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3.1) INTRODUO
Eletrnica a cincia e tecnologia do movimento de cargas eltricas num gs, vcuo ou semicondutor. Sua histria divide-se basicamente em dois perodos: o primeiro definido como a era dos tubos a vcuo (conhecidas como vlvulas), que consistem basicamente no aproveitamento do fenmeno da emisso termoinica e que, porisso, tem o inconveniente de consumir muita energia, e o segundo como a era dos transistores, que so componentes construdos a base de certos materiais slidos chamados semicondutores. Por isso, para diferenciar este ltimo da tecnologia dos tubos a vcuo, a teoria dos semicondutores conhecida como Fsica do Estado Slido. Hoje todo o mbito da eletrnica dominado pelos dispositivos semicondutores, exceto em algumas aplicaes de grande potncia e alta tenso. Assim, a teoria dos tubos a vcuo praticamente omitida de todas as ementas de engenharia eletrotcnica. Os dispositivos semicondutores so os componentes bsicos para processar sinais eltricos nos sistemas de comutao, comunicao, computao e controle. Assim, o estudo dos semicondutores vem se tornando cada vez mais importante, em razo de seu uso em larga escala no campo da eletro-eletrnica. Componentes como transistores bipolares de juno (TBJs), diodos, termistores, fotocondutores, varistores, tiristores (SCR, Diac e Triac), transistores de efeito de campo (FET's) e circuitos integrados baseiam-se em princpios estudados na teoria do estado slido.
energia
movimento dos eltrons silcio puro a T>0K
BC BV 2 B
o
+4
+4
+4
I0 VS
(a)
1o B (b)
(c)
Fig. 3.3.2: Silcio puro temperatura ambiente: (a) fluxo de eltrons; (b) bandas de energia; (c) cristal de silcio com ligao covalente desfeita. Enquanto a energia trmica produzir novos pares eltron-lacuna, outros pares desaparecem como resultado de recombinaes, isto , eltrons livres voltam BV para ocupar uma rbita disponvel (lacuna). Logo, em um semicondutor dito intrnseco, como o caso do dito puro, o nmero de lacunas igual ao de eltrons livres. Sendo n (eltrons livres/cm3) a concentrao de eltrons livres e p (lacunas/cm3) a concentrao de lacunas, tem-se ento que: n = p = ni (3.3.1) onde ni a chamada concentrao intrnseca (concentrao de pares eltron-lacuna num semicondutor intrnseco). Assim, um aumento de temperatura em um semicondutor provoca um aumento em sua concentrao intrnseca. Como a condutividade eltrica , como visto no Captulo 1, proporcional concentrao de eltrons livres (Eq. 1.3.6), a condutividade do semicondutor puro aumenta com o aumento da temperatura (como j dito, seu coeficiente de temperatura da resistividade negativo), devido ao aumento na sua concentrao intrnseca. Tal comportamento expresso pela seguinte equao:
ni2 = Ao T 3 e K B T (3.3.2) -6 -3 onde Ao (cm K ) uma constante do material independente da temperatura, EGO (eV) a largura da banda proibida a 0 K (ou a energia necessria para desfazer a ligao covalente) e KB (eV/K) a constante de Boltzmann. Na temperatura ambiente, um cristal de silcio puro praticamente no tem portadores livres se comparado ao de germnio. Esta a razo principal que fez o silcio tornar-se superior ao germnio na fabricao de componentes semicondutores, pois significa que o silcio tem menor dependncia da temperatura em relao ao germnio.
