COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

INTRODUCCION
De principio supongo que sus conocimientos sobre electrnica son pocos o nulos, y estos sern tus primeros contactos con este mundo. Slo necesitamos unos pocos componentes, aprender a identificarlos, ver la forma adecuada de conectarlos y darles una buena utilidad. Y sobre todo, conceptos bsicos que nos permitirn entender como interactan la electricidad y la electrnica ELECTRICIDAD: La electricidad es un fenmeno fsico cuyo origen son las cargas elctricas y cuya energa se manifiesta en fenmenos mecnicos, trmicos, luminosos y qumicos. Es el flujo de electrones. Se puede observar de forma natural en fenmenos atmosfricos, por ejemplo los rayos, que son descargas elctricas producidas por la transferencia de energa entre la ionosfera y la superficie terrestre. Para efectos de nuestra materia, la electricidad aprovecha los fenmenos elctricos para obtener energa o potencia con las cuales podemos "darle movimiento" cualquier aparato elctrico. ELECTRNICA: Utiliza los fenmenos elctricos para trasladar informacin audible, visual, etc., esta se canaliza a travs de una corriente elctrica a base de cambios en sus caractersticas los cuales se codifican, estos pueden ser amperaje, voltaje, frecuencia, fase, etc. Cuando el amperaje o el voltaje se alteran de forma controlada para conducir en forma codificada cierta informacin reciben el nombre de seales. LAS SEALES ELECTRICAS: Desde sus inicios el hombre ha querido comunicarse, esto se ha logrado de diferentes formas, para lo cual se ha necesitado cdigos para ser interpretados, las formas pueden ser luminosos, sonoros, visuales, etc. Con la llegada de la electrnica el ser humano tuvo a su alcance un medio eficaz de comunicacin. En principio se descubri la electricidad, con la cual se genera calor, luz y movimiento. A la llegada del telgrafo, la comunicacin dio un giro completo, ya que con este se podan enviar mensajes "codificados" de un lugar a otro, con pulsos largos y cortos para formar letras y luego palabras (clave Morse), a esto se le dio el nombre de "Seales elctricas". CLASES DE SEALES ELCTRICAS: La primera corriente conocida es la que lleva sus electrones en un mismo sentido, de forma constante y continua llamada Corriente directa, esta podemos decir fue la utilizada en el telgrafo y para formar los cdigos o letras se conectaba y desconectaba un interruptor en perodos cortos o largos. Por la experiencia se demostr que este tipo de corriente presentaba deficiencias a largas distancias en vista que para trasladar la informacin se necesitaban alambres

1 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

que tenan un costo elevado. Otro factor que influa era la alta resistencia de los mismos con lo que se reduca considerablemente el voltaje. Con el paso de los aos se descubri la "Corriente Alterna", la cual cambia constantemente el sentido de sus electrones, estos, por un perodo de tiempo se trasladan en un sentido y luego en otro, a esto se le llama "ciclo", el cual est formado por una cresta y un seno, a la cresta o la parte de arriba de una lnea ser la parte positiva y al seno o la parte debajo de la lnea, ser la negativa. El ciclo antes dicho, depender de varios factores, mismos que se conocen como formas de onda. Con la corriente alterna podemos usar transformadores, con los cuales podemos subir o bajar el voltaje segn nuestras necesidades. Sumado a los "cdigos" de la corriente directa de interrumpir los pulsos y alternar su amplitud, se agrega otro factor importante, en la corriente alterna, "La frecuencia", en otras palabras es la cantidad de pulsos o ciclos por segundo, por ejemplo, en algunos pases la energa elctrica es de 50 ciclos por segundo y en otros de 60, o sea que sern 50 60 crestas con igual nmero de seos por segundo. ELEMENTOS DEL CIRCUITO Y SIMBOLOGIA

Para representar grficamente un circuito debemos familiarizarnos con sus elementos y simbologa y as identificarlos fsicamente entre nuestros materiales. Cada smbolo ir acompaado del aspecto real del componente.

Interruptor o Switch

Transformador. Es un bobinado de cobre, por ahora, nos quedamos con que nos permite disminuir la tensin, en nuestro caso de 220 Volt a 5V, 12V, 24V, etc. RESISTENCIA Material que presenta de la corriente, sus CODIGO DE una cierta oposicin o resistencia al paso valores estn dados en Ohmios, segn su COLORES PARA RESISTENCIA

El valor de los resistores se puede identificar por los colores de las 4 bandas que rodean al componente, una de ellas es llamada tolerancia, es

2 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

algo as como... el error de fabricacin, esta banda puede ser dorada o plateada, yo utilizar la dorada.

