2-1 Conductores

El cobre es un buen conductor, si se tiene en cuenta su estructura atmica (fig. 21). El nucle contiene 29 protones. Cuando un tomo de cobre tiene carga neutra, 29 electrones se disponen alrededor del nucle. Los electrones viajan en distintas orbitales. Hay 2 electrones en el primer orbital, 8 en el segundo, 18 en el tercero y 1 en el exterior.

Orbitales estables

El nucle atmico atrae a los electrones orbitales (fig. 2-1). No caen en el nucle debido a la fuerza centrifuga creada por su movimiento orbital. Cuando un electrn esta en un orbital estable, la fuerza equilibra la atraccin elctrica del nucle. Es similar a un satlite en orbita alrededor de la tierra, que a velocidad y altura adecuada, puede permanecer en orbita estable sobre la tierra. Cuando mas lejana es la orbita de un electrn menores la atraccin del nucle. Los orbitales mas alejados del centro se mueven a menor velocidad, produciendo menos fuerza centrifuga. El electrn ms externo (fig. 2-1) viaja lentamente y no se siente atrado hacia el nucle.

En electrnica lo que importa es el orbital exterior, el cual se denomina orbital de valencia. Este orbital determina las propiedades elctricas del tomo. La importancia de dicho orbital de valencia, define la parte interna de un tomo como el ncleo ms todos los orbitales internos. Para un tomo de cobre, la parte interna es el nucle (+29) y los tres primeros orbitales ( -28). La parte interna tiene una carga resultante de +1, por que tiene 29 protones y 28 electrones internos, en la figura 2 -2 permiten visualizar lo anterior. El electrn de valencia se encuentra en un orbital exterior alrededor de la parte interna y tiene una carga de +1. A causa la atr accin que sufre el electrn de valencias pequea.

La Parte Interna

El electrn de valencia es atrado dbilmente por la parte interna del tomo, una fuerza externa arranca fcilmente este electrn que se conoce como electrn libre y por eso el cobre es un buen conductor, la tencin mas pequea hace que los electrones libres de un conductor se muevan de un tomo a otro. Los mejores conductores son: plata, cobre y oro.

Electrn Libre

2-2 Semiconductores
Los mejores conductores tienen un electrn de valencia y los mejores aislantes poseen ocho. Un semiconductor tiene propiedades de conductor y de aislante, los mejores semiconductores tiene cuatro electrones de valencia.

Es un ejemplo de semiconductor. Tiene 4 electrones en su orbital de valencia. Hace aos era el nico material adecuado para fabricacin de dispositivos de semiconductores. Pero tenan un grave inconveniente, que no se resolvi por los ingenieros: excesiva corriente inversa. Mas tarde el silicio se hizo mas practico dejando obsoleto al germanio en la mayora de las aplicaciones.

Germanio

Despus del oxigeno es el elemento mas abundante de la tierra. Pero existieron algunos problemas impidiendo su uso en los primeros das de los semiconductores. Una vez resueltos, sus ventajas lo convirtieron en el semiconductor a elegir. Sin el, la electrnica moderna, las comunicaciones y los ordenadores serian imposibles Un tomo aislado tiene 14 protones y 14 electrones (fig. 2-3a) el primer orbital tiene 2 electrones y el segundo 8. Los 4 restantes en el orbital de valencia. El la fig. 2-3a la parte tiene una carga resultante de +4 porque contiene 14 protones en el nucle y 10 en los dos primeros orbitales. La fig. 2-3b muestra la parte interna de un tomo de silicio. Los 4 electrones de valencia nos indican que el silicio es un semiconductor .

Silicio

2-3 Cristales de Silicio

Cuando los tomos de silicio se combinan y forman un solido, lo hacen en estructura ordenada llamada cristal. Cada tomo comparte sus electrones de valencia con los tomos vecinos, de manera que tiene 8 electrones en el orbital de valencia. La fig. 2 -4a muestra un tomo central con 4 vecinos. Los circuitos sombreados representan los 5 ncleos de silicio. Aunque el central tenia originalmente 4 electrones en su orbital de valencia. Ahora posee 8.

