Desenvolvimento de Tcnicas de Recristalizao de Fitas de Silcio para Aplicao Fotovoltaica

Joo C. C. Henriques

FCUL

Apresentao
1. Motivao e Desafios para o Presente Trabalho 2. Descrio do Sistema e das Tcnicas Desenvolvidas 3. Caracterizao dos Materiais e das Clulas Realizadas 4. Concluses e Perspectivas Futuras

Motivao
A converso directa da radiao solar em energia elctrica constitui uma alternativa muito interessante do ponto de vista ambiental pelo que apresenta actualmente um grande potencial para o futuro.

Desafios
Reduo do custo por unidade de potncia dos sistemas fotovoltaicos. Presente trabalho constitui uma modesta contribuio experimental para o supracitado objectivo pela
Explorao de novas possibilidades para tcnicas existentes. Demonstrao de princpio de possibilidades alternativas.

Possveis Abordagens para Reduo de Custos

1. Menor uso de material por reduo da espessura dos substratos. 2. Utilizao de materiais de base de inferior qualidade. 3. Cristalizao de silcio directamente sob a forma de fitas. 4. Reduo do consumo energtico dos processos de cristalizao.

Recristalizao por Zona Fundida ZMR (Zone Melting Recrystallization)

Vantagens: Evita o uso de cadinhos (contaminao e custos inerentes). Aumenta a qualidade dos materiais por segregao de impurezas e incremento da perfeio cristalogrfica (e.g. dimenso do gro). Desvantagem: Dependncia de matria-prima na forma adequada, (i.e. folhas ou fitas). Materiais de teste de silcio policristalino de qualidade solar das marcas Silso (Wacker), Eurosil (Eurosolare) e Baysix (Bayer).

Descrio do Sistema e das Tcnicas Desenvolvidas

Sistema de Recristalizao
Critrios de projecto
a) Simplicidade e baixo custo. b) Rendimento geomtrico e versatilidade elevados.

Soluo construtiva Forno ptico com lmpadas de halogneo lineares e concentrao por espelhos cilndricos elpticos confocais, com sub-sistema de translao da fita integrado.

Sistema de Recristalizao
Velocidade mxima (modo ptico)
e / m 350 100 V / mmmin-1 25 - 30 45

Largura mxima de fita: 75 mm (comprimento dos filamentos), recristalizada a 5 mmmin-1 devido ao gradiente de temperatura transversal. Rendimento energtico (modo ptico) estimado em 28%.

Tcnicas de Recristalizao
1. Recristalizao ptica 1.1 Atmosfera Oxidante
1.1.1 Simples 1.1.2 STTRECH

1.2 Atmosfera Inerte

1.2.1 Simples 1.2.2 Bifsica 1.2.3 STTRECH (Deformao Plstica do Bordo)

2. Recristalizao por Zona Fundida Linear (ptico-Resistiva) 2.1 Bordos suportados por placas de grafite 2.2 Bordos suportados por placas se silcio

STTRECH (Silicon Tape Thickness Reduction and Crystallization)

Aumento da rea efectiva com correspondente reduo de espessura das fitas. Espessura final mnima em condies de crescimento estveis ~ 100 m (centro da fita), determina a mxima Tr (razo da rea final pela inicial). Ausncia de bordos slidos gera nouniformidade na espessura. Manuteno da largura constante exige um controlo preciso da potncia ptica.

Comparao entre a placa original (100 30 mm2) e a recristalizada taxa Tr ~ 3. Transio de uma espessura inicial de 425 m para uma final de 52 m (junto ao bordo).

Recristalizao Bifsica
Processo em 2 fases:
1. Recristalizao por STTRECH (atmosfera oxidante). 2. Recristalizao simples (atmosfera inerte).

Alia a vantagem de reduo de espessura do processo STTRECH qualidade das fitas recristalizadas em atmosfera inerte. Exige o uso de dispositivos de blindagem dos bordos para evitar o colapso da zona. Eficaz na remoo do oxignio mas moroso e mais susceptvel a fracturas das fitas.

Recristalizao com STTRECH por Deformao Plstica do Bordo

Alternativa inovadora num nico passo em atmosfera inerte sem as desvantagens dos mtodos anteriores. Exige controlo muito rigoroso da distncia da zona aos bordos (seco resistente destes) e uma distribuio de temperatura na placa muito simtrica. Dificuldades de controlo determinam:
1. Pouca reproductibilidade dos resultados. 2. Baixas velocidades de recristalizao: < 6 mmmin-1. 3. Pequenas reas recristalizadas: < 3 cm2 para Tr tpica de 1,7 em fitas de 30 mm de largura.

Espessura mnima conseguida de 150 m para Tr mxima de 2,4.

Zona Fundida Linear (ptico-Resistiva)

Zona obtida pelo efeito conjunto da concentrao de radiao e de aquecimento resistivo da placa. Pode variar-se contnua e independentemente a contribuio de potncia de cada um dos sistemas de aquecimento. Bordos suportados por placas de silcio ou grafite. No segundo caso possvel uma recristalizao puramente resistiva (fitas estreitas). Zonas muito estreitas (em geral 0,35-1 mm) mas com problemas de estabilidade particularmente complexos.

Caracterizao dos Materiais e das Clulas Realizadas

Tenses Internas
Tenses residuais mximas (25-35 MPa) nos bordos das fitas. No evidenciam clara dependncia com a composio da atmosfera e a velocidade de crescimento em qualquer das variantes da tcnica. Resultados consistentes com os obtidos pelas medidas da densidade de deslocaes. Acima de um nvel de tenses crtico ocorre instabilidade estrutural, sobretudo nas fitas mais finas e largas (e.g. STTRECH).