LED. (Diodo Emisor de Luz), los hay rojos, verdes, azules, amarillos, tambin infrarrojos, lser y otros. Sus terminales son nodo (terminal largo) y ctodo (terminal corto). Diodo. Al igual que los LED's sus terminales son nodo y ctodo (este ltimo, identificado con una banda en uno de sus lados), a diferencia de los LED's stos no emiten luz. Potencimetros. Son tienen una pista de la posicin del cursor el componente cambiar. resistencias variables, en su interior carbn y un cursor que la recorre. Segn valor de la resistencia de este

Fotocelda. Tambin llamada LDR. Una fotocelda es un resistor sensible a la luz que incide en ella. A mayor luz menor resistencia, a menor luz mayor resistencia.

Capacitor de pueden almacenar expresa en picofaradios establecido, no interesa de qu lado se

cermica. Estos son componentes que pequeas cargas elctricas, su valor se o nano faradios, segn un cdigo distingue sus terminales por lo que no conectan.

3 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Condensador o Capacitor electroltico. Estos almacenan ms energa que los anteriores, eso s, se debe respetar la polaridad de sus terminales. El ms corto es el negativo. O bien, podrs identificarlo por el signo en el cuerpo de componente. Transistores. Bsicamente un transistor puede controlar una corriente muy grande a partir de una muy pequea. Muy comn en los amplificadores de audio. En general son del tipo NPN y PNP. Sus terminales son: Colector, Base y Emisor.

SCR o TIC mediante un sistemas de Gatillo.

106. Son llaves electrnicas, y se activan pulso positivo en el terminal G. muy comn en alarma. Sus terminales son nodo, Ctodo y

Circuitos Integrados (IC). Un Circuito Integrado (IC) contiene en su interior una gran variedad de componentes en miniatura. Segn el IC de que se trate tendr distintas funciones o aplicaciones, pueden ser amplificadores, contadores, multiplexores, codificadores, flip-flop, etc. Sus terminales se cuentan en sentido opuesto al giro de las agujas del reloj tomando un punto de referencia. Relay: Bsicamente es un dispositivo de potencia, dispone de un electro-imn que acta como intermediario para activar un interruptor, siendo este ltimo totalmente independiente del electroimn. Herramientas fundamentales: Una de las herramientas que utilizaremos de tiempo completo ser la placa de pruebas, conocida tambin como protoboard, te permitir insertar en ella casi todos los componentes siempre y cuando los terminales no daen los orificios de la misma, de lo contrario, puedes soldar un alambre fino de cobre en los terminales de gran espesor, como en los SCR, los potencimetros, los interruptores, pulsadores, y otros. CONCEPTOS BASICOS Y LA LEY DE OHM En los terminales de una batera existe la fuerza electromotriz (FEM) cuando no se toma corriente. Esta fuerza electromotriz, es considerada en ocasiones como una presin elctrica y se debe a un sobrante de electrones en uno de los terminales, y a la falta de electrones en la otra. El sobrante y la falta de electrones, es causado por la accin qumica de la batera. En tanto por un lado exista exceso y por la otra falta de electrones habr una atraccin entre las cargas.

