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CAPTULO 1

RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS



Exerccio 1.1
R: Ver texto (pgina 9).

Exerccio 1.2
R: Ver texto (pgina 10).

Exerccio 1.3
R: a) Mobilidade de electres e lacunas:
E
v
e
e
= u ,
E
v
h
h
= u
) (

+ = B v e E e F e
- A grandeza da fora para os electres
y e x e
B ev eE F + =
- A grandeza da fora para as lacunas
y h x h
B ev eE F + =
b) Condutividade elctrica:
h e h e
pe ne u u o o o + = + = , como no h corrente
o=0, vem n/p=u
h
/u
e
=.

Exerccio 1.4
R: a) Ver equao (1.1).
b) Ver texto (pgina 5).

Exerccio 1.5
R: a) Ver texto. No, porque pode ter impurezas em que a concentrao de dadores
igual concentrao de aceitadores.
b) A altas temperaturas, uma grande concentrao dos electres na banda de valncia
tendem a saltar para a banda de conduo, logo a concentrao de impurezas
desprezvel face passagem de grande quantidade electres para a banda de
conduo ficando uma grande concentrao de lacunas na banda de valncia,
logo n=p.
c) Ver texto (pgina 8).

Exerccio 1.6
R: Pela lei de Ohm

= E J o , logo E pe E ne J
h e
u u + = sabendo que
e e
neu o = e
h h
peu o = . Como u
e
=2u
h
e p=4n vem E ne J
e
u 3 = .

Exerccio 1.7
R: a) Ver texto (pgina 10).
b) Ver texto (pgina 10).

Exerccio 1.8
R:
h e h e
pe ne u u o o o + = + =
a) Como
h e
u u u = = , ento a condutividade mnima quando as concentraes de
n e p so baixas.
b) Como
dop dop i i
p o p o = , onde:
-
i
o a condutividade no estado intrnseco;
-
i
p a resistividade no estado intrnseco;
-
dop
o a condutividade no estado dopado;
-
dop
p a resistividade no estado dopado.
Vem ) (
h e i i
en u u o + = , pois n=p=n
i
.

h e dop
pe ne u u u + = =410
23
eu
e
+n
i
eu, pois P (fsforo) dador, p=n
i
e n
i
a 300 K
calculado pela equao (1.1).

Exerccio 1.9
R: Para altas temperaturas, n
i
e o crescem e estamos na regio intrnseca. Na regio entre
40 e 300 K estamos na regio extrnseca. Abaixo de 40 K, os electres esto
congelados.

Exerccio 1.10
R: Ver texto (pgina 2).

Exerccio 1.11
R: O alumnio (Al) uma impureza aceitadora.
Para T=300 K e n=0 vem R
H
=1/(pe), com p=10
18
.
Para T=1000 K estamos na regio intrnseca (ver exerccio 1.5), logo
R
H
=(p.u
h
2
-n.u
e
2
)/[e(n.u
e
+p.u
h
)
2
] e n=p=n
i
, onde n
i
obtm-se da equao (1.1).


CAPTULO 2
RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS

Exerccio 2.1
R: Para >1 um o silcio transparente (Figura 2.4), mas para valores inferiores
possvel fabricarem-se fotododos com a construo simples de junes pn. medida
que diminui dentro da regio visvel (comeando na faixa correspondente ao
vermelho, passando pelo amarelo e terminando no verde - Figura 2.3), tambm o
coeficiente de absoro diminui. Significa isto que a profundidade de penetrao dos
fotes correspondentes tambm diminui. Para ser eficaz, a deteco de fotes
correspondentes a maiores comprimentos de onda deve ser feita atravs de junes pn
mais profundas. Usando trs junes pn com profundidades diferentes possvel
discriminar o tipo de cor. A juno mais profunda vai servir para detectar o vermelho,
a menos profunda o azul e a intermdia o verde.

Exerccio 2.2
R: Ver texto (pgina 19). Membranas de SiN apresentam stress residual em tenso.
Membranas de SiO2 apresentam stress compressivo.

Exerccio 2.3
R: Ver texto (pgina 25).

Exerccio 2.4
R: Evitar a presena de outros gases na cmara de deposio e a oxidao.

Exerccio 2.5
R: Ver texto (pgina 17).

Exerccio 2.6
R: So as foras a que est sujeito um material em repouso, o qual pode ser compressivo
ou em tenso. O recozimento (annealing) dos filmes finos ajuda a diminuir o stress
residual.