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EGO
energia
BC
eltrons da BC
- - - - - - - - - - - - -
eltrons da BC
- - - - - - + + + + +
E
BV A B C D
eltrons da BV
VS
lacunas na BV
VS
(a)
(b)
(c)
Fig. 3.3.3: (a) diagrama de energia da corrente de lacunas; (b) e (c) dois trajetos para a corrente. Seja uma lacuna criada por energia trmica, representada na Fig. 3.3.3-a com a letra A. Quando uma ligao est incompleta de modo a existir uma lacuna, apenas uma pequena variao de energia fornecida por um campo eltrico pode fazer um eltron de um tomo de valncia vizinho (representado em B) deslocar-se para esta lacuna e deixar sua ligao covalente incompleta em B, gerando uma lacuna. Logo, o mesmo pode acontecer ao eltron em C que, ao preencher a lacuna em B, cria uma lacuna em C e assim sucessivamente. Desse modo, as lacunas se movem no sentido contrrio aos dos eltrons da BV (Figs. 3.3.3-b e c). Portanto, as lacunas, no lugar dos eltrons da BV, podem ser tratadas como partculas clssicas de carga positiva e, assim como os eltrons da BC, tambm consideradas portadores de carga livres. Tal comportamento das lacunas pode ser verificado pelo Efeito Hall, visto mais adiante. Assim, pelo fato de haver lacunas nas rbitas de valncia, h dois percursos ao longo do qual os eltrons podem se deslocar dentro do cristal: bandas de valncia e conduo (Figs. 3.3.3-a e b), com as lacunas no sentido contrrio (Fig. 3.3.3-c). Portanto, entende-se que o semicondutor possui dois tipos de portadores de carga e oferece dois trajetos de corrente para os mesmos: um atravs da banda de conduo, formado pelos eltrons livres, e outro atravs da banda de valncia, formado pelas lacunas. Este o principal motivo dos semicondutores serem diferentes dos metais. Como visto no Captulo 1, a densidade de corrente de conduo J em um material condutor proporcional ao campo eltrico E aplicado ao mesmo, isto , J = E, onde a condutividade do material. Como tanto os eltrons como as lacunas contribuem para o processo da conduo em um semicondutor, a expresso da condutividade para estes materiais a uma temperatura acima de 0 K ampliada de modo a contemplar ambos os portadores, ou seja: = n e n + p e p = e (n n + p p ) ( S / m) (3.3.3)
onde o sinal de soma dos produtos das concentraes de eltrons livres (n) e lacunas (p) com as mobilidades dos eltrons livres (n) e lacunas (p) devido ao fato que os portadores movem-se em sentidos contrrios mas possuem cargas opostas. A expresso da densidade de corrente de conduo agora expressa por: J = E J = e (n n + p p ) E ( A / m2 ) (3.3.4) mas, como nos semicondutores intrnsecos, n = p = ni (Eq. 3.3.1), tm-se ento que: = e ni ( n + p ) J = e ni ( n + p ) E (A / m2 ) A Tab. 3.3.1 a seguir mostra algumas propriedades do silcio puro.
PROPRIEDADE nmero atmico massa especfica (g/cm3) constante Ao (cm-6 K-3) EGO (EG a 0 K) em eV EG a 300 K em eV constante dieltrica VALOR PROPRIEDADE VALOR 14 concentrao de tomos do cristal (cm-3) 5 x 1022 2 2,33 constante de difuso de eltrons livres Dn a 300 K (cm /s) 34 35 2 5,23 x 10 constante de difuso de lacunas Dp a 300 K (cm /s) 13 1,21 500 mobilidade das lacunas - p a 300 K (cm2/V s) 1,12 1300 mobilidade dos eltrons - n a 300 K (cm2/V s) -3 11,9 concentrao intrnseca ni a 300 K (cm ) 1,5 x 1010 Tab. 3.3.1: Algumas propriedades do silcio puro (3.3.5)
Observa-se pela Tab. 3.3.1 que a densidade (concentrao) de tomos por cm3 no silcio da ordem de 1022, mas temperatura ambiente (300 K) a concentrao intrnseca de portadores ni da ordem de 1010 portadores livres por cm3. Isto significa dizer que apenas um tomo de silcio em cada 1012 tomos do material contribui com um eltron livre (e, conseqentemente, uma lacuna). Desse modo, esta concentrao intrnseca de portadores mais prxima da que se verifica num isolante. Tal fato pode ser verificado pela grande resistividade do silcio puro na temperatura ambiente, calculada a seguir:
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Logo :
300 K =
300 K
1 4,32 10 4
= 2314 m 2300 m
Por estes clculos verifica-se, ento, que a resistividade do silcio puro na temperatura ambiente (300K) bem elevada. Este problema exemplificado de outra maneira no exerccio a seguir. EXERCCIO 3.3.1: Seja uma barra de silcio puro de comprimento 5 mm e 0,01 mm2 de seo transversal. Determine a ddp entre as suas extremidades quando no mesmo se mede uma corrente de 1A a 300 K. SOLUO Seja Rb,300 K a resistncia CC da barra de silcio a 300 K. Do Captulo 1, sabe-se que: Rb,300 K = 300K l/A, onde, do clculo acima, 300K = 2300 m e, do problema, que l = 5 mm = 5 x 10-3 m e A = 0,01 mm2 = 10-8 m2. Seja Vb a ddp nos terminais da barra e I = 10-6 A sua corrente. Aplicando a Lei de Ohm na barra, tem-se ento: 5 10 3 l 6 Vb = Rb , 300 K I Vb = 300 K I = 2300 10 Vb = 1150 V A 10 8
O resultado obtido neste exemplo indica que ser necessria uma tenso extremamente elevada (1150 V) para produzir uma pequena corrente (1 A) no silcio. Assim, para a maioria das aplicaes, em um semicondutor intrnseco no h portadores de carga livres nem causas suficientes para produzir uma corrente utilizvel. A soluo consiste, ento, em elevar a condutividade do semicondutor intrnseco, introduzindo-se no mesmo, tomos de certas impurezas para aumentar a quantidade de um dos tipos de portadores livres. Tal assunto visto a seguir.
+4
energia BC BC
0,05 eV
energia
+4
+5
+4
EG
+4 on pentavalente
eltron livre
BV (b)
BV (c)
(a)
Fig. 3.4.1: Cristal tipo N de silcio: (a) criao de eltrons livres na rede cristalina do silcio; (b) bandas de energia; (c) predominncia de eltrons livres em relao s lacunas geradas por efeito trmico.
+4
energia BC
energia BC
eltron livre
+4
+3
+4
EG
0,05 eV
lacuna
+4
BV
BV
lacuna
(a)
(b)
(c)
Fig. 3.4.2: Cristal tipo P de silcio: (a) criao de lacunas na rede cristalina do silcio; (b) bandas de energia; (c) predominncia de lacunas em relao aos eltrons livres gerados por efeito trmico.
n2 1,5 1010 lacunas - Da Eq. 3.4.6: pN = i = = 4,5 10 5 14 nN 5 10 cm 3 10 3 onde ni a 300 K 1,5 x 10 portadores/cm (Tab. 3.3.1). Observando-se que nN >> pN, pode-se entender que a condutividade depender apenas da concentrao de eltrons livres. Considerando constante o valor da mobilidade dos eltrons (n) a 300 K, dado na Tab. 3.3.1, tem-se: - Da Eq. 3.4.7 : n , 300 K = e n N n , 300 K = 1,6 10 19 5 1014 1300
n, 300 K = 0,09615 m
Pode-se observar que a condutividade desta amostra consideravelmente maior que a do silcio puro calculado anteriormente (4,32 x 10 -4 S/m). A razo entre ambos de: n, 300 (amostra extrnseca ) 10,4 = 24000 300 (amostra intrnseca ) 4,32 10 4 Utilizando-se a Lei de Ohm para o clculo da ddp na amostra de silcio tipo N, tem-se: 5 10 3 l 6 Vb = Rb , 300 K I Vb = n, 300 K I = 0,09615 10 Vb = 48,1 m V A 10 8 Este resultado muito menor que o obtido para a amostra pura, pois, como as dimenses da mesma e condio de corrente so iguais s do Exerccio 3.3.1, tem-se que a razo entre os mesmos de: ddp (amostra intrnseca ) 1150 = 24000 ddp (amostra extrnseca ) 0,0481
A comparao deste resultado com o obtido no Exerccio 3.3.1 mostra que, para se gerar uma pequena corrente de 1 A deve-se aplicar 1150 V amostra pura, enquanto que a amostra extrnseca tipo N requer apenas 48,1 mV. Alm disso, como demonstrada no exemplo, esta reduo de tenso, num fator de 24000, iguala exatamente ao acrscimo na condutividade. Logo, o enorme aumento da quantidade de eltrons livres, n = ni = 1,5 x 1010 cm-3 do semicondutor intrnseco a 300 K (Tab. 3.3.1) para nN = 5 x 1014 cm-3 obtido neste exemplo, acontece quando apenas 1 tomo de silcio em 108 tomos substitudo por um tomo de impureza.