4 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

En el momento oportuno, el exceso de electrones del terminal negativo se precipitar para combinarse con los tomos deficientes de electrones en el terminal positivo y se considera que dichos electrones estn bajo presin. Pregunta: Por qu los electrones no pasan por la batera y se combinan con los iones positivos (tomos deficientes de electrones)? Porque los electrones y los iones se generan bajo presin y no pueden volver a la batera tanto como el agua que no puede retroceder a la bomba para igualar la presin creada por la misma. As como el agua fluye por tuberas exteriores para neutralizar la presin de la bomba, tambin los electrones fluyen por los conductores para neutralizar los iones. Al recorrido que ofrecen los conductores a la corriente de la batera se le llama circuito. Cuando se conectan uno ms conductores a la batera, pero sin completar el recorrido para que circulen los electrones, se le llama circuito abierto, por el contrario, si se completa el camino se le llama circuito cerrado, estos trminos se aplican a cualquier fuente de fuerza electromotriz Cuando se conecta un conductor al terminal negativo de una fuente de fuerza electromotriz, el exceso de electrones se distribuye por s mismo a los largo del conductor, y cuando se conecta al terminal positivo, los tomos se ionizan en el conductor, aunque el circuito no se complete (se cierre) los extremos de los conductores tienen exceso o falta de electrones. Si se aplica una fuente de fuerza electromotriz mayor la ionizacin ser ms completa. La relacin entre corriente y voltaje es un hecho, imaginemos nuevamente el circuito abierto. Si a una batera le conectamos un voltmetro (en paralelo con los terminales de la batera), un interruptor, un ampermetro (en serie con el circuito) y una resistencia, creamos un circuito (abierto). En este caso el voltmetro indicar el voltaje de la batera, an con el circuito abierto, en cambio el ampermetro indicar cero puesto que no circula corriente por el circuito, en tanto exista una diferencia de cargas en los terminales de la batera, existe un voltaje, esto puede definirse como una diferencia de potencial. Ahora, cerramos el interruptor, lo cual nos da un circuito cerrado, el voltmetro seguir indicando el voltaje y el voltaje en el interruptor ser "0"; en este caso el ampermetro indicar la corriente que fluye por el circuito, obviamente cuando cerramos el circuito el voltaje tendr una ligera cada por efecto de la resistencia interna de la batera, en algunos casos esta cada ser insignificante. Cuando los electrones circulan por la resistencia tratan de agruparse en el lado por donde entran, esto significa que existen ms electrones en el lado de la resistencia por donde entran, que por el lado donde salen existiendo en la resistencia un voltaje. La polaridad del voltaje a travs la resistencia se contrapone a la polaridad de la batera, dicho de otra manera, el voltaje en la resistencia se opone al voltaje de la batera, esto obedece a que el voltaje negativo de la resistencia trata de rechazar a los electrones de la batera. Dado que el voltaje en la resistencia se establece por la circulacin de corriente, no es posible para ese voltaje detener la circulacin de corriente, si esto fuera posible, el voltaje en la resistencia sera "0" y la corriente de la batera no tendra oposicin. Si medimos el voltaje de la resistencia, el voltmetro indicara exactamente el mismo que en los terminales de la batera. LEY DE OHM:

5 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

En la ciencia, para producir un efecto debe existir una causa y como consecuencia, para producir un efecto la causa debe vencer la oposicin presente. En electricidad esta regla se demuestra; la fuerza electromotriz es la causa, la corriente es el efecto y la oposicin es la resistencia. La relacin entre voltaje, corriente y resistencia se compara por analoga con un circuito elctrico y uno hidrulico. Cuando se aumenta la fuerza electromotriz, se aumenta la corriente, entonces se dice que la corriente es directamente proporcional al voltaje (FEM), si aumentamos al doble el voltaje la corriente crecer tambin el doble. Tambin la corriente es inversamente proporcional a la resistencia, en este caso, si la resistencia se hace mayor, la corriente se har menor. RELACION ENTRE VOLTAJE, RESISTENCIA: Si se aplican 10 voltios a una resistencia de un ohmio en un circuito cerrado, fluye por l una corriente de 10 amperios los cuales se pueden medir con un ampermetro. La cada de voltaje en la resistencia es de 10 voltios, medidos con un voltmetro y es opuesto en polaridad al voltaje de la batera. Si se aumenta el voltaje a 20 y la resistencia sigue siendo de 1 ohmio, esto es causa de una corriente de 20 amperios, mismos que fluirn por la resistencia. La cada de voltaje en la resistencia sigue siendo igual al voltaje de la batera, en este caso 20 voltios. Otro ejemplo: Si mantenemos el voltaje en 20 voltios y aumentamos la resistencia a 5 ohmios, la corriente bajar a 4 amperios. A esta relacin entre el voltaje, la corriente y la resistencia se le llama "LEY DE OHM". SEMICONDUCTORES Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente elctrica son conductores. Analgicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prcticamente tampoco el conductor perfecto. Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones. Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atmica. Los conductores son, generalmente, metales, esto se debe a que dichos poseen pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios tomos de un metal, se acercan los electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una verdadera red de tomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente elctrica. Los aislantes, en cambio, estn formados por tomos con muchos electrones en sus ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fcilmente y a no establecer una corriente de electrones. De ah su alta resistencia. CORRIENTE Y

6 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Tambin existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la caracterstica de los anteriores, los semiconductores. Su caracterstica principal es la de conducir la corriente slo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrnica de estado slida est basada. La estructura atmica de dichos materiales presenta una caracterstica comn: est formada por tomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su ltima rbita), por lo que les es fcil ganar cuatro o perder cuatro. Semiconductores Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica: Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. Disposicin esquemtica de los tomos de un semiconductor de silicio puro, No existen electrones ni huecos libres La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura de abajo (Fig. 1). Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.

La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos vecinos.

7 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

A temperaturas bajas en la estructura normal no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante. Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros tomos vecinos para as formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendr tan poca energa que no har posible la conduccin elctrica. Al aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente energa para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto provoca la formacin de un espacio vaco, que por carencia de electrones, posee carga positiva, a este espacio se lo denomina hueco.