Exerccio 2.7
R: Na oxidao trmica basta apenas introduzir oxignio e aumentar a temperatura no
interior de um forno, resultando na formao e no crescimento progressivo de uma
camada de SiO
2
sobre o silcio. Filmes finos de SiO
2
obtidos por deposio envolvem a
tecnologia LPCVD onde h reaces qumicas e a utilizao de gases especficos.



Exerccio 2.8
R: Menor espessura e menor stress por exemplo numa membrana em tenso. Ver texto
(pginas 19-20).

Exerccio 2.9
R: Aplicaes no infravermelho, visvel e ultravioleta respectivamente.


Exerccio 2.10
R: Ver texto (pginas 22, 24 e 25).


CAPTULO 3
RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS
Exerccio 3.1
R: Ver texto (Figura 3.20b).

Exerccio 3.2
R: a) Ver texto (pgina 39).
b) Apenas em tecnologia CMOS.

Exerccio 3.3
R: Definir regies dopadas (com sinal contrrio) como base para o n-MOSFET e p-
MOSFET. A desvantagem o uso de mais uma mscara para a p-well.

Exerccio 3.4
R: a) Para a mesma rea, consegue-se integrar um maior nmero de transstores e
diminuir a potncia de consumo pois a V
th
menor para comprimento de canais
menores.
b) A resoluo ptica do processo litogrfico (comprimentos de onda muito pequenos
para definio das mscaras) e a tenso V
th
est a atingir valores mnimos para a
passagem de um electro da source para o drain. A partir de um valor limite o
processo probabilstico.

Exerccio 3.5
R: Ver texto (pginas 30-31).

Exerccio 3.6
R: a) Y X Y X Y X Z + = = .
b) Desenhar dois inversores lgicos e obter as ligaes elctricas X A =
1
e Y A =
2
.
Desenhar duas portas AND e obter as ligaes elctricas Y A B
1 1
= e
2 2
XA B = .
Desenhar uma porta OR e obter a ligao elctrica
2 1
B B Z + = .

Exerccio 3.7
R: Para definir as zonas de dopagem.

Exerccio 3.8
R: Ver texto (pgina 45).

Exerccio 3.9
R:


Exerccio 3.10
R: Ver texto (pgina 42-43).

Exerccio 3.11
R: a) R=N

R
sheet
, com N

=100 um/10 um=10. Logo R


sheet
=25 kO.
b) R=N

R
sheet
, com N

=100 um/20 um=5. Obtm-se metade do valor inicial.


c) R=N

R
sheet
, com N

=200 um/10 um=20. Obtm-se o dobro do valor inicial.



Exerccio 3.12
R: a) C=c.A/d=410
-9
/(36t).(100 um100 um)/(1.645 um)215 fF,
b) C=c.A/d=410
-9
/(36t).(100 um100 um)/(1.645 um)354 fF,


CAPTULO 4
RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS
Exerccio 4.1
R: Ver texto (pgina 68).

Exerccio 4.2
R: Ver texto (pgina 68).

Exerccio 4.3
R: a) Ver texto (pginas 69-70).
b) Ver texto (pgina 68).

Exerccio 4.4
R: Ver texto (pgina 76).

Exerccio 4.5
R: possvel, mas exige maior tempo na deposio e a colocao do substrato e alvo a
diferentes distncias para obter uma deposio conformal. Ver texto (pgina 81).

Exerccio 4.6
A evaporao por hot-wire (ou resistiva) simples, pois o aquecimento feito atravs da
passagem de uma corrente elctrica por um barco de evaporao que segura o material a
evaporar. De entre outras vantagens, a evaporao por e-beam (feixe de electres) permite
ultrapassar um grande inconveniente da evaporao resistiva: o de projectar impurezas e
outros contaminantes presentes no filamento e assegurar com maior resoluo a espessura
do filme a depositar.

Exerccio 4.7
R: A micromaquinagem superficial a tcnica que permite fabricar estruturas de menores
dimenses.

Exerccio 4.8
R: Ver texto (pgina 71).

Exerccio 4.9
R: Sim, mas obriga a um elevado nmero de mscaras com vrias CQSA.

Exerccio 4.10
R: Por CVD, pois um dos gases presentes o SiH
4
.