Cada tomo en cristal tiene 8 electrones en orbital de valencia. Estos 8 producen estabilidad qumica resultando un cuerpo compacto de material de silicio. Nadie asegura por que el orbital exterior de todo elemento tiene predisposicin a tener 8 electrones. Cuando no existen 8 en un elemento, este tiende a combinar y a compartir electrones con otros tomos para tener 8 electrones en el orbi tal exterior. Hay ecuaciones matemticas que explican parcialmente por que 8 electrones producen estabilidad qumica, pero no se sabe la razn por la cual el numero 8 es tan especial. Se trata de una ley experimental, como la ley de gravedad, la de Coulomb y otras que observamos por que no podemos explicar. Establecindolo como una ley tenemos: Saturacin de valencia: n = 8 El orbital de valencia no soporta ms de 8 electrones, los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente unidos a los tomos. Debido a estos, un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente (25 C).

Saturaciones de Valencia

Temperatura ambiente es la del aire circundante. Cuando es mayor que cero absolutos (-237 C), la energ a trmica del aire hace que los tomos en un cristal vibren dentro del cristal. Cuando mayor temperatura, mas intensas las vibraciones de tomos. Si se toca un objeto, el calor que transmite proviene de vibracin de los tomos.

El hueco

Las vibraciones de tomos d e silicio pueden, hacer que se desligue un electrn de orbital de valencia. Cuando sucede el electrn liberado gana energa suficiente para situarse en un orbital de nivel energtico mayor (fig. 2 -5a) el electrn es un electrn libre. La salida del electr n deja un vacio denominado hueco en el orbital de valencia (fig. 2 -5a) y que se comporta como una carga positiva.

Recombinacin y Tiempo de vida

En un cristal puro se crean igual nmero de electrones libres que de huecos debido a energa trmica, los electrones libres se mueven aleatoriamente a travs del cristal. En ocasiones, un electrn libre se aproximara a un hueco, ser atrado y caer hacia el. Esta unin se llama recombinacin. El tiempo entre la creacin y la desaparicin de un electrn libre recibe el nombre de tiempo de vida, varia desde nanosegundos a microsegundos, segn el cristal y otros factores.

Lo que sucede dentro de un cristal de silicio se puede resumir en lo siguiente: 1. Se crean electrones libres y huecos por accin de la energa trmica. 2. Otros electrones libres y huecos se estn recombinado. 3. Algunos electrones libres y huecos existen temporalmente esperando una recombinacin.

Ideas Principales

2-4 Semiconductores Intrnsecos

Es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es uno, si cada tomo del cristal es uno de silicio. A temperatura ambiente, un cristal se comporta ms o menos como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos correspondientes producidos por la energa trmica que po see dicho cristal.

La fig. 2-6 muestra parte de un cristal situado entre 2 placas metlicas cargadas supngase que la energa trmica produjo un electrn libre y un hueco. El electrn libre se halla en un orbital de mayor energa en el extremo derecho. Debido a que esta cerca de la placa cargada negativamente, es repelido por que se desplaza a la izquierda de un tomo a otro hasta que alcanza la placa positiva.

Flujo de Electrones Libres

Observe el hueco a izquierda de la fig. 2 -6 este atrae al electrn de valencia del punto A, que provoca que electrn se desplace hacia el hueco. Cuando el electrn en el punto A se mueve a la izq., crea nuevo hueco en ese punto, es el mismo que si el hueco orig inal se desplazara a la derecha. El nuevo hueco en punto A atrae y captura otro electrn de valencia de forma, los electrones de valencia pueden moverse a lo largo de la trayectoria indicada por las flechas. El hueca lo hace n el sentido opuesto a lo larg o de la trayectoria A-B-C-DE-F, actuando como una carga positiva.