Fig. 2. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos Liberndose un cierto nmero de electrones

En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un crculo, La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste. Niveles De Energa Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrn geomtrico. La gran proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones de su ltima capa sufran la interaccin de los tomos vecinos. El nivel energtico de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o en la "banda de conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse libremente por l mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conduccin, el electrn puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo formar parte de una corriente elctrica.

8 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del cristal. Segn la magnitud de esta banda, los cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores. Aislantes. La magnitud de la banda prohibida es muy grande (6 eV), de forma que todos los electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula. Un ejemplo es el diamante. Conductores. No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina. Un ejemplo son todos los metales. Semiconductores. La magnitud de la banda prohibida es pequea ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida. El germanio y el silicio son semiconductores. Aceptadores Y Donadores Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza. Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le aade una pequea cantidad de tomos distintos (por ejemplo arsnico, fsforo, etc.). Se transforma en un semiconductor impuro. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras. Si a la estructura del semiconductor de silicio se le aade alguna impureza, como puede ser el arsnico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al ncleo con carga positiva +5, se obtiene la forma que se muestra en la figura. Ahora, bien para aumentar la conduccin de cualquier semiconductor se recurre a un proceso denominado "dopado" o "envenenamiento". El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores) El dopado del cristal es realizado con tomos trivalentes (con tres electrones en su ltima rbita) o pentavalentes (con cinco). Esta eleccin no es resultado de un proceso azaroso sino que uno u otro tipo de tomo aumentarn a su vez la presencia de uno u otro tipo de portador. Cmo es esto?: el silicio, como ya se ha dicho, tiene cuatro electrones en su

9 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

ltima rbita que se combinan a su vez con otros tomos para formar un cristal. Al introducir un tomo penta o trivalente en dicho cristal, se provocar un aumento o un defecto de electrones que har aumentar la cantidad portadores. Si se introduce un tomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro de sus electrones se unirn a cuatro electrones de los tomos de silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin formar parte de ninguna unin, por lo que est dbilmente ligado al tomo: Este electrn libre, requerir muy poca energa para "saltar" a la banda de conduccin. La energa trmica del ambiente basta para provocar este salto. De esta forma al agregar tomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conduccin, es decir, agregamos portadores. Cabe mencionar que los mencionados tomos pentavalentes se ubican en un nivel de energa mucho ms cercano a la banda de conduccin que la banda de valencia, denominado "nivel donador" este nivel se ubica a una distancia, energticamente hablando, de 0,05 electrn-volt, mientras que la distancia entre las bandas de un semiconductor es de 0,7 eV. De la misma forma, podemos dopar al cristal con tomos trivalentes (como el boro, el Aluminio, el Galio, etc.), esto provocar un exceso de electrones en el cristal, ya tres de los cuatro electrones de la ltima rbita del Silicio se combinan con los tres electrones del anterior tomo. Esto trae como consecuencia la generacin de un espacio sin electrones, que tendr carga positiva, es decir, esto generar un hueco. De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a travs del dopado, la cantidad de electrones o huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se le denomina extrnseco, ya que fue modificado por elementos exteriores Semiconductores Tipo P Y Tipo N Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n. En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro. La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la unin incompleta dar lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro. A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios.

10 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios. Veamos ahora, qu ocurre si a un cristal extrnseco le conectamos una fuente externa de tensin. Al existir mayor cantidad de portadores (no importa de qu tipo), circular por el cristal una corriente mucho mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente depender de que tan contaminado est el material. Si el cristal es de tipo 'n' la corriente se deber casi en su totalidad a los electrones en la banda de conduccin, aunque siempre existe una pequea corriente producida por los huecos generados trmicamente. Anlogamente, si el cristal es del tipo 'p' la corriente estar regida por huecos mayormente, existiendo, sin embargo, una pequea corriente de electrones. Polarizacin Directa E Inversa De La Unin P-N El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P) De esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario. La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que se aplique un campo elctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicacin de este campo: polarizacin inversa y polarizacin directa. Polarizacin inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensin ms positiva que a la parte P. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tendern a circular en ese sentido Mientras que los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa que circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusin que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prcticamente nula. Algo totalmente anlogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusin, contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total Prcticamente nula. La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denominan Corriente inversa de saturacin ( Is ). En la prctica, el valor de esta corriente es muy pequeo (del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar sta. Polarizacin directa. Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularan huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusin. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor elevado a partir de un determinado valor de tensin (tensin umbral, V) que depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2 V).