Comentrio: Se em um cristal tipo P, com concentrao NA de tomos aceitadores, for acrescentada ND impurezas doadoras, tal que ND > NA , o cristal passa de tipo P para tipo N e vice-versa. Se ambas as dopagens forem iguais, o semicondutor permanece intrnseco (porm no mais puro) porque eltrons livres e lacunas gerados pela dopagem se combinam, no originando portadores adicionais. Logo, sobre uma amostra de determinado tipo, pode-se criar ilhas do outro tipo e assim sucessivamente. Este fato amplamente aproveitado na construo dos circuitos integrados.
(corrente formada z
majoritariamente por lacunas)
Fmag = e v x B
lacuna
face 2
VH
E
v I x
face 1
VH d v I x w SC Tipo N
VH
E B
face 1
E
v I x
face 1
Condutor
SC Tipo P
(a)
(b)
(c)
Fig. 3.4.3: Efeito Hall em: (a) condutores; (b) amostra tipo N; (c) amostra tipo P.
Da Eletrodinmica sabe-se que, quando uma carga q em movimento com velocidade v atravessa um campo magntico uniforme de induo B transversal a v, surge uma fora magntica Fmag na carga proporcional ao produto vetorial entre v e B e perpendicular ao plano v-B. Seja, ento, uma amostra de material condutor percorrida, no sentido convencional, por uma corrente I na direo positiva do eixo x e mergulhada em um campo magntico de induo B na direo positiva do eixo y (Fig. 3.4.3-a). Desse modo, os portadores de carga do condutor estaro sujeitos a uma fora magntica Fmag . Como em condutores a corrente formada por eltrons livres, cujo sentido contrrio ao convencional, e, sendo q = carga do eltron = - e, o sentido da fora magntica Fmag nos portadores de carga o mostrado na Fig. 3.4.3-a (sentido positivo do eixo z). A fora magntica provoca, ento o deslocamento dos eltrons para a face 2 da amostra, deixando a face 1 carregada positivamente. Esta separao de cargas opostas origina uma diferena de potencial VH , como resultado de um campo eltrico E que surge entre as cargas (Fig. 3.4.3-a). O surgimento do campo eltrico chamado Efeito Hall, sendo a ddp VH conhecida como tenso ou fem de Hall. Como nos semicondutores tipos P e N os portadores majoritrios (lacunas e eltrons livres, respectivamente) tm sinais contrrios, o Efeito Hall pode ser empregado na determinao do tipo de semicondutor . Seja, ento, uma amostra de material semicondutor de tipo desconhecido, atravessada por uma corrente I no sentido positivo de x e colocada em um campo magntico de induo B no sentido positivo de y. Assim, analisando-se as Figs. 3.4.3 -b e c observa-se que seus portadores de carga estaro sujeitos a uma fora magntica no sentido positivo de z, independentemente da amostra ser tipo N ou P, isto , independente do tipo de portador de carga que compe a corrente no semicondutor. Logo, atravs da ddp de Hall entre as faces 1 e 2 nas amostras se conclui que: Se a polaridade da tenso de Hall VH positiva na face 1 em relao face 2, ento os portadores de carga so eltrons livres, o que identifica a amostra de material semicondutor como sendo do tipo N (Fig. 3.4.3-b). Nota-se que este caso similar ao que ocorre em um condutor (Fig. 3.4.3-a).