CAPTULO 5
RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS

Exerccio 5.1
R: a) Para os n-MOSFETs:
-
1
2
2 2
1 1
/
/
I
I
L W
L W
= =10 ) / ( 10 ) / (
1 1 2 2
L W L W =
- ) / ( 5 . 12 ) / (
1 1 3 3
L W L W =

Para os p-MOSFETs:
Assumindo que:
- os transstores M
1
e M
4
possuem o mesmo tamanho
- I
4
=I
1
=100 uA
- V
ds4
=V
ds1
=V
gs1

Para um bom funcionamento do circuito, tanto M
4
como M
7
devem operar em
saturao, ou seja:
-
2
1
1
1
4
) )( (
2
thn gs
ox n
V V
L
W C
I =
u
(*)
-
2
7
7
7
4
) )( (
2
thp sg
ox p
V V
L
W
C
I + =
u

O tamanho de M
7
tal que:
-
2
1
4 2
4
4
7
7
) (
2
) (
2
) (
thp gs dd
ox p
thp ds dd
ox p
V V V
C
I
V V V
C
I
L
W
+ = + =
u u
(**)
Combinando a equao (*) anterior:
-
thn
ox n
ds gs
V
L W C
I
V V + = =
) / (
2
1 1
4
4 1
u

Com a equao (**), resulta finalmente no tamanho de M
7
:
-
2
1 1
4 4
7
7
)
) / (
2
(
2
) (
thn thp
ox n
dd
ox p
V V
L W C
I
V
C
I
L
W
+ =
u u

O tamanho dos restantes p-MOSFETs so:
- ) / ( 5 ) / ( ) / (
7 7 7 7
4
5
5 5
L W L W
I
I
L W = =


- ) / ( 5 . 7 ) / ( ) / (
7 7 7 7
4
6
6 6
L W L W
I
I
L W = =
b) - ) / ( 3 ) / (
1 1 2 2
L W L W =
- ) / ( 10 ) / (
1 1 3 3
L W L W =

Exerccio 5.2
R: a) R.I
ds
=V
dd
/2 I
ds
=V
dd
/(2R)

R
V
V V
L
W C
I
dd
thn bias
ox n
ds
2
) )( (
2
2
= =
u

V 21 . 1
) / (
~ + =
thn
ox n
dd
bias
V
L W R C
V
V
u

b) g
m
=u
n
C
ox
(W/L)(V
gs
-V
thn
), V
gs
=V
bias
=1.21 V
g
m
~573 mS
c) Supondo que C
b
muito elevado de modo a no atenuar x(t)
V
gs
=V
bias
+x(t) varia no tempo
O caso mais desfavorvel em termos de operao quando V
gs
se torna inferior a
V
thn
, fazendo com que o transstor deixe de operar na regio de saturao. Assim,
deve-se garantir que:
- min(V
gs
)=V
bias
+min[x(t)]>V
thn

Portanto V
bias
>V
thn
-0.01=0.78 V

Exerccio 5.3
R: a) A
v
=-g
m1
.R
d(eq)

-
1
1
1
0 1
1
1
1
) ( 2 ) )( (
ds ox n thn bias ox n m
I
L
W
C V V
L
W
C g u u = =
-
1
0 2
2
2
2
2
) (
)] )( ( [

+ = =
thp sg ox p
ds
ds
eq d
V V
L
W
C
I
V
R u
mas V
sg2
=V
dd
-V
bias2
e V
gs1
=V
bias1

Se por hiptese admitir-se que R
d(eq)
=10 KO g
m1
=2.10 mS
V
bias1
=0.89 V
I
ds1
=0.20 mA
O = + =

K 10 )] )( ( [
1
0 2
2
2
) ( thp bias dd ox p eq d
V V V
L
W
C R u V
bias2
=1.45 V
b) mS 05 . 1 ) )(
2
70
(
0 1 1
= =
thn bias ox n m
V V C g u
A
v
=-g
m1
.R
d(eq)
=-10.5