Deformao estrutural numa fita de STTRECH com 30 mm de largura recristalizada a 33 mmmin-1. Os reflexos na superfcie mostram uma ondulao de perodo grande (30 - 40 mm; amplitude at 1 mm) e pequeno (1,25 mm; amplitude at 15 m). Ondulaes de pequeno perodo devidas a desalinhamentos e folgas ao nvel do sistema de translao.

Morfologia
Recristalizao simples em atmosfera oxidante: Excelente qualidade de superfcie. Outras variantes (para V < 20 mmmin-1): Planaridade e a uniformidade da espessura satisfatrias (excepto STTRECH em atmosfera oxidante).

Amostra com 25 mm de largura recristalizada em atmosfera oxidante a 30 mmmin-1. Repare-se na planaridade da superfcie pela reflexo da rgua.

Impurezas
Oxignio e carbono (espectroscopia de infravermelhos). Precipitados e incluses associados s impurezas.

Microestrutura
Gros de largura mxima da mesma ordem da do gro original, i.e. ~ 10 mm, reduzindo-se para < 5 mm a velocidades elevadas (> 20 mmmin-1). Densidade de deslocaes (etch pits) mdia de 1 - 2106 cm-2 para fitas espessas (~ 350 m) e ~105 cm-2 em fitas finas (e.g. STTRECH).

Fronteiras do tipo macla so particularmente frequentes em todas as tcnicas de produo de silcio policristalino.

Comprimento de Difuso
Comprimento de difuso dos portadores minoritrios (Ln) tomado como o principal parmetro de qualidade dos materiais produzidos. Integra o efeito conjunto da presena de todos os tipos de impurezas e defeitos estruturais.
L / m Mximo Mnimo Mdio Controlos 135 96 115 rgon 38 16 31 Oxignio 10 5 7 STTRECH 9 4 6 Bifsica 155 73 105 DefPlas 147 65 110 O-R:Si 67 45 54 O-R:C 62 31 44

Estatsticas do comprimento de difuso para as diversas variantes de recristalizao

No ficou estabelecida qualquer relao entre Ln e a velocidade de cristalizao ou a taxa de STTRECH, devido grande disperso dos resultados experimentais.

1.0 0.9 0.8 0.7

Resposta Espectral

Classes de fitas: 1. Atmosfera inerte

Rendimento Quntico Interno

0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 Comprimento de Onda / m 1.1 1.2 AMF 88 AMF 139 JoH2

AMF 88: Ln = 155 m

2. ptico-Resistiva
AMF 139: Ln = 67 m

3. Atmosfera oxidante
JoH2: Ln = 9 m

Clulas Fotovoltaicas
1. Atmosfera inerte: AMF 97 (DefPlas; Ln = 128 m) Rendimento (9,1%). Jsc, Voc e FF mximos. 2. ptico-Resistiva: AMA 6 (O-R:C; Ln = 62 m) Rendimento e Jsc superiores s amostras de rgon e controlos com mais do dobro do Ln. 3. Atmosfera oxidante: AMX 40 (Oxignio; Ln = 9 m) Baixos Ln nesta classe determinam os mais baixos rendimentos.
Tcnica Clula rea / cm2 Jsc / mAcm-2 Voc / mV FF / % Rendimento / % Controlo K3 1,26 15 370 38,8 5,6 rgon Jo3B 3,31 10 502 32,6 4,8 Oxignio AMX 40 1,26 9 445 59,1 4,1 STTRECH AMF 68 0,52 10 445 43,8 4,6 Bifsica AMF 88 0,39 11 490 58,7 5,3 DefPlas AMF 97 1,79 17 530 67,0 9,1 O-R:C AMA 6 1,54 14 470 56,8 6,5

Parmetros caractersticos para as melhores clulas nas diversas categorias de materiais recristalizados.

Caractersticas J(v) das Clulas

J / mAcm -2
10

AMX 40 (FF = 59% ; R = 4.1%) AMA 6 AMF 97 (FF = 57% ; R = 6.5%) (FF = 67% ; R = 9.1%)
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 V

0 -0.1 0 0.1

-10

-20

Concluses e Perspectivas Futuras

Mrito Relativo da Tcnicas Desenvolvidas
Figura de Mrito ( pay-back energtico relativo dos processos)
E PSTr

FM =

Parmetro L / mm V / mmmin-1 Tr A / m2h-1 E / kWhm-2 /% FM / h

Bifsica 50 22,5 3,5 0,07 26 14,4 53

STTRECH 50 45 3,5 0,14 13 4,7 79

rgon 50 25 1 0,08 25 11,2 223

DefPlas 50 6 2,5 0,02 106 14,5 281

O-R:Si 50 12,5 1 0,04 37 13 280

O-R:C 30 5 1 0,01 39 12,6 310

Oxignio 50 25 1 0,08 25 5,3 472

Parmetros caractersticos das diversas variantes de recristalizao.

Principais Desenvolvimentos e Perspectivas Futuras

O futuro das tcnicas desenvolvidas depende criticamente da capacidade de demostrarem uma melhoria significativa da qualidade do material de base, justificando dessa forma os custos dos processos. Para tal essencial partirem de materiais de mais baixa qualidade inicial e de maiores dimenses do que os utilizados. A tcnica de recristalizao ptica com reduo de espessura (STTRECH) em atmosfera inerte, por deformao plstica dos bordos das fitas, constitui uma implementao absolutamente nova da tcnica de recristalizao por zona fundida (ZMR). A tcnica de Zona Fundida Linear (ptico-resistiva) foi desenvolvida com vista ao crescimento de fitas finas e de boa qualidade a partir de matriasprimas comerciais, tornando-se assim um verdadeiro mtodo de cristalizao. Remanescem muitos problemas ainda por resolver e explicar para os continuadores deste trabalho ...