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3.5.1) TERMISTORES
Termistores semicondutores (smbolo esquemtico R () curva do termistor isolado circuito na Fig. 3.5.1-a) so componentes que se comportam eltrico como resistores variveis com a temperatura. So a ser 200 curva do normalmente do tipo NTC, com variao da resistncia compensado calor paralelo o da ordem de 3% por C, sendo muito maiores que os dos termistor100 resistncia T Rparal. metais. So, por isso, usados como sensores trmicos ou T para compensar variaes de temperatura em circuitos. So considerados transdutores do tipo que converte -10 10 30 50 T(oC) energia trmica em eltrica. Termistores so obtidos de (a) (b) (c) xidos metlicos tais como de nquel, mangans, cobre, zinco, etc, que fornecem produtos com condutividades Fig. 3.5.1: (a) smbolo esquemtico do termistor; que crescem rapidamente com a temperatura. (b) compensao trmica de um circuito; (c) exemplo Um exemplo do emprego dos termistores na de caracterstica resistncia versus temperatura de um estabilizao do ponto de operao de um circuito paralelo termistor-resistncia. submetido a grandes variaes de temperatura ambiente, tais como circuitos eletrnicos que empregam componentes semicondutores, estes bastante sensveis a variaes de temperatura. So empregados em srie com estes circuitos (Fig. 3.5.1-b) para se obter uma ao compensadora que neutralize os efeitos da variao trmica ambiente. Se necessrio, utiliza-se ainda um resistor em paralelo com o termistor (Fig. 3.5.1-b), para ajustar o coeficiente de temperatura do termistor de acordo com o do circuito a ser compensado. A Fig. 3.5.1-c mostra a ao do ajuste de um paralelo termistor-resistncia. Os termistores so utilizados tambm como sensores de temperatura em termometria. Duas aplicaes so:
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3.5.2) FOTORRESISTORES
Fotorresistores ou fotocondutores so componentes semicondutores que diminuem sua resistividade quando incide-se sobre o mesmo uma radiao luminosa. A radiao quebra ligaes covalentes, gerando pares eltron-lacuna em excesso queles gerados termicamente pela temperatura ambiente. Tipicamente, um aumento de iluminamento de alguns lux em um fotocondutor comercial diminui sua resistncia consideravelmente. O fotocondutor consiste, ento, em um transdutor do tipo que converte energia luminosa na forma eltrica. Exemplo de fotocondutor o LDR (light dependent resistor), cujo smbolo esquemtico dado na Fig. 3.5.2. Da teoria da Fsica Quntica sabe-se que a relao entre o comprimento de onda (m ou ) e a freqncia f (Hz) de uma onda de radiao eletromagntica dada por: f = c (3.5.1) 6 8 onde c = 299,79 x 10 m/s 3 x 10 m/s a velocidade da onda eletromagntica no vcuo. Sabe-se tambm que, para um fton de energia Ef (eV), seu comprimento de onda () pode ser expresso por: 12400 = (3.5.2) Ef e que a energia mnima de um fton, necessria para a excitao de um eltron da banda de valncia de certo material, a energia do gap EG do material. Logo, o comprimento de onda limite C para excitar um eltron da banda de valncia de certo material ser dada por: C = 12400/EG . Assim, se o comprimento de onda da radiao excede C ento a energia do fton menor que EG e tal fton no desloca um eltron de valncia para a banda de conduo, pois, como Ef = 12400/, se > C, ento Ef < EG . Por este motivo, C chamado comprimento de onda crtico, de corte ou limiar superior do material. Por exemplo, para o silcio, EG = 1,12 eV a 300 K (Tab. 3.3.1) e, portanto, C 11071 (faixa do infravermelho, Tab. 3.5.1). Portanto, pode se dizer que um fotocondutor um dispositivo seletivo de freqncia, ou seja, deve existir uma energia mnima da radiao incidente, e por conseguinte do comprimento de onda, que consiga superar o gap EG do material.