Exerccio 5.4
R: a) O =

= K 75 . 38
) / (
2
1
3 3
0
L W C
I
V V
I
R
ox n
ref
thn dd
ref
bias
u

b) I
ds
=100 uA (W
1
/L
1
)=(W
2
/L
2
)=100/440/5=100/5 [um/um]
c) Como V
sb
=0, necessrio considerar o efeito de corpo que afecta M
1
.
Para um bom funcionamento do circuito, M
1
e M
2
tem de operar em saturao.
Para isso: V
ds2
>V
gs2
-V
thn2
(como o efeito de corpo no afecta M
2
, ento V
thn2
=V
thn0
) e
V
ds1
>V
gs1
-V
thn1
(o efeito de corpo afecta M
1
, logo V
thn1
=V
thn0
),
Assumindo que V
ds3
=V
ds2
=V
gs3
=2.5-38.7510
3
4010
-6
=0.95 V (V
ds3
>V
gs3
-V
thn0
=
=0.25 V) e M
2
mantm-se em saturao).
V
sb1
=V
ds2
=0.95 V V
thn(1)
=V
thn0
+[(|2u
F
|+V
sb
)
-1/2
-|2u
F
|
-1/2
]~0.89 V
A 100 ) )( (
2
2
) 1 ( 2 1
1
1
1
= =
thn ds bias
ox n
ds
V V V
L
W C
I
u
V
bias1
=2.09 V
M
1
opera em saturao porque V
ds1
=2.5-0.95=1.55 maior que V
gs1
-V
thn(1)
=0.25 V
d) A
v
=g
m1
(1/g
mb1
//r
o1
//r
o2
)/[1+g
m1
(1/g
mb1
//r
o1
//r
o2
)]
r
o1
=r
o2
= pois ignora-se (=0)
Assim A
v
=g
m1
/(g
m1
+g
mb1
)
mS 18 . 0 ) ( 2
1
1
1
1
= =
ds ox n m
I
L
W
C g u
S 4 . 43
| 2 | 2
1
1
1
=
+ u
=
sb F
m
mb
V
g
g


A
v
=0.81 (<1 como era esperado).
e) R
out
=1/(g
m1
+g
mb1
)=4.48 KO

Exerccio 5.5
R: a) Deve garantir-se que qualquer que seja a tenso instantnea no terminal do drain
V
d
=0.3+0.05cos(2tft), o transstor no saia de saturao. Alm disso V
sb
=V
s
, no se
podendo desprezar o efeito de corpo.
Para V
d1
=0.35 V V
thn1
=0.78 V para continuar saturado, V
bias1
>1.01 V
Para V
d2
=0.25 V V
thn2
=0.76 V para continuar saturado, V
bias2
>1.13 V
Logo para no sair de saturao deve V
bias
>max(V
bias1
,V
bias2
)=1.13 V.
b) ) 1 )( )( (
2
1
1
m
mb
thn d bias
ox n
v
g
g
V V V
L
W C
A + =
u

V
bias
=1.40 V e supondo V
d
=0.3 V (s com componente DC) V
thn
=0.77 V
I
ds
=61 uA g
m
=0.37 mS, g
mb
=76 uS A
v
=0.04
c) R
in
=1/(g
m
+1/g
mb
)=2.24 KO



CAPTULO 6
RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS

Exerccio 6.1
R: Ver texto (pgina 112).

Exerccio 6.2
R: Ver texto (pginas 129 a 131).

Exerccio 6.3
R: Ver texto (pgina 112).

Exerccio 6.4
R: Ver texto (pgina 114).

Exerccio 6.5
R: Ver texto (pgina 116).

Exerccio 6.6
R: Escolher o par L [H] e C [F], de modo a ) 2 /( 1 LC f t = .
Para f=4 MHz, pode escolher-se L=5 uH e L=316 pF
Seguir o procedimento apresentado nas pginas 124 e 125 do texto.

Exerccio 6.7
R: a) Uma PLL necessita dos cinco componentes seguintes:
(1) divisor de frequncia: N=5200/12.5=416 ( a razo entre a frequncia de
sada da PLL e a frequncia do oscilador de referncia note-se que
5.2 GHz=5200 MHz);
(2) comparador de frequncia/fase: trata-se de um circuito digital como o
ilustrado na Figura 6.19 e por essa razo no necessita de um projecto
especfico;
(3) oscilador controlado por tenso: K
VCO
=680 MHz/V (um outro valor
qualquer pode ser utilizado desde que o VCO consiga oscilar frequncia
que se deseja gerar; a razo da escolha deste valor por j ter sido
implementado um VCO destes e o valor constar no texto);
(4) bomba de carga: K
VCO
=175 mA.rad/(2t) (idem);
(5) filtro de malha: suaviza a variao do sinal entrada do VCO; o projecto
dos constituintes do filtro de malha o foco da prxima alnea.
b) Aconselha-se a leitura da seco 6.4.5.5 do texto.