11 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario. Anotaciones sobre circuitos elctricos. 1. En circuitos elctricos con resistencias en serie, el voltaje se divide en partes proporcionales al valor de las resistencias. 2. La corriente de un circuito con resistencias en serie, siempre ser la misma para todo el circuito. 3. En circuitos elctricos con resistencias en paralelo, el voltaje en las resistencias siempre ser la misma, y la corriente por cada resistencia ser proporcional al valor de las resistencias en paralelo. Potencia El termino potencia se asocia a cualquier dispositivo capaz de realizar un trabajo til. Por ejemplo, un motor elctrico es potente, cuando es capaz de mover una mquina. La idea de potencia elctrica surge del hecho que la electricidad es una forma de energa que puede ser convertida en un trabajo til, como lo es encender una lmpara, calentar una resistencia de una estufa elctrica, o mover la hlice de un ventilador. Por lo tanto podremos concluir que la potencia es el trabajo realizado por un dispositivo en una unidad de tiempo. La corriente elctrica produce un trabajo cuando traslada una carga por un conductor. Luego, este trabajo supone la existencia de una potencia que depender del tiempo que dure desplazndose la carga. La unidad de medida de la potencia es el Watt, o vatio (W), equivalente a 1 J/s, un Joule por segundo, y denominado as en honor a James Watt, quien adems invent la mquina de vapor. Gracias a la Ley de Watt podemos definir la relacin que existe entre la intensidad de corriente y el voltaje de un circuito. La ley de Watt se deduce matemticamente como: Potencia = Intensidad de corriente x voltaje Donde P es la potencia disipada en Watts o Vatios (W) V es la tensin aplicada (el voltaje) y mostrada en Volts (V) I es la intensidad de corriente que circula por el circuito y dada en Amperes o Amperios. (A) P=I*V

El tringulo de la Ley de Watt.

12 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Combinacin de las Leyes de Ohm y de Watt Las leyes de Ohm y de Watt se pueden combinar matemticamente para obtener otras relaciones tiles que nos permiten calcular la potencia, la corriente o la resistencia en un circuito, conociendo otras dos magnitudes. En la siguiente figura encontramos la relacin que existe entre cada variable: TRANSISTORES El transistor son dispositivos de tres terminales que se utilizan para controlar corrientes relativamente grandes a partir de seales de corriente o de voltaje muy dbiles, actuando como resistencias o interruptores controlables electrnicamente. Los circuitos que utilizan los transistores como resistencias variables se denominan lineales o anlogos, y los que los utilizan como interruptores se denominan digitales o lgicos. Los transistores se fabrican no solamente de componentes discretos sino que forman parte vital de los circuitos integrados (chips) los cuales contienen miles o hasta millones de ellos, construidos e interconectados sobre una diminuta pastilla de silicio. El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

13 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). - Ic = * Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa. Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es ms alta. Adems de su factor de amplificacin, el transistor como semiconductor, tiene las propiedades de conmutar y oscilar. Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan. Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran: Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

14 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Tipos de transistores. Simbologa Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin (JFET) Transistor de Efecto de Campo, de Metal-xidoSemiconductor (MOSFET) Fototransistor

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN. Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver el siguiente grfico Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

15 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura. Transistor SCR El SCR (Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor. Tiristor. Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito. El pulso de disparo ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo si se est trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (en la prctica, cuando la onda sinodal cruza por cero) Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo. Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de tipo electrnico. Transistor de efecto campo El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

16 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre s. Ver la figura Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Ver el grfico. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que haya cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal. Curva caracterstica del FET Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye. Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo.

Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (Ver grficos) Para saber cul es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la curva caracterstica de transferencia del FET. En este grfico de la curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de canal tipo P en el grfico inferior izquierda. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] ) donde: - IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID

17 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Resistencia del canal RDS Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este comportamiento como un resistor cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico). Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET, se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS = VDS/ID Los smbolos del FET son: PNchannel channel

18 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE Smbolos esquemticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta (Gate), D=Drenador (Drain) y S=Fuente (Source).

La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea mono cristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-InsulatorSemiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales. Lgica y lgebra Booleana. 1. Introduccin Las lgebras booleanas, estudiadas por primera vez en detalle por George Boole, constituyen un rea de las matemticas que ha pasado a ocupar un lugar prominente con el advenimiento de la computadora digital. Son usadas ampliamente en el diseo de circuitos de distribucin y computadoras, y sus aplicaciones van en aumento en muchas otras reas. En el nivel de lgica digital de una computadora, lo que comnmente se llama hardware, y que est formado por los componentes electrnicos de la mquina, se trabaja con diferencias de tensin, las cuales generan funciones que son calculadas por los circuitos que forman el nivel. stas funciones, en la etapa de disea del hardware, son interpretadas como funciones de Boole. En el presente trabajo se intenta dar una definicin de lo que es un lgebra de Boole; se tratan las funciones booleanas, haciendo una correlacin con las frmulas proposicionales. Asimismo, se plantean dos formas cannicas de las funciones booleanas, que son tiles para varios propsitos, tales como el de determinar si dos expresiones representan o no la misma funcin. Pero para otros propsitos son a menudo engorrosas, por tener ms operaciones que las necesarias.