() () Nomenclatura Nomenclatura Nomenclatura (m) 6 7 energia eltrica 5 x10 infra-vermelho 10 7000 azul 5000 4500 udio-freqncia 3 x106 1,5 x 104 vermelho 7000 6500 violeta 4500 4000 ondas mdias e curtas 600 6 laranja 6500 6000 ultra-violeta 4000 40 FM-TV-VHF-UHF 5 0,5 amarelo 6000 5500 raios X 40 0,1 microondas 0,5 0,001 verde 5500 5000 raios 0,1 10-3 Tab. 3.5.1: Comprimentos de onda de algumas radiaes eletromagnticas
A curva de sensibilidade espectral para o silcio plotado na Fig. 3.5.2 (a faixa de comprimento de onda da luz visvel indicada pela regio grifada). Observa-se nesta figura que, LDR quando o comprimento de onda diminui ( < C ), a resposta aumenta e 75 atinge um mximo de sensibilidade. Logo, a resposta espectral depende smbolo Resposta 50 da radiao incidente. Isto significa que uma certa radiao incidente de esquemtico relativa 25 um determinado comprimento de onda no conseguir gerar o mesmo C (%) nmero de portadores de carga livres com uma igual intensidade de luz 0 de outro comprimento de onda. 4000 8000 11071 () Dispositivos fotocondutores comerciais so chamados de clulas Fig. 3.5.2: Resposta espectral do silcio. fotocondutivas. So utilizados para medir a quantidade de iluminao (como um medidor de luz), para registrar uma modulao de intensidade luminosa e ainda como um rel de luz liga-desliga (como em um circuito digital ou de controle). O dispositivo fotocondutor de maior aplicao a clula de sulfeto de cdmio dopada com uma pequena quantidade de prata, antimnio ou ndio. As vantagens destes fotocondutores so sua alta capacidade de dissipao (300 mW), excelente sensibilidade no espectro visvel e baixa resistncia quando estimulados pela luz (em escurido, em torno de 2 M e com luz forte, menos de 100 ). Podem, ento, controlar, por exemplo, um circuito de vrios watts operando um rel diretamente, sem circuitos amplificadores intermedirios. Outros materiais fotocondutores: sulfeto de chumbo, que apresenta um mximo na curva de sensibilidade em 29000 (sendo, ento, usado para deteco ou medidas de absoro de infravermelho), e selnio, que sensvel em toda faixa do espectro visvel, particularmente perto do azul.