A largura de banda da PLL constitui uma outra especificao, mas a sua
importncia no to critica como a da margem de fase, pois s tem efeito na
velocidade de convergncia da PLL. Assim, um projecto possvel do filtro de
malha implica a definio deste valor:
- f
P
=1.2 MHz
No texto pode observar-se o procedimento para a obteno dos componentes do
filtro:
- t
1
=61.8510
-9
s: ver equao (6.33)
- t
3
=70.4610
-9
s: ver equao (6.34)
- f
c
=537.84 KHz: ver equao (6.36)
- t
2
=661.8410
-9
s: ver equao (6.35)
- C
1
=1.92 nF: ver equao (6.37)
- C
2
=18.58 nF: ver equao (6.38)
- R
2
=35.62 O: ver equao (6.39)
- C
3
=190 pF (<C
1
/10): ver equao (6.40)
- R
3
=370.83 O: ver equao (6.40)
Alternativamente, aplicando o factor de proporcionalidade 1/1000(11/1.92),
obtm-se um conjunto de componentes mais fceis de adquirir comercialmente:
- C
1
=11 pF (diminuiu)
- C
2
=10.64 pF (diminuiu)
- R
2
=6.22 KO (aumentou)
- C
3
=10 pF <C
1
/10 (diminuiu)
- R
3
=7.05 KO (aumentou)

Exerccio 6.8
R: a) Em primeiro lugar importa saber se com 3.3 V de alimentao possvel fornecer
directamente 1 W a uma antena com resistncia de entrada igual a 50 O.
Da equao (6.55) sabe-se que P
RF
=max[v
out
(t)]
2
/(2R
L
) e da Figura 6.32(d) sabe-se
tambm que max[v
out
(t)]=V
dd
, logo a maior potncia que possvel entregar
directamente a esta carga P
RF
=109 mW.
Para o amplificador poder fornecer uma potncia de 1 W, a mxima resistncia de
carga deve ser tal que ) 2 /(
2
RF dd L
P V R = =5.44 O, ou seja muito menor que os 50 O.
partida parece que no possvel realizar-se um amplificador em classe A para
as especificaes apresentadas. Contudo e graas introduo de uma malha LC
constituda por dois ramos (com uma indutncia L num dos ramos e uma
capacidade C no outro ramo) possvel cumprir com as especificaes (fornecer
1 W a uma antena de 50 O) ao mesmo tempo que o amplificador ve uma
impedncia de carga puramente real e inferior ou igual 5.44 O. Se R
out
[O] for a
resistncia de entrada da antena e R
in
[O] for a resistncia observada pelo
amplificador, ento para a frequncia f
0
[Hz] consegue-se demonstrar que os
elementos da malha LC so tais que:


-
out
in
in
R
R
R f
C =
0
2
1
t

- C R R L
out in
=
A figura seguinte ilustra o amplificador de classe A completo:


Tendo em conta a mxima resistncia anterior de 5.44 O e assumindo justamente
que R
L
=R
in
=5.44 O, ento L=2.6 nH e C=9.7 pF.
Seleccionando C
0
e L
0
de forma que
1
0 0 0
) 2 (

= C L f t , ento uma possibilidade
usar L
0
=1.624 nH para combinar-se com a indutncia da malha adaptadora de
forma a resultar na indutncia equivalente L
eq
=2.61.624/(2.6+1.624)=1 nH. Por
outro lado C
0
=25 pF mantm-se inalterada. Como a capacidade de bloqueio DC,
C
b
, muito elevada para no atenuar o sinal de RF, a combinao desta com a
capacidade da malha de adaptao resulta em C
eq
=CC
b
/(C+C
b
)~C, significando
que possui dupla funo (ajudar na adaptao e no bloqueio DC).
Sabe-se que a corrente I
choke
igual mxima corrente de pico RF (I
choke
=A
RF

Figura 6.32b) e vale I
choke
=V
dd
/5.44~0.60 A. Da mesma figura percebe-se que o
n-MOSFET tem de aguentar uma corrente que o dobro desse valor, ou seja
1.20 A. Alm disso (Figura 6.32c), a tenso entre os terminais do drain e da source
atinge o dobro da tenso de alimentao, o que significa que o n-MOSFET deve
ser capaz de dissipar uma potncia de pico igual a 1.2023.3=7.92 W. Uma boa
regra desenhar-se um n-MOSFET com o menor comprimento permitido pela
tecnologia, L=L
min
, e para a largura W seleccionada, desenhar-se um transstor
multi-finger para haver uma maior distribuio das correntes por vrios canais.
O sistema de polarizao deve ser tal que
2
min
) )( (
2
thn bias
ox n
chooke
V V
L
W C
I =
u
, com
C
bias
o mais elevada possvel para evitar atenuar o sinal a amplificar, v
in
(t), e R
bias

tambm o mais elevada possvel para evitar que haja fugas de v
in
(t) para a massa.
Um bom exemplo considerar C
bias
=1 nF e R
bias
=5 KO.
Quanto indutncia de choke, sabe-se que esta comporta-se como uma fonte de
corrente assim, o mdulo da sua reactncia deve ser muito maior que a resistncia


de carga vista pelo amplificador. Um bom exemplo considerar
X
choke
>10R
L
=54.4 O, resultando em L
choke
>54.4/(2t10
9
)=8.66 nF.
Finalmente, a eficincia (equao 6.56)
3 . 3 2
44 . 5 62 . 0