Flujo de Hueco

2-5 Dos Tipos De Flujos

(fig. 2-7) muestra un semiconductor intrnseco. Mismo numero de electrones libres que huecos. Se debe a que la energa trmica produce electrones libres y huecos

por parte. La tensin aplicada forzara a los libres a circular a la izquierda y a los huecos a la derecha. Cuando los libres llegan al extremo izquierdo del cristal entran al conductor externo y circulan hacia el terminal positivo de la batera. Los electrones libres en terminal negativo circularan hacia el extremo derecho del cristal. En este punto, entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al derecho del cristal. Se produce flujo estable de electron es libres y huecos dentro del semiconductor. Note que no hay flujo hueco por fuera del semiconductor. (Fig. 2-7) los electrones libres y huecos se mueven opuestamente. Concebiremos la corriente en un semiconductor como el efecto combinado de dos tipos de f lujo: el de electrones libres en una direccin y los huecos en la opuesta. Los libres y huecos reciben la denominacin de portadores ya que transportan la carga elctrica de un lugar a otro.

2-6 Dopaje De Un Semiconductor

La conductividad de un semiconductor se puede aumentar mediante el dopaje. Este supone que, deliberadamente, se aade tomos de impurezas a un cristal intrnseco para modificar su conductividad elctrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extr nseco.

Cul es el proceso de dopaje de un cristal de silicio?, primero consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces covalentes y cambiar el estado del silicio de solido a liquido. Para aumentar los electrones libres se aaden tomos pentavalentes al silicio fundido. Los pentavalentes tienen 5 electrones en el orbital de valencia. El arsnico, antimonio y fosforo tiene tomos pentavalentes, estos darn un electrn extra al cristal, se le conoce como impurezas donadoras. Cada tomo pentavalente o donante en un cristal produce electrones libres. Un fabricante controla la conductividad de un semiconductor dopado. Ms impurezas se aadan, mayor ser la conductividad. As, un semiconductor se puede dopar ligera o fuertemente. Dopado ligeramente tiene una resistencia alta y fuertemente dopado tiene una resistencia pequea.

Aumento del numero de electrones libres

Cmo dopar un cristal de silicio para obtener un exceso de huecos?, utilizando una impureza trivalente, es una impureza cuyos tomos tengan solo 3 electrones de valencia como: aluminio, boro y galio. La fig. 2-8b muestra tomo trivalente en el centro, rodeado por 4 tomos de silicio, cada uno compartiendo solo 3 de valencia y comparte 1 con cada uno de sus vecinos, hay solo 7 en el or bital de valencia. Significa que aparece un hueco en el orbital de valencia de cada tomo trivalente. Un a trivalente se denomina tambin tomo aceptor, por que cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombina cin.

Aumento en el numero de huecos

2-7 Dos Tipos De Semiconductores Extrnsecos

Un semiconductor se puede dopar para un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. Existen dos tipos de semiconductores dopados.

El silicio dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo n (fig. 2-9), donde n es negativo. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, se nombra portadores mayoritarios y a los huecos portadores minoritarios. Al aplicarse tensin los electrones libres se mueven a la izquierda y los huecos a la derecha. Cuando un hueco llega a la derecha del cristal, uno de los electrones del circuito extremo entra al semiconductor y se recombina con el hueco. Los electrones libres (fig. 2-9) circulan al extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor para circular hacia el terminal positivo de la batera.

Semiconductor Tipo n

El silicio dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p (fig. 2 10), donde p hace referencia a positivo. Como el nmero de huecos supera al numero de electrones libres, los huecos son portadores mayoritarios y los libres son minoritarios. Al aplicarse tensin los libres se mueven a la izquierda y los huecos a la derecha, figura 2-10, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los libres del circuito externo. En el diagrama de la 2 -10 hay un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.

Semiconductor Tipo p

2-8 El Diodo No Polarizado

Un cristal semiconductor n tiene la mima utilidad que una resistencia de carbono; lo mismo que un semiconductor p. Algo nuevo ocurre cuando un fabricante dopa un cristal de manera que la mitad sea tipo p y la otra sea tipo n. La separacin o frontera entre un semiconductor n y uno p se llam a unin pn. La unin tiene propiedades tiles que ha proporcionado toda clase de inventos como los diodos, transistores y circuitos integrados. Comprender la unin, permite entender toda clase de dispositivos fabricados con semiconductores.