19 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Particularmente, cuando estamos construyendo los circuitos electrnicos con que implementar funciones booleanas, el problema de determinar una expresin mnima para una funcin es a menudo crucial. No resultan de la misma eficiencia en dinero y tiempo, principalmente, dos funciones las cuales calculan lo mismo pero donde una tiene menos variables y lo hace en menor tiempo. Como solucin a este problema, se plantea un mtodo de simplificacin, que hace uso de unos diagramas especiales llamados mapas o diagramas de Karnaugh, y el cual tiene la limitacin de poder trabajar adecuadamente slo con pocas variables. Se realizan estas presentaciones con el fin de demostrar la afinidad existente entre el lgebra de Boole y la lgica proposicional, y con el objeto de cimentar el procedimiento de simplificacin presentado en la lgica de proposiciones. 2. Resea Histrica A mediados del siglo XIX, George Boole (1815-1864), en sus libros: "The Mathematical Analysis of Logic" (1847) y "An Investigation of te Laws of Thought" (1854), desarroll la idea de que las proposiciones lgicas podan ser tratadas mediante herramientas matemticas. Las proposiciones lgicas (asertos, frases o predicados de la lgica clsica) son aquellas que nicamente pueden tomar valores Verdadero/Falso, o preguntas cuyas nicas respuestas posibles sean S/No. Segn Boole, estas proposiciones pueden ser representadas mediante smbolos y la teora que permite trabajar con estos smbolos, sus entradas (variables) y sus salidas (respuestas) es la Lgica Simblica desarrollada por l. Dicha lgica simblica cuenta con operaciones lgicas que siguen el comportamiento de reglas algebraicas. Por ello, al conjunto de reglas de la Lgica Simblica se le denomina LGEBRA DE BOOLE. A mediados del siglo XX el lgebra Booleana result de una gran importancia prctica, importancia que se ha ido incrementando hasta nuestros das, en el manejo de informacin digital (por eso hablamos de Lgica Digital). Gracias a ella, Shannon (1930) pudo formular su teora de la codificacin y John Von Neumann pudo enunciar el modelo de arquitectura que define la estructura interna de los ordenadores desde la primera generacin. Todas las variables y constantes del lgebra booleana, admiten slo uno de dos valores en sus entradas y salidas: S/No, 0/1 o Verdadero/Falso. Estos valores bivalentes y opuestos pueden ser representados por nmeros binarios de un dgito (bits), por lo cual el lgebra booleana se puede entender cmo el lgebra del Sistema Binario. Al igual que en lgebra tradicional, tambin se trabaja con letras del alfabeto para denominar variables y formar ecuaciones para obtener el resultado de ciertas operaciones mediante una ecuacin o expresin booleana. Evidentemente los resultados de las correspondientes operaciones tambin sern binarios. Todas las operaciones (representadas por smbolos determinados) pueden ser materializadas mediante elementos fsicos de diferentes tipos (mecnicos, elctricos, neumticos o electrnicos) que admiten entradas binarias o lgicas y que devuelven una respuesta (salida) tambin binaria o lgica. Ejemplos de dichos estados son: Abierto/Cerrado (interruptor), Encendida/Apagada (bombilla), Cargado/Descargado