= n
~49.4% (s50%).
b) Amplificador em classe C
A estrutura e os componentes de um amplificador de classe C so os mesmos da
alnea anterior. A diferena reside no ngulo de conduo que inferior a 180.
Supondo que se pretende dissipar de forma segura 10% da potncia a fornecer
carga (10% de 1 W), ento a eficincia n=1/1.1=91%. Da equao (6.66),
obtm-se o ngulo de conduo o=111.6 (obtido numericamente). A amplitude da
mxima corrente RF na carga (na carga de 5.44 O observada a partir do terminal
do drain) obtm-se da equao (6.65) e vale A
RF
=3.74 A. Da equao (6.61)
obtm-se a corrente mdia no n-MOSFET: 33 . 0 = ds I A. Finalmente, obtm-se a
partir da equao (6.60) a corrente DC: I
DC
=-2.10 mA. A tenso de polarizao,
V
bias
, negativa e tal que quando V
gs
=V
bias
+max[x(t)], a corrente mxima ser
2
min
(max)
) )] ( max[ )( (
2
thn bias
ox n
ds
V t x V
L
W C
I + =
u
=3.74-2.10=1.64 A.
A maior eficincia deste amplificador deve-se ao n-MOSFET estar a maior parte
do tempo em corte. Isto consegue-se graas a V
bias
que garante V
gs
<V
thn
nesses
intervalos.

Amplificador em classe E
A estrutura e os componentes de um amplificador de classe E podem ser
observados na Figura 6.36 do texto.
Assumindo que o n-MOSFET ideal (V
ds,ON
=0 V quando em conduo), da
equao (6.71) com P
RF
=1 W retira-se a resistncia de carga R
L
=6.31 O. Uma vez
mais necessrio usar uma malha de adaptao por ser diferente dos 50 O
especificados, ou seja: C
malha
=8.9 pF e L
malha
=2.8 nH.
Usando R
L
=6.31 O na equao (6.69), escolhendo um factor de qualidade elevado
(Q=20) e aplicando-o na equao (6.70), obtm-se as capacidades da malha de
carga do amplificador em classe E: C
1
=4.63 pF, C
2
=1.36 pF. A indutncia ser
L=QR
L
/w=20 nH.
A figura seguinte ilustra o amplificador em classe E completo:




Na malha de adaptao a indutncia e a capacidade podem trocar de posio (o
nico efeito a malha de adaptao deixar de ser passa-alto para passar a ser
passa-baixo). Neste caso fica-se somente com L+L
malha
=22.8 nH na malha de carga
e a capacidade 8.9 pF em paralelo com a antena.
Relativamente indutncia de choke, uma vez mais X
choke
>10R
L
=63.1 O,
resultando em L
choke
>63.1/(2t10
9
)=10 nF.



CAPTULO 7
RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS
Exerccio 7.1
R: Possibilidade de integrao completa de antena+transmissor/receptor no mesmo chip,
diminuio de perdas, baixo consumo e boa adaptao de impedncias entre componentes.
Ver texto (pgina 173).

Exerccio 7.2
R: Ver texto (pginas 173-174).

Exerccio 7.3
R: Ver texto (pgina 176).

Exerccio 7.4
R: Ver texto (pgina 176).

Exerccio 7.5
R: Ver texto (pginas 177-178).

Exerccio 7.6
R: Ver texto (pginas 178-179).

Exerccio 7.7
R: Ver texto (pginas 181-182).

Exerccio 7.8
R: Ver texto (pgina 183).

Exerccio 7.9
R: Ver texto (pgina 185).

Exerccio 7.10
R: Ver texto (pgina 187).

Exerccio 7.11
R: Ver texto (pgina 188).

Exerccio 7.12
R: Ver texto (pgina 190).



Exerccio 7.13
R: Ver texto (pgina 189).

Exerccio 7.14
R: Ver texto (pgina 193 e captulo 4 sobre a micromaquinagem no silcio para o processo
de fabrico).