Cada tomo trivalente en un cristal de silicio produce un hueco. Se puede representar un cristal de semiconductor tipo p en el lado izquierdo de la fig.2 -11. Cada signo (-) en circulo representa un tomo trivalente y cada signo (+) en un hueco en su orbital de valencia. Similarmente los tomos pentavalentes y lo huecos en un semiconductor n se puede representar como en el lado derecho de la misma figura. Cada signo (+) en un circulo representa un tomo pentavalente y cada signo (-) es un electrn libre con que contribuye al semiconductor. Cada cristal de material semiconductor es elctricamente neutro por que el numero de signos (-) y (+) es igual. Un fabricante produce un cristal de tipo p en un lado y de tipo p en otro (fig. 2 -12). La unin es la frontera donde se pueden juntar las regiones tipo n y tipo p, esta estructura se llama tambin diodo de unin. Donde di significa dos.

El Diodo No Polarizado

Por su repulsin mutua, los electrones libres en el lado n (fig. 2 -12) se dispersan en cualquier direccin. Algunos libres se difunden atravesando la unin. Cuando uno libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario. Con tantos huecos su tiempo de vida es muy corto. Despus de entrar en la regin p, el electrn libre cae en un hueco. Cuando sucede el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en uno de valencia . Cuando un recetaron se difunde por la unin, crea iones. Cuando abandona el lado n, de ja un tomo pentavalente al que le falta una carga negativa; este se convierte en ion positivo y cuando cae en el hueco en lado p el tomo trivialmente que lo ha capturado se convierte en ion negativo. En la fig. 2-13 los signo (+) en crculos representan iones positivos y los signos ( -) en crculos representan iones negativos. Los iones estn fijos en la estructura del cristal debido a los enlaces covalentes y no se mueven de un lado a otro como los huecos y libres. Cada pareja de iones positivos y negat ivos en la unin se llaman dipolos. La creacin de estos, hace que desaparezca un electrn libre y un hueco. Cada que aumenta el numero de dipolos, la regin cercana ala unin de vaca de portadores. A esta zona sin portadores de le conoce como zona de de plexin (fig. 2-13b).

La Zona de Deplexin

Cada dipolo posee un campo elctrico entre los iones positivos y negativos , si entran electrones libres adicionales en la zona de deplexion, en campo elctrico trata de devolver estos electrones hacia la zona n. la intensidad aumenta con cada electrn que cuza hasta que alcanza equilibro. Esto significa que el campo detendr la difusin de electrones a travs de la unin. (Fig. 2-13) el campo elctrico entre iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrea de potencial. A 25 C la barrera es aproximadamente de 0.3V (diodos de germanio) y 0.7V (diodos de silicio).

Barrea de Potencia

2-9 Polarizacin Directa

(Fig. 2-14) una fuente de corriente continua conectada a un diodo. El terminal negativo esta conectado a l material tipo n y el terminal positivo al material tipo p. esta conexin se llama polarizacin directa.

(Fig.2-14) la batera empuja huecos y libres a la unin. Si la atencin es menor que la barrera de potencial, los electro nes libres no tienen energa para atravesar la zona de Deplexin . Cuando entran en esta zona, los iones se ven empujados de regreso a la zona n. A causa no circula corriente a travs del diodo. Cuando la atencin continua es mayor que la barrera de potencial, la batera empuja huecos y electrones libres hacia la unin. Esta vez los electrones libres tienen suficiente energa para pasar a travs de la zona de deplexion y recombinarse con los hueco s. Para hacer idea imaginemos todos los huecos en la zona p movindose a la derecha y todos los electrones libres desplazndose a la izquierda. En algn lugar prximo a la unin estas cargas opuestas se combinan:

Flujo de Electrones Libres

como los libres entran por el extremo derec ho del diodo y continuamente se crean huecos en el izquierdo existe una corriente a travs del diodo.

Siguen a un nico electrn a lo largo del circuito completo. Despus de que el electrn libre abandona el terminal negativo de la barrera entra en el extremo derecho del diodo. Viaja de la regin n hasta alcanzar la unin. Cuando la atencin es mayor que 0, 7V, el libre tiene energa suficiente para atravesar la zona de Deplexin. Poco despus de entrar a la regin p se reconvina con un hueco el libre se convierte en un electrn de valencia continua su viaje a la izquierda, pasando de un hueco hasta que alcanza el extremo izquierdo del diodo. Cuando deja este ultimo, aparece un nuevo hueco y el proceso comienza otra vez. Como hay miles de millones de electrones haciendo el mismo viaje, tenemos una corriente continua a travs del diodo.