20 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

(condensador) , Nivel Lgico 0/Nivel lgico 1 (salida lgica de un circuito semiconductor), etctera. Los dispositivos con los cuales se implementan las funciones lgicas son llamados puertas (o compuertas) y, habitualmente, son dispositivos electrnicos basados en transistores. Estos dispositivos, y otros que veremos a lo largo de esta unidad, son los que permiten el diseo, y la ulterior implementacin, de los circuitos de cualquier ordenador moderno, as como de muchos de los elementos fsicos que permiten la existencia de las telecomunicaciones modernas, el control de mquinas, etctera. De hecho, pensando en los ordenadores como una jerarqua de niveles, la base o nivel inferior sera ocupada por la lgica digital (en el nivel ms alto del ordenador encontraramos los actuales lenguajes de programacin de alto nivel). En esta unidad se representan las puertas lgicas elementales, algunas puertas complejas y algunos ejemplos de circuitos digitales simples, as como algunas cuestiones de notacin. Por otra parte se plantean actividades de trabajo, muchas de las cuales implican una respuesta escrita en vuestro cuaderno de trabajo. El deseo del autor es que os resulte sencillo y ameno adentraros en el mundo de la lgica digital y despertaros la curiosidad, tanto por ella, como por la matemtica que subyace en ella. 3. lgebra Booleana El lgebra booleana es un sistema matemtico deductivo centrado en los valores cero y uno (falso y verdadero). Un operador binario " " definido en ste juego de valores acepta un par de entradas y produce un solo valor booleano, por ejemplo, el operador booleano AND acepta dos entradas booleanas y produce una sola salida booleana. Para cualquier sistema algebraico existen una serie de postulados iniciales, de aqu se pueden deducir reglas adicionales, teoremas y otras propiedades del sistema, el lgebra booleana a menudo emplea los siguientes postulados: Cerrado. El sistema booleano se considera cerrado con respecto a un operador binario si para cada par de valores booleanos se produce un solo resultado booleano. Conmutativo. Se dice que un operador binario " " es conmutativo si A B = B A para todos los posibles valores de A y B. Asociativo. Se dice que un operador binario " " es asociativo si (A B) C = A (B C) para todos los valores booleanos A, B, y C. Distributivo. Dos operadores binarios " " y " % " son distributivos si A (B % C) = (A B) % (A C) para todos los valores booleanos A, B, y C. Identidad. Un valor booleano I se dice que es un elemento de identidad con respecto a un operador binario " " si A I = A. Inverso. Un valor booleano I es un elemento inverso con respecto a un operador booleano " " si A I = B, y B es diferente de A, es decir, B es el valor opuesto de A. Para nuestros propsitos basaremos el lgebra booleana en el siguiente juego de operadores y valores:

21 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

- Los dos posibles valores en el sistema booleano son cero y uno, a menudo llamaremos a stos valores respectivamente como falso y verdadero. - El smbolo representa la operacin lgica AND. Cuando se utilicen nombres de variables de una sola letra se eliminar el smbolo , por lo tanto AB representa la operacin lgica AND entre las variables A y B, a esto tambin le llamamos el producto entre A y B. - El smbolo "+" representa la operacin lgica OR, decimos que A+B es la operacin lgica OR entre A y B, tambin llamada la suma de A y B. - El complemento lgico, negacin NOT es un operador unitario, en ste texto utilizaremos el smbolo " ' " para denotar la negacin lgica, por ejemplo, A' denota la operacin lgica NOT de A. - Si varios operadores diferentes aparecen en una sola expresin booleana, el resultado de la expresin depende de la procedencia de los operadores, la cual es de mayor a menor, parntesis, operador lgico NOT, operador lgico AND y operador lgico OR. Tanto el operador lgico AND como el OR son asociativos por la izquierda. Si dos operadores con la misma procedencia estn adyacentes, entonces se evalan de izquierda a derecha. El operador lgico NOT es asociativo por la derecha. Utilizaremos adems los siguientes postulados: P1 El lgebra booleana es cerrada bajo las operaciones AND, OR y NOT P2 El elemento de identidad con respecto a es uno y con respecto a + es cero. No existe elemento de identidad para el operador NOT P3 Los operadores y + son conmutativos. P4 y + son distributivos uno con respecto al otro, esto es, A (B+C) = (AB)+(AC) y A+ (BC) = (A+B) (A+C). P5 Para cada valor A existe un valor A' tal que AA' = 0 y A+A' = 1. ste valor es el complemento lgico de A. P6 y + son ambos asociativos, sto es, (AB) C = A (BC) y (A+B)+C = A+ (B+C). Es posible probar todos los teoremas del lgebra booleana utilizando stos postulados, adems es buena idea familiarizarse con algunos de los teoremas ms importantes de los cuales podemos mencionar los siguientes: Teorema 1: A + A = A Teorema 2: A A = A Teorema 3: A + 0 = A Teorema 4: A 1 = A Teorema 5: A 0 = 0 Teorema 6: A + 1 = 1 Teorema 7: (A + B)' = A' B' Teorema 8: (A B)' = A' + B' Teorema 9: A + A B = A Teorema 10: A (A + B) = A

