A ltima camada do carbono corresponde a n=2, onde o orbital s desta camada pode suportar dois eltrons de spin oposto e o orbital p pode suportar at seis eltrons devido a sua tripla degenerncia proveniente do nmero quntico espacial ml, que pode assumir os valores -1, 0 e +1. Sendo assim, a proximidade entre dois tomos de carbono vo fazer com que o orbital s d origem a dois nveis de energia e o orbital p a seis nveis de energia, e estes nveis sero ocupados por oito eltrons de valncia, quatro de cada tomo. Devido a proximidade, o orbital s do carbono dar origem a uma banda de energia, enquanto o orbital p dar origem a trs bandas de energia, onde em cada banda pode conter dois eltrons. Sendo assim, a banda de valncia da clula unitria do diamante estar completamente cheia. Ao aplicarmos uma diferena de potencial no diamante, esta dar energia aos eltrons da banda de valncia, mas como a camada est cheia, no h espaos para os eltrons "andarem", j que cada banda s pode ter dois eltrons devido ao princpio da excluso, e como a proximidade entre os tomos fazem com que os nveis de energia se alarguem, as camadas mais energticas acima esto separadas da banda de valncia por uma regio proibida, ento se a energia no for suficiente para fazer o eltron pular para estes nveis, no ocorrer a formao de corrente, ento o diamante considerado isolante. Para um slido conduzir corrente, ele no pode ter sua camada de valncia cheia, assim haver espaos dentro da banda para ele se mover. Ento para dizer se um slido condutor ou no, deve-se levar em conta a estrutura da rede e seus respectivos constituintes. Um semicondutor se comporta como um isolante, a diferena que a regio da banda proibida, tambm conhecida como GAP, muito pequena. A zero graus Kelvin, o semicondutor se comporta como um isolante perfeito, mas devido ao pequeno GAP, a agitao trmica devido ao aumento da temperatura capaz de fazer com que os eltrons da banda de valncia pulem para a banda superior, denominada banda de conduo. Ao passar para a banda de conduo esses eltrons deixam buracos na camada de valncia, e esses buracos tambm so responsveis pela condutividade do material.