El Flujo de un Electrn

2-10 Polarizacin Inversa

Si se invierte la polaridad de la fuente continua, el diodo quedara polarizado en inversa como en la figura 2 -15, el terminal negativo se encuentra conectado al lado p y el positivo a lado n esta se denomina polarizacin inversa.

El terminal negativo atrae los huecos y el positivo los libres; por ello, los huecos y los libres se alejan de la unin resultando, la zona de deplexion se ensancha. Cunto aumenta la anchura de la zona de deplexion en la figura 2 -16? Cuando los huecos y los electrones se alejan de la unin los iones recin creados aumentan la diferencia de potencial de la zona de deplexion. A mayor anchura corresponde mayor diferencia de potencial. La zona deja de aumentar en el momento en el que s u diferencia de potencial es igual a la atencin inversa aplicada cuando sucede los electrones y los huecos no se alejan de la unin. En ocasiones la zona se muestra como sombreada la anchura de esta es proporcional a la atencin inversa. A medida que la atencin inversa crece, aumenta tambin la zona de deplexion. Existe alguna Corriente despus de haberse estabilizado la zona de deplexion? Si, incluso con polarizacin inversa, hay una pequea corriente. La energa trmica crea continuamente pares de electrones libres y huecos, lo que significa que ambos lados de la unin existen pequeas concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de estos se recombinan con los mayoritarios, pero los que esta dentro de la zona de deplexion pueden vivir lo suficiente para cruzar la unin. Cuando sucede, por el circuito externo circula una pquela corriente. (Fig. 2-17) ilustra esta idea. Suponga que la energa trmica crea un electrn libre y uno hueco cerca de la unin. La zona de deplexion empuja al libre a la derecha, provocando que un electrn deje e extremo derecho del cristal. El hueco en la zona de deplexion es empujado a la izquierda, entra en el lado p ocasionando que un electrn entre por el izquierdo del cristal y se recombine con un hueco. Como

Ensanchamiento de la Zona de Deplexin

Corriente de portadores Minoritarios

la energa trmica crea constantes pares electro -huecos dentro de la zona de deplexion, se producir una pequea en el circuito externo. La corriente inversa originada por los portador es minoritarios producidos trmicamente se llama corriente de saturacin. Esta corriente se simboliza por I s. Representa el hecho de que no se obtiene una corriente de portadores minoritarios mayor que la producida por energa trmica: es decir, aumentar l a tensin inversa no har que crezca el nmero de portadores minoritarios creados trmicamente.

Corriente superficial de Fugas

existe alguna otra corriente en el diodo polarizado en inversa? Una pequea corriente circula la superficie del cristal. Esta s e denomina corriente superficial de fuga, es causada por impurezas en la superficie del cristal e imperfecciones en su estructura interna.

2-11 Ruptura
Los diodos admiten unos valores mximos en tensiones que se les aplican, existe un lmite para la tensin mxima en la inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo. Si aumenta continuamente la tensin inversa, llega un momento en que se alcance la tensin de ruptura del diodo. Para muchos diodos, la tensin d e ruptura es normalmente mayor de 50V. Alcanzada la tensin de ruptura, una gran cantidad de portadores minoritarios aparece repentinamente en la zona de deplexion y el diodo conduce descontroladamente. De donde viene estos portadores? Se prod ucen pro el efecto de avalancha (fig. 2-18) que aparece con tensiones inversas elevadas, hay una pequea corriente inversa de portadores minoritarios. Cuando la tensin inversa aumenta, obliga a los portadores minoritarios a moverse ms rpidamente. De esta forma c hocaran con los tomos del cristal, si adquieren energa suficiente, pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos, es decir, pueden producir electrones libres. La tensin de ruptura de un diodo depende del nivel de dopaje del mismo. Con diodos rectificadores (tipo mas comn), la tensin de ruptura suele ser mayor de 50V.