22 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Teorema 11: A + A'B = A + B Teorema 12: A' (A + B') = A'B' Teorema 13: AB + AB' = A Teorema 14: (A' + B') (A' + B) = A' Teorema 15: A + A' = 1 Teorema 16: A A' = 0 Los teoremas siete y ocho son conocidos como Teoremas de DeMorgan en honor al matemtico que los descubri. Caractersticas: Un lgebra de Boole es un conjunto en el que destacan las siguientes caractersticas: 1- Se han definido dos funciones binarias (que necesitan dos parmetros) que llamaremos aditiva (que representaremos por x + y) y multiplicativa (que representaremos por xy) y una funcin monaria (de un solo parmetro) que representaremos por x'. 2- Se han definido dos elementos (que designaremos por 0 y 1) 3- Se tiene las siguientes propiedades: Conmutativa respecto a la primera funcin: x + y = y + x Conmutativa respecto a la segunda funcin: xy = yx Asociativa respecto a la primera funcin: (x + y) + z = x + (y +z) Asociativa respecto a la segunda funcin: (xy)z = x(yz) Distributiva respecto a la primera funcin: (x +y)z = xz + yz Distributiva respecto a la segunda funcin: (xy) + z = (x + z)( y + z) Identidad respecto a la primera funcin: x + 0 = x Identidad respecto a la segunda funcin: x1 = x Complemento respecto a la primera funcin: x + x' = 1 Complemento respecto a la segunda funcin: xx' = 0

Propiedades Del lgebra De Boole Idempotente respecto a la primera funcin: x + x = x Idempotente respecto a la segunda funcin: xx = x Maximalidad del 1: x + 1 = 1 Minimalidad del 0: x0 = 0

Involucin: x'' = x o tambin (x) = x

Inmersin respecto a la primera funcin: x + (xy) = x Inmersin respecto a la segunda funcin: x(x + y) = x Ley de Morgan respecto a la primera funcin: (x + y)' = x'y'

23 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE

Ley de Morgan respecto a la segunda funcin: (xy)' = x' + y'

Compuerta AND: Cada compuerta tiene dos variables de entrada designadas por A y B y una salida binaria designada por x. La compuerta AND produce la multiplicacin lgica AND: esto es: la salida es 1 si la entrada A y la entrada B estn ambas en el binario 1: de otra manera, la salida es 0. Estas condiciones tambin son especificadas en la tabla de verdad para la compuerta AND. La tabla muestra que la salida x es 1 solamente cuando ambas entradas A y B estn en 1. El smbolo de operacin algebraico de la funcin AND es el mismo que el smbolo de la multiplicacin de la aritmtica ordinaria (*). Las compuertas AND pueden tener ms de dos entradas y por definicin, la salida es 1 si todas las entradas son 1.

Compuerta OR: La compuerta OR produce la funcin sumadora, esto es, la salida es 1 si la entrada A o la entrada B o ambas entradas son 1; de otra manera, la salida es 0. El smbolo algebraico de la funcin OR (+), es igual a la operacin de aritmtica de suma. Las compuertas OR pueden tener ms de dos entradas y por definicin la salida es 1 si cualquier entrada es 1. Compuerta NOT: El circuito NOT es un inversor que invierte el nivel lgico de una seal binaria. Produce el NOT, o funcin complementaria. El smbolo algebraico utilizado para el complemento es una barra sobra el smbolo de la variable binaria. Si la variable binaria posee un valor 0, la compuerta NOT cambia su estado al valor 1 y viceversa. El crculo pequeo en la salida de un smbolo grfico de un inversor designa un inversor lgico. Es decir cambia los valores binarios 1 a 0 y viceversa. Compuerta Separador (yes): Un smbolo tringulo por s mismo designa un circuito separador, el cual no produce ninguna funcin lgica particular puesto que el valor binario de la salida es el mismo de la entrada. Este circuito se utiliza simplemente para amplificacin de la seal. Por ejemplo, un separador que utiliza 5 volt para el binario 1, producir una salida de 5 volt cuando la entrada es 5 volt. Sin embargo, la corriente producida a la salida es muy superior a la corriente suministrada a la entrada de la misma. De sta manera, un separador puede excitar muchas otras compuertas que requieren una cantidad mayor de corriente que de otra manera no se encontrara en la pequea cantidad de corriente aplicada a la entrada del separador.

24 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21

COMPRUEBA QUE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS OPERAN BAJO LAS ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE Compuerta NAND: Es el complemento de la funcin AND, como se indica por el smbolo grfico, que consiste en una compuerta AND seguida por un pequeo crculo (quiere decir que invierte la seal). La designacin NAND se deriva de la abreviacin NOT - AND. Una designacin ms adecuada habra sido AND invertido puesto que es la funcin AND la que se ha invertido. Las compuertas NAND pueden tener ms de dos entradas, y la salida es siempre el complemento de la funcin AND.

Compuerta NOR: La compuerta NOR es el complemento de la compuerta OR y utiliza el smbolo de la compuerta OR seguido de un crculo pequeo (quiere decir que invierte la seal). Las compuertas NOR pueden tener ms de dos entradas, y la salida es siempre el complemento de la funcin OR.

25 Ing. Rubn Alfredo Parada Leyva @CBTIS21