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onde VT = T/11600 (T = temperatura do material em Kelvins) o chamado potencial termodinmico ou equivalente volt de temperatura do material. Por exemplo, para a temperatura ambiente (300 K), tem-se que VT = 0,0259 V e, desse modo, Dn = 0,0259n e Dp = 0,0259p . Como mencionado, os semicondutores podem conduzir dois tipos de corrente: conduo e difuso. Assim, na Eq. 3.6.1 pode-se ainda acrescentar uma parcela referente corrente de conduo, que resultado de um gradiente de potencial no material (o chamado campo eltrico), cuja expresso foi vista na Eq. 3.4.10. Assim, a densidade de corrente total de lacunas Jp em um semicondutor tipo P, orientada na direo positiva do eixo x, agora expressa por: dp (A / m2 ) J p = e p p E e Dp (3.6.4) dx Analogamente, da Eq. 3.4.7 tem-se que a densidade de corrente total de eltrons livres Jn para o tipo N ser: dn (A / m2 ) J n = e n n E + e Dn (3.6.5) dx
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p p1 = p 2 e VT V2 V1 = V21 = VT ln 1 , ou (3.6.7) p 2 onde nota-se que a diferena de potencial entre os dois pontos x1 e x2 depende apenas da concentrao de lacunas nestes dois pontos e independente da distncia entre os mesmos (x2 - x1). Analogamente, fazendo-se Jn = 0 na Eq. 3.6.5 e procedendo-se como anteriormente tem-se:
V21
n V21 = VT ln 2 n 1
ou
n1 = n 2
V21 VT
(3.6.8)
A multiplicao das Eqs. 3.6.7 e 3.6.8 resulta: n1 p1 = n2 p2. Assim, desde que se mantenha as condies de equilbrio, o produto n p constante e independente de x e do nvel de dopagem (Lei da Ao de Massas.). Considere-se agora o caso particular mostrado na Fig. 3.6.4, chamado juno PN cristal PN. A regio esquerda do cristal de semicondutor tipo P (chamado agora de substrato ou regio P), com uma concentrao de tomos aceitadores NA uniforme, e a regio direita do tipo N (substrato ou regio substrato P substrato N N), com uma concentrao de tomos doadores ND tambm uniforme. Notase, ento, que a concentrao de portadores livres varia bruscamente do lado p1 p2 P para o lado N na juno dos dois substratos. Esta fronteira entre os NA ND substratos recebe a denominao de juno PN (Fig. 3.6.4) e se constitui na chamada juno abrupta. x1 V21 = Vo x2 x Pode-se notar, ento, que este caso particular constitui-se tambm em uma diferena de concentrao de portadores, pois, entre um ponto qualquer V1 V2 x1 no substrato P e um ponto qualquer x2 no substrato N h uma diferena de concentrao de portadores (Fig. 3.6.4), pois, como visto, eltrons livres so Fig. 3.6.4: O cristal PN. portadores minoritrios no lado P e majoritrios no lado N e lacunas so
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EXERCCIO 3.6.1: Calcule o valor da barreira de potencial Vo numa juno PN a 300 K, considerando ambas as regies P e N de silcio com dopagens iguais de 1 tomo de impureza por 108 tomos de silcio. SOLUO Da Tab. 3.3.1 tem-se: concentrao intrnseca ni = 1,5 x 1010 portadores/cm3 concentrao de tomos no cristal de silcio = 5 x 1022 tomos/cm3 Se a dopagem de 1 tomo de impureza para 108 tomos de silcio, ento a concentrao de tomos doadores (para o substrato N) e aceitadores (substrato P) de 5 x 1014 tomos/cm3, ou seja, ND = NA = 5 x 1014 tomos/cm3. Logo, da Eq. 3.6.9 tem-se: 5 1014 5 1014 N N N N T 300 Vo = VT ln A 2 D = ln ln A 2 D = n 1,5 1010 2 11600 11600 ni i Vo 0,54 V que um resultado coerente, pois os valores tpicos da barreira de potencial a 300 K para um cristal PN de silcio esto entre 0,5 e 0,7 V (para um cristal PN de germnio, os valores tpicos situam-se em torno de 0,2 V).
QUESTES
1) 2) 3) 4) 5) 6) 7) 8) 9)
Comente sobre os materiais semicondutores em geral. Explique o conceito de lacuna e como ocorre a conduo em um semicondutor. Qual o propsito da dopagem? Comente sobre os semicondutores tipo N e tipo P. Explique a Lei da Ao de Massas. Explique o Efeito Hall e o que se pode determinar com ele. Comente sobre os termistores e os fotocondutores. Explique o mecanismo da difuso de portadores de carga em um semicondutor. Explique o que se configura uma juno PN.
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